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助剂In引入对Ge/SiO_(2)催化剂丙烷脱氢性能的影响
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作者 张焕玲 马会霞 +4 位作者 周峰 赵成浩 祝晓琳 王国玮 李春义 《化工进展》 北大核心 2025年第2期879-886,共8页
继Sn、Pb脱氢活性发现之后,同主族的Ge也被证实具有催化丙烷脱氢的能力。本文通过硅溶胶法将In物种引入Ge/SiO_(2)催化剂,考察了In物种以及In物种含量对Ge/SiO_(2)催化剂丙烷脱氢性能的影响,并辅以X射线衍射、X射线荧光光谱分析、N_(2)... 继Sn、Pb脱氢活性发现之后,同主族的Ge也被证实具有催化丙烷脱氢的能力。本文通过硅溶胶法将In物种引入Ge/SiO_(2)催化剂,考察了In物种以及In物种含量对Ge/SiO_(2)催化剂丙烷脱氢性能的影响,并辅以X射线衍射、X射线荧光光谱分析、N_(2)吸脱附、X射线光电子能谱、透射电子显微镜、H_(2)程序升温还原等表征方法对其优化原理进行了探讨。研究结果表明,助剂In引入后可生成在反应条件下稳定存在的In_(2)(Ge_(2)O_(7)),其几何效应削弱了Ge物种的还原与烧结。In物种引入不仅可减缓Ge/SiO_(2)催化剂单次反应的失活速率,也可削弱多次反应-再生过程中催化剂的不可逆失活。引入6%(质量分数)的In物种后,Ge/SiO_(2)催化剂的失活速率参数由0.044h^(-1)降为0.019h^(-1),氧化再生后催化剂初始活性也由下降22.3%削弱为仅下降7.1%。 展开更多
关键词 ge/SiO_(2)催化剂 稳定性 几何效应 丙烷脱氢 硅溶胶法
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Biodegradable phosphorus-modified Mg_(2)Ge/Mg-Cu composite with good angiogenic,osteogenic,and antibacterial functionalities for bone-fixation applications
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作者 Xian Tong Lanxin Gu +7 位作者 Jianchen Yu Yue Han Yue Huang Xinkun Shen Yuncang Li Jixing Lin Cuie Wen Daoyi Miao 《Journal of Magnesium and Alloys》 2025年第9期4628-4648,共21页
Magnesium(Mg)-based composites are expected to be useful for biodegradable bone-implant materials due to their degradability,similar elastic modulus to that of bone,and biofunctionalities.However,their rapid degradati... Magnesium(Mg)-based composites are expected to be useful for biodegradable bone-implant materials due to their degradability,similar elastic modulus to that of bone,and biofunctionalities.However,their rapid degradation,poor biotribology performance,and lack of vascularization and antibacterial activity are not conducive to bone-fixation applications.In this study,an in situ Mg_(2)Ge/Mg-Cu-P composite with a nominal composition of Mg-10Ge-2Cu-0.5P(denoted MGCP)was prepared via phosphorus(P)-modified casting followed by hot extrusion for biodegradable bone-fixation applications.For comparison,an in situ Mg_(2)Ge/Mg-Cu composite(Mg-10Ge-2Cu,denoted MGC)was prepared under the same conditions without P-modification.The hot-extruded(HE)MGCP sample showed significantly improved corrosion resistance with corrosion rates of 2.2 mm/y and 2.51 mm/y as measured by potentiodynamic-polarization and hydrogen-release testing in Dulbecco’s Modified Eagle Medium supplemented with fetal bovine serum(denoted DMEM).The HE MGCP also exhibited notably enhanced mechanical properties and biotribological resistance in DMEM,with an σ_(UTS) of ~304.2 MPa,σ_(TYS) of ~202.5 MPa,elongation