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光学浮区法生长Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶及其光谱性质研究
1
作者 杨晓龙 唐慧丽 +5 位作者 张超逸 孙鹏 黄林 陈龙 徐军 刘波 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期202-211,共10页
超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因出色的光电特性而成为研究的焦点。元素掺杂对β-Ga_(2)O_(3)光谱性质的影响是材料科学领域的一个重要研究方向,具有显著的研究价值和应用前景。本研究通过光学浮区(OFZ)法,在CO_(2)环境中成功生长出β-G... 超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因出色的光电特性而成为研究的焦点。元素掺杂对β-Ga_(2)O_(3)光谱性质的影响是材料科学领域的一个重要研究方向,具有显著的研究价值和应用前景。本研究通过光学浮区(OFZ)法,在CO_(2)环境中成功生长出β-Ga_(2)O_(3)∶6%Bi单晶,并着重研究Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶的光谱性质。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)结合能量色散X射线光谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)以透过光谱和荧光光谱等先进的表征技术,对样品的晶体结构、元素组成及光谱性质进行了较全面的测试与分析。实验结果揭示,由于离子半径差异大,Bi离子较难掺入β-Ga_(2)O_(3)晶格,掺入的Bi离子主要替代了GaO_(6)八面体中的Ga离子位置。与非故意掺杂β-Ga_(2)O_(3)相比,Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶在红外区域的透射率降低,载流子浓度增加;荧光发射光谱强度降低,荧光衰减时间缩短。这些发现不仅深化了对Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶光谱性质的理解,而且为该材料在闪烁和辐射探测等领域的应用提供了技术启示。 展开更多
关键词 Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3) 光学浮区法 晶体生长 拉曼光谱 光谱特性 发射光谱强度 荧光衰减时间
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纺CJ 18.2 tex K纱工艺优化
2
作者 杨文山 谢梅 图尔贡江·乌热依木 《纺织器材》 2025年第5期40-42,共3页
为了提高CJ 18.2 tex K纱的产质量,介绍原棉选配要求、粗纱工序和细纱工序主要工艺配置,对细纱中胶辊位置、钢丝圈与清洁器隔距、钢丝圈型号以及平均锭速进行调整,并分析棉纺环锭细纱机设备维修检查、交接验收以及器材专件管理的必要性... 为了提高CJ 18.2 tex K纱的产质量,介绍原棉选配要求、粗纱工序和细纱工序主要工艺配置,对细纱中胶辊位置、钢丝圈与清洁器隔距、钢丝圈型号以及平均锭速进行调整,并分析棉纺环锭细纱机设备维修检查、交接验收以及器材专件管理的必要性。通过对比调整前后的成纱质量指标和断头数量,指出:在其他工艺条件不变、细纱车间温湿度稳定的情况下,将细纱中胶辊前移1.5 mm、清洁器隔距由2.0 mm调整为1.8 mm、钢丝圈由卡特5/0型更换为E32895/0型后,再将平均锭速由16.3 kr/min提高为16.8 kr/min,CJ 18.2 tex K纱质量指标满足客户要求,且台时产量提高25.8 kg;做好设备、原料、工艺、器材专件、操作等的选配维护和精细化管理,是纺纱质效提升的重要保证。 展开更多
关键词 胶辊 浮游区 清洁器 隔距 钢丝圈 锭速 条干 断头
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高质量铟掺杂氧化镓单晶浮区法生长研究 被引量：1
3
作者 李宪珂 张超逸 +4 位作者 黄林 孙鹏 刘波 徐军 唐慧丽 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期1384-1390,共7页
