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GaN Systems IMS评估平台在贸泽开售,助力高效电源系统开发
1
《电子测试》 2017年第12期75-75,共1页
2017年12月15日,半导体和电子元件分销商贸泽电子（Mouser Electronics）开始供货GaN Systems的GSP65Rxx HBEVB绝缘金属基板（IMS）评估平台。IMS评估平台价格亲民,对于汽车、消费电子、工业和服务器或数据中心应用中的功率系统而言,能... 2017年12月15日,半导体和电子元件分销商贸泽电子（Mouser Electronics）开始供货GaN Systems的GSP65Rxx HBEVB绝缘金属基板（IMS）评估平台。IMS评估平台价格亲民,对于汽车、消费电子、工业和服务器或数据中心应用中的功率系统而言,能够改善热传导性能、提高功率密度并降低系统成本。 展开更多
关键词 systemS 评估平台 电源系统 gan IMS 开发 绝缘金属基板 电子元件
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GaN Systems公司与罗姆联手致力于GaN功率器件的普及
2
《中国集成电路》 2018年第7期5-5,共1页
日前，GaN Systems公司（GaN SystemsInc．）和罗姆（ROHMCo．，Ltd．）为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。此次合作将充分发挥GaNSystems公司GaN功率晶体管的业界顶级性能与罗姆的GaN功率器件技术优势... 日前，GaN Systems公司（GaN SystemsInc．）和罗姆（ROHMCo．，Ltd．）为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。此次合作将充分发挥GaNSystems公司GaN功率晶体管的业界顶级性能与罗姆的GaN功率器件技术优势及丰富的电子元器件设计／制造综合实力。 展开更多
关键词 systems 功率器件 gan 电子市场 功率晶体管 综合实力 器件设计 器件技术
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欧司朗携GaN System推出LiDAR用超高速激光驱动器
3
《电子质量》 2019年第1期60-60,共1页
欧司朗光电半导体日前宣布,已经推出了一款用于激光雷达系统的超高速激光驱动器,该激光驱动器采用了高功率多通道表面贴装(SMT)激光器。欧司朗联合氮化镓功率开关半导体领先开发商GaN Systems开发了上述设备。双方表示这种设备能够实现... 欧司朗光电半导体日前宣布,已经推出了一款用于激光雷达系统的超高速激光驱动器,该激光驱动器采用了高功率多通道表面贴装(SMT)激光器。欧司朗联合氮化镓功率开关半导体领先开发商GaN Systems开发了上述设备。双方表示这种设备能够实现更长距离和更高分辨率的激光雷达架构。欧司朗已将SPL DS90A_3脉冲纳米级激光二极管芯片的峰值功率提高到120W。此外,欧司朗还计划在2019年推出四通道SMT激光器。其中每个通道能产生120W的功率。 展开更多
关键词 激光驱动器 欧司朗 gan 超高速 LIDAR 激光雷达系统 光电半导体 激光二极管
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BSGAN-GP:类别均衡驱动的半监督图像识别模型 被引量：1
4
作者 胡静 张汝敏 连炳全 《中国图象图形学报》 北大核心 2025年第1期95-109,共15页
