高质量HgCdTe薄膜的液相外延生长 被引量：4

1

作者 马庆华 陈建才 +1 位作者 姬荣斌 杨宇 《红外技术》 CSCD 北大核心 2005年第1期42-44,共3页

用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外廷(LPE)方法在碲锌 镉(Cd1-yZnyTe,y=0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x=0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件 得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜。... 用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外廷(LPE)方法在碲锌 镉(Cd1-yZnyTe,y=0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x=0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件 得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜。测试结果表明本方法生长的HgCdTe薄 膜能满足目前研制红外焦平面器件的要求。 展开更多

关键词 液相外延生长 红外焦平面器件 碲镉汞 衬底 CDTE薄膜 高质量 长波 固态 表面形貌 薄膜材料

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分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片 被引量：1

2

作者 陈路 巫艳 +4 位作者 于梅芳 吴俊 乔怡敏 杨建荣 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期65-70,共6页

报道了用分子束外延的方法制备 3英寸HgCdTe薄膜的研究结果 ,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好 ,在直径 70mm圆内 ,组份标准偏差率为 1.2 % ,对应 80K截止波长偏差仅为 0 .1μm .经过生长条件的改进 ,表面形貌获得了大幅度改善 ,缺陷密... 报道了用分子束外延的方法制备 3英寸HgCdTe薄膜的研究结果 ,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好 ,在直径 70mm圆内 ,组份标准偏差率为 1.2 % ,对应 80K截止波长偏差仅为 0 .1μm .经过生长条件的改进 ,表面形貌获得了大幅度改善 ,缺陷密度小于 30 0cm-2 ,缺陷尺寸小于 10 μm 。 展开更多

关键词 分子束外延 hgcdte 缺陷 焦平面阵列 汞镉碲化合物 生长条件 薄膜

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10μm 1280×1024 HgCdTe中波红外焦平面阵列探测性能提升

3

作者 谭必松 毛剑宏 +9 位作者 陈殊璇 李伟伟 陈世锐 陈天晴 杜宇 彭成盼 熊雄 周永强 余波 王舒 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期36-43,共8页

对像元尺寸为10μm的1280×1024碲镉汞(HgCdTe)中波红外焦平面阵列的制备技术和性能进行了研究。通过B+注入制备小尺寸n-on-p平面结;采用高平整度HgCdTe外延材料和高精度的倒焊互连技术,实现高的电学连通率;采用多段温度填胶固化和... 对像元尺寸为10μm的1280×1024碲镉汞(HgCdTe)中波红外焦平面阵列的制备技术和性能进行了研究。通过B+注入制备小尺寸n-on-p平面结;采用高平整度HgCdTe外延材料和高精度的倒焊互连技术,实现高的电学连通率;采用多段温度填胶固化和边缘刻蚀工艺减轻HgCdTe器件和读出集成电路(ROICs)之间的热失配,从而降低焦平面器件失效率。在85 K焦平面工作温度下,研制探测器的光谱响应范围为3.67μm至4.88μm,有效像元率高达99.95%,并且探测器组件像元的平均噪声等效温差(NETD)和暗电流密度的平均值分别小于16 mK和2.1×10^(-8)A/cm^(2)。与像元尺寸为15μm的探测器相比,10μm的1280×1024中波红外探测器可获取更加精细的图像,具有更远的识别距离。目前,该技术已成功转移到浙江珏芯微电子有限公司(ZJM)的HgCdTe红外探测器产线。 展开更多

关键词 红外探测器 碲镉汞 1 K×1 K红外焦平面阵列 n-on-p

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第三代红外焦平面基础技术的研究进展 被引量：11

4

作者 何力 胡晓宁 +3 位作者 丁瑞军 李言谨 杨建荣 张勤耀 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期696-701,共6页

叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延以及台面结芯片技术研究的一些成果。对GaAs、Si基大面积异质外延、p型掺杂以及台面刻蚀等主要难点问题进行了阐述。研究表明,7.6 cm(3 in)材料的组分均匀性良好,晶格失配引... 叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延以及台面结芯片技术研究的一些成果。对GaAs、Si基大面积异质外延、p型掺杂以及台面刻蚀等主要难点问题进行了阐述。研究表明,7.6 cm(3 in)材料的组分均匀性良好,晶格失配引发的孪晶缺陷可以通过合适的低温成核方法得到有效抑制。在GaAs和Si衬底上外延的HgCdTe材料的(422)X射线衍射半峰宽的典型值为55″～75″。对ICP技术刻蚀HgCdTe的表面形貌、刻蚀速率、反应微观机理、负载效应和刻蚀延迟效应以及刻蚀损伤进行了研究,得到了高选择比的掩模技术和表面光亮、各向异性较好的刻蚀形貌。采用HgCdTe多层材料试制了长波n-on-p以及p-on-n型掺杂异质结器件以及双色红外短波/中波焦平面探测器,取得了一些初步结果。 展开更多