Ga_(2)O_(3)是一种新型超宽带隙半导体材料,性能出色,在高功率电子器件和日盲深紫外探测器等领域有着巨大的应用前景。通过掺入In^(3+)离子,可以调节β-Ga_(2)O_(3)的带隙宽度和光学性质,从而进一步拓展其应用范围。本研究以高纯度Ga_(2... Ga_(2)O_(3)是一种新型超宽带隙半导体材料,性能出色,在高功率电子器件和日盲深紫外探测器等领域有着巨大的应用前景。通过掺入In^(3+)离子,可以调节β-Ga_(2)O_(3)的带隙宽度和光学性质,从而进一步拓展其应用范围。本研究以高纯度Ga_(2)O_(3)、In_(2)O_(3)为原料,采用光学浮区法制备了β-Ga_(2)O_(3):9%In、β-Ga_(2)O_(3):15%In单晶。生长速度为5 mm/h时,晶体出现失透现象,在光学显微镜下观察,发现晶体中含有大量气泡缺陷,这些缺陷主要呈条状和球状,其中条状气泡的长度在50~200μm范围内,沿[010]晶体生长方向延伸。通过扫描电子显微镜观察缺陷形貌和元素分布,发现气泡周围的元素分布均匀,无杂质元素聚集。结果表明,缺陷的形成与In_(2)O_(3)高温分解有关,产生的气体未及时排出,随熔体结晶进入晶体内部形成气泡。优化晶体生长工艺解决了气泡缺陷引起的晶体失透问题,得到的透明β-Ga_(2)O_(3):9%In单晶摇摆曲线半峰宽可达44arcsec,晶体的结晶质量显著提升。本研究为生长高质量β-Ga_(2)O_(3):In体块单晶提供了解决方案,为深入了解其光电性能奠定了基础。 展开更多
关键词 铟掺杂氧化镓 光学浮区法 晶体生长 气泡缺陷
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GaFeO_(3)∶Mg晶体的生长及磁学性能研究
4
作者 王文凯 潘秀红 +6 位作者 胡雨青 刘学超 陈小红 陈锟 方婧红 贺欢 倪津崎 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第10期1699-1704,共6页
本文利用光学浮区法生长出了直径为7 mm的铁电单晶Mg_(x)Ga_(1-x)FeO_(3)(x=0.02、0.05、0.07和0.10),研究了Mg^(2+)对GaFeO_(3)(GFO)晶体饱和磁化强度和磁性转变温度的作用。通过XRD测试了晶体的结构和物相,结果显示,所有制备的晶体样... 本文利用光学浮区法生长出了直径为7 mm的铁电单晶Mg_(x)Ga_(1-x)FeO_(3)(x=0.02、0.05、0.07和0.10),研究了Mg^(2+)对GaFeO_(3)(GFO)晶体饱和磁化强度和磁性转变温度的作用。通过XRD测试了晶体的结构和物相,结果显示,所有制备的晶体样品对应标准晶体卡库GFO(PDF#76-1005)的衍射特征,无其他杂相出现。XRD精修结果表明,该晶体结构为正交结构,空间群为Pna 2_(1),晶格常数和晶胞体积随着Mg^(2+)掺杂量的增加,呈现先增加后减小的趋势。通过综合物性测量系统研究了晶体的磁性能,结果表明,磁性转变温度和饱和磁化强度随着Mg^(2+)掺杂量的增加,同样呈现先增加后减小的趋势。当Mg^(2+)掺杂量x=0.07时,磁性转变温度和饱和磁化强度达到最大,分别为187.82 K、8.75 emu/g,达到了掺杂改性的目的。 展开更多
关键词 铁电单晶 GaFeO_(3)∶Mg 光学浮区法 饱和磁化强度 磁性转变温度 矫顽场
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全板宽厚玻璃的离线应力测试方法
5
作者 宋清超 遇世程 +3 位作者 赵智均 张志勇 许世清 刘世民 《玻璃》 2024年第9期25-30,共6页
厚板玻璃在生产和加工过程中常常会因退火工艺异常而出现玻璃板应力集中或应力分布不均匀的问题,引发生产过程中断板和后续切裁等质量问题。本研究通过使用双折射法对企业生产线中厚板玻璃的实际微区应力进行测量,进而实现对满板应力分... 厚板玻璃在生产和加工过程中常常会因退火工艺异常而出现玻璃板应力集中或应力分布不均匀的问题,引发生产过程中断板和后续切裁等质量问题。本研究通过使用双折射法对企业生产线中厚板玻璃的实际微区应力进行测量,进而实现对满板应力分布进行研究和综合分析。基于微区应力测试结果,探讨了微区应力分析方法与满板玻璃平面应力的对应关系,以及对厚板玻璃生产工艺过程的指导作用。 展开更多
关键词 浮法玻璃 微区应力 平面应力
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难熔金属单晶的电子束悬浮区熔定向凝固 被引量：12
6
作者 王红 张军 +2 位作者 崔春娟 刘林 傅恒志 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期71-75,共5页