目的已有的深度学习图像识别模型严重依赖于大量专业人员手工标记的数据,这些专业图像标签信息难以获取,人工标记代价昂贵。实际场景中的数据集大多具有不平衡性,正负样本偏差严重导致模型在拟合时常偏向多数类,对少数类的识别精度不足... 目的已有的深度学习图像识别模型严重依赖于大量专业人员手工标记的数据,这些专业图像标签信息难以获取,人工标记代价昂贵。实际场景中的数据集大多具有不平衡性,正负样本偏差严重导致模型在拟合时常偏向多数类,对少数类的识别精度不足。这严重阻碍了深度学习在实际图像识别中的广泛应用。方法结合半监督生成式对抗网络(semi-supervised generative adversarial netowrk)提出了一种新的平衡模型架构BSGAN-GP(balancing semi-supervised generative adversarial network-gradient penalty),使得半监督生成式对抗网络的鉴别器可以公平地判别每一个类。其中,提出的类别均衡随机选择算法(class balancing random selection,CBRS)可以解决图像样本类别不均导致少数类识别准确度低的问题。将真实数据中有标签数据按类别随机选择,使得输入的有标签数据每个类别都有相同的数量,然后将训练后参数固定的生成器NetG生成每个类同等数量的假样本输入鉴别器,更新鉴别器NetD保证了鉴别器可以公平地判别所有类;同时BSGAN-GP在鉴别器损失函数中添加了一个额外的梯度惩罚项,使得模型训练更稳定。结果实验在3个主流数据集上与9种图像识别方法(包含6种半监督方法和3种全监督方法)进行了比较。为了证明对少数类的识别准确度提升,制定了3个数据集的不平衡版本。在Fashion-MNIST数据集中,相比于基线模型,总体准确率提高了3.281%,少数类识别率提升了7.14%;在MNIST数据集中,相比于基线模型,对应的4个少数类识别率提升了2.68%~7.40%;在SVHN(street view house number)数据集中,相比于基线模型,总体准确率提高了3.515%。同时也在3个数据集中进行了合成图像质量对比以验证CBRS算法的有效性,其少数类合成图像质量以及数量的提升证明了其效果。消融实验评估了所提出模块CBRS与引进模块在网络中的重要性。结论本文所提出的BSGAN-GP模型能够实现更公平的图像识别以及更高质量的合成图像结果。实验结果开放源代码地址为https://github.com/zrm0616/BSGAN-GP.git。 展开更多
关键词 深度学习 半监督学习(SSL) 生成式对抗网络(gan) 不平衡性图像识别 梯度惩罚
原文传递
基于OD_SeGAN的断奶前仔猪实例分割方法
5
作者 李鹏 沈明霞 +4 位作者 刘龙申 陈金鑫 薛鸿翔 衡熙 孙玉文 《农业机械学报》 北大核心 2025年第5期482-491,共10页
在猪只智慧养殖中,猪只实例分割方法是实现猪只自动化检测的关键技术之一,但在实际分割场景中,存在猪只遮挡粘连等现象,易导致分割困难。针对产房中仔猪分割困难问题,本文提出一种基于YOLO v5s和GAN(Generative adversarial network)的... 在猪只智慧养殖中,猪只实例分割方法是实现猪只自动化检测的关键技术之一,但在实际分割场景中,存在猪只遮挡粘连等现象,易导致分割困难。针对产房中仔猪分割困难问题,本文提出一种基于YOLO v5s和GAN(Generative adversarial network)的实例分割模型OD_SeGAN。该方法通过目标检测算法YOLO v5s提取出仔猪目标,并输入至语义分割算法GAN实现分割,并使用空洞卷积替换GAN中的普通卷积,扩大网络感受野;其次,使用挤压-激励注意力机制模块,增强模型对仔猪全局特征的学习能力,提高模型的分割精度。实验结果表明,OD_SeGAN在测试集上IoU为88.6%,分别比YOLO v5s_Seg、Cascade_Mask_RCNN、Mask_RCNN、SOLO、Yolact高3.4、3.3、4.1、9.7、8.1个百分点。将OD_SeGAN应用于仔猪窝均质量估测任务中,测得仔猪窝均质量和仔猪像素点数之间皮尔逊相关系数为0.956。OD_SeGAN在实际生产场景中具有良好的仔猪分割性能,可为仔猪窝均质量估测等后续研究提供技术基础。 展开更多
关键词 仔猪 实例分割 注意力机制 gan 窝均质量
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Li、Au掺杂对GaN/ZnO异质结光解水制氢性能的调控
6