关键词 红外焦平面 hgcdte 台面结 分子束外延 电感耦合等离子体刻蚀技术

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碲镉汞雪崩焦平面器件 被引量：5

5

作者 李浩 林春 +7 位作者 周松敏 郭慧君 王溪 陈洪雷 魏彦锋 陈路 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期587-590,共4页

碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小... 碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%.6 V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2. 展开更多

关键词 碲镉汞 雪崩光电二极管 焦平面 噪声等效光子数 过剩噪声因子

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短波红外焦平面探测器及其应用进展 被引量：18

6

作者 曹扬 金伟其 +1 位作者 王霞 徐超 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第2期63-68,共6页

简要介绍短波红外焦平面阵列(SWIRFPA)的相关概念,从探测器材料、探测器制备工艺方面讲述国内外在短波红外焦平面探测器研究领域取得的进展,列举HgCdTe和InGaAs材料短波红外焦平面探测器产品,描述当前短波红外焦平面探测器的研究动向,... 简要介绍短波红外焦平面阵列(SWIRFPA)的相关概念,从探测器材料、探测器制备工艺方面讲述国内外在短波红外焦平面探测器研究领域取得的进展,列举HgCdTe和InGaAs材料短波红外焦平面探测器产品,描述当前短波红外焦平面探测器的研究动向,最后列举了一些有代表性的短波红外焦平面阵列的应用。 展开更多

关键词 短波红外 焦平面阵列 红外探测器 hgcdte INGAAS

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百万像素级红外焦平面器件倒装互连工艺研究 被引量：11

7

作者 谢珩 王宪谋 王骏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期319-321,共3页

介绍了倒装互连技术的工艺原理,阐述了红外焦平面器件倒装互连的工艺特点。通过系列实验和分析,最终优化并确定了百万像素级红外焦平面器件倒装互连的工艺参数,获得了良好的互连效果。

关键词 倒装互连 百万像素 碲镉汞 红外焦平面

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甚长波碲镉汞红外焦平面探测器 被引量：1

8

作者 李雄军 邹雷 +9 位作者 赵鹏 杨超伟 熊伯俊 王向前 张应旭 刘艳珍 李红福 赵榆松 张绍裕 李立华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期818-824,共7页

采用砷离子注入p-on-n平面结技术制备了77 K工作温度下截止波长分别为13.23μm和14.79μm、像元中心距为25μm的甚长波640×512探测器,并对其基本性能和暗电流进行了测试和分析。结果表明,对于截止波长为13.23μm的甚长波640×5... 采用砷离子注入p-on-n平面结技术制备了77 K工作温度下截止波长分别为13.23μm和14.79μm、像元中心距为25μm的甚长波640×512探测器,并对其基本性能和暗电流进行了测试和分析。结果表明,对于截止波长为13.23μm的甚长波640×512(25μm),器件量子效率为55%,NETD平均值为21.5 mK,有效像元率为99.81%;对于截止波长为14.79μm的甚长波640×512(25μm),器件量子效率为45%,NETD平均值为34.6 mK,有效像元率为99.28%。这两个甚长波器件在液氮温度下的R_(0)A分别为19.8Ω·cm^(2)和1.56Ω·cm^(2),达到了“Rule07”经验表达式的预测值,器件噪声主要受散粒噪声限制,显示出了较好的器件性能。 展开更多

关键词 甚长波 p-on-n 碲镉汞 焦平面探测器 R0A

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降低平面结型碲镉汞焦平面阵列光串音的结构优化研究 被引量：7

9

作者 全知觉 叶振华 +2 位作者 胡伟达 李志锋 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期329-332,337,共5页

研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法... 研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法,并利用商用器件模拟软件对Hg0.78Cd0.22Te器件进行了二维模拟.计算结果显示:当少子寿命为10 ns时,经过优化设计后的器件,光响应率增加了9.6%,光串音从未优化前的5.23%减小到1.05%. 展开更多

关键词 碲镉汞(MCT) 焦平面阵列 光串音 器件模拟

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长波长线列碲镉汞焦平面器件拼接工艺研究 被引量：3

10

作者 谢珩 东海杰 张懿 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期58-61,共4页

长波5000元长线列碲镉汞焦平面器件由5个长波1000元混成芯片在拼接基板上交错排列组成。本文采用拼接互连设备的正贴方法进行单模块与拼接基板的拼接,试验结果表明:该拼接方法的拼接位置精度在X和Y轴方向均小于8μm,在Z轴方向小于15μm... 长波5000元长线列碲镉汞焦平面器件由5个长波1000元混成芯片在拼接基板上交错排列组成。本文采用拼接互连设备的正贴方法进行单模块与拼接基板的拼接,试验结果表明:该拼接方法的拼接位置精度在X和Y轴方向均小于8μm,在Z轴方向小于15μm,满足需求。 展开更多

