Ge/SiGe非对称耦合量子阱强度调制特性仿真

1

作者 江佩璘 张意 +5 位作者 黄强 石浩天 黄楚坤 余林峰 孙军强 余长亮 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期388-396,共9页

硅基光子学已被广泛认为是能实现片上光电子集成的有效平台,然而迄今为止,对硅基光源、探测器以及调制器等硅基有源器件的研究仍然具有一定的挑战性。为此,提出并仿真分析了一种可以用于实现硅基强度调制的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构... 硅基光子学已被广泛认为是能实现片上光电子集成的有效平台,然而迄今为止,对硅基光源、探测器以及调制器等硅基有源器件的研究仍然具有一定的挑战性。为此,提出并仿真分析了一种可以用于实现硅基强度调制的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构。首先,利用8带k·p理论模型对耦合量子阱的能带结构和电子波函数进行了仿真计算;然后,详细分析了外加电场强度在0 kV/cm至60 kV/cm范围内,非对称耦合量子阱对TE和TM偏振模式的传输光的光吸收谱随外加电场强度的变化。仿真结果表明,对于TE偏振模式的传输光,在无外加电场强度条件下,非对称耦合量子阱的第一个吸收带边约在1449 nm处;而在30 kV/cm外加电场下,该量子阱的吸收带边相比于无外加电场情况向长波方向移动约22 nm,比相同外加电压下的普通量子阱显著。本工作所提出的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构是一种有望实现更低工作电压、更高速和更低损耗硅基强度调制器的结构。 展开更多

关键词 光电子学 强度调制 量子限制斯塔克效应 ge/sige量子阱 非对称耦合量子阱

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Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET

2

作者 张茂添 刘冠洲 +4 位作者 李成 王尘 黄巍 赖虹凯 陈松岩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期108-113,共6页

制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行... 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。 展开更多

关键词 ge sige异质结构 肖特基势垒

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Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究 被引量：1

3

作者 陈城钊 陈阳华 +3 位作者 黄诗浩 李成 赖虹凯 陈松岩 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期922-927,共6页

基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃... 基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。 展开更多

关键词 能带工程理论 ge/sige 量子阱 室温荧光(PL)光谱

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SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化 被引量：9

4

作者 张鹤鸣 戴显英 +2 位作者 林大松 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期305-308,共4页

建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰... 建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0 展开更多

关键词 HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅

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Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响 被引量：2

5

作者 张永 李成 +4 位作者 赖虹凯 陈松岩 康俊勇 成步文 王启明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期479-482,共4页

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0... 制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。 展开更多

关键词 锗硅合金 异质结双极型晶体管 锗组分 直流特性

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Ge/SiGe多量子阱调制器的研究进展 被引量：1

6

作者 黄强 张意 +5 位作者 孙军强 余长亮 高建峰 江佩璘 石浩天 黄楚坤 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第19期29-40,共12页

硅基光子集成技术在众多领域已经取得了重大突破,但目前唯一能实现全部硅基集成有源器件且与互补金属氧化物半导体工艺兼容的材料是锗硅材料体系。Ge/SiGe多量子阱作为硅基光调制器在硅芯片上能实现短距离光互连,基于量子限制斯塔克效应... 硅基光子集成技术在众多领域已经取得了重大突破,但目前唯一能实现全部硅基集成有源器件且与互补金属氧化物半导体工艺兼容的材料是锗硅材料体系。Ge/SiGe多量子阱作为硅基光调制器在硅芯片上能实现短距离光互连,基于量子限制斯塔克效应的Ge/SiGe多量子阱调制器具有低功耗、低偏压、高速率的优点。总结了基于Ge/SiGe多量子阱调制器的研究现状和进展,讨论对比了Ge/SiGe多量子阱调制器的消光比、光损耗、偏置电压、电场、光调制器的调制带宽、暗电流等性能参数,展望了Ge/SiGe多量子阱调制器在集成光子学中的发展方向和面临的挑战。 展开更多

关键词 光学器件 硅基光子学 sige调制器 ge/sige多量子阱 量子限制斯塔克效应

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Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响 被引量：1

7

作者 王煊 徐碧野 何乐年 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期683-687,共5页

采用SiGe异质结结构提高晶体管的性能,分析了Ge对器件电流增益和频率特性提高的物理机制。综合考虑了Si1-xGex薄膜的稳定性、工艺特点和器件结构对Ge含量以及分布的要求和Ge组分的设计及其对器件电学特性的影响。从理论上推算了SiGe HB... 采用SiGe异质结结构提高晶体管的性能,分析了Ge对器件电流增益和频率特性提高的物理机制。综合考虑了Si1-xGex薄膜的稳定性、工艺特点和器件结构对Ge含量以及分布的要求和Ge组分的设计及其对器件电学特性的影响。从理论上推算了SiGe HBT的β和fT等主要特性参数,Ge的引入以及Ge的分布情况对提高这些参数有着显著的影响。Ge的引入对晶体管主要特性参数的提高使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域可以有更重要的应用前景。 展开更多