作者 温俊青 王若琦 张建民 《无机化学学报》 北大核心 2025年第5期923-938,共16页
以提高GaN/ZnO异质结光解水制氢性能为目标,采用第一性原理方法研究了Li和Au元素掺杂GaN/ZnO异质结的电子结构、光学性质和光催化性能。电子结构计算表明GaN/ZnO异质结为直接带隙半导体,异质结类型为Z型,带隙为1.41 eV,能有效促进载流... 以提高GaN/ZnO异质结光解水制氢性能为目标,采用第一性原理方法研究了Li和Au元素掺杂GaN/ZnO异质结的电子结构、光学性质和光催化性能。电子结构计算表明GaN/ZnO异质结为直接带隙半导体,异质结类型为Z型,带隙为1.41 eV,能有效促进载流子分离。Li、Au掺杂后的各结构中除Li替位Zn结构外,均具有磁性。光学性质分析的结果表明,掺杂Li、Au元素可以提高体系的吸收系数,其中Li替位Zn后异质结具有较大的光吸收系数,同时具有较大的功函数(7.37 eV)和界面电势差(2.55 V),表明其可见光利用率较高,界面结构稳定且具有较大的内建电场,可以更有效地促进电子与空穴的迁移从而减小电子-空穴对的结合。Bader电荷分析表明掺杂元素Li和Au均失去电子。电子从GaN层向ZnO层转移,在界面处形成了一个有效的内电场。Li替位Zn和Au同时替位近位的Ga和Zn所对应的2种结构的层与层之间转移的电子较多,说明其界面电势差较大且拥有较高的光生载流子迁移速率。光解水制氢性能分析表明,ZnO薄膜、GaN/ZnO异质结、Li替位Ga以及Li同时替位远位的Ga和Zn四种体系在pH=0时,满足光解水制氢的条件。GaN薄膜、ZnO薄膜和Li同时替位远位的Ga和Zn三种体系在pH=7时满足光解水制氢的条件。 展开更多
关键词 第一性原理方法 gan/ZnO异质结 电子结构 磁特性 光解水制氢
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一种基于GAN的肺部CT图像的超分辨率方法
7
作者 杨树媛 颜安 +1 位作者 柯春燕 朱静 《计算机与数字工程》 2025年第7期1993-1998,2003,共7页
CT图像在成像的过程中,受到医学设备的成像分辨率、图像获取时间、患者所能承受的放射剂量等各种因素的限制,获得的图像分辨率有限,而在临床上,高分辨率的CT图像对于医生对病情的诊断、分析和治疗有着重要的意义。针对低分辨率的肺部CT... CT图像在成像的过程中,受到医学设备的成像分辨率、图像获取时间、患者所能承受的放射剂量等各种因素的限制,获得的图像分辨率有限,而在临床上,高分辨率的CT图像对于医生对病情的诊断、分析和治疗有着重要的意义。针对低分辨率的肺部CT图像,提出了一种基于GAN(生成式对抗网络)的超分辨率重建方法,该方法设计了一种多尺度的残差结构来充分提取低分图像的各级别特征,包括全局和局部特征,充分多的特征能够有助于更好地重建超分结果;该残差结构中只保留了卷积操作,去除了归一化层Batch Normalization,在提升网络性能的同时改善了超分结果过于平滑的问题;同时引入了Charbonnier Loss作为损失函数的一部分,提升了网络的性能。实验结果表明,所提算法的PSNR和SSIM值都高于其他几种算法,生成的超分图像更加逼真。 展开更多
关键词 CT图像 gan 超分辨率 Charbonnier Loss
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基于GaN功率器件的星载高功率T/R组件加速寿命试验方法
8
作者 武小坡 肖连辉 +1 位作者 李阳斌 吴家锋 《航天器环境工程》 2025年第2期214-220,共7页
针对GaN器件在宇航应用中可靠性数据匮乏的问题,开展地面加速寿命试验研究。通过对GaN器件的失效模式和高温退化机理分析,结合阿伦尼乌斯模型,计算得出该型器件的加速寿命试验激活能和加速系数,进而确定了科学合理的试验温度和试验时间... 针对GaN器件在宇航应用中可靠性数据匮乏的问题,开展地面加速寿命试验研究。通过对GaN器件的失效模式和高温退化机理分析,结合阿伦尼乌斯模型,计算得出该型器件的加速寿命试验激活能和加速系数,进而确定了科学合理的试验温度和试验时间。针对某基于GaN器件的星载T/R组件,设计了一种加速寿命试验方法。按照该方法将该T/R组件置于真空罐中进行480 h的加速寿命试验,结果表明,T/R组件的各项电性指标和功能全程均保持正常稳定,有效验证了T/R组件(及其中GaN器件)的长期可靠性,为后续同类星载大功率T/R组件的可靠性评估提供了指导和借鉴。 展开更多