关键词 长波 长线列 碲镉汞 红外焦平面 拼接工艺

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碲镉汞焦平面器件背面减薄技术 被引量：2

11

作者 李春领 刘海龙 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期637-639,共3页

采用机械抛光和机械化学抛光的方法进行碲镉汞焦平面器件的碲锌镉衬底背面减薄,最后利用专用腐蚀液腐蚀的方法将碲锌镉衬底全部去除,碲镉汞完全露出;器件测试结果表明减薄后的MW1280×1024器件经受高低温循环冲击的可靠性显著提高。

关键词 碲镉汞焦平面 背面减薄 可靠性 机械化学抛光 腐蚀

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Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究 被引量：1

12

作者 宋林伟 孔金丞 +5 位作者 赵鹏 姜军 李雄军 方东 杨超伟 舒畅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第4期1-8,共8页

昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了... 昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了363Ω·cm^(2)(λ_(cutoff)=10.5μm@80 K),器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上。研制的非本征Au掺杂长波探测器经历了超过7年的时间贮存,性能无明显变化,显示了良好的长期稳定性。基于Au掺杂碲镉汞探测器技术,昆明物理研究所实现了256×256(30μm pitch)、640×512(25μm pitch)、640×512(15μm pitch)、1024×768(10μm pitch)等规格的长波探测器研制和批量能力,实现了非本征Au掺杂长波碲镉汞器件系列化发展。 展开更多

关键词 Au掺杂 暗电流 长波红外 碲镉汞(hgcdte) 焦平面

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中波红外焦平面列阵探测器γ辐照效应 被引量：1

13

作者 廖毅 王建新 张勤耀 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期110-113,共4页

报道了γ射线辐照对薄膜材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)制备的中波红外焦平面列阵探测器性能的影响。γ射线辐照的剂量依次为3×106rad、9×106rad、2×107rad．测量了器件在辐照前及各个剂量辐照后的I-V特性、黑体响应、噪声等性... 报道了γ射线辐照对薄膜材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)制备的中波红外焦平面列阵探测器性能的影响。γ射线辐照的剂量依次为3×106rad、9×106rad、2×107rad．测量了器件在辐照前及各个剂量辐照后的I-V特性、黑体响应、噪声等性能参数。通过分析实验数据,发现器件的暗电流,噪声随辐照剂量的增加而增大,黑体响应随辐照剂量的增大而减小。其中I-V特性受辐照影响最大,黑体响应和噪声对辐照不是很敏感。这些表明随着辐照剂量的增加,器件的性能逐步衰退。 展开更多

关键词 光电子学 红外焦平面探测器 辐照效应 Γ射线辐照 碲镉汞

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光伏焦平面器件串音效应的检测图形测试法 被引量：3

14

作者 曾戈虹 《红外技术》 CSCD 1994年第4期9-12,共4页

根据长波红外焦平面器件研制的需要，在对器件串光效应和测试原理进行分析的基础上，本文首次提出用检测图形测试的方法测量红外焦平面阵列中探测器之间的串音效应。对用于检测光伏焦平面阵列光串音效应的检测图形的结构和原理，具体的... 根据长波红外焦平面器件研制的需要，在对器件串光效应和测试原理进行分析的基础上，本文首次提出用检测图形测试的方法测量红外焦平面阵列中探测器之间的串音效应。对用于检测光伏焦平面阵列光串音效应的检测图形的结构和原理，具体的测试设备和测试方法，以及由结构设计差异和检测管响应率差异可能引入的误差进行了讨论，并根据红外长波焦平面器件研制过程中的实际测试经验，给出了实用的误差消除方法。在长波ＨｇＣｄＴｅ焦平面阵列的实际研制过程中，该方法对工艺机理的分析和器件参数测试都起了重要的作用。此测试法所用测试设备与常规光电器件测试设备相同，避免了在串音测试上依赖于目前尚不成熟的红外长波小光点技术。 展开更多

关键词 光伏焦平面器件 串音效应 检测图形测试法

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环孔工艺的碲镉汞长波红外576×6焦平面探测器组件 被引量：2

15

作者 姚英 庄继胜 +5 位作者 邹继鑫 姬荣斌 朱颖峰 陈晓屏 范宏波 蔡毅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期417-420,共4页

碲镉汞长波红外576×6焦平面探测器组件是高性能热像仪的核心组件.本文中作者完成了碲镉汞长波红外576×6焦平面探测器组件的设计,利用环孔技术制备出576×6焦平面探测器芯片,经过杜瓦封装、配斯特林制冷机后成为实用的探... 碲镉汞长波红外576×6焦平面探测器组件是高性能热像仪的核心组件.本文中作者完成了碲镉汞长波红外576×6焦平面探测器组件的设计,利用环孔技术制备出576×6焦平面探测器芯片,经过杜瓦封装、配斯特林制冷机后成为实用的探测器组件.性能参数测试表明:典型的探测率达到1.79×1011cm Hz1/2/W,非均匀性达到14.6%,盲元率达到6.0%,并完成探测器组件的实验室演示成像. 展开更多

关键词 环孔技术 碲镉汞 长波红外 576×6焦平面探测器组件

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