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C≡N缺陷C3N5催化剂的制备及其光催化活化过硫酸盐降解亚甲基蓝性能
1
作者 王淑敏 《毛纺科技》 北大核心 2025年第4期24-32,共9页
采用硫脲和3-氨基-1,2,4-三唑混合原位热聚合制备C≡N缺陷C_(3)N_(5)(C_(3)N_(5)—C≡N)光催化剂,通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、电子顺磁共振波谱(EPR)、紫外可见漫反射光谱(UV-vis... 采用硫脲和3-氨基-1,2,4-三唑混合原位热聚合制备C≡N缺陷C_(3)N_(5)(C_(3)N_(5)—C≡N)光催化剂,通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、电子顺磁共振波谱(EPR)、紫外可见漫反射光谱(UV-vis DRS)和稳态荧光光谱(PL)等表征手段对C_(3)N_(5)—C≡N光催化剂的物相晶型、特征基团、微观形貌、元素组成、缺陷构建、光谱吸收响应和光电子-空穴重组等进行了详细分析。结果表明:波数2176 cm^(-1)位置吸收峰和286.5 eV位置拟合峰的出现证明了C≡N缺陷的成功构建,Lorentz信号强度的增强说明缺陷的构建促进了未配对电子的生成,发射峰的降低说明了光电子-空穴的重组得到了有效抑制,吸收边界的红移说明了光谱响应范围得到拓宽,有利于光催化性能的提升。太阳光照射下,C_(3)N_(5)—C≡N光催化剂协同过硫酸盐(PMS)表现出优异的光催化活性,对亚甲基蓝(MB)染料溶液的降解率达到了99.10%,循环使用5次后MB染料溶液的降解率为97.80%,表现出良好的化学稳定性。活性基团捕获说明超氧自由基(·O_(2)^(-))、空穴(h^(+))、单线态氧(^(1)O_(2))、羟基自由基(·OH)和硫酸根自由基(·SO_(4)^(-))均参与了反应,·O_(2)^(-)和^(1)O_(2)起主要作用。 展开更多
关键词 C≡N缺陷 富氮氮化碳 光催化 过硫酸盐 亚甲基蓝
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基于EFN-YOLO的钢管表面缺陷检测 被引量：1
2
作者 马自勇 屈言森 +2 位作者 马立东 张之腾 孔世武 《组合机床与自动化加工技术》 北大核心 2025年第1期195-200,共6页
针对目前钢管表面缺陷视觉检测方法存在小目标缺陷难以识别的问题,提出一种基于EFN-YOLO的缺陷实时检测方法。首先,结合NWD度量和Iou loss,提出改进型N-iou loss,增强小缺陷目标的感知能力;其次,采用Efficient Former特征提取模块嵌入... 针对目前钢管表面缺陷视觉检测方法存在小目标缺陷难以识别的问题,提出一种基于EFN-YOLO的缺陷实时检测方法。首先,结合NWD度量和Iou loss,提出改进型N-iou loss,增强小缺陷目标的感知能力;其次,采用Efficient Former特征提取模块嵌入主干网络融合局部和全局特征信息,提高对细小且聚集缺陷目标的识别能力;接着,采用轻量化C2f特征提取模块替换原Yolov5的C3层,降低模型的参数量和复杂度,丰富图像的梯度流信息;最后,结合现场采集的钢管表面缺陷图片,对检测方法进行试验验证。结果表明,相较于改进前检测方法的mAP值提升5.8%,有效提升钢管表面细小缺陷检测能力,且FPS达到31,完全满足工业现场实时检测要求。 展开更多
关键词 钢管 小目标缺陷 YOLOv5 N-iou loss efficient former 深度学习
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吸附在Cu_(2)O(111)表面的Pd_(n)(n=2~8)团簇稳定性的DFT研究
3
作者 范祥瑞 李志斌 +2 位作者 赵子萱 刘汉阳 王红涛 《现代化工》 北大核心 2025年第S1期104-108,共5页
采用周期密度泛函理论计算研究了Pd_(n)团簇在Cu_(2)O(111)表面和Cu_(2)O(111)Cu缺陷表面的吸附作用。结果表明,相比于在Cu_(2)O表面,Pd_(n)团簇更容易吸附在Cu_(2)O(111)Cu缺陷表面。应用Bader电荷研究了Pd_(n)在Cu_(2)O表面的结构稳定... 采用周期密度泛函理论计算研究了Pd_(n)团簇在Cu_(2)O(111)表面和Cu_(2)O(111)Cu缺陷表面的吸附作用。结果表明,相比于在Cu_(2)O表面,Pd_(n)团簇更容易吸附在Cu_(2)O(111)Cu缺陷表面。应用Bader电荷研究了Pd_(n)在Cu_(2)O表面的结构稳定性,揭示了当Pd_(n)团簇吸附在Cu_(2)O表面时,Pd_(n)团簇会向Cu_(2)O表面转移电子,这增强了Cu_(2)O的抗氧化性。Pd_(2)在Cu_(2)O表面时倾向于解离吸附,这是由于Pd与Cu_(2)O表面的相互作用更大。 展开更多