关键词 sige质结晶体管 ge组分 超高真空/化学气相沉积

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SiGe HBT高频特性研究 被引量：1

8

作者 刘静 武瑜 高勇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期130-135,共6页

从器件结构、工艺条件等方面,对影响SiGe HBT高频特性的因素进行对比分析,并在此基础上,对提高SiGe HBT频率特性的方法进行了总结归纳。渡越时间受温度改变影响,SiGe HBT的高频性能在低温下提高。多种形状的基区Ge分布影响基区渡越时间... 从器件结构、工艺条件等方面,对影响SiGe HBT高频特性的因素进行对比分析,并在此基础上,对提高SiGe HBT频率特性的方法进行了总结归纳。渡越时间受温度改变影响,SiGe HBT的高频性能在低温下提高。多种形状的基区Ge分布影响基区渡越时间,对提高频率起关键作用。降低工艺温度能有效减小杂质扩散,优化频率。采用新结构以减小发射极电阻,或增加工艺隔离步骤以抑制寄生参数,均可提高频率。 展开更多

关键词 sige HBT 频率 ge分布 低温工艺

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SiGe合金氧化层中的纳米结构 被引量：1

9

作者 黄伟其 蔡绍洪 +1 位作者 龙超云 刘世荣 《贵州大学学报（自然科学版）》 2002年第3期202-207,共6页

在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品 ,用高精度椭偏仪 (HPE)、卢瑟福背散射谱仪 (RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜 (HR -STEM)测量样品的纳米结构 ,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢... 在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品 ,用高精度椭偏仪 (HPE)、卢瑟福背散射谱仪 (RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜 (HR -STEM)测量样品的纳米结构 ,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱 (RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟 ,测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布 ,并且反馈控制加工过程 ,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件 .在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的纳米盖帽薄膜 ( 2nm) 。 展开更多

关键词 sige合金氧化层 纳米结构 纳米团簇 纳米层 硅锗合金薄膜 光电特性 硅锗半导体材料

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SiGe合金单晶生长研究 被引量：1

10

作者 刘锋 毛陆虹 +3 位作者 韩焕鹏 王义猛 李丹 何秀坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期328-332,共5页

通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%... 通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、Φ为50～60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。 展开更多

关键词 锗硅单晶 锗的质量分数 单晶生长 直拉法 位错密度

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SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 被引量：4

11

作者 苏文勇 李蕊 邵彬 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期522-525,共4页

对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布... 对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小. 展开更多

关键词 sige异质结双极晶体管 基区渡越时间 ge分布

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应变SiGe合金的喇曼光谱研究

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作者 顾书林 张荣 +2 位作者 韩平 王荣华 郑有斗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期106-109,共4页

本文利用喇曼（Ｒａｍａｎ）光谱研究了使用快速热处理、超低压化学气相淀积方法生长的应变ＳｉＧｅ合金的微结构性质。俄歇电子能谱被用来测量ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组分，实验中发现：高Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子分布较低Ｇｅ... 本文利用喇曼（Ｒａｍａｎ）光谱研究了使用快速热处理、超低压化学气相淀积方法生长的应变ＳｉＧｅ合金的微结构性质。俄歇电子能谱被用来测量ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组分，实验中发现：高Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子分布较低Ｇｅ组分样品无序和均匀，反应气体的氢气稀释以及完全无应变会使生长的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子的分布较为均匀，生长过程中应变的影响、原子的迁移以及氢原子的覆盖解释了以上实验结果。 展开更多

关键词 喇曼光谱 sige合金 锗 硅

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基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性

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作者 张瑜洁 张万荣 +3 位作者 金冬月 陈亮 付强 赵昕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期437-441,共5页

基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响。结果表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平... 基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响。结果表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平缓,各发射极指的峰值温度明显小于矩形分布的各指峰值温度,器件纵向和表面温度分布也更加均匀,因此,与矩形分布相比,梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT在热学特性上有了很大的改善,电学特性也相对热稳定。在这三种结构中,梯形分布可以更好地兼顾增益特性和热学特性。 展开更多

关键词 多指功率sige HBT ge组分分布 温度分布 热学特性 增益特性

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基于紫外光刻的双轴张应变Ge/SiGe多量子阱电吸收调制器

14

作者 黄强 高建峰 +3 位作者 黄楚坤 江佩璘 孙军强 余长亮 《光电子．激光》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1121-1126,共6页

采用紫外光刻工艺(ultraviolet lithography technique,UVL),在互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)兼容的硅基平台上制作了基于悬空微桥结构在Ge/SiGe多量子阱材料中引入双轴张应变的低偏振相关电吸... 采用紫外光刻工艺(ultraviolet lithography technique,UVL),在互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)兼容的硅基平台上制作了基于悬空微桥结构在Ge/SiGe多量子阱材料中引入双轴张应变的低偏振相关电吸收调制器。利用拉曼光谱测试了器件引入双轴张应变的大小,并对器件在横电(transverse electric,TE)偏振和横磁(transverse magnetic,TM)偏振下的光电流响应、调制消光比和高频响应等性能进行了测试。器件的低偏振相关消光比在0 V/4 V工作电压下可达5.8 dB,3 dB调制带宽在4 V反向偏置电压时为8.3 GHz。与电子束光刻工艺(electron beam lithography technique,EBL)相比,采用UVL制作的器件在调制消光比、高频响应带宽等性能上略差一点,但具有曝光时间短、成本低和可大批量生产等优势,应用前景广阔。 展开更多

