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离散谱折射率法优化设计深刻蚀、单模GaAs/GaAlAs脊形光波导
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作者 马慧莲 杨建义 +1 位作者 江晓清 王明华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期481-485,共5页
采用离散谱折射率法对深刻蚀 Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导的特性作了详细的理论分析 ,并对所获得的较大截面、低损耗的单模脊形光波导的制作容差性作了进一步的分析 .计算表明 ,用离散谱折射率法获得的单模脊形光波导具有较大的制作... 采用离散谱折射率法对深刻蚀 Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导的特性作了详细的理论分析 ,并对所获得的较大截面、低损耗的单模脊形光波导的制作容差性作了进一步的分析 .计算表明 ,用离散谱折射率法获得的单模脊形光波导具有较大的制作容差性 . 展开更多
关键词 离散谱折射率法 深刻蚀 GaAs/gaaias 单模 砷化镓 脊形光波导 优化设计
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膝关节骨关节炎病人的康复指导 被引量:8
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作者 王建红 《护理研究(下半月)》 2004年第3期503-504,共2页
关键词 膝关节骨关节炎 康复指导 疗效评定 gaaias激光
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GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
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作者 张桂成 吴征 +1 位作者 陈自姚 周炳林 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第3期334-337,共4页
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化... 本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。 展开更多
关键词 发光管 双异质结 gaaias GAAS
全文增补中
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