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基于Transformer模型的3D NAND闪存剩余寿命预测方法
1
作者 石颖 杨少华 +2 位作者 周斌 吴福根 胡湘洪 《微电子学》 北大核心 2025年第2期327-334,共8页
为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAN... 为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAND闪存的剩余使用寿命进行预测。与LSTM、GRU相比,所建立模型在高温擦写实验数据集中的均方根误差分别下降了20.5%、21.0%;在温度循环擦写实验数据集中则分别下降2.5%和7.8%。实验结果表明,该模型可以准确预测3D NAND闪存的剩余寿命,优化闪存寿命管理策略。 展开更多
关键词 3D nand闪存 剩余使用寿命 Transformer模型 寿命预测
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包含偏硅酸影响的3D NAND磷酸湿法刻蚀动力学
2
作者 彭子林 周蕾 +2 位作者 邓庆航 叶光华 周兴贵 《化工学报》 北大核心 2025年第2期645-653,共9页
以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面... 以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面临刻蚀选择性低、氧化物回沾等问题。针对上述3D NAND湿法刻蚀问题,结合表征和动力学实验,获得了有无偏硅酸影响的磷酸刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)动力学模型。结果显示Si_(3)N_(4)刻蚀过程是水和磷酸等含氧亲核试剂对Si原子的亲核攻击过程,磷酸刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)的反应活化能分别为60.71 kJ·mol^(-1)和66.90 kJ·mol^(-1),亲核试剂破坏Si—O键所需能量高于Si—N键。包含偏硅酸影响的Si_(3)N_(4)和SiO_(2)刻蚀动力学显示偏硅酸浓度越高Si_(3)N_(4)和SiO_(2)的刻蚀速率越小,并且SiO_(2)刻蚀速率对偏硅酸浓度的变化更敏感。本工作的研究结果可为3D NAND磷酸湿法刻蚀工艺的设计优化提供一定的基础数据和理论认识。 展开更多
关键词 3D nand闪存 湿法刻蚀 氮化硅 氧化硅 偏硅酸 化学反应 动力学 动力学模型
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关键核心技术解构及其突破机理:基于光刻机与3D NAND闪存芯片的比较研究
3
作者 苗圃 张晓燕 《中国科技论坛》 北大核心 2025年第12期62-71,共10页
突破关键核心技术是我国实现科技自立自强的战略举措。通过分析上海微电子突破90纳米光刻机与长江存储突破3D NAND闪存芯片的典型案例,解构关键核心技术,揭示突破机理。研究发现:关键核心技术的构成涉及9种技术类型,由技术结构与突破路... 突破关键核心技术是我国实现科技自立自强的战略举措。通过分析上海微电子突破90纳米光刻机与长江存储突破3D NAND闪存芯片的典型案例,解构关键核心技术,揭示突破机理。研究发现:关键核心技术的构成涉及9种技术类型,由技术结构与突破路径两个维度交叉结合确定,技术结构包括原理知识、设计模式、制造工艺,突破路径包括外围模块高端渗透、关键模块重点突破、架构规则颠覆重构。关键核心技术的突破机理由5类技术演进单元组成,分别为理论驱动单元、反馈迭代单元、技术跃迁单元、协同支撑单元、架构升级单元,这些单元呈现了技术类型之间最基本的关系,决定了技术突破机理的构成形式。此外,5类技术演进单元分别代表知识传导流、知识反馈流、知识跃迁流、知识协同流、知识重组流,揭示了技术积累、反馈、跃迁、协同、重构的机制。 展开更多
关键词 关键核心技术 解构 技术突破机理 光刻机 3D nand闪存芯片
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一种基于3D NAND存储器的存算一体架构及其系统技术协同优化仿真
4
作者 郑好 刘慧雯 +6 位作者 方语萱 范冬宇 韩玉辉 侯春源 刘威 夏志良 霍宗亮 《物理学报》 北大核心 2025年第24期289-301,共13页