of ~12.3%,σ_(UCS) of 769.0 MPa,σ_(CYS) of 208.0 MPa,and Brinell hardness of 105.3 HB,along with smallerσ_(TYS) andσ_(CYS) decreases after 3 d of immersion in Hanks’solution.In comparison to pure titanium and Mg,the HE MGCP demonstrated much greater cytocompatibility,angiogenic capacity,and osteogenic differentiation and mineralization capability.Furthermore,the HE MGCP displayed markedly higher in vitro antibacterial activity,in vivo antibacterial and anti-inflammatory ability,and good biosafety in a rat subcutaneous-implantation model compared to pure titanium and Mg,indicating significant potential for biodegradable bone-fixation applications. 展开更多
关键词 Angiogenic ability ANTI-INFLAMMATORY Biotribological performance Mechanical stability Mg_(2)ge/Mg-Cu composite
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Ge/SiGe非对称耦合量子阱强度调制特性仿真
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作者 江佩璘 张意 +5 位作者 黄强 石浩天 黄楚坤 余林峰 孙军强 余长亮 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期388-396,共9页
硅基光子学已被广泛认为是能实现片上光电子集成的有效平台,然而迄今为止,对硅基光源、探测器以及调制器等硅基有源器件的研究仍然具有一定的挑战性。为此,提出并仿真分析了一种可以用于实现硅基强度调制的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构... 硅基光子学已被广泛认为是能实现片上光电子集成的有效平台,然而迄今为止,对硅基光源、探测器以及调制器等硅基有源器件的研究仍然具有一定的挑战性。为此,提出并仿真分析了一种可以用于实现硅基强度调制的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构。首先,利用8带k·p理论模型对耦合量子阱的能带结构和电子波函数进行了仿真计算;然后,详细分析了外加电场强度在0 kV/cm至60 kV/cm范围内,非对称耦合量子阱对TE和TM偏振模式的传输光的光吸收谱随外加电场强度的变化。仿真结果表明,对于TE偏振模式的传输光,在无外加电场强度条件下,非对称耦合量子阱的第一个吸收带边约在1449 nm处;而在30 kV/cm外加电场下,该量子阱的吸收带边相比于无外加电场情况向长波方向移动约22 nm,比相同外加电压下的普通量子阱显著。本工作所提出的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构是一种有望实现更低工作电压、更高速和更低损耗硅基强度调制器的结构。 展开更多
关键词 光电子学 强度调制 量子限制斯塔克效应 ge/Sige量子阱 非对称耦合量子阱
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Regulating Effect of Substrate Temperature on Sputteringgrown Ge/Si QDs under Low Ge Deposition
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作者 舒启江 YANG Linjing +1 位作者 LIU Hongxing 黄鹏儒 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期888-894,共7页
The effect of deposition temperature on the morphology and optoelectronic performance of Ge/Si QDs grown by magnetron sputtering under low Ge deposition(~4 nm)was investigated by atomic force microscopy,Raman spectros... The effect of deposition temperature on the morphology and optoelectronic performance of Ge/Si QDs grown by magnetron sputtering under low Ge deposition(~4 nm)was investigated by atomic force microscopy,Raman spectroscopy,and photoluminescence(PL)tests.The experimental results indicate that temperatures higher than 750℃effectively increase the crystallization rate and