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GaSbAs合金的组分控制
1
作者 苏宇欢 《电子材料快报》 2000年第2期15-16,共2页
关键词 gasbas 合金 组分控制
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InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析 被引量：1
2
作者 周守利 杨万春 +1 位作者 任宏亮 李伽 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期572-577,共6页
双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C... 双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C异质结构均为全交错Ⅱ型能带结构的InP/GaSbAs/InP DHBT的性能相比,E-B异质结采用传统Ⅰ型、B-C异质结采用交错Ⅱ型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InP DHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能. 展开更多
关键词 InAlAs/gasbas InP/gasbas Ⅱ型双异质结双极晶体管
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