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基于MBE-YOLO的轻量化井下行人检测模型 被引量：1
1
作者 张娜 彭文韬 +2 位作者 赵强 汝洪芳 吴信元 《矿业研究与开发》 北大核心 2025年第5期192-199,共8页
针对目前地下矿山行人检测算法计算量大、检测速度慢的问题,在YOLOv8n的基础上提出了一种MBE-YOLO的轻量化井下行人检测模型。首先,在加权双向特征金字塔网络基础上设计出一种更加轻量的颈部结构,能够简单高效地融合多尺度信息;其次,采... 针对目前地下矿山行人检测算法计算量大、检测速度慢的问题,在YOLOv8n的基础上提出了一种MBE-YOLO的轻量化井下行人检测模型。首先,在加权双向特征金字塔网络基础上设计出一种更加轻量的颈部结构,能够简单高效地融合多尺度信息;其次,采用共享卷积的方式对原有网络的检测头进行重设计,并引入幻影卷积获取丰富有效的特征表示,解决了原始检测头参数量巨大的问题;最后,考虑到轻量化模型对精度的影响,添加了较为轻量的混合局部通道注意力机制,通过在全局和局部层面上自适应调节不同区域的重要性,进而提高精度。试验结果表明,相比于基准模型YOLOv8n, MBE-YOLO模型的mAP@0.5:0.95提升了0.2个百分点,计算量下降了44%,FPS上升了4.3帧/s,参数量下降了46%,模型大小减少了43%;与5种主流模型相比,该模型的检测精度和轻量化程度都具有较大的优势,更适合于实时检测场景。 展开更多
关键词 地下矿山 行人检测 mbe-YOLO 轻量化
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浅谈RRI理念下MBE对高中物理教学的影响
2
作者 魏楚迪 《数理天地(高中版)》 2025年第22期104-106,共3页
本文以牛顿第二定律为核心,探讨MBE如何通过实验设计、模型构建与验证,培养学生科学探究能力,并通过RRI融入汽车安全、电动车环保等情境,引导学生关注技术应用的社会与伦理影响.研究通过设计小车实验与PhET模拟,分析学生如何归纳力与加... 本文以牛顿第二定律为核心,探讨MBE如何通过实验设计、模型构建与验证,培养学生科学探究能力,并通过RRI融入汽车安全、电动车环保等情境,引导学生关注技术应用的社会与伦理影响.研究通过设计小车实验与PhET模拟,分析学生如何归纳力与加速度的关系,并优化模型,同时通过伦理讨论提升其社会责任感.结果表明,该模式能显著提升学生科学素养、跨学科思维与责任意识,为物理教学改革提供了实践指导.旨在为培养兼具科学能力与社会责任感的学生提供理论与实践参考. 展开更多
关键词 RRI理念 mbe模式 高中物理
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InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究 被引量：11
3
作者 罗子江 周勋 +4 位作者 杨再荣 贺业全 何浩 邓朝勇 丁召 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期846-849,共4页
利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,... 利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相。样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜。 展开更多
关键词 mbe RHEED STM InGaAs异质薄膜
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MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究 被引量：7
4
作者 王继红 罗子江 +4 位作者 周勋 郭祥 周清 刘珂 丁召 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期847-849,853,共4页
采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜。利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现,随着退火时间的延长,刚... 采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜。利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失。指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因。 展开更多
关键词 GaAs薄膜 mbe RHEED STM 熟化
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采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究 被引量：4
5
作者 巫艳 于梅芳 +3 位作者 陈路 乔怡敏 杨建荣 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期23-27,共5页
报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬... 报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到 4.2× 10 5cm-2 ,标准差为 3.5× 10 5cm-2 ,接近ZnCdTe衬底的位错极限 .可重复性良好 ,材料位错合格率为 73.7% 。 展开更多
关键词 分子束外延 Hg1-xCdxTe薄膜 位错密度 mbe 汞镉碲薄膜 ZnCdTe 锌镉碲化合物 红外焦平面探测器 生长条件
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MBE外延InSb基CdTe工艺研究 被引量：6
6
作者 王丛 刘铭 +2 位作者 王经纬 尚林涛 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期474-478,共5页
成功制备了CdTe/InSb复合衬底,为长波HgCdTe外延提供了可能。通过工艺研究解决了InSb氧化层去除及In元素扩散控制两个难点问题,使用As钝化法可以解决双腔衬底转移的问题,在常用的退火工艺下,通过厚度的调整可以阻挡In元素的扩散。
关键词 mbe CdTe/InSb RHEED In扩散 SIMS
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RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜 被引量：5
7
作者 罗子江 周勋 +5 位作者 贺业全 何浩 郭祥 张毕禅 邓朝勇 丁召 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2107-2111,共5页
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像... 利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。 展开更多
关键词 mbe RHEED STM InGaAs薄膜
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非掺杂p型MBE-Hg_(1-x)Cd_xTe材料的受主性质 被引量：5