难熔金属及合金以其优异的性能在航空航天、电子信息、能源、化工、冶金和核工业等国防及民用领域有着不可替代的作用,其发展日益受到高度重视。本文综述了难熔金属及合金的应用和发展,以钼、钨及其合金单晶的发展历程为例,概述了难熔... 难熔金属及合金以其优异的性能在航空航天、电子信息、能源、化工、冶金和核工业等国防及民用领域有着不可替代的作用,其发展日益受到高度重视。本文综述了难熔金属及合金的应用和发展,以钼、钨及其合金单晶的发展历程为例,概述了难熔金属单晶的电子束悬浮区熔定向凝固制备技术的发展,简要介绍了难熔金属钼的电子束悬浮区熔定向凝固生长工艺与组织的研究。 展开更多
关键词 难熔金属 单晶 电子束悬浮区熔 定向凝固 钼
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工艺参数对钼-铌合金单晶制备的影响 被引量：9
7
作者 胡忠武 李中奎 +3 位作者 张清 张军良 殷涛 张廷杰 《铸造》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期225-229,共5页
主要讨论了熔炼室真空度,钼-铌合金原料棒化学成分和尺寸规格,熔炼速度,搅拌速度等对单晶制备的影响。试验结果表明,熔炼室残余压力值低于3.0×10-2Pa时,区熔过程能稳定制备出钼-铌合金单晶。高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O... 主要讨论了熔炼室真空度,钼-铌合金原料棒化学成分和尺寸规格,熔炼速度,搅拌速度等对单晶制备的影响。试验结果表明,熔炼室残余压力值低于3.0×10-2Pa时,区熔过程能稳定制备出钼-铌合金单晶。高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高,区域熔炼时放气严重,极大地破坏了熔炼室高真空而未能直接生长制备出单晶,但经两次电子束熔炼获得的Ф12mm￣Ф17mm原料棒C含量降为63×10-6,O含量仅为14×10-6,区熔时熔炼室真空度较高,能稳定地生长制备出Ф31mm×735mm的大尺寸钼-铌合金单晶,而直径超过Ф18mm或小于Ф11mm原料棒则未能获得钼-铌合金单晶。此外,熔炼速度和搅拌速度也是非常关键的工艺参数。本试验得出,原料棒在熔炼速度为0.4￣4.0mm/min,搅拌速度为1.0～20r/min的条件下能稳定制备出高质量钼-铌合金单晶。 展开更多
关键词 钼-铌合金 单晶 电子束区域熔炼 制备工艺
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悬浮区域熔炼法制备REB6(LaB6、CeB6)单晶体及其表征 被引量：9
8
作者 张宁 张久兴 +1 位作者 包黎红 李晓娜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期178-180,184,共4页
采用区域熔炼法成功制备出了高质量、高纯度、大尺寸的LaB6、CeB6单晶体。系统分析了制备过程中每个参数对晶体生长的影响,确定了晶体成长最佳工艺:(1)LaB6:转速为30r/min,生长速度为8～10mm/h,两次区熔;(2)CeB6:转速为30r/min,生长速... 采用区域熔炼法成功制备出了高质量、高纯度、大尺寸的LaB6、CeB6单晶体。系统分析了制备过程中每个参数对晶体生长的影响,确定了晶体成长最佳工艺:(1)LaB6:转速为30r/min,生长速度为8～10mm/h,两次区熔;(2)CeB6:转速为30r/min,生长速度15～20mm/h,一次区熔。然后对晶体进行表征,主要方法有单晶衍射、断面扫描、拉曼衍射、摇摆曲线。由此可知悬浮区域熔炼法是制备高质量、高纯度、大尺寸REB6的最佳方法。 展开更多
关键词 悬浮区域熔炼 单晶LaB6 单晶CeB6 表征
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凝固速率对铌基共晶自生复合材料定向凝固组织的影响 被引量：8
9
作者 丁旭 周廉 +3 位作者 郭喜平 周义刚 张廷杰 李中奎 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1605-1608,共4页
铌基共晶自生复合材料(NBISC)经真空自耗电弧熔炼成母合金锭,采用高温度梯度的电子束区熔装置制备定向凝固的试样,分析其组织特征。结果表明:Nb基固溶体(Nbss)相、(Nb,Ti)3Si相和(Nb,Ti)5Si3相为NBISC材料的主要组成相;在电子束区熔条件... 铌基共晶自生复合材料(NBISC)经真空自耗电弧熔炼成母合金锭,采用高温度梯度的电子束区熔装置制备定向凝固的试样,分析其组织特征。结果表明:Nb基固溶体(Nbss)相、(Nb,Ti)3Si相和(Nb,Ti)5Si3相为NBISC材料的主要组成相;在电子束区熔条件下,随着电子枪移动速率的提高,NBISC材料共晶组织变细,组织中片层状的共晶团增多,块状或板条状的(Nb,Ti)3Si/(Nb,Ti)5Si3相尺度减小、数量增多,组织趋于规则、分布更均匀,组织的定向性增强,定向效果显著。 展开更多
关键词 铌基共晶自生复合材料(NBICS) 定向凝固 电子束区熔 凝固速率