关键词 星载高功率T/R组件 gan功率器件 加速寿命试验 可靠性评估
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基于GAN网络图像语义指导的取证修复图像模型
9
作者 王金伟 张子荷 +1 位作者 罗向阳 马宾 《信息安全学报》 2025年第5期92-106,共15页
大数据时代的到来使得网络上图像数据信息越来越丰富,篡改图像也越来越多,为了区分篡改图和原图,图像篡改检测方法层出不穷。虽然篡改检测可以定位图像的篡改区域,但是仍无法了解原图的图像以及原图所表达的语义信息。为了解决上述问题... 大数据时代的到来使得网络上图像数据信息越来越丰富,篡改图像也越来越多,为了区分篡改图和原图,图像篡改检测方法层出不穷。虽然篡改检测可以定位图像的篡改区域,但是仍无法了解原图的图像以及原图所表达的语义信息。为了解决上述问题,本文提出了一种基于生成对抗网络(Generative adversarial network,GAN)图像语义指导的取证修复图像模型。首次在篡改环境下,针对于copy-move和拼接篡改这两种篡改手段进行图像修复。该模型利用GAN网络对抗式进行训练,最终得到训练好的生成器进行图像取证修复工作。模型利用图像语义识别模块,提供原图像的语义特征,对篡改环境下的图像修复进行指导和约束,这样使得修复图像遵循原始图像的语义,且生成器不会过度对图像进行美化,从而达到还原真实图像的目的。该模型在GAN网络中,将生成器修复的图像进行对应位置掩模拼接后再放入判别器,使得图像真实像素区域较多,这样可以训练出更加严格的判别器,最终使得生成器生成的图片更加真实。模型在语义识别模块和生成器特征拼接前设置了遗忘门,使得模型根据自己的需要选择适当的语义指导强度,使得修复图像更加真实。我们在三个数据集上的大量实验证明了所提模型在像素级修复图片方面的可行性和有效性。 展开更多
关键词 gan 取证修复 图像语义识别 图像篡改 语义指导
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基于GAN与SAE的水泵振动故障诊断研究
10
作者 汤国庆 周星晨 +1 位作者 胡潇 刘耀文 《设备管理与维修》 2025年第16期168-171,共4页
结合生成对抗网络(GAN)与堆叠自编码器(SAE)水泵振动故障诊断方法,通过深度学习技术提高故障诊断的准确性。利用自编码器对水泵振动信号进行特征提取,基于GAN生成与实际故障状态相似的振动信号,增加数据集,通过实验验证,该方法在振动故... 结合生成对抗网络(GAN)与堆叠自编码器(SAE)水泵振动故障诊断方法,通过深度学习技术提高故障诊断的准确性。利用自编码器对水泵振动信号进行特征提取,基于GAN生成与实际故障状态相似的振动信号,增加数据集,通过实验验证,该方法在振动故障诊断的准确率表现优异,为水泵的故障预测提供新的思路。 展开更多
关键词 gan SAE 水泵振动 故障诊断
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基于改进GAN生成器的虚拟视点空洞填充
11
作者 武伟 韩明昊 《长春工业大学学报》 2025年第3期233-239,共7页
提出一种基于改进GAN生成器的虚拟视点空洞填充算法。算法数据集为预处理的虚拟视图集合,该数据集采用3D-Warping技术生成填补前的图像和虚拟视点图的空洞掩膜。通过改进的GAN生成器将虚拟视图的多维特征进行提取,采用结构相似度损失优... 提出一种基于改进GAN生成器的虚拟视点空洞填充算法。算法数据集为预处理的虚拟视图集合,该数据集采用3D-Warping技术生成填补前的图像和虚拟视点图的空洞掩膜。通过改进的GAN生成器将虚拟视图的多维特征进行提取,采用结构相似度损失优化网络来处理生成的空洞区域。利用结果模型对空洞图进行填充。实验结果表明,该算法在虚拟视点图填充后能够保持原空洞区域的锐利边缘,视觉感知效果较好,填充后图像质量提升。与Criminisi算法和GAN算法相比,该算法的PSNR和SSIM值较高,证明其在空洞填充方面的有效性。因此,该算法能够有效地填充虚拟视点图中所产生的空洞问题。 展开更多