关键词 Cu_(2)O(111)表面 Cu缺陷 Pd_(n)团簇 吸附 密度泛函理论
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碘化甲脒锡钙钛矿太阳电池光电性能仿真研究
4
作者 江静雯 罗苑幸 +3 位作者 王美珍 黄柯雯 罗国平 朱伟玲 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第12期2200-2208,共9页
碘化甲脒锡(FASnI_(3))因环境友好、高吸收系数和合适的带隙等优点,成为替代铅基钙钛矿材料的热门候选材料。本文采用SCAPS仿真软件对p-i-n结构为阳极/空穴传输层/FASnI_(3)/电子传输层/阴极的平面型FASnI_(3)钙钛矿太阳电池进行仿真研... 碘化甲脒锡(FASnI_(3))因环境友好、高吸收系数和合适的带隙等优点,成为替代铅基钙钛矿材料的热门候选材料。本文采用SCAPS仿真软件对p-i-n结构为阳极/空穴传输层/FASnI_(3)/电子传输层/阴极的平面型FASnI_(3)钙钛矿太阳电池进行仿真研究。基于实验结果构建初始仿真模型,并探讨载流子传输层材料、钙钛矿层参数、界面缺陷态密度和工作温度对FASnI_(3)钙钛矿太阳电池光电性能的影响。仿真结果表明,采用30 nm厚的CuI作为空穴传输层,将器件能量转换效率从9.56%提升至10.64%。以此为基础分析钙钛矿层厚度、缺陷态密度和电子亲和能,电子传输层厚度,界面缺陷态面密度和工作温度对器件光电性能的影响。优化后FASnI_(3)钙钛矿太阳电池有望实现26.63%的能量转换效率,相应的开路电压为1.127 V,短路电流密度为28.08 mA·cm^(-2),填充因子为84.13%。仿真结果对实验提升FASnI_(3)钙钛矿太阳电池的光电性能参数提供了理论参考。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳电池 碘化甲脒锡 p-i-n结构 缺陷态密度 器件模拟
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含盖面超高和装配间隙的焊接结构疲劳寿命研究
5
作者 孟德松 周韶泽 《机械工程与自动化》 2025年第2期6-8,11,共4页
焊接结构的疲劳寿命会受到焊接缺陷的影响,由于缺陷类型的多样性以及缺陷模型的复杂性,目前使用结构应力法对含盖面超高和装配间隙的焊接结构的疲劳寿命评估研究较少。基于主S—N曲线法,以焊接结构为研究对象,建立含有ISO5817标准中盖... 焊接结构的疲劳寿命会受到焊接缺陷的影响,由于缺陷类型的多样性以及缺陷模型的复杂性,目前使用结构应力法对含盖面超高和装配间隙的焊接结构的疲劳寿命评估研究较少。基于主S—N曲线法,以焊接结构为研究对象,建立含有ISO5817标准中盖面超高和装配间隙焊接缺陷的有限元模型,研究焊缝的疲劳寿命受以上两种缺陷的影响情况。寿命评估结果表明:在焊接结构中,应尽量避免盖面超高缺陷的出现;焊缝的疲劳寿命受到装配间隙缺陷的影响较小。 展开更多
关键词 焊接结构 主S—N曲线法 焊接缺陷 盖面超高 装配间隙
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Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究
6
作者 赵昊 余博文 +6 位作者 李琪 李光清 刘医源 林娜 李阳 穆文祥 贾志泰 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期997-1004,共8页
宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对... 宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对薄膜质量、光学、电学等性能进行表征。测试结果发现生长的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜结晶质量较好,厚度为484 nm,表面粗糙度较低(Rq=2.48 nm,Ra=1.73 nm),具有5.22 eV的宽光学带隙;Li、Ga、O元素含量比约为1∶5∶8,薄膜具有n型导电特性。当继续增加Li的比例时薄膜导电性变差,但未具有p型导电特性。利用获得的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜制备光电探测器,发现其在波长254 nm光照下具有良好的I-V和I-t特性。通过理论计算富氧条件Li_(Ga)_(5)O_(8)中的本征缺陷Ga_(Li)和Li_(Ga),发现Ga_(Li)缺陷形成能非常低,引入浅的施主能级,从而导致薄膜的n型导电特性;同时当Li的比例增加时Ga_(Li)缺陷补偿Li受体,使薄膜几乎不导电。 展开更多