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悬浮区熔-电迁移联合法提纯稀土金属的原理及机理 被引量：9
10
作者 李国栋 云月厚 +1 位作者 邰显康 张伟 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第z3期162-165,共4页
在概述悬浮区熔 电迁移联合法提纯稀土金属的原理基础上,着重分析了这种方法提纯稀土金属的机理。结果表明,电迁移电流对杂质的分离可起调控作用,稀土金属在其熔区附近发生的二次相变对杂质迁移速率起增大作用。
关键词 稀土 悬浮区熔-电迁移联合法 提纯
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β-Ga_2O_3单晶浮区法生长及其光学性质 被引量：9
11
作者 张俊刚 夏长泰 +5 位作者 吴锋 裴广庆 徐军 邓群 徐悟生 史宏生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期358-360,363,共4页
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响。-βGa2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471... 用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响。-βGa2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射。 展开更多
关键词 浮区法 宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶
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光学浮区法生长技术及其在晶体生长中的应用 被引量：5
12
作者 武安华 申慧 +2 位作者 徐家跃 小川贵代 和田智之 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期4036-4039,共4页
光学浮区法是近些年来倍受关注的晶体生长的新方法，具有无需坩埚、无污染、生长速度快等优点，十分适合于晶体生长研究。介绍了光学浮区法晶体生长炉的构造以及技术原理，并阐述了该生长法在晶体生长领域的应用情况。
关键词 光学浮区法 晶体生长 应用
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光学浮区法生长YFeO_3晶体 被引量：6
13
作者 申慧 徐家跃 +1 位作者 郁金星 武安华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1099-1102,共4页
采用光学浮区法生长了新型磁光晶体YFeO_3,通过工艺优化,获得了φ(7～10)mm、长度约60mm YFeO_3晶体.XRD分析表明晶体具有正交钙钛矿结构,晶格常数a=5.5964(?),b=7.6052(?),c=5.2842(?).晶体长界面为凸界面,生长取向接近[100]方向.晶体... 采用光学浮区法生长了新型磁光晶体YFeO_3,通过工艺优化,获得了φ(7～10)mm、长度约60mm YFeO_3晶体.XRD分析表明晶体具有正交钙钛矿结构,晶格常数a=5.5964(?),b=7.6052(?),c=5.2842(?).晶体长界面为凸界面,生长取向接近[100]方向.晶体截面抛光后观察,未发现肉眼可见的包裹体、晶界等缺陷. 展开更多
关键词 光学浮区法 磁光材料 YFeO3晶体 晶体生长
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高纯金属铪制备技术研究进展 被引量：13
14
作者 田丽森 尹延西 +2 位作者 胡志方 李忠岐 王力军 《矿冶》 CAS 2014年第2期49-54,58,共7页
高纯金属铪具有特殊的物理化学性质和核性能,在核反应堆和航空航天等工业领域具有广泛的应用前景。总结了国内外高纯金属铪常用的几种制备方法,包括熔盐电解、碘化精炼、电子束熔炼和电子束悬浮区熔,概述了各方法的原理和研究进展,并分... 高纯金属铪具有特殊的物理化学性质和核性能,在核反应堆和航空航天等工业领域具有广泛的应用前景。总结了国内外高纯金属铪常用的几种制备方法,包括熔盐电解、碘化精炼、电子束熔炼和电子束悬浮区熔,概述了各方法的原理和研究进展,并分析比较了各制备方法的优缺点。在实际生产中通常将上述几种制备方法结合起来制备高纯金属铪。 展开更多
关键词 高纯铪 熔盐电解 碘化精炼 电子束熔炼 电子束悬浮区熔
