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2000 V双P型埋层终端结构4H-SiC VDMOS击穿特性研究
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作者 苗新法 李文惠 《微电子学》 北大核心 2025年第3期460-465,共6页
在传统平面栅型4H-SiC VDMOS的结构基础上,根据场限环理论,设计并优化了一种2000 V具有双P型埋层终端结构的VDMOS,探究了P型埋层各参数和P型体区掺杂浓度对其击穿特性的影响。经仿真优化各项参数,击穿电压达2860 V,相较于传统结构的4H-S... 在传统平面栅型4H-SiC VDMOS的结构基础上,根据场限环理论,设计并优化了一种2000 V具有双P型埋层终端结构的VDMOS,探究了P型埋层各参数和P型体区掺杂浓度对其击穿特性的影响。经仿真优化各项参数,击穿电压达2860 V,相较于传统结构的4H-SiC VDMOS提高了90.7%。器件雪崩击穿时表面电场最大峰值为3.26×10^(6)V/cm,且电场分布较均匀,终端利用率高,有效长度仅为15μm,无增加额外复杂工艺,易于实现。 展开更多
关键词 埋层终端 表面电场 击穿电压 4H-SIC vdmos
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国产商用VDMOS用于高剂量测量的实验研究
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作者 潘志吉 刘立业 +5 位作者 卫晓峰 赵原 曹勤剑 王晓龙 郑智睿 焦岩 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第4期455-462,共8页
p型MOSFET剂量计广泛应用于各种高剂量环境下的辐射监测,因其需要采用特殊半导体制造工艺而导致成本过高,本文选用普通国产商用VDMOS进行剂量学实验,完成在线实时和被动测量情景下的灵敏度、线性、量程、衰退等特性的对比探究,进行退火... p型MOSFET剂量计广泛应用于各种高剂量环境下的辐射监测,因其需要采用特殊半导体制造工艺而导致成本过高,本文选用普通国产商用VDMOS进行剂量学实验,完成在线实时和被动测量情景下的灵敏度、线性、量程、衰退等特性的对比探究,进行退火后复用性能和剂量率响应特性研究,并对加偏置电压和串联模式提升VDMOS辐照灵敏度的方法进行验证。实验中的VDMOS在0.05~40 Gy剂量范围内线性良好,在线测量模式下辐照灵敏度为6.99 mV/Gy,零偏置被动测量模式下辐照灵敏度为2.36 mV/Gy,使用加10 V偏置电压和4个串联的方式可将辐照灵敏度分别提升为单个VDMOS零偏置模式的4.96倍和4.24倍,另外,该VDMOS退火复用特性和衰退特性表现良好。实验结果表明,国产商用VDMOS是一种低成本测量高剂量的有效方法。 展开更多
关键词 国产 商用vdmos 高剂量测量 低成本
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AI辅助VDMOS器件负栅压单粒子加固设计探索
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作者 廖新芳 刘毅 +2 位作者 徐长卿 雷丹阳 杨银堂 《现代应用物理》 2025年第1期189-198,共10页
针对VDMOS器件在负栅压偏置下抗单粒子能力严重不足的技术问题,结合地面重离子试验数据,基于TCAD仿真分析得到其负栅压单粒子失效机制,并探索得到可行的加固技术。在此基础上,开展基于人工智能辅助VDMOS器件负栅压单粒子加固设计研究,... 针对VDMOS器件在负栅压偏置下抗单粒子能力严重不足的技术问题,结合地面重离子试验数据,基于TCAD仿真分析得到其负栅压单粒子失效机制,并探索得到可行的加固技术。在此基础上,开展基于人工智能辅助VDMOS器件负栅压单粒子加固设计研究,综合利用正交设计、数据增强、神经网络建模等技术手段,得到复杂加固条件下VDMOS器件性能预测模型。最后,基于该预测模型,利用遗传算法搜索得到最优化的加固设计方案,使优化后器件在负栅压偏置下的抗单粒子能力得到大幅度提升,器件关键电学参数的退化程度也能很好地满足实际产品的技术指标需求。 展开更多
关键词 vdmos器件 负栅压 单粒子效应 神经网络 优化设计
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250V VDMOS场限环终端的抗单粒子加固研究
4
作者 唐新宇 徐海铭 +1 位作者 廖远宝 张庆东 《微电子学与计算机》 2025年第1期117-124,共8页
基于Sentaurus TCAD二维数值仿真方法,对N沟道250 V功率垂直双扩散金属氧化物半导体器件(Vertical Double-diffsed:Metal-Oxide-Semiconductor,VDMOS)的场限环(Field Limit Ring,FLR)终端单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)机理进行... 基于Sentaurus TCAD二维数值仿真方法,对N沟道250 V功率垂直双扩散金属氧化物半导体器件(Vertical Double-diffsed:Metal-Oxide-Semiconductor,VDMOS)的场限环(Field Limit Ring,FLR)终端单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)机理进行了深入研究。在此基础上,提出了终端缓冲层的加固方案,并通过实验证明了其有效性。FLR终端的SEB最敏感位置在主结与FLR1之间。重离子入射后,产生大量的电子-空穴对,并在漏端电场的加速作用下发生碰撞电离,产生极高的瞬态电流,在局部产生高热引发烧毁。针对FLR终端的单粒子性能提升,提出了缓冲外延层的优化方案。经过仿真验证,缓冲层可以削弱衬底-外延交界处的碰撞电离,降低了重离子入射产生的峰值电流,并缩短电流恢复时间,能够将FLR结构的SEB安全性提升50%以上。对终端缓冲层加固的样品进行118Ta离子实验验证,与普通结构对比,结果证明该结构可以有效降低重离子对终端区的损伤,辐照后IDSS漏电降低4个量级以上。 展开更多
关键词 功率vdmos 单粒子 结终端 场限环 缓冲层
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深槽型半超结VDMOS器件仿真研究
5
作者 李尧 苟恒璐 +4 位作者 谌利欢 牛瑞霞 陈文舒 龙仪 白开亮 《半导体光电》 北大核心 2025年第2期255-260,共6页