8
作者 方维政 杨建荣 +2 位作者 陈新强 王善力 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期25-30,共6页
对经２５０°Ｃｐ型热处理获得的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ≈０．２４）ＭＢＥ材料进行变温霍耳测量和理论拟合计算，由此得到ＨｇＣｄＴｅ－ＭＢＥ材料的受主浓度为２～３×１０１６ｃｍ－３，残余施主浓度为５×１０１５... 对经２５０°Ｃｐ型热处理获得的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ≈０．２４）ＭＢＥ材料进行变温霍耳测量和理论拟合计算，由此得到ＨｇＣｄＴｅ－ＭＢＥ材料的受主浓度为２～３×１０１６ｃｍ－３，残余施主浓度为５×１０１５ｃｍ－３左右．两者相比显示材料的补偿度较低，拟合得到的汞空位受主能级为１５～１８ｍｅＶ，这也与低补偿情况下的理论预计值相符，结果表明以往ｐ型ＨｇＣｄＴｅ外延材料补偿度较大并非外延工艺的固有特性． 展开更多
关键词 分子束外延 碲镉汞 非掺杂 P型 受主性质 红外
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RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 被引量：7
9
作者 胡国新 王晓亮 +6 位作者 孙殿照 王军喜 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期602-605,共4页
用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料 .所获得的掺 Si的 Ga N膜室温电子浓度为 2 .2× 10 1 8cm- 3,相应的电子迁移率为 2 2 1cm2... 用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料 .所获得的掺 Si的 Ga N膜室温电子浓度为 2 .2× 10 1 8cm- 3,相应的电子迁移率为 2 2 1cm2 /( V· s) ;1μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 ( FWHM)为 7′;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到 10 86cm2 /( V· s) ,相应的二维电子气面密度为 7.5× 10 1 2 cm- 2 . 展开更多
关键词 RF-mbe 二维电子气 HFET ALGAN/GAN
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GSMBE生长的高质量氮化镓材料 被引量：6
10
作者 孙殿照 王晓亮 +6 位作者 王军喜 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 侯洵 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期723-725,共3页
使用 NH3作氮源 ,采用 GSMBE方法在 ( 0 0 0 1 ) Al2 O3衬底上生长出了高质量的 Ga N单晶外延膜 .1 .2 μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为 6′,室温电子迁移率为 30 0 cm2 /( V· s) ,背景电子... 使用 NH3作氮源 ,采用 GSMBE方法在 ( 0 0 0 1 ) Al2 O3衬底上生长出了高质量的 Ga N单晶外延膜 .1 .2 μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为 6′,室温电子迁移率为 30 0 cm2 /( V· s) ,背景电子浓度约为 3× 1 0 17cm- 3. 展开更多
关键词 氮化镓 分子束外延 GSmbe
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P型长波Hg_（1－x）Cd_xTe材料MBE生长技术研究 被引量：7
11
作者 王善力 杨建荣 +9 位作者 郭世平 于梅芳 陈新强 方维政 乔怡敏 袁诗鑫 何力 张勤耀 丁瑞军 辛田玲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期333-337,共5页
用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好．在适当的热处理条件下，材料Ｐ型电学参数达到了... 用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好．在适当的热处理条件下，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平。 展开更多
关键词 分子束外延 P型 HGCDTE
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MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较 被引量：5
12
作者 李娜 李宁 +9 位作者 陆卫 窦红飞 陈张海 刘兴权 沈学础 H.H.Tan LanFu C.Jagadish M.B.Johnston M.Gal 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期441-444,共4页
用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长... 用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 . 展开更多
关键词 ALGAAS 量子阱 红外探测器 MOCVD 砷化镓
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高温工作InAlSb的MBE生长及器件性能研究 被引量：2
13
作者 尚林涛 温涛 +4 位作者 王经纬 刘铭 周朋 邢伟荣 沈宝玉 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期329-335,共7页
接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In_(1-x)Al_xSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In_(1-x)Al_xSb薄膜... 接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In_(1-x)Al_xSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In_(1-x)Al_xSb薄膜的Al组分进行了调控和检测。5.3μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9%。10μm×10μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm。制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础。 展开更多
关键词 INSB InAlSb 高温工作 mbe 暗电流
