InSb 精密角位移传感器的研究 被引量：8

1

作者 胡明 张之圣 刘志刚 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1998年第2期1-3,共3页

本文介绍了以磁阻效应为工作原理的ＩｎＳｂ精密角位移传感器的设计和制作。这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长。性能测试结果表明，在±１２°范围内，其分辨率达０．

关键词 insb 磁阻效应 角位移传感器 悬臂梁 传感器

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InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器 被引量：9

2

作者 黄钊洪 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第7期11-13,共3页

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约... 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) :1。 展开更多

关键词 锑化铟 共晶体 磁敏电阻 电流传感器 薄膜

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InSb伪币检测传感器的研究 被引量：2

3

作者 方培生 厉亦光 +1 位作者 高泉和 陆肖宜 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1999年第4期7-9,共3页

】文中介绍了以磁阻效应为工作原理的ＩｎＳｂ伪币检测传感器的设计和制作。这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长。性能测试结果表明，在０．３Ｔ磁场内，磁阻灵敏度为１．８～３。

关键词 磁阻效应 磁敏电阻 insb 传感器 伪币检测

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鉴别纸币真假的数码化InSb传感器的研制 被引量：6

4

作者 方培生 《传感技术学报》 CAS CSCD 2002年第2期177-179,共3页

本文叙述了以磁阻效应为工作原理的InSb磁敏传感器的设计和制造 ,它具有非接触、数码化、重量轻、分辨率高及使用寿命长等优点 .通过检测和使用完全符合新人民币检测要求 。

关键词 磁阻效应 insb 数码化磁敏传感器

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InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器 被引量：15

5

作者 刘洪 黄钊洪 +2 位作者 代贵华 黄志文 徐明六 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期19-21,共3页

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测... 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。 展开更多

关键词 共晶体薄膜 磁阻式齿轮转速传感器 锑化铟-铟

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基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用 被引量：4

6

作者 陈科球 黄钊洪 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期200-202,共3页

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS)。为了检测微弱电流,此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的,设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增... 介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS)。为了检测微弱电流,此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的,设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为50~10000倍、,待测的50Hz交流电流在50mA^12A时,输出电压在0.3~3.5V变化,并且两者之间有比较好的线性关系,标准偏差小于0.02,完全能满足工业上对电流的监测作用,从而保护因异常情况停止运转的马达。 展开更多

关键词 锑化铟 磁阻元件 磁阻效应 电流传感器

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InSb磁阻元件与传感器的进展 被引量：11

7

作者 王文生 《传感器技术》 CSCD 1994年第2期1-9,共9页

InSb磁敏电阻及传感器是磁敏元件与传感器的主要品种之一。对这类元件及传感器的工作原理、结构和性能等分别作了简要介绍。其中有分立型磁敏元件,磁敏无接触电位器、旋转传感器、精密小角度角位移传感器、直线位移传感器、压力传感器... InSb磁敏电阻及传感器是磁敏元件与传感器的主要品种之一。对这类元件及传感器的工作原理、结构和性能等分别作了简要介绍。其中有分立型磁敏元件,磁敏无接触电位器、旋转传感器、精密小角度角位移传感器、直线位移传感器、压力传感器和图形识别传感器等。除介绍主要技术性能之外,还简要介绍了它们的应用实例。 展开更多

关键词 半导体磁阻 insb磁敏电阻 传感器

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InSb磁敏旋转传感器

8

作者 张之圣 李晓云 陈金亭 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第5期354-355,383,共3页

In Sb磁敏电阻是 In Sb旋转传感器的核心部件。研究了它的物理磁阻效应和几何磁阻效应。格子型磁敏电阻具有较大的灵敏度和初始值。将磁敏电阻设计成桥式电路 ,电阻条宽 0 .2 4m m,间隔 0 .0 4mm,总尺寸为 3mm× 4mm。齿轮的分度圆... In Sb磁敏电阻是 In Sb旋转传感器的核心部件。研究了它的物理磁阻效应和几何磁阻效应。格子型磁敏电阻具有较大的灵敏度和初始值。将磁敏电阻设计成桥式电路 ,电阻条宽 0 .2 4m m,间隔 0 .0 4mm,总尺寸为 3mm× 4mm。齿轮的分度圆周节 Pr=0 .6 2 π m m,模数 m=0 .6 2 mm。 展开更多

关键词 磁敏电阻 insb 磁敏旋转传感器 工作原理

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InSb磁敏传感器及其应用(上) 被引量：1

9

作者 王文生 《传感器世界》 1998年第7期11-18,共8页

InSb是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料,与其它半导体材料相比,具有较高的电子迁移率.因此,它不但适合制造霍尔器件和传感器,而且适合于制造磁敏电阻和传感器.本文简要介绍了InSb材料的特点,磁敏感效应,各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的... InSb是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料,与其它半导体材料相比,具有较高的电子迁移率.因此,它不但适合制造霍尔器件和传感器,而且适合于制造磁敏电阻和传感器.本文简要介绍了InSb材料的特点,磁敏感效应,各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用. 展开更多