随着ChatGPT等大语言模型的发展,产业界对硬件的算力、容量和功耗提出了新的需求.存算一体(compute-in-memory,CIM)技术相较于传统近存计算,减少了数据搬移,显著降低功耗.而在众多存储器中,3D NAND闪存因其成熟的工艺制造技术和超高容量... 随着ChatGPT等大语言模型的发展,产业界对硬件的算力、容量和功耗提出了新的需求.存算一体(compute-in-memory,CIM)技术相较于传统近存计算,减少了数据搬移,显著降低功耗.而在众多存储器中,3D NAND闪存因其成熟的工艺制造技术和超高容量,是最有可能实现大模型本地部署的候选方案.然而,目前针对3D NAND闪存CIM芯片的研究大多停留在学术研究阶段,未基于产品级3D NAND闪存芯片进行系统性的CIM架构设计和大模型功能验证.对此,本文搭建了基于Py Torch框架的大语言模型仿真器平台来评估系统架构的性能,并提出了一种基于源线背面切分工艺的通用3D NAND架构.该架构通过改动3D NAND的源线制造工艺以支持CIM计算,工艺成本极低,可供产业界快速迭代,并完善了相应的映射算法和流水线设计.最后通过仿真器平台对所提出的架构在电流分布和量化的影响下进行了性能评估,仿真结果表明所设计的产品级3D NAND芯片可以在GPT-2-124M大模型上做到20 tokens/s的生成速度和5.93 TOPS/W的能效比,在GPT-2-355M大模型上做到8.5 tokens/s的生成速度和7.17 TOPS/W的能效比. 展开更多
关键词 3D nand 存算一体 硬件加速
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3D NAND FLASH存储器辐射效应研究进展及展望
5
作者 向爽 张国和 +2 位作者 李洋 白豪杰 贺朝会 《微电子学与计算机》 2025年第10期85-100,共16页
相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于... 相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于平面器件的辐射响应机制。综述了3D NAND FLASH存储器辐射效应的研究现状,介绍了空间辐射环境下3D NAND FLASH的总剂量效应与单粒子效应(重离子、质子、中子)的研究进展,分析了涉及的辐射损伤机理和性能退化规律。结果表明,三维结构设计在一定程度上提高了器件的抗总剂量效应和单粒子效应能力。重点探讨了三维结构特有的辐射响应现象,包括总剂量辐射响应在垂直堆叠层结构中的“U”型非均匀变化、重离子效应中阈值电压的双次级峰分布等。最后,基于3D NAND FLASH的发展趋势,对先进NAND FLASH(尤其是面向超高堆叠层数和三维封装微模组方向发展的器件)辐射效应未来的研究方向和抗辐射加固思路进行了展望。 展开更多
关键词 3D nand FLASH存储器 总剂量效应 单粒子效应 损伤机理
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电荷俘获型3D NAND闪存边缘字线可靠性优化方法
6
作者 谭家乐 许旭晗 +2 位作者 宣吴丽娜 张俊杰 曹炳尧 《计算机测量与控制》 2025年第6期200-205,239,共7页
3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于... 3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于边缘字线的4-8 LC方法;该方法将TLC闪存的8种阈值电压状态均分为4组,组内两种状态对应的信息编码的汉明距离需为1;分组后,将与擦除态同组的另一阈值电压状态的闪存单元编程至擦除态,其余3组中处于较低阈值电压状态的闪存单元编程为同组中的另一状态;随后进行数据保留实验并读取误码信息;实验结果显示,在闪存块历经3 000次P/E循环,并在常温下数据保留一年的条件下,边缘字线的平均保留错误数量达到了内部字线的2.97倍,所提出的4-8 LC方法使边缘字线的低页和高页误码率分别降低了99.7%和99.9%,提升可靠性的效果是EP方法的1.74倍。 展开更多
关键词 3D nand闪存 边缘字线 保留错误 4-8 LC
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基于NAND Flash的ECC校验
7
作者 朱振麟 焦新泉 《电子器件》 2025年第5期1008-1012,共5页
针对NAND Flash在数据存储过程中出现的小几率“位错误”,对数据存储的可靠性带来很大影响的问题,提出基于汉明码的ECC数据检测及纠正算法,可以检测2 bit错误且检测并纠正1 bit错误。选用三星生产的K9WAG08U1A,该芯片一页容量为2 kbyte... 针对NAND Flash在数据存储过程中出现的小几率“位错误”,对数据存储的可靠性带来很大影响的问题,提出基于汉明码的ECC数据检测及纠正算法,可以检测2 bit错误且检测并纠正1 bit错误。选用三星生产的K9WAG08U1A,该芯片一页容量为2 kbyte,以一页为单位生成ECC校验码,增强可行性的同时可以实现1 bit/2 kbyte的纠错及2 bit/2 kbyte的检错能力。针对传统校验码生成速度慢,影响数据传输速率,提出校验码的预生成机制。测试结果表明,该算法可行性强,提高了数据传输的速率及可靠性。 展开更多
关键词 nand Flash 小几率 ECC校验码 可靠性
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3D NAND闪存多维度噪声耦合错误检测及信道建模
