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沉积温度为室温和560℃的Nb/Si多层膜微结构研究 被引量：2
1
作者 张明 赵建华 +2 位作者 曹立民 许应凡 王文魁 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期154-158,共5页
对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得... 对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得到的结果。 展开更多
关键词 多层膜 沉积温度 界面结构 室温 微结构 铌/硅
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Nb-Ti-Si-Cr基超高温合金表面ZrSi_2-NbSi_2复合渗层的组织及其抗高温氧化性能 被引量：8
2
作者 李轩 郭喜平 乔彦强 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期693-700,共8页
采用先磁控溅射Zr膜,再Si-Y扩散共渗的方法,在新型Nb-Ti-Si-Cr基超高温合金表面制备了Zr Si2-Nb Si2复合渗层,分析了渗层的显微组织及形成机制,并研究了其在1250℃的恒温氧化行为.结果表明,1150,1250和1350℃下Si-Y共渗4 h所制备的渗层... 采用先磁控溅射Zr膜,再Si-Y扩散共渗的方法,在新型Nb-Ti-Si-Cr基超高温合金表面制备了Zr Si2-Nb Si2复合渗层,分析了渗层的显微组织及形成机制,并研究了其在1250℃的恒温氧化行为.结果表明,1150,1250和1350℃下Si-Y共渗4 h所制备的渗层具有相似的显微组织,均主要由Zr Si2外层,(Nb,X)Si2(X=Ti,Cr,Zr和Hf)中间层和(Ti,Nb)5Si4内层组成.恒温氧化实验结果表明,所制备的渗层具有优异的抗高温氧化性能.氧化时渗层表面形成了由Si O2,Ti O2,Zr Si O4和Cr2O3混合组成的致密氧化膜,能够在1250℃空气中保护基体合金至少100 h不被氧化. 展开更多
关键词 Nb-Ti-si-Cr基超高温合金 Zr si2-Nb si2复合渗层 组织形成 抗氧化性能
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Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究 被引量：2
3
作者 杨瑞东 陈寒娴 +4 位作者 邓荣斌 孔令德 陶东平 王茺 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期328-330,333,共4页
采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较... 采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜。 展开更多
关键词 Ge/si纳米多层膜 埋层 纳米晶粒
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离子束溅射Si／Ge多层膜的界面结构研究 被引量：1
4
作者 陈寒娴 杨瑞东 +3 位作者 邓荣斌 秦芳 王茺 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期4075-4077,共3页
采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25的样品界... 采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25的样品界面最平整。 展开更多
关键词 si/Ge多层膜 界面结构 离子束溅射
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Si_3N_4/BN层状陶瓷软层成分对材料韧性的影响 被引量：7
5
作者 昝青峰 蔡胜有 黄勇 《山东陶瓷》 CAS 1999年第2期4-8,共5页
层状结构能够有效地提高陶瓷材料的韧性，本论文用轧膜／涂层的方法制备了Ｓｉ３Ｎ４／ＢＮ层状陶瓷复合材料。软层的结构及其与硬层的结合状态对整个材料的韧性非常重要，改变软层的成分可以改变软硬层间的结合强度，进而可以影响层状... 层状结构能够有效地提高陶瓷材料的韧性，本论文用轧膜／涂层的方法制备了Ｓｉ３Ｎ４／ＢＮ层状陶瓷复合材料。软层的结构及其与硬层的结合状态对整个材料的韧性非常重要，改变软层的成分可以改变软硬层间的结合强度，进而可以影响层状材料的韧性。本论文研究了材料韧性随软层成分变化而变化的趋势，并对其原因进行了分析。 展开更多
关键词 软层 断裂 增韧 氮化硅 氮化硼 陶瓷
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Ge／Si纳米多层膜的光致发红光研究
6
作者 杨瑞东 陈寒娴 +4 位作者 邓荣斌 孔令德 陶东平 王茺 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期95-97,共3页
采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si（100）基片上磁控溅射生长Ge／Si多层膜样品，使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和研究。在红光波段对样品的光致发光进行了研究，结果表明在红光波段发光峰位来源于薄膜的非晶结构... 采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si（100）基片上磁控溅射生长Ge／Si多层膜样品，使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和研究。在红光波段对样品的光致发光进行了研究，结果表明在红光波段发光峰位来源于薄膜的非晶结构及其薄膜所产生的缺陷；发光峰的强度和峰形受Ge子层和Si子层厚度的影响。 展开更多