surface smoothness of the Si buffer layer,and temperatures higher than 600℃significantly enhance the migration ability of Ge atoms,thus increasing the probability of Ge atoms meeting and nucleating to form QDs on Si buffer layer,but an excessively high temperature will cause the QDs to undergo an Ostwald ripening process and thus develop into super large islands.In addition,some PL peaks were observed in samples containing small-sized,high-density Ge QDs,the photoelectric properties reflected by these peaks were in good agreement with the corresponding structural characteristics of the grown QDs.Our results demonstrate the viability of preparing high-quality QDs by magnetron sputtering at high deposition rate,and the temperature effect is expected to work in conjunction with other controllable factors to further regulate QD growth,which paves an effective way for the industrial production of QDs that can be used in future devices. 展开更多
关键词 ge/Si QDs deposition temperatures evolution law photoelectric performance
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F127 assisted fabrication of Ge/r GO/CNTs nanocomposites with three-dimensional network structure for efficient lithium storage
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作者 Hui Gu Mingyue Gao +9 位作者 Kuan Shen Tianli Zhang Junhao Zhang Xiangjun Zheng Xingmei Guo Yuanjun Liu Fu Cao Hongxing Gu Qinghong Kong Shenglin Xiong 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2024年第9期447-451,共5页
To solve the volume expansion and poor electrical conductivity of germanium-based anode materials,Ge/rGO/CNTs nanocomposites with three-dimensional network structure are fabricated through the dispersion of polyethyle... To solve the volume expansion and poor electrical conductivity of germanium-based anode materials,Ge/rGO/CNTs nanocomposites with three-dimensional network structure are fabricated through the dispersion of polyethylene-polypropylene glycol(F127)and reduction of hydrogen.An interesting phenomenon is discovered that F127 can break GeO_(2)polycrystalline microparticles into 100 nm nanoparticles by only physical interaction,which promotes the uniform dispersion of GeO_(2)in a carbon network structure composed of graphene(rGO)and carbon nanotubes(CNTs).As evaluated as anode material of Lithium-ion batteries,Ge/rGO/CNTs nanocomposites exhibit excellent lithium storage performance.The initial specific capacity is high to 1549.7 mAh/g at 0.2 A/g,and the reversible capacity still retains972.4 mAh/g after 100 cycles.The improved lithium storage performance is attributed to that Ge nanoparticles can effectively slow down the volume expansion during charge and discharge processes,and threedimensional carbon networks can improve electrical conductivity and accelerate lithium-ion transfer of anode materials. 展开更多