8
作者 李应钊 朱广平 韩国军 《广东工业大学学报》 2025年第6期86-94,共9页
高性能、高存储密度且低功耗的3D NAND闪存已逐渐成为主流数据存储介质。然而,其可靠性受到擦写寿命有限、数据保持能力不足、读干扰以及层间差异等噪声因素的显著影响。针对这一问题,本文开展了3D NAND闪存的实际加噪测试实验,系统研... 高性能、高存储密度且低功耗的3D NAND闪存已逐渐成为主流数据存储介质。然而,其可靠性受到擦写寿命有限、数据保持能力不足、读干扰以及层间差异等噪声因素的显著影响。针对这一问题,本文开展了3D NAND闪存的实际加噪测试实验,系统研究了不同噪声耦合条件下的误码率表现。通过对测试数据的深入分析,提取了对应的阈值电压分布特征,并构建了适应不同噪声条件的参考电压模型,以优化闪存的可靠性。实验结果表明,该参考电压模型可显著降低3D NAND闪存在噪声干扰下的误码率,与默认参考电压相比,误码率降低高达46%。本文提出的参考电压模型为提升3D NAND闪存在噪声环境下的存储可靠性提供了有效技术手段,有望推动其在高可靠性存储领域的广泛应用。 展开更多
关键词 3D nand闪存 参考电压 固态硬盘技术 可靠性 闪存测试 信道建模 阈值电压分布
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ROTS场景下NAND Flash的校验算法研究
9
作者 肖平 俞伟国 +2 位作者 王承恩 祝鹏 段俊欢 《电工技术》 2025年第22期276-279,共4页
为避免NAND Flash存在的多位错误缺陷对二次设备搭载的ROTS的运行造成影响,提出了一种适用于ROTS场景下的ECC校验算法。结合二次设备存储和处理的数据种类多、数据量大的特点,移植了YAFFS2文件管理系统对数据进行管理,提高了存储介质的... 为避免NAND Flash存在的多位错误缺陷对二次设备搭载的ROTS的运行造成影响,提出了一种适用于ROTS场景下的ECC校验算法。结合二次设备存储和处理的数据种类多、数据量大的特点,移植了YAFFS2文件管理系统对数据进行管理,提高了存储介质的寿命和可靠性;基于YAFFS2系统和传统的BCH纠错码,优化设计了BCH的编译码模块,确保多位错误的准确检错和纠错。试验结果表明,基于YAFFS2文件管理系统的ECC纠错算法不仅可实现对错误位的检测和纠正,还能保证数据读取速率的降幅不超过1%,可满足ROTS场景下的使用需求。 展开更多
关键词 nand Flash ECC校验 BCH算法 位错误
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TSOP封装类型NAND Flash引脚镀层分析与改进研究
10
作者 戴博 李岩 +2 位作者 毛飘 何欣谕 李瑞麟 《真空电子技术》 2025年第4期26-31,共6页
针对NAND Flash器件焊点质量不稳定及产品无法通过可靠性测试的问题,利用扫描电子显微镜SEM和能谱仪EDS对该器件的引脚材质及镀层进行微观分析,结果表明,引脚表面镀层附着一层氧化膜是导致引脚焊点可靠性问题的关键因素。基于此,分别从... 针对NAND Flash器件焊点质量不稳定及产品无法通过可靠性测试的问题,利用扫描电子显微镜SEM和能谱仪EDS对该器件的引脚材质及镀层进行微观分析,结果表明,引脚表面镀层附着一层氧化膜是导致引脚焊点可靠性问题的关键因素。基于此,分别从助焊剂、预处理溶剂及处理温度等关键工艺展开对比试验。最终确定了器件引脚预处理方法的最佳参数,有效提升了NAND Flash器件引脚焊点的长期可靠性。 展开更多
关键词 nand Flash SEM/EDS数据分析 可焊性 焊点 可靠性
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企业级SSD固态硬盘产品生命周期管理与NAND Flash耐用性提升
11
作者 范丽芳 《微型计算机》 2025年第24期142-144,共3页
随着云计算、大数据与AI应用的深入,企业级SSD面临高性能、低时延与长寿命的多重要求。文章系统梳理SSD全生命周期管理框架,从需求定义、选型验证、批量导入到服役监控与退役评估,结合NAND Flash物理衰退机理,提出自适应写放大抑制、热... 随着云计算、大数据与AI应用的深入,企业级SSD面临高性能、低时延与长寿命的多重要求。文章系统梳理SSD全生命周期管理框架,从需求定义、选型验证、批量导入到服役监控与退役评估,结合NAND Flash物理衰退机理,提出自适应写放大抑制、热数据整形、智能磨损均衡等综合技术路径。实验与实际运维数据表明,该方法可在等效负载下将SSD整体耐用性提升35%以上,为数据中心降本增效提供可复制经验。此外研究亦讨论了固件升级与策略迭代对生命周期延伸的协同效应。 展开更多
关键词 企业级SSD 生命周期管理 nand Flash 耐用性 写放大 磨损均衡
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基于NAND Flash的海量存储器的设计 被引量：19
12