关键词 虚拟视点 特征提取 结构相似度 空洞填充 gan
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基于GaN肖特基二极管的大功率微波限幅技术研究 被引量：2
12
作者 霍树栋 张正兴 +3 位作者 郑梦晗 党魁 张进成 郝跃 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第1期1-11,共11页
随着高功率微波技术的发展,超宽带、高功率等强电磁技术对电子化设备威胁越来越大,使用高功率微波摧毁电子信息装备成为了干扰通信系统的重要方式。对高功率微波的防护主要分为前门防护和后门防护,限幅器作为前门防护的重要微波器件也... 随着高功率微波技术的发展,超宽带、高功率等强电磁技术对电子化设备威胁越来越大,使用高功率微波摧毁电子信息装备成为了干扰通信系统的重要方式。对高功率微波的防护主要分为前门防护和后门防护,限幅器作为前门防护的重要微波器件也面临越来越高的要求。本文首先介绍了GaN材料及肖特基二极管的器件特点和性能优势,然后论文介绍了以半导体器件为基础的限幅器原理及电路结构,并对以GaN肖特基二极管为基础的新一代大功率微波限幅技术研究进展进行论述。 展开更多
关键词 高功率微波技术 gan二极管 大功率限幅器 自检波架构
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室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能 被引量：1
13
作者 张栋曜 周幸叶 +3 位作者 郭红雨 余浩 吕元杰 冯志红 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期468-472,共5页
GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导... GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导率(2000 W·m^(-1)·K^(-1))金刚石是一种极具竞争力的新型散热材料,在解决大功率器件的散热问题方面极具潜力。针对散热问题,采用室温晶圆键合工艺制备了金刚石基GaN HEMT,并对其进行了直流特性、微波功率特性和结温测试。与传统SiC基GaN HEMT相比,金刚石基GaN HEMT的漏源饱和输出电流增大了约5%,热阻从5.04 K·mm/W降低至3.78 K·mm/W,有利于提升器件性能、延长器件寿命。本文研究结果为突破GaN功率器件性能的发展瓶颈提供了实验基础。 展开更多
关键词 gan 金刚石 微波功率 结温 散热能力
原文传递
基于WGAN-GP的高风速区概率风谱建模 被引量：2
14
作者 刘芸 王浩 林禹轩 《东南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第2期364-369,共6页
针对实测高风速样本匮乏、难以准确捕获强/台风概率信息的问题,提出了基于带有梯度惩罚的Wasserstein距离生成对抗网络(WGAN⁃GP)的高风速区概率风谱建模方法。以江阴长江大桥2019—2020年的高风速实测数据为基础,将平均风速与风谱参数... 针对实测高风速样本匮乏、难以准确捕获强/台风概率信息的问题,提出了基于带有梯度惩罚的Wasserstein距离生成对抗网络(WGAN⁃GP)的高风速区概率风谱建模方法。以江阴长江大桥2019—2020年的高风速实测数据为基础,将平均风速与风谱参数同时作为WGAN⁃GP的输入变量,生成符合实测数据分布规律的高质量新样本,扩充了高风速样本数据集,并建立了高风速区概率风谱模型。结果表明,高风速区间的谱参数服从对数正态分布,其中标准差σ_(u)及无量纲参数A_(u)和B_(u)的均值分布参数与平均风速线性正相关,Au和Bu的标准差分布参数与平均风速线性正相关,σ_(u)的标准差分布参数与平均风速线性负相关。 展开更多