关键词 F127 assisted fabrication ge/rGO/CNTs nanocomposites Three-dimensional carbon network Lithium-ion batteries Cycle stability
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Ge/SiO_2和Ge/ZnO/SiO_2薄膜的磁控溅射制备及电学性能 被引量:1
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作者 余乐 刘劲松 +7 位作者 李子全 陈建康 何明霞 彭洁 曹安 刘建宁 蒋维娜 万龙 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期103-105,共3页
采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团... 采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10~10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ge/SiO2薄膜 ge/ZnO/SiO2薄膜 电流-电压性能
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PRV FB株gE/gI基因缺失株的构建及其灭活疫苗免疫保护效力评价 被引量:3
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作者 侯博 王晨燕 +5 位作者 彭瑶舜 戢婷 刘玉涛 王隆柏 陈少莺 周伦江 《中国预防兽医学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期965-971,共7页
自2011年以来,新型伪狂犬病病毒(PRV)变异株在我国免疫猪场不断出现,导致目前商品化疫苗免疫效果不佳。为研究PRV FB株gE/gI基因缺失株疫苗防控新型PRV变异株感染的效果,本研究以PRV自然弱毒FB株作为亲本株,通过同源重组的方法构建了PRV... 自2011年以来,新型伪狂犬病病毒(PRV)变异株在我国免疫猪场不断出现,导致目前商品化疫苗免疫效果不佳。为研究PRV FB株gE/gI基因缺失株疫苗防控新型PRV变异株感染的效果,本研究以PRV自然弱毒FB株作为亲本株,通过同源重组的方法构建了PRV g E/gI基因缺失株,将不同代次PRV FBΔgE/gI株与亲本PRV FB株分别接种BHK-21细胞,观察CPE和测定TCID50效价,分析缺失株的遗传稳定性,结果显示FBΔgE/gI株感染BHK-21细胞后产生与亲本株FB相似的CPE,且不同代FBΔgE/gI株的TCID50与亲本株相比均无明显变化。将FB株、FBΔgE/gI株、Bartha-K61株分别接种健康新西兰兔,比较三者的安全性,结果显示,接种BarthaK61株的家兔全部死亡(5/5),接种FB株的家兔死亡2只(2/5),而接种FBΔgE/gI株的家兔全部(5/5)健活,表明FBΔgE/gI株对新西兰兔的致病力较低,安全性更高。将FBΔgE/gI株分别与水相佐剂GEL02和两性佐剂ISA 206制成灭活疫苗免疫绵羊28 d后,采用ELISA法检测各组绵羊的gB和gE抗体,并且以PRV变异株FJ-2012攻毒,评估FBΔgE/gI株灭活疫苗对绵羊的保护效力,结果显示,接种GEL02和ISA 206为佐剂的FBΔgE/gI灭活疫苗绵羊在免疫后28 d,抗体均全部转阳;对照组绵羊在攻毒后6 d内全部死亡(5/5),以GEL02作为佐剂的灭活疫苗组绵羊死亡2只(2/5),而以ISA 206为佐剂的绵羊全部存活(5/5),保护率达到100%,表明以ISA 206作为佐剂的FBΔgE/gI株灭活疫苗能够完全保护绵羊抵御PRV变异株的攻击。本研究首次基于PRV自然弱毒FB株构建的FBΔgE/gI株,与Bartha-K61株相比具有更高的安全性,与佐剂ISA 206制成灭活疫苗免疫绵羊后能够完全抵抗新发变异PRV的攻击,具有完全保护作用。本研究为我国新发变异PRV疫苗的研发提供了新的参考依据。 展开更多
关键词 伪狂犬病毒 ge/gI基因缺失 有效性 安全性 灭活疫苗
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改性Ge/TiO2催化剂降解环丙沙星的研究 被引量:5
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作者 杜晓晴 马秀兰 +4 位作者 张婧 顾芳宁 由迪姝 孙萌 王继红 《中国抗生素杂志》 CAS CSCD 2019年第8期993-998,I0001,共7页
目的抗生素的大量使用和肆意排放给人类生存环境和身体健康带来极大危害。制备合理、有效、无二次污染的光催化剂是光催化处理抗生素废水技术的一种重要手段。方法采用溶胶-凝胶法制备掺杂Ge的改性Ge/TiO2催化剂,分析其在不同环境条件... 目的抗生素的大量使用和肆意排放给人类生存环境和身体健康带来极大危害。制备合理、有效、无二次污染的光催化剂是光催化处理抗生素废水技术的一种重要手段。方法采用溶胶-凝胶法制备掺杂Ge的改性Ge/TiO2催化剂,分析其在不同环境条件下对废水中环丙沙星(ciprofloxacin,CPLX)的光催化降解效果,探讨不同催化剂浓度、光源、光照时间、pH、水中共存离子Cl-、NO3-浓度,5个因素对环丙沙星降解率的影响。结果改性Ge/TiO2催化剂具有良好的光催化降解性能,反应符合L-H动力学方程,降解过程表现为伪一级反应。在紫外光下,环丙沙星初始浓度为10mg/L,pH为7.5,催化剂浓度1.5g/L,光照时间150min时,降解率最高。推测了改性Ge/TiO2催化剂光催化机理,反应基本发生在催化剂表面,降解环丙沙星过程主要是自由基反应。结论在最佳条件下,对环丙沙星降解率达到97.99%。 展开更多