关键词 霍尔器件 锑化铟 磁敏传感器

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准全方位InSb-In磁阻式振动传感器

10

作者 王蕊 黄钊洪 《传感器世界》 2005年第2期47-49,46,共4页

本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的 InSb-In 磁敏元件构成,将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间。经实测,磁头上方的磁敏元件灵敏... 本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的 InSb-In 磁敏元件构成,将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间。经实测,磁头上方的磁敏元件灵敏度大于下方元件,输出信号相位差在 00～1800 之间,信噪比在 30dB～32dB 范围内。当温度-400C～800C 之间变化时,信号处理电路输出稳定可靠。 展开更多

关键词 锑化铟-铟 振动传感器 准全方位

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INSB伪币检测传感器件的磁灵敏度研究

11

作者 方培生 樊小勇 黎明 《温州师范学院学报》 2001年第6期11-13,共3页

本文对INSB传感器的磁灵敏度进行研究 ,从理论上分析了影响磁敏感特性的因素 ,提出了获得高磁灵敏度的途径与方法 。

关键词 insb伪币检测传感器件 磁灵敏度 设计原理 短路栅结构 零磁场电阻 温度特性

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一种检测薄膜型InSb-In磁阻元件灵敏度的便捷方法

12

作者 颜健毅 黄钊洪 《传感器世界》 2006年第2期25-28,共4页

本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量。利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度。本文检测并讨论了... 本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量。利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度。本文检测并讨论了磁阻式Insb-In磁阻元件在一定的磁偏置的条件下,外加磁感应强度B与磁阻元件的电阻值的变化率间的关系,从而提出了一种精确、便捷的薄膜型InSb-In磁阻元件的测量方法。 展开更多

关键词 薄膜磁阻元件 insb-IN 灵敏度 检测 均匀磁场 磁感应强度

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可用于低转速测量的锑化铟齿轮转速传感器设计 被引量：2

13

作者 周冬跃 黄钊洪 《计算机测量与控制》 CSCD 2004年第9期898-900,共3页

对锑化铟-铟共晶薄膜磁阻元件的齿轮转速传感器电路进行了研究。提出了磁阻三端式信号采集电路和阻容耦合放大的信号处理电路。实验证明:这种信号采集电路输出的信号约是两端型的输出的两倍;传感器的检测距离为≤5mm;传感器能够实现对... 对锑化铟-铟共晶薄膜磁阻元件的齿轮转速传感器电路进行了研究。提出了磁阻三端式信号采集电路和阻容耦合放大的信号处理电路。实验证明:这种信号采集电路输出的信号约是两端型的输出的两倍;传感器的检测距离为≤5mm;传感器能够实现对低转速的测量,检测工作频率2～5kHz之间。 展开更多

关键词 锑化铟 信号采集电路 转速传感器 转速测量 输出 磁阻 设计 阻容耦合 信号处理电路 元件

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传感器的测试技术 被引量：1

14

作者 方培生 方国宏 +1 位作者 陆岚 李广 《中国测试技术》 2005年第2期124-126,共3页

本文介绍了以VFP6 0软件,应用在Insb伪币检测传感器中,实现了电脑对传感器的阻值进行自动检测和排序,大大地提高了生产效率。

关键词 insb传感器 VISUAL FOX Prod.0软件 应用

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基于角度传感器的玻璃材料折射率的测定 被引量：2

15

作者 陈培杰 汪志云 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2007年第3期82-83,89,共3页

在介绍根据布儒斯特定律测量玻璃材料折射率的方法和用磁阻式角度传感器测角原理的基础上,提出一种利用角度传感器测量材料折射率的新方法,实现了角度量和材料折射率的非电量电测。通过用此方法测量2种玻璃样品的折射率与理论值进行比较... 在介绍根据布儒斯特定律测量玻璃材料折射率的方法和用磁阻式角度传感器测角原理的基础上,提出一种利用角度传感器测量材料折射率的新方法,实现了角度量和材料折射率的非电量电测。通过用此方法测量2种玻璃样品的折射率与理论值进行比较,发现在不考虑传感器温度漂移及装置的平整性等系统误差的条件下,折射率测量的相对误差小于3%。研究还表明:新型锑化铟磁阻角度传感器的线性范围约200°,为设计非接触式角度量及折射率的自动测量系统打下了基础。 展开更多