关键词 概率风谱 生成对抗网络(gan) 强/台风 实测 大跨度桥梁
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基于干法刻蚀和湿法腐蚀方法的GaN纳米柱阵列制备研究 被引量：1
15
作者 杨丽艳 冯林 +2 位作者 谢婷 邹继军 邓文娟 《机电工程技术》 2025年第8期33-37,共5页
研究制备周期有序的高纵横比GaN纳米阵列,有效改善光电器件的光吸收和提取。利用聚苯乙烯胶体球(PS球)和介质掩模刻蚀,四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀辅助的方法,制备高纵横比的GaN纳米柱阵列。在制备过程中,掩膜层的刻蚀选择比决定纳米柱的... 研究制备周期有序的高纵横比GaN纳米阵列,有效改善光电器件的光吸收和提取。利用聚苯乙烯胶体球(PS球)和介质掩模刻蚀,四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀辅助的方法,制备高纵横比的GaN纳米柱阵列。在制备过程中,掩膜层的刻蚀选择比决定纳米柱的高度和形貌,感应耦合等离子体刻蚀(ICP)参数和TMAH腐蚀时间影响纳米柱的形貌。研究了不同掩膜层的选择比、ICP气体流量和种类、TMAH腐蚀时间对纳米柱形貌的影响,优化调整了工艺。扫描电子显微镜(SEM)表征纳米柱形貌,分析表明:(1)PS球、100 nm氮化硅和20 nm镍组合掩膜的选择比最高,制备出直径高度比大于1∶5的高纵横比纳米柱;(2)ICP刻蚀的最佳参数为64 sccm氯气,8 sccm三氯化硼,ICP功率100 W,BIAS功率70 W,腔压0.6 Pa,刻蚀速率约90 nm/min,侧壁倾斜角度约80°;(3)纳米柱的侧壁会随着TMAH的腐蚀时间变得垂直光滑,腐蚀时间不够侧壁呈阶梯状台阶,腐蚀时间过长纳米柱从底部脱落,最佳腐蚀时间为30 min,并从原子结构解释了湿化学腐蚀行为。 展开更多
关键词 gan 纳米柱阵列 聚苯乙烯胶体球 刻蚀掩膜 TMAH
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共源共栅结构GaN HEMT器件高能质子辐射效应 被引量：1
16
作者 邱一武 董磊 +1 位作者 殷亚楠 周昕杰 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第2期122-129,共8页
针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^... 针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^(-2)的5 MeV质子辐照后,器件阈值电压明显减小,跨导峰位负漂且峰值跨导减小,饱和漏极电流显著增加,栅泄露电流无明显变化,当辐照注量达到1×10^(13)cm^(-2)后,电学性能退化受到抑制并趋于饱和。分析认为Cascode结构GaN HEMT器件内部级联硅基MOS管的存在是导致辐照后阈值电压负漂和漏极电流增大的内在原因。结合低频噪声测试分析,发现质子辐照注量越高,器件噪声功率谱密度越大,表明辐照引入的缺陷就越多,辐照损伤越严重。与60 MeV和300 MeV质子辐照结果相比,5 MeV质子辐照后器件电学特性退化最为严重。利用SRIM仿真得到GaN材料受到质子辐照后产生的空位情况,结果显示质子入射能量越低,产生的空位数量越多(镓空位VGa占主导),器件电学特性退化就越显著。 展开更多
关键词 增强型gan HEMT器件 质子辐照 电学特性 低频噪声 SRIM仿真
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AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取
17
作者 吴淇暄 张贺秋 +4 位作者 朱江 宁思源 代晓 王子坤 梁红伟 《大连理工大学学报》 CAS 北大核心 2025年第1期105-110,共6页