关键词 改性 ge/TiO2 降解 环丙沙星
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猪伪狂犬病病毒变异株gE/gI/TK三基因缺失突变株的构建及纯化 被引量:5
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作者 张宇 刘芳 +7 位作者 田润博 郑慧华 赵宇 徐朋丽 韩昊莹 张鸿鑫 崔建涛 陈红英 《中国兽医学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期476-482,共7页
根据GenBank中公布的猪伪狂犬病病毒(pseudorabies virus,PRV)UL区基因序列(KJ789182)设计2对特异性引物,扩增PRV NY株TK基因两侧序列,克隆至pUC-19载体,然后绿色荧光蛋白标记基因,构建转移质粒pUCTKLRE。用转移质粒pUC-TKLRE和PRV双基... 根据GenBank中公布的猪伪狂犬病病毒(pseudorabies virus,PRV)UL区基因序列(KJ789182)设计2对特异性引物,扩增PRV NY株TK基因两侧序列,克隆至pUC-19载体,然后绿色荧光蛋白标记基因,构建转移质粒pUCTKLRE。用转移质粒pUC-TKLRE和PRV双基因缺失突变株rPRV NY-gE-/gI-DNA共转染ST细胞,通过蚀斑纯化,获得表达荧光蛋白的PRV三基因缺失突变株rPRV NY-gE-/gI-/TK--EGFP+。经PCR鉴定及测序,证实获得的三基因缺失株rPRV NY-gE-/gI-/TK--EGFP+在TK基因上缺失了311bp。该病毒与亲本株PRV NY在ST细胞上培养时,具有相似的生长曲线,但其体外生长动力学比亲本株弱;且对非靶标动物小鼠是安全的。结果表明,本试验釆用同源重组,同时结合蚀斑克隆纯化技术,成功构建了1株以目前PRV流行变异株为亲本株的gE/gI/TK三基因缺失病毒,为防控当前PRV变异毒株的疫情、根除PR提供技术支持。 展开更多
关键词 PRV 变异株 同源重组 ge/gI/TK三基因缺失
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响应面优化Ge/TiO2催化剂降解环丙沙星的初步研究 被引量:4
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作者 杜晓晴 马秀兰 +2 位作者 王玉军 顾芳宁 张婧 《中国抗生素杂志》 CAS CSCD 2019年第6期750-757,共8页
目的抗生素的大量使用和肆意排放给人类生存环境和身体健康带来极大危害。制备合理、有效、无二次污染的光催化剂是光催化处理抗生素废水技术的一种重要手段。方法采用溶胶法Ge4+为掺杂离子改性TiO2,制备Ge/TiO2催化剂,并利用响应面法(r... 目的抗生素的大量使用和肆意排放给人类生存环境和身体健康带来极大危害。制备合理、有效、无二次污染的光催化剂是光催化处理抗生素废水技术的一种重要手段。方法采用溶胶法Ge4+为掺杂离子改性TiO2,制备Ge/TiO2催化剂,并利用响应面法(response surface method,RSM)对Ge/TiO2化剂降解废水中环丙沙星的过程进行优化,探讨煅烧温度、掺杂量、煆烧时间3个因素对环丙沙星降解效果的影响。在单因素试验的基础上,进行响应面优化试验。结果3个因素均对Ge/TiO2降解性能均有影响,其影响显著性为:煅烧温度>掺杂量>煆烧时间;确定出Ge/TiO2催化剂的最佳制备条件为:锻烧温度为571℃、掺杂量为0.26%,煅烧时间为3.1lh。结论在最优条件下,对环丙沙星降解率达到96.98%,与预测最佳结果97.09%基本符合。 展开更多
关键词 响应面优化 ge/TiO2 降解 环丙沙星
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Ge/Si SACM-APD器件分析 被引量:2
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作者 王巍 颜琳淑 +5 位作者 王川 杜超雨 王婷 王冠宇 袁军 王振 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期1349-1353,共5页
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明:... Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明:在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750-1500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低。 展开更多
关键词 ge/Si雪崩二极管 吸收区-电荷区-倍增区分离 器件仿真
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束流密度对Ge/Si量子点溅射生长的影响 被引量:2
12
作者 杨杰 王茺 +1 位作者 陶东平 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第16期2239-2242,2246,共5页
