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InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构
被引量：
1
1
作者
刘祥林
董逊
黎大兵
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第1期5-9,共5页
研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800～880℃,其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,...
研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800～880℃,其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上。时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区———在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区。
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关键词
铟镓铝氮
四元合金
光学性质
低维结构
铟聚集
晶格常数
禁带宽度
量子阱
发光二极管
时间分辨光谱
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职称材料
硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究
被引量：
1
2
作者
熊传兵
江风益
+2 位作者
王立
方文卿
莫春兰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期7860-7864,共5页
测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧...
测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.
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关键词
ingaaln
发光二极管
垂直结构
电致发光
原文传递
题名
InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构
被引量：
1
1
作者
刘祥林
董逊
黎大兵
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第1期5-9,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60136020)
文摘
研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800～880℃,其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上。时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区———在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区。
关键词
铟镓铝氮
四元合金
光学性质
低维结构
铟聚集
晶格常数
禁带宽度
量子阱
发光二极管
时间分辨光谱
Keywords
ingaaln
growth
optical property
low dimension
indium cluster
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究
被引量：
1
2
作者
熊传兵
江风益
王立
方文卿
莫春兰
机构
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心
晶能光电(江西)有限公司
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期7860-7864,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(批准号:2005AA311010
2003AA302160)
+1 种基金
信息产业部电子发展基金(批准号:2004125
2004479)资助的课题~~
文摘
测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.
关键词
ingaaln
发光二极管
垂直结构
电致发光
Keywords
ingaaln
, light-emitting diode, vertical structure, electroluminescence
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构
刘祥林
董逊
黎大兵
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004
1
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职称材料
2
硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究
熊传兵
江风益
王立
方文卿
莫春兰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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