基于超结理论,设计出一种深槽型半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(DT-SSJ VDMOS),通过Silvaco TCAD仿真平台模拟了其电学特性,并与深槽型VDMOS(DT-VDMOS)及深槽型超结VDMOS(DT-SJ VDMOS)进行对比分析。深沟槽打破了栅氧化... 基于超结理论,设计出一种深槽型半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(DT-SSJ VDMOS),通过Silvaco TCAD仿真平台模拟了其电学特性,并与深槽型VDMOS(DT-VDMOS)及深槽型超结VDMOS(DT-SJ VDMOS)进行对比分析。深沟槽打破了栅氧化界面垂直电场高斯定律的限制,降低了栅氧化层峰值电场。相对于超结结构,半超结的引入简化了工艺,同时提升了器件稳定性。仿真结果表明,DT-SSJ VDMOS的击穿电压(BV)为1000 V,比导通电阻(Ron,sp)为26.78 mΩ·cm^(2),品质因数(FOM)为37.565 MW/cm^(2)。与DT-VDMOS器件相比,DT-SSJ VDMOS的BV提高了100%,FOM提高了57%;与DT-SJ VDMOS器件相比,其Ron,sp降低了35.9%,FOM提升了5%。深沟槽和半超结结构的结合,有效平衡了击穿电压和比导通电阻之间的矛盾,显著提升了器件的整体性能。 展开更多
关键词 深槽型半超结vdmos器件 半超结结构 深沟槽 击穿电压 比导通电阻
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基于少数载流子寿命控制技术的增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件的单粒子烧毁效应研究
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作者 王韬 陈加伟 +4 位作者 段鑫沛 张黎莉 董磊 殷亚楠 周昕杰 《固体电子学研究与进展》 2025年第3期1-6,共6页
探究了具有电流阻挡层(Current blocking layer,CBL)的增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件的单粒子烧毁(Single-event burnout,SEB)机制及其抗辐射加固方法。通过TCAD仿真分析,揭示了SEB关键物理机制:重离子轰击导致沟道?源极连接区域产生... 探究了具有电流阻挡层(Current blocking layer,CBL)的增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件的单粒子烧毁(Single-event burnout,SEB)机制及其抗辐射加固方法。通过TCAD仿真分析,揭示了SEB关键物理机制:重离子轰击导致沟道?源极连接区域产生空穴累积,并通过碰撞电离过程不断生成额外空穴,最终引发局部热失效和器件烧毁。针对这一机制,本文提出少数载流子寿命控制(Low carrier lifetime control,LCLC)技术,通过引入深能级缺陷降低载流子寿命,有效优化空穴浓度与峰值电场分布。实验表明,在Vds=400 V、Vgs=0 V的偏置条件下,当重离子线性能量转移值为49 Me V·cm^2/mg时,LCLC技术将器件峰值温度从2556 K降至1066 K,显著低于材料熔点(2000 K)。该技术通过优化空穴分布和电场分布,有效抑制了碰撞电离效应和热功率集中现象,为增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件的抗SEB加固设计提供了新的技术路径。 展开更多
关键词 氧化镓 TCAD仿真 vdmos器件 单粒子烧毁
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VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
7
作者 徐大为 徐政 +3 位作者 吴素贞 陈睿凌 赵小寒 彭宏伟 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第8期72-77,共6页
通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一... 通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一致:辐照条件下,表面电压由电阻分压确定;增加P+注入剂量和减小颈区条宽能够减小电阻,提高器件抗单粒子效应的能力;通过降低颈区浓度减小反向传输电容的方法,无法提高器件的抗SEE能力;颈区条宽增加,器件辐照后漏电增加。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 单粒子效应 简化电路模型 表面电压
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
8
作者 刘洪军 王琪 +2 位作者 赵杨杨 王佃利 杨勇 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第5期70-74,共5页
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并... 介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。 展开更多
关键词 大功率 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频功率晶体管 反馈电容 源极电感
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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
9
作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多
关键词 SiC mos电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷
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高压MOS器件SPICE建模研究
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作者 顾祥 彭宏伟 +1 位作者 纪旭明 李金航 《微处理机》 2025年第2期9-13,共5页
针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方... 针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方法通过引入不同的压控电阻(VCR)、受控电压源(VCVS)和受控电流源(CCCS)等子电路,构建了一个用于精确模拟高压MOS器件的SPICE Macro模型。这一改进显著提升了高压MOS器件的建模精度,对高压集成电路的设计与仿真具有重要的实际意义和应用价值。 展开更多
关键词 高压mos SPICE模型 参数提取
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一种单边高压MOS器件子电路模型搭建