关键词 锑化铟磁阻角度传感器 折射率 非电量电测

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磁阻式轮速传感器在ABS中的应用 被引量：2

16

作者 秦玉伟 金轶锋 李芳菊 《仪表技术》 2009年第9期75-76,共2页

介绍一种磁阻式轮速传感器,并设计了该轮速传感器的信号处理电路,其中包含两级带通滤波放大电路和迟滞比较器;该传感器结构简单,成本低廉。研究结果表明,磁阻式轮速传感器工作性能稳定可靠,灵敏度高,抗干扰能力强,适应较高和较低的车速... 介绍一种磁阻式轮速传感器,并设计了该轮速传感器的信号处理电路,其中包含两级带通滤波放大电路和迟滞比较器;该传感器结构简单,成本低廉。研究结果表明,磁阻式轮速传感器工作性能稳定可靠,灵敏度高,抗干扰能力强,适应较高和较低的车速变化,可广泛应用于汽车ABS中。 展开更多

关键词 轮速传感器 insb 磁阻 ABS

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磁阻式角度传感器在电子油门系统的应用 被引量：10

17

作者 秦玉伟 《仪表技术》 2007年第4期57-58,6,共3页

介绍一种磁阻式非接触角度传感器,可应用于电子油门系统中的油门踏板传感器和节流阀开度传感器。磁阻式传感器通过改变磁钢与磁阻元件的相对位置来改变阻值大小,从而将踏板的线位移信号或角度变化量转化成电压信号输出,以确定油门踏板... 介绍一种磁阻式非接触角度传感器,可应用于电子油门系统中的油门踏板传感器和节流阀开度传感器。磁阻式传感器通过改变磁钢与磁阻元件的相对位置来改变阻值大小,从而将踏板的线位移信号或角度变化量转化成电压信号输出,以确定油门踏板的位置,实现对节流阀的调节,具有非接触式、成本低的优点。 展开更多

关键词 insb—In 磁阻效应 传感器 非接触式

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磁阻式与霍尔式接近开关性能比较 被引量：3

18

作者 秦玉伟 张莹 《河南科学》 2011年第5期595-597,共3页

介绍了磁阻式接近开关和霍尔式接近开关的工作原理及信号处理电路,并对二者的动态特性进行了测量和分析.实验表明:磁阻式接近开关动态特性优于霍尔式接近开关,该接近开关灵敏度高,稳定性好,且成本低,可替代霍尔式接近开关,用于铁磁性材... 介绍了磁阻式接近开关和霍尔式接近开关的工作原理及信号处理电路,并对二者的动态特性进行了测量和分析.实验表明:磁阻式接近开关动态特性优于霍尔式接近开关,该接近开关灵敏度高,稳定性好,且成本低,可替代霍尔式接近开关,用于铁磁性材料检测和控制. 展开更多

关键词 接近开关 传感器 磁敏电阻 锑化铟 霍尔效应

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径向间距对锑化铟磁阻式接近开关性能的影响

19

作者 秦玉伟 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2011年第12期1-2,17,共3页

设计了基于锑化铟磁敏传感器的接近开关和信号处理电路,并对不同径向间距下接近开关性能进行了研究,分别分析了动作距离、复位距离以及差程与径向间距的关系。实验结果表明:径向间距为3～7 mm时,接近开关的动态性能良好,径向间距为4 mm... 设计了基于锑化铟磁敏传感器的接近开关和信号处理电路,并对不同径向间距下接近开关性能进行了研究,分别分析了动作距离、复位距离以及差程与径向间距的关系。实验结果表明:径向间距为3～7 mm时,接近开关的动态性能良好,径向间距为4 mm时,接近开关性能最佳,动作距离高达8.14 mm,回差距离小于0.05 mm,重复定位精度小于0.04 mm. 展开更多

关键词 接近开关 锑化铟 磁敏电阻 传感器

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一种较大驱动电流的锑化铟磁阻式齿轮转速传感器设计

20

作者 周冬跃 黄钊洪 倪新建 《传感器世界》 2003年第11期9-12,共4页

本文介绍一种采用锑化铟-铟共晶体磁敏电阻作为敏感元件的半导体薄膜型齿轮转速传感器,得出了传感器检测距离与磁阻输出信号的关系曲线。传感器驱动级采用推挽输出的形式,输出矩形脉冲负荷能力强,输出拉电流最大可达200mA以上,当温度在... 本文介绍一种采用锑化铟-铟共晶体磁敏电阻作为敏感元件的半导体薄膜型齿轮转速传感器,得出了传感器检测距离与磁阻输出信号的关系曲线。传感器驱动级采用推挽输出的形式,输出矩形脉冲负荷能力强,输出拉电流最大可达200mA以上,当温度在-30℃～+70℃之间变化时,信号处理电路输出依然稳定可靠。 展开更多

关键词 驱动电流 锑化铟 磁阻式齿轮转速传感器 推挽驱动 工作原理

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