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作为加速器电子源的高量子效率K2CsSb光阴极制备工艺研究 被引量:2
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作者 谢华木 王尔东 《真空》 CAS 2017年第1期63-66,共4页
K_2CsSb光阴极具有10%左右的QE,可达数月的寿命,亚ps量级的响应时间,较低的本征发射度,因此成为高平均功率、高亮度电子源的首选。K_2CsSb光阴极广泛应用于高重频电子枪,如直流电子枪(Cornell),常温射频电子枪(LBNL),超导电子枪(BNL,HZB... K_2CsSb光阴极具有10%左右的QE,可达数月的寿命,亚ps量级的响应时间,较低的本征发射度,因此成为高平均功率、高亮度电子源的首选。K_2CsSb光阴极广泛应用于高重频电子枪,如直流电子枪(Cornell),常温射频电子枪(LBNL),超导电子枪(BNL,HZB)等。为制备出稳定可重复长寿命具有较高量子效率的K_2CsSb光阴极,世界各大实验室均对K_2CsSb光阴极的制备工艺进行了大量的研究。本文详细介绍了K_2CsSb光阴极的制备设备及其制备工艺。 展开更多
关键词 k2cssb光阴极 量子效率 超高真空 电子枪
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氧化镧减反膜对K2CsSb光电阴极灵敏度影响研究
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作者 赵学峰 瞿利平 +2 位作者 冯辉 陈其钧 李庭涛 《云光技术》 2013年第2期15-17,20,共4页
摘要:介绍了K2CsSb光电阴极在光电培增管中的应用和制作工艺。对采用减反膜来提高K2CsSb光电阴极灵敏度的技术进行了理论分析并进行了实验验证。试验了50nm、100nm和150nm三种不同厚度的氧化镧膜层。试验结果表明:在阴极玻璃窗上制作... 摘要:介绍了K2CsSb光电阴极在光电培增管中的应用和制作工艺。对采用减反膜来提高K2CsSb光电阴极灵敏度的技术进行了理论分析并进行了实验验证。试验了50nm、100nm和150nm三种不同厚度的氧化镧膜层。试验结果表明:在阴极玻璃窗上制作3种不同厚度的氧化镧减反膜之后,阴极的灵敏度并未像所预测的那样有所增加,相反还有所降低。并且膜层越厚,阴极灵敏度降低越多。 展开更多
关键词 k2cssb阴极 减反膜 氧化镧 光吸收 光电倍增管
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基于Fabry-Perot共振增强钾铯锑光电阴极的研究
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作者 王玉 彭新村 +2 位作者 邹继军 邓文娟 江霖霖 《电子测量技术》 北大核心 2025年第9期27-35,共9页
正电子亲和势钾铯锑光电阴极具有驱动激光波长较长(532 nm)、量子效率高、长寿命、响应时间快等优点,在电子源领域具有广阔的应用潜力,但受限于材料本身的光电特性,有效的输运距离很短,不足以吸收所有入射光的驱动激光能量,进而量子效... 正电子亲和势钾铯锑光电阴极具有驱动激光波长较长(532 nm)、量子效率高、长寿命、响应时间快等优点,在电子源领域具有广阔的应用潜力,但受限于材料本身的光电特性,有效的输运距离很短,不足以吸收所有入射光的驱动激光能量,进而量子效率也受到影响。因此本文将法布里-珀罗腔结构引入到光电阴极中,来提高入射驱动激光的有效吸收,通过时域有限差分方法展开仿真研究,使其有源层钾铯锑光吸收达到90%,并对其反射层银和介质层氮化硅进行实验制备与验证,同时通过文献实验拟合,预测了其量子效率为11.17%,来满足未来高亮度、高重频电子源的要求。 展开更多
关键词 法布里-珀罗共振 k2cssb光电阴极 光吸收
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影响双碱光阴极量子效率的关键技术研究 被引量:1
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作者 谢华木 王尔东 《真空》 CAS 2016年第6期51-53,共3页
K_2CsSb光阴极由于具备诸多优势而成为高亮度电子源的首选,应用于世界上许多大科学装置中。K_2CsSb光阴极的制备设备与制备工艺是世界上各大实验室的研究重点,本文系统研究了双碱光阴极制备过程中的关键问题,对影响双碱光阴极量子效率... K_2CsSb光阴极由于具备诸多优势而成为高亮度电子源的首选,应用于世界上许多大科学装置中。K_2CsSb光阴极的制备设备与制备工艺是世界上各大实验室的研究重点,本文系统研究了双碱光阴极制备过程中的关键问题,对影响双碱光阴极量子效率的重要因素,如基底种类,基底表面粗糙度,反应薄膜厚度,Cs激活工艺等方面都进行了研究,形成了一套稳定可重复的高性能双碱光阴极的制备工艺。 展开更多
关键词 k2cssb光阴极 量子效率 表面粗糙度 Cs激活工艺
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一种利用反射率理论模型指导K_2CsSb光电阴极的制备方法 被引量:3
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作者 孙建宁 司曙光 +9 位作者 王兴超 金睦淳 李冬 任玲 侯巍 赵敏 顾莹 乔芳建 张昊达 曹宜起 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期1087-1091,共5页