采用离子束溅射技术在Si基底上自组织生长了一系列Ge量子点样品,研究了束流密度对Ge/Si量子点的尺寸分布和形貌演变的影响。原子力显微镜测试结果表明,随着束流密度的增加,量子点的面密度持续增大,其尺寸不断减小,量子点的形貌由圆顶形... 采用离子束溅射技术在Si基底上自组织生长了一系列Ge量子点样品,研究了束流密度对Ge/Si量子点的尺寸分布和形貌演变的影响。原子力显微镜测试结果表明,随着束流密度的增加,量子点的面密度持续增大,其尺寸不断减小,量子点的形貌由圆顶形转变为过渡圆顶形。计算直径标准偏差的结果表明,当束流密度为0.86mA/cm2时,量子点的尺寸均匀性最佳。束流密度与沉积速率成正比,影响着表面吸附原子与其它原子相遇而形成晶核的能力。 展开更多
关键词 离子束溅射沉积 ge/Si量子点 束流密度 原子力显微镜
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Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究 被引量:2
13
作者 杨瑞东 陈寒娴 +4 位作者 邓荣斌 孔令德 陶东平 王茺 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期328-330,333,共4页
采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较... 采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜。 展开更多
关键词 ge/Si纳米多层膜 埋层 纳米晶粒
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光子晶体对nc-Ge/Si岛发光增强的模拟 被引量:4
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作者 唐海侠 王启明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期435-441,共7页
在Si基集成光电子学的发展中,高效的Si基光源是人们不懈追求的目标。但是Si材料的间接带隙特性导致其发光效率低,更谈不上受激发射。于是人们探索了多种Si基材料体系来提高Si材料的发光效率,并在不同程度上取得了重要的进展。在众多... 在Si基集成光电子学的发展中,高效的Si基光源是人们不懈追求的目标。但是Si材料的间接带隙特性导致其发光效率低,更谈不上受激发射。于是人们探索了多种Si基材料体系来提高Si材料的发光效率,并在不同程度上取得了重要的进展。在众多的Si基发光材料体系中,Ge/Si量子点材料,不仅生长工艺与标准的CMOS工艺有很好的兼容性,而且发光波长能够覆盖重要的光通信波段即1.3—1.55μm,因此成为实现Si基发光器件的重要途径之一。但是目前这种材料的发光效率仍很低,所以提高其发光效率自然成为人们关注的焦点。如果将光子晶体引入到nc—Ge/Si材料中,它不仅可以改变材料本身的自发发射特性,而且可以改变发射的光子的提取效率,从而使材料的发光效率得到增强。提出了在Ge/Si量子点材料中引入光子晶体结构来提高其发光效率,包括光子晶体点缺陷腔结构和带边模式工作的完整光子晶体结构,并从理论上分析了发光效率提高的原理。针对发光波长在1.5μm附近的材料结构,模拟出了相应的光子晶体的结构参数。从模拟结果可以看出,对于缺陷腔的光子晶体结构,采用单点缺陷微腔很好地实现了单模运作,但是微腔内有源材料的体积很小,因此得到的发光效率很低。而采用耦合缺陷腔的结构和H2腔都增加了腔内有源区的体积。但是耦合腔与H2腔相比,谐振腔模减少,主谐振模式的峰值强度增加,更容易实现单模发光。因而更适用于提高nc—Ge/Si的发光效率。而带边模式工作的光子晶体结构,尺寸较大,不需引入缺陷,工艺上更容易实现。 展开更多
关键词 光子晶体 光子带隙 谐振腔 nc—ge/Si岛 量子点
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Ge/Si波导集成型APD器件的仿真分析 被引量:1
15
作者 王振 王婷 +5 位作者 王巍 杜超雨 陈丽 鲍孝圆 王冠宇 王明耀 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第1期23-26,35,共5页
设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管(APD)。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流。采用silvaco软件对器件的结构和性能进行仿真,结果表明:... 设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管(APD)。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流。采用silvaco软件对器件的结构和性能进行仿真,结果表明:器件的雪崩击穿电压为-28V,最大内量子效率达到89%,在1.15~1.60μm范围内具有较高响应度,峰值波长位于1.31μm,单位响应度最高达0.74A/W,3dB带宽为10GHz。 展开更多
关键词 ge/SI 雪崩光电二极管 波导集成型 光吸收率 器件仿真
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磁控溅射的Ge/Si异质结构在退火过程中的Raman光谱研究 被引量:1
16
作者 周湘萍 毛旭 +1 位作者 张树波 杨宇 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第2期34-36,40,共4页
用Raman光散射的方法 ,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况 ,对不同的样品进行结构变化分析。实验结果显示 :Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制 。