11
作者 李艳艳 任庆宝 《中国集成电路》 2025年第10期30-34,共5页
与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压... 与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压的影响,在标准模型BSIM3V3的基础上对漏端电阻的描述进行了改进。结果表明,改进后的模型对测量数据的拟合度较高,大大提高了BSIM3V3 Ⅰ-Ⅴ模型模拟高压MOS器件的精确度。因此,本文对高压集成电路的设计仿真具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 BSIM3V3模型 高压mos器件 子电路模型
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高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究 被引量:1
12
作者 王韬 张黎莉 +2 位作者 段鑫沛 殷亚楠 周昕杰 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期6-12,共7页
以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线... 以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线性能量转移为98 MeV·cm^(2)/mg的重离子攻击,SiO_(2)栅介质器件则发生了单粒子栅穿效应(Single event gate rupture,SEGR)。采用HfO_(2)作为栅介质时源漏电流和栅源电流分别下降92%和94%,峰值电场从1.5×10^(7)V/cm下降至2×10^(5)V/cm,避免了SEGR的发生。SEGR发生的原因是沟道处累积了大量的空穴,栅介质中的临界电场超过临界值导致了击穿,而高k栅介质可以有效降低器件敏感区域的碰撞发生率,抑制器件内电子空穴对的进一步生成,降低空穴累积的概率。 展开更多
关键词 氧化镓 单粒子栅穿 TCAD仿真 vdmos器件
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1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究
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作者 李尧 牛瑞霞 +6 位作者 王爱玲 王奋强 蓝俊 张栩莹 张鹏杰 刘良朋 吴回州 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期378-383,共6页
设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐... 设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐压条件下的Si基VDMOS,4H-SiC VDMOS的击穿电压提升了12%。此外,击穿时4H-SiC VDMOS表面电场分布相对均匀,最大值为3.4×10^(6)V/cm。终端有效长度为15μm,约为Si基VDMOS的6%,总体面积减小了近1/10。并且4H-SiC VDMOS结构简单,与相同耐压条件下的Si基VDMOS相比,未增加额外的工艺步骤,易于实现。 展开更多
关键词 4H-SIC 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 漂移区参数 沟道长度
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采用条栅布局的SGT MOSFET电流分布研究
14
作者 张峪铭 杨瑞 王媛 《微电子学》 北大核心 2025年第2期298-302,共5页
在采用条栅布局的SGT MOSFET中栅极多晶通常比N^(+)区更长,则反型时形成的沟道也比N^(+)区更长。利用三维TCAD仿真方法,研究了采用条栅布局的SGT MOSFET电流分布,分析了在长条栅极方向上的电子运动规律和电流分布,探究了结构参数和偏置... 在采用条栅布局的SGT MOSFET中栅极多晶通常比N^(+)区更长,则反型时形成的沟道也比N^(+)区更长。利用三维TCAD仿真方法,研究了采用条栅布局的SGT MOSFET电流分布,分析了在长条栅极方向上的电子运动规律和电流分布,探究了结构参数和偏置电压条件对SGT MOSFET电流分布的影响。结果表明,在SGT MOSFET设计过程中,利用N^(+)区长度和栅极多晶长度来评估其正向输出电流大小是不准确的。仿真结果显示,当版图中N^(+)区长度为9μm时,考虑长条栅极方向上的电子运动后,等效N^(+)区长度应为10.7μm。此外,研究结果表明,N^(+)区长度、栅源电压、漏源电压均会对SGT MOSFET结构中等效N^(+)区长度产生影响。 展开更多
关键词 vdmos 正向输出电流 有限元分析 版图设计
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基于多层MoS_(2)材料的MOSFET器件退火效应研究
15
作者 韩涛 廖乃镘 +1 位作者 孙艳敏 丁劲松 《今日制造与升级》 2025年第1期48-50,共3页
文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进... 文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进行测试分析。探索退火效应对器件电学性能的影响。 展开更多
关键词 mos2材料 mosFET器件 测试表征 退火效应 电学性能
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MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用分析 被引量:1
16
作者 甘时伟 《中国宽带》 2025年第6期169-171,共3页
为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、... 为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、故障诊断与状态监测机制等多方面的改进,实现了高效率和高可靠性的功放模块。实验结果验证了该方案的有效性,显著提升了功放模块的效率和稳定性,降低了维护成本。 展开更多
关键词 mos 全固态中波发射机 功放模块 IRFP350
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深层放电脉冲特征模拟及对MOS器件损伤试验
17
作者 陈益峰 冯娜 +2 位作者 王金晓 高志良 邵焜 《真空与低温》 2025年第5期619-625,共7页