关键词 宽禁带氧化物半导体 LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜 雾化学气相沉积法 n型导电 本征缺陷
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突触相关蛋白25介导的囊泡融合机制及其在2型糖尿病胰岛素分泌障碍中的作用
7
作者 朱静波 俞恺雯 +1 位作者 卢雅婷 鲁燕 《实用临床医药杂志》 2025年第13期137-144,共8页
2型糖尿病(T2DM)的发生和发展与胰岛素分泌缺陷密切相关。突触相关蛋白25(SNAP25)作为可溶性N-乙基马来酰亚胺附着蛋白受体(SNARE)复合物的核心成分,直接介导胰岛素分泌颗粒与细胞膜融合,调控葡萄糖刺激的胰岛素分泌动态平衡。T2DM患者... 2型糖尿病(T2DM)的发生和发展与胰岛素分泌缺陷密切相关。突触相关蛋白25(SNAP25)作为可溶性N-乙基马来酰亚胺附着蛋白受体(SNARE)复合物的核心成分,直接介导胰岛素分泌颗粒与细胞膜融合,调控葡萄糖刺激的胰岛素分泌动态平衡。T2DM患者及模型动物中SNAP25表达缺陷直接导致囊泡融合障碍,构成胰岛素分泌障碍的核心病理环节,并加剧β细胞功能恶化。SNAP25可作为多靶点协同干预的关键枢纽,其基因多态性与调控网络的可塑性为精准治疗提供了新策略。本文创新性整合钙通道活性、G蛋白偶联信号及表观遗传修饰等多维度调控机制,系统解析SNAP25在胰岛素分泌中的时空特异性调控网络,以期为靶向囊泡融合的T2DM治疗策略提供理论依据。 展开更多
关键词 2型糖尿病 胰岛素分泌 囊泡融合障碍 可溶性N-乙基马来酰亚胺附着蛋白受体 突触相关蛋白25 治疗靶点 基因多态性
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碘化铅含量对反式钙钛矿太阳能电池性能的影响
8
作者 黄少彪 吴炯桦 《光电子技术》 2025年第1期45-51,共7页
制备了基于不同碘化铅浓度的反式钙钛矿太阳能电池,并用SEM、XRD、紫外‑可见吸收谱、空间电荷限制电流曲线、瞬态光电压谱进行了表征。研究发现,碘化铅浓度对电池性能有很大影响,即随着碘化铅浓度的增加,短路电流略有降低,而开路电压和... 制备了基于不同碘化铅浓度的反式钙钛矿太阳能电池,并用SEM、XRD、紫外‑可见吸收谱、空间电荷限制电流曲线、瞬态光电压谱进行了表征。研究发现,碘化铅浓度对电池性能有很大影响,即随着碘化铅浓度的增加,短路电流略有降低,而开路电压和填充因子上升较大。同时,较高的PbI2浓度可有效减弱迟滞现象。通过结合光学表征与电学表征,进一步发现过量的PbI2可以在钙钛矿晶界处钝化缺陷,降低薄膜缺陷密度,从而提高器件的开路电压和填充因子。最终,在优化的摩尔量下,采用ITO/MeO‑2PACz/PVSK/PC_(61)BM/BCP/Ag的反式结构,制备的钙钛矿太阳能电池表现出卓越的功率转换效率(PCE),达到了22.90%。 展开更多
关键词 反式钙钛矿太阳能电池 碘化铅 缺陷钝化
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XPS研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的传导特性 被引量：4
9
作者 张子才 于威 +2 位作者 张坤 滕晓云 傅广生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1199-1202,共4页
采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在α-Al2O3衬底上制备了N-Al共掺ZnO薄膜样品。Hall测量表明室温下ZnAlO:N薄膜为n型传导,在O2等离子体气氛中550℃退火后变为p型。p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,霍尔迁移率为5 c... 采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在α-Al2O3衬底上制备了N-Al共掺ZnO薄膜样品。Hall测量表明室温下ZnAlO:N薄膜为n型传导,在O2等离子体气氛中550℃退火后变为p型。p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,霍尔迁移率为5 cm2/V.s。用X射线光电子能谱仪(XPS)对退火前后的ZnO薄膜进行了各元素的化学态分析。XPS结果表明,ZnAlO:N薄膜中存在两种与N元素有关的缺陷,N原子替代O位形成的(N)O和N分子替代O位形成的(N2)O。退火后ZnAlO:N薄膜中(N2)O缺陷减少,(N)O缺陷浓度占优导致了薄膜传导类型转变。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 XPS (N)o缺陷