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低逸出功Ce_(1-x)Gd_xB_6单晶体的制备及其热发射性能 被引量：6
15
作者 王杨 张忻 +3 位作者 张久兴 刘洪亮 江浩 李录录 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期797-801,共5页
以三元稀土硼化物Ce_(1-x)Gd_xB_6为研究对象,系统研究Gd掺杂对Ce B_6阴极材料热发射性能的影响规律。采用放电等离子烧结结合光学区域熔炼法成功制备了高质量的Ce_(1-x)Gd_xB_6(x=0~0.3)单晶体。借助360度Phi扫描单晶衍射仪对生长后的... 以三元稀土硼化物Ce_(1-x)Gd_xB_6为研究对象,系统研究Gd掺杂对Ce B_6阴极材料热发射性能的影响规律。采用放电等离子烧结结合光学区域熔炼法成功制备了高质量的Ce_(1-x)Gd_xB_6(x=0~0.3)单晶体。借助360度Phi扫描单晶衍射仪对生长后的单晶进行了测试,结果显示单晶质量良好。采用劳埃定向仪确定出(100)晶面,并测试了该晶面在1673 K、1773 K、1873 K下的热电子发射电流密度。测试结果表明,Ce_(0.9)Gd_(0.1)B_6成分单晶体具有最优异的热发射性能,在1873 K工作温度下,4000 V电压条件下发射电流密度达到82.3 A/cm^2,零场电流发射密度为24.70 A/cm^2,平均有效逸出功为2.30 e V,与相同条件下Ce B_6单晶体热发射性能(热发射电流密度为78.2 A/cm^2,零场电流发射密度为13.32 A/cm^2)相比,其具有更大的发射电流密度和更低的逸出功。因此,采用该制备技术获得的Ce_(1-x)Gd_xB_6单晶体具有良好的发射性能,作为热阴极材料将会有更好的应用前景。 展开更多
关键词 光学区域熔炼法 Ce1-xGdxB6单晶体 热发射性能
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In:Ga_2O_3氧化物半导体晶体的生长与性能研究 被引量：5
16
作者 唐慧丽 吴庆辉 +2 位作者 罗平 王庆国 徐军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期621-624,共4页
β-Ga_2O_3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出f8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga_2O_3晶体,晶体具有较高的结晶完... β-Ga_2O_3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出f8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga_2O_3晶体,晶体具有较高的结晶完整性。In^(3+)离子掺杂后,β-Ga_2O_3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小。室温下,In:Ga_2O_3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10^(-4)S/cm和1.005×1016 cm^(-3),其值高于β-Ga_2O_3晶体约1个数量级。In:Ga_2O_3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低。结果表明,In^(3+)离子掺杂能够调控β-Ga_2O_3晶体的导电性能。 展开更多
关键词 In:Ga2O3晶体 浮区法 电导率
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浮区法生长Lu_2Si_2O_7:Ce晶体的缺陷、光学和闪烁性能研究 被引量：3
17
作者 冯鹤 任国浩 +4 位作者 丁栋舟 李焕英 徐军 杨秋红 徐家跃 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期891-895,共5页
通过浮区法制备得到LPS：0.5%Ce单晶样品,并对其包裹体、开裂、闪烁和光学性能进行了研究,获得了晶体的电子探针谱、透过谱、77~500 K下的紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和77~500 K下的衰减时间谱。研究发现晶体中存在解理开裂和热应... 通过浮区法制备得到LPS：0.5%Ce单晶样品,并对其包裹体、开裂、闪烁和光学性能进行了研究,获得了晶体的电子探针谱、透过谱、77~500 K下的紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和77~500 K下的衰减时间谱。研究发现晶体中存在解理开裂和热应力开裂,同时存在两种类型的包裹体,分别包含[Si3O9]6-、23[SiO]n阴离子团和过量的SiO2。由于采用空气为生长气氛,样品中部分Ce3＋被氧化为Ce4＋。浮区法LPS：0.5%Ce表现出较高的发光效率,约为32000 ph/MeV。随着温度的升高,样品的紫外激发发射谱逐渐向长波方向移动,发射谱谱线随着温度的升高展宽,导致自吸收的增加。衰减时间的温度转变点位于450 K,表明LPS：Ce闪烁晶体适用于高温环境,是一种性能优异的闪烁晶体。 展开更多