深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件... 深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件损伤效应的测试装置,并对MOS器件开展了试验测试,分析了其损伤机制。研究结果表明,经RLC电路优化后的脉冲波形、电流幅值、持续时间等参数均符合深层放电特征,实现了深层放电脉冲的有效模拟。当脉冲电流幅值增加至9 A时,放电脉冲导致MOS器件的SiO2绝缘层击穿,使MOS器件发生不可恢复的“硬损伤”现象;同时研究发现,放电电流低于损伤阈值时放电脉冲同样会造成绝缘层损伤,且该损伤可通过多次累积最终导致绝缘层彻底击穿。 展开更多
关键词 空间辐射环境 深层带电效应 脉冲特征 mos器件 损伤机制 累积效应
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某机型电子水泵防反MOS烧蚀问题分析
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作者 夏朝辉 殷怀彪 +3 位作者 席洪亮 唐宗春 尹建东 王瑞平 《小型内燃机与车辆技术》 2025年第1期72-75,共4页
介绍了防反MOS的结构及作用。从实例出发,对一种电子水泵防反MOS烧蚀问题进行了原因分析,制定整改措施并验证效果。
关键词 mos VGS电压 烧蚀
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Multi-interface engineering of FeS_(2)/C/MoS_(2)with core–shell structure for superior microwave absorption performance
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作者 Pan-Pan Zhou Cheng-Yao Hu +6 位作者 Shi-Lin Yuan Jian-Cheng Zhao Ya-Wei Kuang Han Gu Yu-Shen Liu Li-Xi Wang Qi-Tu Zhang 《Rare Metals》 2025年第6期4095-4106,共12页
Heterojunction and morphology control assume a significant part in adjusting the intrinsic electromagnetic properties of absorbers to acquire outstanding microwave absorption(MA)performance,but this still faces huge c... Heterojunction and morphology control assume a significant part in adjusting the intrinsic electromagnetic properties of absorbers to acquire outstanding microwave absorption(MA)performance,but this still faces huge challenges.Herein,FeS_(2)/C/MoS_(2)composite with core–shell structure was successfully designed and prepared via a multi-interface engineering.MoS_(2)nanosheets with 1T and 2H phases are coated on the outside of FeS_(2)/C to form a porous interconnected structure that can optimize the impedance matching characteristics and strengthen the interfacial polarization loss capacity.Remarkably,as-fabricated FCM-3 harvests a broad effective absorption bandwidth(EAB)of 5.12 GHz and a minimum reflection loss(RL_(min))value of-45.1 d B.Meanwhile,FCM-3 can accomplish a greatest radar cross section(RCS)reduction value of 18.52 d B m^(2)when the detection angle is 0°.Thus,the convenient computer simulation technology(CST)simulations and encouraging accomplishments provide a novel avenue for the further development of efficient and lightweight MA materials. 展开更多
关键词 mos2 MULTI-INTERFACE Polarization loss Microwave absorption RCS simulation
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理想汽车SiC MOS新技术,失效率降低一个数量级
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《变频器世界》 2025年第6期39-42,共4页
众所周知,新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高,为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常,通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试,以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。但是如何高效、低成本而准备地筛选异常Si... 众所周知,新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高,为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常,通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试,以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。但是如何高效、低成本而准备地筛选异常SiC芯片一直是产业界的难题。 展开更多
关键词 失效率 SiC mos 新能源汽车
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