作者 舒文丽 吴云峰 +2 位作者 孙长胜 吴华君 唐斌 《电子器件》 CAS 北大核心 2012年第1期107-110,共4页
针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPG... 针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。 展开更多
关键词 nand FLASH 海量存储 并行操作 坏块管理 ECC校验
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NAND flash图像记录系统坏块管理关键技术 被引量：13
13
作者 徐永刚 任国强 +1 位作者 吴钦章 张峰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期1101-1106,共6页
提出了NAND flash型高速大容量图像记录系统的高效坏块管理方案。针对坏块表的快速检索和可靠存储问题,提出了基于位索引的坏块信息快速检索结构;为解决坏块快速匹配问题,提出了基于滑动窗口的无效块预匹配机制;对于突发坏块造成写入速... 提出了NAND flash型高速大容量图像记录系统的高效坏块管理方案。针对坏块表的快速检索和可靠存储问题,提出了基于位索引的坏块信息快速检索结构;为解决坏块快速匹配问题,提出了基于滑动窗口的无效块预匹配机制;对于突发坏块造成写入速度下降问题,提出了滞后回写机制。系统架构全部用硬件方式在FPGA中实现,实验结果表明:检索8个物理块坏块信息仅耗时2个时钟周期;预匹配和正确物理地址生成耗时都为0个时钟周期;突发坏块发生时系统写入速度不受影响,滞后写回在最差情况下耗时也仅22.280 36 ms;系统持续写入速度最大为848.65 MB/s,读取速度为1 265.5 MB/s,擦除速度为9 120.245 MB/s,系统存储容量为160 GB,坏块管理保留容量为8 GB,纠错能力为1 bit/512 B。 展开更多
关键词 nand FLASH 坏块管理 交叉写入 FPGA 图像记录
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开放式大容量NAND Flash数据存储系统设计与实现 被引量：15
14
作者 晏敏 龙小奇 +2 位作者 章兢 侯志春 何敏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第11期13-16,共4页
完成了一种基于NAND Flash存储介质的开放式大容量数据存储系统设计,包括硬件系统以及软件系统的设计,并在软件设计中重点提出了应用于NAND闪存的数据管理算法,通过二级地址映射,按块中的脏页数回收脏块和按时间标记转移静态信息实现坏... 完成了一种基于NAND Flash存储介质的开放式大容量数据存储系统设计,包括硬件系统以及软件系统的设计,并在软件设计中重点提出了应用于NAND闪存的数据管理算法,通过二级地址映射,按块中的脏页数回收脏块和按时间标记转移静态信息实现坏块管理,均匀损耗.该设计能为各种存储器件提供底层的NAND闪存存储系统,使其能方便快速地存储数据而不需要考虑NAND闪存的物理特性. 展开更多
关键词 nand FLASH 存储系统 坏块管理 均匀损耗
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基于NAND Flash的高速大容量存储系统的设计 被引量：11
15
作者 赵亚慧 金龙旭 +2 位作者 陶宏江 韩双丽 张敏 《电光与控制》 北大核心 2016年第5期71-75,79,共6页
针对空间相机地面检测设备数据信息量大、存储速度快的特点,采用性能优良的NAND型Flash为存储介质,FPGA为控制核心,实现了高速大容量存储系统的设计。针对数据存储速度的提升,引入双plane操作、并行及流水线的方式控制Flash阵列。通过对... 针对空间相机地面检测设备数据信息量大、存储速度快的特点,采用性能优良的NAND型Flash为存储介质,FPGA为控制核心,实现了高速大容量存储系统的设计。针对数据存储速度的提升,引入双plane操作、并行及流水线的方式控制Flash阵列。通过对Flash芯片中坏块特点的研究,引入了坏块管理部分。实验结果表明,该系统能够完成空间相机大量原始数据的高速记录工作,保证了数据记录的实时性及可靠性。 展开更多
关键词 航空电子 空间相机 地面检测设备 存储系统 nand FLASH 并行技术
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NAND Flash存储的坏块管理方法 被引量：20
16
作者 舒文丽 吴云峰 +1 位作者 赵启义 孙长胜 《电子器件》 CAS 2011年第5期580-583,共4页
针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法。在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不... 针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法。在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不断更新和读取寄存器的内容,这样就可以实现坏块的管理。实验证明,本方法可以大大减小所需寄存器的大小并节省了FPGA资源,经过对坏块的管理,可以使数据存储的可靠性有很大的提升。 展开更多