有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了... 有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了两组AlGaN/GaN HEMT器件,这两组器件的源漏间距为80μm,栅源间距为10μm.其中一组器件固定栅宽为400μm,栅长分别为10、20、30、40、50、60μm;另一组器件固定栅长为40μm,栅宽分别为200、300、400、500、600、800μm.通过研究源漏之间的总电阻随栅长和栅宽变化规律,获得栅长与有效栅长的差值为0.48989μm,栅宽与有效栅宽的差值为-11.12191μm. 展开更多
关键词 ALgan/gan高电子迁移率晶体管 器件参数 有效栅长 有效栅宽
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纳米晶金刚石钝化GaN基横向二极管制备与性能
18
作者 任泽阳 宋松原 +8 位作者 张涛 陈鹤元 李姚 张金风 李俊鹏 陈军飞 朱卫东 郝跃 张进成 《物理学报》 北大核心 2025年第19期336-344,共9页
高输出功率密度下的热积累问题是氮化镓基功率器件面临的关键瓶颈之一.纳米晶金刚石钝化层策略在GaN基高功率器件散热方面发挥着重要的作用.在硅基AlGaN/GaN异质结材料上制备了厚420—440 nm、晶粒尺寸330—380 nm的纳米晶金刚石薄膜,... 高输出功率密度下的热积累问题是氮化镓基功率器件面临的关键瓶颈之一.纳米晶金刚石钝化层策略在GaN基高功率器件散热方面发挥着重要的作用.在硅基AlGaN/GaN异质结材料上制备了厚420—440 nm、晶粒尺寸330—380 nm的纳米晶金刚石薄膜,制备了纳米晶金刚石钝化的GaN基横向肖特基二极管器件,并对比研究了其与SiN_(x)钝化器件的电学、热学性质.测试结果显示,在直流偏置下,有无纳米晶钝化层的二极管器件正向特性基本一致;在-20 V偏置电压下,对两种器件施加2.5 V脉冲电压后,纳米晶钝化二极管电流密度仅退化2.6%,而SiN_(x)钝化器件电学特性几乎完全退化,表明纳米晶金刚石钝化二极管具有对电流崩塌现象优异的抑制能力;在变直流功率条件下对两种器件的热成像显微观测结果显示,发生热损毁时,SiN_(x)钝化器件输出功率密度约4 W/mm,而纳米晶钝化器件则约为7.5 W/mm.本文是纳米晶金刚石钝化工艺在GaN基功率二极管散热应用的首次报道,充分证明了该策略在GaN基功率二极管方面的应用潜力. 展开更多
关键词 纳米晶金刚石 gan 二极管 散热
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4英寸高质量GaN单晶衬底制备
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作者 齐占国 王守志 +11 位作者 李秋波 王忠新 邵慧慧 刘磊 王国栋 孙德福 于汇东 蒋铠泽 张爽 陈秀芳 徐现刚 张雷 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期717-720,共4页
本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自... 本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自支撑GaN单晶衬底。该衬底兼具优异的结晶质量与出色的力学稳定性,表面无裂纹,应力分布均匀;阴极荧光光谱(CL)表征位错密度为9.6×10^(5)cm^(-2),高分辨X射线衍射(HRXRD)(002)面摇摆曲线半峰全宽低至57.91″;原子力显微镜(AFM)测得表面粗糙度Ra<0.2 nm,呈现原子级平整表面。制备的衬底开盒即用,能够满足蓝绿激光器及电力电子器件的需求。 展开更多
关键词 gan单晶衬底 4英寸 氢化物气相外延 晶体生长 晶体加工
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