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聚氨酯/纳米羟基磷灰石/聚酰胺66股骨髁修复犬骨软骨缺损的实验研究 被引量：5
10
作者 苏保 李吉东 +3 位作者 蒋电明 李玉宝 谯波 李维朝 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期493-497,共5页
制备了PU/n-HA/PA66股骨髁,用扫描电镜观察材料表面情况并测定其孔隙率;将PU/n-HA/PA66股骨髁与自体髁植入犬股骨远端,以替代、修复骨软骨缺损,进行大体观察、组织学、免疫组化、CT、血常规和生化检测以及肝、肾、脾组织学检测。结果表... 制备了PU/n-HA/PA66股骨髁,用扫描电镜观察材料表面情况并测定其孔隙率;将PU/n-HA/PA66股骨髁与自体髁植入犬股骨远端,以替代、修复骨软骨缺损,进行大体观察、组织学、免疫组化、CT、血常规和生化检测以及肝、肾、脾组织学检测。结果表明材料孔隙率为80.89%±5.01%,孔径主要分布在300～800μm之间。术后实验动物活动正常,切口愈合良好,两组髁假体均与自体骨结合紧密,PU/n-HA/PA66股骨髁网孔中的骨小梁逐渐增多成熟,材料孔穴中的新生骨Ⅰ型胶原阳性表达。术后动物碱性磷酸酶水平升高[(62.67±24.04)U/L],肝、脾、肾HE染色未见异常。PU/n-HA/PA66股骨髁具有良好的骨修复、软骨替代能力和生物相容性,具有应用前景。 展开更多
关键词 骨软骨缺损 聚氨酯 纳米羟基磷灰石 聚酰胺66 股骨髁 生物相容性
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肌桥修复坐骨神经缺损一例初步报告 被引量：3
11
作者 戴绍业 林道贤 +3 位作者 忻元培 孔吉明 钟世镇 韩震 《中国临床解剖学杂志》 1987年第4期231-232,249,共3页
在骨骼肌桥接神经缺损的实验研究基础上,我们对1例坐骨神经外伤性缺损4cm的病例采用了带蒂肌桥修复,经6个月的观察,有如下初步的疗效:(1)屈膝关节功能满意,膕绳肌力达5级;(2)腓肠肌已获得再生的肌电;(3)胫神经的运动传导速度达41.6m/s;... 在骨骼肌桥接神经缺损的实验研究基础上,我们对1例坐骨神经外伤性缺损4cm的病例采用了带蒂肌桥修复,经6个月的观察,有如下初步的疗效:(1)屈膝关节功能满意,膕绳肌力达5级;(2)腓肠肌已获得再生的肌电;(3)胫神经的运动传导速度达41.6m/s;(4)腓肠肌可收缩和放松。 展开更多
关键词 骨骼肌桥 坐骨神经 神经缺损
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非金属元素C、N、F掺杂锐钛矿型TiO_2的缺陷形成能和电子性质 被引量：10
12
作者 岳远霞 冯庆 王寅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第13期1879-1883,共5页
非金属杂质掺杂TiO2半导体改善对可见光区域的光催化性质是近年来的一个研究热点,但相关杂质缺陷的形成能研究却不多。通过基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,研究了非金属元素C、N、F掺杂锐钛矿型TiO2之后的缺陷形成能与电子性质... 非金属杂质掺杂TiO2半导体改善对可见光区域的光催化性质是近年来的一个研究热点,但相关杂质缺陷的形成能研究却不多。通过基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,研究了非金属元素C、N、F掺杂锐钛矿型TiO2之后的缺陷形成能与电子性质。结果表明,3种元素掺杂进入TiO2后缺陷形成能的大小排序为C>N>F,说明F元素最容易掺杂进入TiO2晶格。但是掺入F元素后对TiO2禁带宽度的改变不大,在提高TiO2对可见光的响应方面F元素的效果不如N、C两种元素。因此,对于掺杂来改善TiO2对可见光的响应方面,N元素比C、F的效果更好。 展开更多
关键词 第一性原理 密度泛函理论 C N F掺杂 缺陷形成能 电子性质
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氧化锌n型导电机理研究进展 被引量：3
13
作者 郭保智 刘永生 +3 位作者 房文健 徐娟 武新芳 彭麟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期107-111,共5页
氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用。制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确。本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型... 氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用。制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确。本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响。 展开更多
关键词 氧化锌 n型导电 本征缺陷 非故意掺杂
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非晶掺氧氮化硅薄膜中N-Si-O发光缺陷态的研究 被引量：1
14
作者 董恒平 陈坤基 +5 位作者 宗波 井娥林 王昊 窦如凤 郭燕 徐骏 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期392-398,共7页
在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH_4)和氨气(NH_3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰... 在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH_4)和氨气(NH_3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰位重叠,表明薄膜发光来源于光吸收边以下0.65eV左右处的缺陷态.通过对傅里叶变换红外光谱(FTIR)的键浓度分析和X射线光电子能谱(XPS)Si 2p峰的分峰拟合,发现薄膜PL强度的增强与N-Si-O键合浓度的升高紧密相关.R=1∶4时,PL强度与N-Si-O键合浓度同时达到最大.进一步证明了a-SiN_x∶O薄膜中的发光缺陷态与N-Si-O键合结构密切相关.此外,PL峰位随流量比R的增大而发生红移的现象可能源自于N-Si-O组态转变造成的缺陷态密度最大位置处的能级偏移和光学带隙变窄引起的价带顶上移. 展开更多
关键词 光致发光 a-SiNx∶O薄膜 N-Si-O键 缺陷态
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含N量对铸造用呋喃树脂性能的影响 被引量：1
15
作者 阎涛 金桂芹 陈翠凤 《铸造技术》 CAS 北大核心 2015年第4期1004-1005,共2页
通过实验方法及实践经验,分析了含氮量对铸造用呋喃树脂常温强度、热强度、韧性、铸件缺陷、树脂价格及环境等方面的影响,并据此得出如何根据实际生产的铸件,选择质优价廉的树脂,同时避免或减少铸件缺陷的产生。
关键词 呋喃树脂 自硬砂 含N量 铸件缺陷
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儿童房间隔缺损封堵术前后血液动力学及心功能的研究 被引量：2
16
作者 覃丽君 王宏伟 +3 位作者 张有为 宋金萍 彭勤中 李春华 《中国病理生理杂志》 CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1418-1419,共2页
目的 :评价儿童房间隔缺损 (ASD)封堵术前后的血液动力学及左心功能改变。方法 :应用Amplatzer封堵器成功施行经皮股静脉穿刺ASD封堵术患儿 10例 ,于术前、术后 4 8h、3个月及 6个月行超声心动图检查。左心室容积采用面积长度法计算 ;... 目的 :评价儿童房间隔缺损 (ASD)封堵术前后的血液动力学及左心功能改变。方法 :应用Amplatzer封堵器成功施行经皮股静脉穿刺ASD封堵术患儿 10例 ,于术前、术后 4 8h、3个月及 6个月行超声心动图检查。左心室容积采用面积长度法计算 ;左心室几何构型采用偏心率及左心室长径 /短径比值评价。结果 :ASD封堵术后 4 8h ,左心室舒张末期前后径、舒张末期容积增大、每搏量、射血分数及短轴缩短率增大 ,左心室偏心率及长径 /短径比值缩小 (P <0 .0 5 ) ;左心室前负荷、收缩功能及几何构型在短、中期随访中持续改善。术后及短、中期随访中左心室晚期充盈分数 ,差异无显著 (P >0 .0 5 )。结论 :ASD封堵术不仅根治了先天性解剖畸形 ,纠正了血液动力学异常 ,也改善了左心室收缩功能及几何构型 ,在短、中期随访中 。 展开更多
关键词 心房间隔缺损 心脏导管插入术 左心室功能 血流动力学 超声心动描记术 儿童
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N-乙酰基转移酶ARD1基因及其与肿瘤关系研究进展 被引量：2
17