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InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究 被引量：5
14
作者 徐安怀 邹璐 +1 位作者 陈晓杰 齐鸣 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期516-518,共3页
本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格... 本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。 展开更多
关键词 分子束外延 异质结双极晶体管 INGAAS InP
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MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜 被引量：3
15
作者 郝瑞亭 申兰先 +5 位作者 邓书康 杨培志 涂洁磊 廖华 徐应强 牛智川 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期734-736,共3页
利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(HallEffect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究。发现直接生长... 利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(HallEffect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高。引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好。 展开更多
关键词 GASB GAAS 分子束外延(mbe)
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RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 被引量：3
16
作者 孙殿照 胡国新 +5 位作者 王晓亮 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1425-1428,共4页
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;... 用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;Ga N (0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6′;Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730 cm2 /(V· s) ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 1 2 cm- 2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0 m S/mm (栅长 1μm) ,截止频率达 13GHz(栅长 0 .5 μm) 展开更多
关键词 RF-mbe生长 二维电子气 ALGAN/GAN 分子束外延生长 极化感应 氮化镓
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GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究 被引量：4
17
作者 牛智川 周增圻 +5 位作者 林耀望 周帆 潘昆 张子莹 祝亚芹 王守武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期227-230,共4页
本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的... 本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的形成机制，认为在一定的生长条件下，脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的；而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的． 展开更多
关键词 砷化镓 脊形量子线结构 mbe生长
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MBE生长中波HgCdTe薄膜材料温度控制 被引量：2
18
作者 李艳辉 王善力 +5 位作者 宋立媛 孔金丞 赵俊 张筱丹 唐利斌 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第2期76-78,82,共4页
报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延CdTe缓冲层和中波HgCdTe薄膜的温度控制过程。通过红外测温仪监测样品表面温度,来改变加热功率,从而把温度控制在需要的生长温度范围。通过此方法,可以把CdTe生长时样品的表面温度控制在±5℃,MC... 报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延CdTe缓冲层和中波HgCdTe薄膜的温度控制过程。通过红外测温仪监测样品表面温度,来改变加热功率,从而把温度控制在需要的生长温度范围。通过此方法,可以把CdTe生长时样品的表面温度控制在±5℃,MCT生长时可以达到±1℃。生长得到的样品,表面光亮,组分、厚度均匀性好,X射线双晶回摆曲线半峰宽为72 arcsec。 展开更多
关键词 HGCDTE mbe 红外测温仪 表面辐射
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利用P-MBE制备高质量Mg_xZn_(1-x)O的结构和光学特性 被引量：4
19
作者 宿世臣 吕有明 +4 位作者 张振中 李炳辉 姚斌 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期309-312,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在c平面的蓝宝石衬底上制备了高质量的MgxZn1-xO合金薄膜。通过改变Mg源的温度,得到了不同Mg组份的MgxZn1-xO合金薄膜;通过引入ZnO的低温缓冲层,有效地提高了MgxZn1-xO合金薄膜的结晶质量。随... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在c平面的蓝宝石衬底上制备了高质量的MgxZn1-xO合金薄膜。通过改变Mg源的温度,得到了不同Mg组份的MgxZn1-xO合金薄膜;通过引入ZnO的低温缓冲层,有效地提高了MgxZn1-xO合金薄膜的结晶质量。随着Mg组份的增加,MgxZn1-xO的X射线衍射的(002)衍射峰逐渐向大角度方向移动。对样品进行光致发光(PL)谱的测量,在室温下观察到了较强的紫外发光。随Mg浓度的增加,紫外发光峰向高能侧移动,并且发光峰逐渐展宽。通过对x=0.15的样品进行变温光谱的测量研究了紫外发光峰起因,得到了MgxZn1-xO的发光是来自于自由激子的发光。自由激子束缚能为54meV。 展开更多
关键词 氧化锌镁 等离子体辅助分子束外延 光致发光
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