关键词 Lu2Si2O7 CE 浮区法 单晶 缺陷 闪烁性能
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光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能 被引量：5
18
作者 吴庆辉 唐慧丽 +4 位作者 苏良碧 罗平 钱小波 吴锋 徐军 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期548-552,共5页
采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga_2O_3单晶相比,... 采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga_2O_3单晶相比,β-Ga_2O_3:In单晶在红外波段存在明显吸收。β-Ga_2O_3:In单晶的电导率在10^(–2)量级,Holl载流子浓度可以达到6×10^(19)/cm^2,说明掺杂In^(3+)对β-Ga_2O_3单晶的电学性能有明显改善。 展开更多
关键词 铟掺杂氧化镓单晶 晶体生长 浮区法
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悬浮区域熔炼法制备Ce_(1-x)Pr_xB_6单晶体及其热发射性能研究 被引量：9
19
作者 张繁星 张忻 +2 位作者 张久兴 梁超龙 黄颖凯 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1073-1076,共4页
以CeB6和PrB6粉末为原料,采用放电等离子烧结结合悬浮区域熔炼法成功制备了晶体质量良好的多元稀土六硼化物Ce1-xPrxB6（x=0.1、0.2、0.4）单晶体,并系统研究了该系列单晶体（100）晶面热电子发射性能。结果表明：Ce0.8Pr0.2B6单晶（10... 以CeB6和PrB6粉末为原料,采用放电等离子烧结结合悬浮区域熔炼法成功制备了晶体质量良好的多元稀土六硼化物Ce1-xPrxB6（x=0.1、0.2、0.4）单晶体,并系统研究了该系列单晶体（100）晶面热电子发射性能。结果表明：Ce0.8Pr0.2B6单晶（100）晶面具有最好的热发射性能,在1873 K,最大电流发射密度达到66.07 A/cm^2,比CeB6单晶的电流发射密度提高约20%。此外,Ce0.9Pr0.1B6、Ce0.6Pr0.4B6单晶（100）晶面的热发射电流密度分别为65.81 A/cm^2和65.31 A/cm^2。Ce0.8Pr0.2B6单晶（100）晶面的逸出功最低,为2.61 eV,其它单晶（100）晶面的逸出功在2.64～2.753 eV范围内。因此,Ce1-xPrxB6多元稀土六硼化物单晶具有良好的发射性能和低的逸出功,作为热阴极材料有很好的应用前景。 展开更多
关键词 Ce1-xPrxB6单晶体 悬浮区域熔炼法 热电子发射性能
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短纤维对棉纺质量的影响与控制 被引量：10
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作者 陈玉峰 陆振挺 《棉纺织技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期40-43,共4页
探讨短纤维对棉纺纺纱质量的影响及控制措施。通过分析短纤维对纺纱质量的影响,指出,短纤维对棉纺系统的影响主要表现在破坏纤维品质造成棉结、增加落棉、形成浮游纤维影响纤维变速、伸出纱体形成毛羽、影响条干均匀度、降低强力等方面... 探讨短纤维对棉纺纺纱质量的影响及控制措施。通过分析短纤维对纺纱质量的影响,指出,短纤维对棉纺系统的影响主要表现在破坏纤维品质造成棉结、增加落棉、形成浮游纤维影响纤维变速、伸出纱体形成毛羽、影响条干均匀度、降低强力等方面。通过实践认为:在梳理前尽量排除短纤维和减少其增长,在梳理后采取控制短纤维运动的措施,才可保证产品质量的稳定。 展开更多
关键词 短纤维 棉结 落棉 浮游区 隔距 毛羽 强力
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