关键词 紫外光刻工艺(UVL) ge/sige多量子阱 双轴张应变 低偏振相关 电吸收调制器

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pnp型SiGe HBT的制备研究 被引量：2

15

作者 王喜媛 张鹤鸣 +3 位作者 刘道广 郑娥 张静 徐婉静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期34-36,62,共4页

从pnp型Si/SiGeHBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGeHBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料,并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGeHBT器件。器件参数... 从pnp型Si/SiGeHBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGeHBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料,并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGeHBT器件。器件参数为:Vcb0=9V,Vce0=2.5V,Veb0=5V,β=10。 展开更多

关键词 pnp型sigeHBT 禁带宽度 ge组分 能带 异质结双极型晶体管

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基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响

16

作者 赵昕 张万荣 +3 位作者 金冬月 谢红云 付强 张东晖 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期289-292,296,共5页

建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩... 建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩形分布结构的SiGeHBT,具有更好的热特性。对不同Ge组分分布下器件增益与温度的依赖关系进行研究,发现当基区Ge组分为三角形和梯形分布时,随着温度升高,器件增益始终低于Ge组分矩形分布的器件,且增益变化较小,提高了器件的热学和电学稳定性,扩大了器件的应用范围。 展开更多

关键词 sige 异质结双极晶体管 热学特性 ge组分分布

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用于最新技术节点Ge和SiGe的CMP技术研究进展 被引量：1

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作者 潘柏臣 张保国 +1 位作者 赵帅 周朝旭 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第9期623-629,共7页

对锗和锗化硅材料应用及发展前景进行了简单介绍。主要论述了在14 nm技术节点以下应用于pMOS晶体管沟道材料的锗的化学机械抛光(CMP)技术的发展现状,如抛光液组分的优化以及工艺参数的革新,经过CMP后,Ge的表面粗糙度可以有效降低到0.175... 对锗和锗化硅材料应用及发展前景进行了简单介绍。主要论述了在14 nm技术节点以下应用于pMOS晶体管沟道材料的锗的化学机械抛光(CMP)技术的发展现状,如抛光液组分的优化以及工艺参数的革新,经过CMP后,Ge的表面粗糙度可以有效降低到0.175 nm(10μm×10μm)。此外对在最新技术节点应用于CMOS以及缓冲层的SiGe材料的CMP技术发展现状进行了总结分析,通过浅沟道隔离技术以及使用优化后的抛光液对Si_(0.5)Ge_(0.5)沟道材料进行化学机械抛光处理后的表面粗糙度为0.09 nm(1μm×1μm)。最后,对目前国内外Ge和SiGe的CMP技术发展现状进行了总结,指出当前CMP技术存在的问题并对其未来发展方向进行了展望。 展开更多

关键词 锗 锗化硅 14 nm技术节点 化学机械抛光(CMP) 沟道材料

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不同基区Ge组分分布对SiGe HBT特性的影响 被引量：3

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作者 张志华 刘玉奎 +3 位作者 谭开洲 崔伟 申均 张静 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期859-862,866,共5页

研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基... 研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基区发射结的Ge组分越高,β越大;基区Ge组分梯度升高,VA增大,fT增大。提出了一种优化的Ge分布,与传统Ge分布相比,该分布器件的电流增益β对温度的敏感性分别降低72.1%,56.4%和58.7%,扩大了器件的应用领域。 展开更多

关键词 sigeHBT ge组分 电流增益 厄尔利电压 截止频率

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宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计

19

作者 付强 张万荣 +2 位作者 金冬月 赵彦晓 张良浩 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期686-692,共7页

为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐... 为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐渐向集电极靠近可削弱器件的电流增益和特征频率对温度变化的敏感性.随后在选取基区峰值杂质浓度靠近集电极处分布的基础上,研究基区Ge组分分布对SiGe HBT的电流增益和特征频率温度敏感性的影响,减小基区发射极侧Ge组分和增加基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的电流增益对温度变化的敏感性,增加基区发射极侧Ge组分的摩尔分数和减小基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的特征频率对温度变化的敏感性.在此研究结果基础上,提出了一种新型基区Ge组分分布的SiGe HBT,它拥有较高的电流增益和特征频率且其温度敏感性较弱. 展开更多

关键词 sige异质结双极型晶体管(HBTs) 温度敏感性 杂质浓度分布 ge组分分布

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一种提高SiGe HBT器件电学特性的Ge组分分布 被引量：1

20

作者 张志华 刘玉奎 +3 位作者 谭开洲 崔伟 申均 张静 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期527-530,共4页

介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge... 介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge分布极大地增加了器件厄尔利电压VA以及击穿电压BVCEO。同时,厄尔利电压增益积βVA分别提高了53%和91%,品质因子fT*BVCEO分别提高了10.3%和14.1%。 展开更多

关键词 sige HBT ge组分 厄尔利电压 击穿电压

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