作者 范璐 谭德勇 《生物技术通讯》 CAS 2013年第4期558-561,共4页
N-乙酰基转移酶ARD1(arrest defective-1)在蛋白翻译后将乙酰CoA中的乙酰基转移至N端的α氨基或赖氨酸残基的ε氨基。人和小鼠具有ARD1不同的变体,它们具有高度保守的N-乙酰基转移酶区域。ARD1分布于多种组织,定位于胞浆或细胞核内。现... N-乙酰基转移酶ARD1(arrest defective-1)在蛋白翻译后将乙酰CoA中的乙酰基转移至N端的α氨基或赖氨酸残基的ε氨基。人和小鼠具有ARD1不同的变体,它们具有高度保守的N-乙酰基转移酶区域。ARD1分布于多种组织,定位于胞浆或细胞核内。现已发现ARD1基因与某些肿瘤的发生关系密切,是治疗肿瘤的一个潜在靶标。我们简要探讨了N-乙酰基转移酶ARD1基因的功能及其与肿瘤的关系。 展开更多
关键词 ARREST defective-1 N-乙酰基转移酶 功能 肿瘤
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一种新的基于N-gram模型的重复软件缺陷报告检测方法 被引量：2
18
作者 李宁 李战怀 张利军 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期298-303,共6页
软件开发维护过程中产生的缺陷报告中常常出现大量的重复缺陷报告。自动准确地检测出重复缺陷报告,将为软件缺陷的分派、修正、再测试等工作节约大量宝贵的开发维护成本。文章基于传统的向量空间模型检测方法,提出一种新的基于N-gram模... 软件开发维护过程中产生的缺陷报告中常常出现大量的重复缺陷报告。自动准确地检测出重复缺陷报告,将为软件缺陷的分派、修正、再测试等工作节约大量宝贵的开发维护成本。文章基于传统的向量空间模型检测方法,提出一种新的基于N-gram模型的重复缺陷报告检测方法,文中第2小节中详细介绍了该方法的细节。通过在小数据集上的实验,明确了在使用该方法检测重复缺陷报告时,参数N取3/4/5,利用全句法仅针对缺陷报告的概要信息进行相似度计算将取得较好的效果。最终使用一个含有4 503条Firefox缺陷报告的数据集对该方法进行了验证。实验证明N-gram模型法与向量空间模型法相比,重复缺陷的查全率（Recall Rate）提高了25%~55%。 展开更多
关键词 自然语言处理系统 重复缺陷报告 N-gram方法 文本相似度
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晶体管PN结缺陷形成的G-R噪声研究 被引量：3
19
作者 戴逸松 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期47-54,共8页
本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结果,为此本文提出了pn结区缺陷引起的g-r噪声机理,给出了g-r噪声幅度及时间常数计算公式,可以对晶体管pn... 本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结果,为此本文提出了pn结区缺陷引起的g-r噪声机理,给出了g-r噪声幅度及时间常数计算公式,可以对晶体管pn结缺陷形成的g-r噪声的形式及特点作出满意的解释. 展开更多
关键词 晶体管 PN结 G-R噪声 缺陷
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AlGaN/GaN异质结材料的中子辐照效应 被引量：2
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作者 谷文萍 全思 +2 位作者 张林 徐小波 刘盼芝 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期217-221,共5页
采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载... 采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载流子浓度ns下降造成了沟道串联电阻的增加和异质结构阈值电压(VTH)的正向漂移。分析认为,辐照感生类受主缺陷是造成ns下降和阈值电压漂移的原因。原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)的测试结果表明,辐照后材料的表面形貌有所恶化,材料应变基本不变,而材料的螺位错和刃位错密度辐照后都略有增加。此外,实验结果还表明初始材料质量越好,辐照退化越小。 展开更多
关键词 AlGaN/GaN异质结构 中子辐照 受主缺陷 表面形貌 晶格应力
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