关键词 ge/Si异质材料 RAMAN光谱 退火过程 磁控溅射
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Ge/Si量子点生长的研究进展 被引量:1
17
作者 鲁植全 王茺 杨宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第19期117-122,共6页
回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以... 回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化。 展开更多
关键词 ge/Si量子点生长 图形衬底 表面原子掺杂 超薄SiO2层 ge组分
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猪伪狂犬病病毒流行株gE/gI双基因缺失突变株的构建及纯化 被引量:2
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作者 张宇 郑慧华 +6 位作者 田润博 赵宇 徐朋丽 韩昊莹 张鸿鑫 崔建涛 陈红英 《中国兽医学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期248-253,256,共7页
根据GenBank中公布的猪伪狂犬病病毒(porcine pseudorabies virus,PRV)US区基因序列(KJ789182),设计2对特异性引物,扩增PRV NY株gE/gI基因两侧序列,克隆至pUC-19载体,构建转移质粒pUC-gE/gILR,同时插入绿色荧光蛋白(EGFP)标记基因,构建... 根据GenBank中公布的猪伪狂犬病病毒(porcine pseudorabies virus,PRV)US区基因序列(KJ789182),设计2对特异性引物,扩增PRV NY株gE/gI基因两侧序列,克隆至pUC-19载体,构建转移质粒pUC-gE/gILR,同时插入绿色荧光蛋白(EGFP)标记基因,构建转移质粒pUC-gE/gILRE,作为重组同源臂。以PRV NY流行株为亲本株,将其基因组与转移质粒pUC-gE/gILRE共转染ST细胞,通过筛选绿色荧光蚀斑,获得含有荧光蛋白的重组病毒rPRV NY-gE^-/gI^--EGFP^+。再以该毒株基因组与转移质粒pUC-gE/gILR进行同源重组,通过筛选无荧光蚀斑,纯化重组病毒,经PCR扩增、测序,证实获得了去除EGFP基因的重组病毒rPRV NY-gE^-/gI^-。该重组病毒在ST细胞上培养时,与亲本株PRV NY具有相似的生长曲线,但该重组病毒的体外生长动力学比亲本株弱。本研究成功构建了1株针对目前PRV流行株的gE/gI双基因缺失病毒,为我国根除PR提供技术支持。 展开更多
关键词 猪伪狂犬病病毒 流行株 ge/gI双基因缺失 同源重组
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Al^(3+)对Ge/Al-SiO_2薄膜光致发光的影响 被引量:1
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作者 陈虎 王加贤 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期32-35,共4页
采用磁控溅射及后退火技术制备了不同组份和不同退火温度的Ge、Al共掺SiO2薄膜。通过对样品的X射线光电子能谱(XPS)测试,确定了薄膜的成分和结构特征;同时还测试了样品的光致发光谱(PL谱),得到了峰值位于420 nm附近的紫光发射峰和峰值位... 采用磁控溅射及后退火技术制备了不同组份和不同退火温度的Ge、Al共掺SiO2薄膜。通过对样品的X射线光电子能谱(XPS)测试,确定了薄膜的成分和结构特征;同时还测试了样品的光致发光谱(PL谱),得到了峰值位于420 nm附近的紫光发射峰和峰值位于470 nm的蓝光发射峰。实验结果表明,Al的掺杂不仅可以显著地提高GeNOV中心和SiNOV中心的光发射效率,还可以促进GeNOV缺陷和SiNOV缺陷中心的形成,进而有利于薄膜的光致发光。 展开更多
关键词 光致发光 ge/Al-SiO2薄膜 缺陷中心 磁控溅射
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Ge/Al-SiO_2薄膜材料的非线性光学特性 被引量:1
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作者 陈虎 王加贤 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第4期380-383,共4页
采用磁控共溅射及后退火技术制备Ge,Al共掺SiO2薄膜,通过X射线衍射谱和傅里叶红外吸收谱对样品进行表征,并采用皮秒脉冲激光器的单光束Z扫描技术研究薄膜的三阶非线性光学特性.研究结果表明:薄膜材料对1 064nm的光具有自散焦和双光子吸... 采用磁控共溅射及后退火技术制备Ge,Al共掺SiO2薄膜,通过X射线衍射谱和傅里叶红外吸收谱对样品进行表征,并采用皮秒脉冲激光器的单光束Z扫描技术研究薄膜的三阶非线性光学特性.研究结果表明:薄膜材料对1 064nm的光具有自散焦和双光子吸收效应,薄膜的三阶极化率χ(3)为3.84×10-16 m2.V-2.薄膜材料的三阶非线性极化率比SiO2和GeO2均有显著的提高,说明薄膜材料中的纳米Ge颗粒的量子限域效应及双光子吸收效应是其产生非线性光学效应增强的主要原因,同时Al的掺杂也促进了材料的三阶非线性光学效应的增强. 展开更多
关键词 三阶非线性 光学性质 ge/Al-SiO2薄膜 Z扫描技术 磁控溅射
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