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研究与玻璃粘接的GaAs/GaAlAs外延层晶体质量的X射线衍射方法 被引量：3
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作者 米侃 赛小锋 侯洵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期152-156,共5页
本文应用高分辨率多重晶多次反射Ｘ射线衍射仪（Ｈｉｇｈ－ＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＣｒｙｓｔａｌＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＤｉｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ，ＨＲＭＣＭＲＤ）研究了粘接后的ＧａＡｓ／Ｇａ... 本文应用高分辨率多重晶多次反射Ｘ射线衍射仪（Ｈｉｇｈ－ＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＣｒｙｓｔａｌＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＤｉｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ，ＨＲＭＣＭＲＤ）研究了粘接后的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ／玻璃结构．利用倒易空间衍射图的方法评价粘接后的晶体质量，给出了倒易空间衍射的三维强度分布图．结果表明，粘接过程中较大的应力将使应变的非四方畸变加剧，同时生长方向的应变产生较大的变化．这都将在晶体内部产生缺陷，影响器件的光电特性．成功的粘接样品表明，应变造成摇摆曲线的半峰宽（ＦＷＨＭ）约７０″，沿晶体生长方向的应变变化较小。 展开更多
关键词 砷化镓 化合物半导体 hrmcmrd 镓铝砷化合物
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