关键词 Ge/si纳米多层膜 PL谱 红光
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金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性
7
作者 鄢波 张匡吉 +4 位作者 施毅 濮林 韩平 张荣 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期712-716,共5页
研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结... 研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结晶制备出高质量的Ge/Si量子点超晶格结构.通过光学显微镜、电子显微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明,与单一aSi系统的金属Ni诱导相似,该多层结构中的各αSi层退火后也具有(110)择优取向,同时晶粒的直径较大,约在4～5μm左右.Ge点中的应力状态的变化揭示出诱导结晶后形成高质量的晶态Si与Ge纳米点界面. 展开更多
关键词 Oe/si量子点多层结构 低压化学气相沉积 金属诱导横向结晶
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声表面波器件用SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备 被引量：1
8
作者 陈良贤 刘金龙 +4 位作者 闫雄伯 邵明阳 安康 魏俊俊 李成明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2019年第2期1-7,共7页
为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄... 为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄膜的沉积速率不断加快,薄膜的表面粗糙度不断增大;ZnO薄膜中的原子摩尔分数比随O_2输入量的减少而逐渐接近理想的1∶1。不同氩氧比下制备的ZnO薄膜均呈(002)面择优取向生长,其中在氩氧比7∶1时,获得了具有细小柱状晶特征、C轴择优取向程度较高的ZnO薄膜。采用最优的ZnO和SiO_2薄膜沉积工艺,在金刚石/Si衬底获得了具有清晰界面的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构。 展开更多
关键词 金刚石膜 磁控溅射 siO2/ZnO/金刚石/硅多层结构 声表面波器件
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硅/锗量子点空间分布的有序性及其制备技术
9
作者 姜礼华 谭新玉 +1 位作者 肖婷 向鹏 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1871-1877,1890,共8页
随着纳米技术的进步,量子点纳米材料在理论和实验研究方面受到越来越多的关注。由于量子点阵列优异的物理性能与其空间分布的有序性十分相关,空间分布有序量子点阵列的大面积重复性制备已成为高性能纳米光电子器件商业化应用的关键。近... 随着纳米技术的进步,量子点纳米材料在理论和实验研究方面受到越来越多的关注。由于量子点阵列优异的物理性能与其空间分布的有序性十分相关,空间分布有序量子点阵列的大面积重复性制备已成为高性能纳米光电子器件商业化应用的关键。近几十年来,在量子点空间排列分布有序性的提高、缺陷态的减少、成核位置可控以及大面积重复制备方面人们已做了大量研究。本文主要讨论和综述当前在制备空间分布有序硅/锗(Si/Ge)量子点方面的技术工艺和成果,并展望其未来技术发展思路和方向,希望为今后进一步探索研究大面积空间分布有序Si/Ge量子点阵列的制备提供信息参考。 展开更多
关键词 si/Ge量子点 空间分布有序 多层膜结构 图案化衬底
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长脉冲激光辐照Si-APD温度演化过程的数值模拟与实验研究 被引量：7
10
作者 董渊 王頔 +1 位作者 魏智 符泰然 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期171-176,共6页
针对1064nm长脉冲激光辐照硅雪崩光电二极管(Si-APD)过程中所引起的温升变化规律进行了理论与实验研究。在考虑Si-APD多层结构的前提下,建立了二维轴对称热传导模型,据此进行了不同条件下的模拟仿真研究,并开展了长脉冲激光辐照Si-APD... 针对1064nm长脉冲激光辐照硅雪崩光电二极管(Si-APD)过程中所引起的温升变化规律进行了理论与实验研究。在考虑Si-APD多层结构的前提下,建立了二维轴对称热传导模型,据此进行了不同条件下的模拟仿真研究,并开展了长脉冲激光辐照Si-APD的温升实验研究。模拟仿真结果与实验结果相一致,均表明长脉冲激光与Si-APD相互作用引起的温升是由入射激光的能量密度和脉冲宽度共同决定的。 展开更多
关键词 激光光学 长脉冲激光 激光辐照 硅雪崩光电二极管 多层结构
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