针对中微子和宇宙射线探测用的大尺寸K_2CsSb光电阴极,本文首先利用光学导纳矩阵法,推导了适用于多层膜的K_2CsSb光电阴极理论模型。通过该模型对K_2CsSb光电阴极生长提出了增透层蒸镀、底K蒸镀、K/Sb同蒸、进Cs蒸镀4个阶段的制备方法,... 针对中微子和宇宙射线探测用的大尺寸K_2CsSb光电阴极,本文首先利用光学导纳矩阵法,推导了适用于多层膜的K_2CsSb光电阴极理论模型。通过该模型对K_2CsSb光电阴极生长提出了增透层蒸镀、底K蒸镀、K/Sb同蒸、进Cs蒸镀4个阶段的制备方法,在对各个阶段的反射率变化进行的理论仿真后,发现K_2CsSb厚度远低于K_3Sb厚度,整个阴极结构应该为K_2CsSb/K_3Sb/增透层/玻璃的4层结构;仿真计算结果表明,利用该制备方法获得的K_2CsSb光电阴极厚度约为40 nm。实验中,由于K与Sb同时蒸镀时采用了不同的蒸镀比例会导致截然不同的反射率曲线走势,从而影响到K_2CsSb的量子效率差异。 展开更多
关键词 钾铯锑 光电阴极 反射率 量子效率 光电倍增管
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大面积MCP-PMT K_2CsSb光电阴极理论与测控技术研究 被引量:6
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作者 常本康 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第8期455-462,共8页
针对SBA/UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所380-510nm转换波长的闪烁体,分别从KzCsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一性原理计算结果表明,双碱光电阴极K1.75CsSb1.25是直接禁带... 针对SBA/UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所380-510nm转换波长的闪烁体,分别从KzCsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一性原理计算结果表明,双碱光电阴极K1.75CsSb1.25是直接禁带半导体,能带弯曲最大,功函数最小;中微子与闪烁体相互作用后发射光子的光谱范围在380-510nm,可以确定双碱阴极透射式工作范围在2.92~3.26eV,反射式工作范围在2.43-2.92eV;针对球形光电倍增管结构,提出了透射式与反射式阴极量子效率最大化方案和K1.75CsSb1.25阴极6点监控制备方法,给出了测试方法。 展开更多
关键词 光电倍增器 光电阴极 第一性原理 能带结构 制备工艺
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The QE numerical simulation of PEA semiconductor photocathode 被引量:1
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作者 李旭东 顾强 +1 位作者 张猛 赵明华 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2012年第6期531-537,共7页
Several kinds of models have already been proposed to explain the photoemission process. The ex- act photoemission theory of the semiconductor photocathode was not well established after decades of research. In this p... Several kinds of models have already been proposed to explain the photoemission process. The ex- act photoemission theory of the semiconductor photocathode was not well established after decades of research. In this paper an integral equation of quantum efficiency (QE) is constructed to describe the photoemission of positive electron affinity (PEA) of the semiconductor photocathode based on the three-step photoemission model. Various factors (e.g., forbidden band gap, electron affinity, photon energy, incident angle, degree of polarization, refractive index, extinction coefficient, initial and final electron energy, relaxation time, external electric field and so on) have an impact on the QE of the PEA semiconductor photocathode, which are entirely expressed in the QE equation. In addition, a simulation code is also programmed to calculate the QE of the K2CsSb photocathode theoretically at 532 nm wavelength. By and large, the result is in line with the expected experimental value. The reasons leading to the distinction between the experimental and theoretical QE are discussed. 展开更多
关键词 PHOTOCATHODE quantum efficiency k2cssb SIMULATION
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