关键词 nand FLASH 坏块管理 坏块替换 ECC纠错 FAT文件系统
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NAND Flash控制器硬件设计与仿真验证 被引量：6
17
作者 冉计全 郭林 +3 位作者 张三刚 马捷中 翟正军 郭阳明 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期304-309,共6页
NAND Flash存储芯片的整体性能,在很大程度上会受到NAND Flash控制器的影响。为此在对NAND Flash的存储结构和接口进行仔细分析的基础上,设计了控制器的硬件功能,确定了各个命令执行时的设备状态转换关系,并在仿真环境下,利用NAND Flas... NAND Flash存储芯片的整体性能,在很大程度上会受到NAND Flash控制器的影响。为此在对NAND Flash的存储结构和接口进行仔细分析的基础上,设计了控制器的硬件功能,确定了各个命令执行时的设备状态转换关系,并在仿真环境下,利用NAND Flash控制器进行存储介质的读写及擦除等操作,全面验证了控制器的功能。结果表明,控制器工作正常,符合设计目标。 展开更多
关键词 nand FLASH 控制器 存储结构 接口
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大容量NAND Flash文件系统中的地址映射算法研究 被引量：7
18
作者 时正 陈香兰 +1 位作者 纪金松 龚育昌 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 2010年第1期155-159,共5页
随着Flash芯片容量的日益增长,如何设计低空间复杂度的Flash管理算法已经成为RAM空间受限的嵌入式存储系统的一个关键问题.本文根据文件在Flash介质上连续存放的特性,引入区段的概念,提出基于极大映射区段的地址映射算法,并使用简单的... 随着Flash芯片容量的日益增长,如何设计低空间复杂度的Flash管理算法已经成为RAM空间受限的嵌入式存储系统的一个关键问题.本文根据文件在Flash介质上连续存放的特性,引入区段的概念,提出基于极大映射区段的地址映射算法,并使用简单的数据结构和高效的算法来维护映射中的区段,大大减小了Flash文件系统的RAM用量.最后,通过不同应用负载的实验验证了该算法的有效性.在部分应用负载下,可降低高达95%的RAM使用量. 展开更多
关键词 nand FLASH 文件系统 地址映射算法 嵌入式系统
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基于NAND FLASH的多路并行存储系统中坏块策略的研究 被引量：9
19
作者 贾源泉 肖侬 +1 位作者 赖明澈 欧洋 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2012年第S1期68-72,共5页
大规模固态闪存系统可以引入多路并行技术来支持高速数据传输,但随着闪存存储容量增加也需要采取有效的坏块处理机制来解决严重的坏块访存问题.面向NAND FLASH多路并行固态存储系统,提出了一种高效坏块管理策略,采取并行存储坏块编码技... 大规模固态闪存系统可以引入多路并行技术来支持高速数据传输,但随着闪存存储容量增加也需要采取有效的坏块处理机制来解决严重的坏块访存问题.面向NAND FLASH多路并行固态存储系统,提出了一种高效坏块管理策略,采取并行存储坏块编码技术来节约坏块表存储空间,减少坏块处理功耗,同时采取坏块表重构处理技术有效解决了系统中的同位置坏块难题.针对四路并行的NAND FLASH存储系统,实验结果表明:该策略节约了25%的坏块表RAM存储空间,提高了约1.5倍的查询效率,降低了约30%的坏块处理功耗,并对并行存储数量具有良好的可扩展性. 展开更多
关键词 nand FLASH 多路并行存储系统 坏块处理策略
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一种Nand Flash ECC校验设计及FPGA实现 被引量：15
20
作者 李泽明 杨燕姣 张会新 《电视技术》 北大核心 2013年第17期73-75,共3页
基于汉明码设计了ECC校验算法,在基于FPGA的NAND Flash存储器上实现了纠错功能。该算法每4 kbyte生成3 byte ECC校验信息,能够检测双比特错误且纠正单比特错误,算法简单,占用硬件资源较少,提高了存储系统的可靠性,具有一定实用价值。
关键词 ECC FPGA nand FLASH
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