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RESEARCH ON THE PACKING ALGORITHM FOR ANTI-SEU OF FPGA BASED ON TRIPLE MODULAR REDUNDANCY AND THE NUMBERS OF FAN-OUTS OF THE NET
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作者 Cui Xiuhai Yang Haigang +1 位作者 Peng Yu Peng Xiyuan 《Journal of Electronics(China)》 2014年第4期284-289,共6页
Static Random Access Memory(SRAM) based Field Programmable Gate Array(FPGA) is widely applied in the field of aerospace, whose anti-SEU(Single Event Upset) capability becomes more and more important. To improve anti-F... Static Random Access Memory(SRAM) based Field Programmable Gate Array(FPGA) is widely applied in the field of aerospace, whose anti-SEU(Single Event Upset) capability becomes more and more important. To improve anti-FPGA SEU capability, the registers of the circuit netlist are tripled and divided into three categories in this study. By the packing algorithm, the registers of triple modular redundancy are loaded into different configurable logic block. At the same time, the packing algorithm considers the effect of large fan-out nets. The experimental results show that the algorithm successfully realize the packing of the register of Triple Modular Redundancy(TMR). Comparing with Timing Versatile PACKing(TVPACK), the algorithm in this study is able to obtain a 11% reduction of the number of the nets in critical path, and a 12% reduction of the time delay in critical path on average when TMR is not considered. Especially, some critical path delay of circuit can be improved about 33%. 展开更多
关键词 Field Programmable Gate Array (FPGA) Triple Modular Redundancy (TMR) Packing algorithm fan-outs of the net Critical path delayCLC number:TN473
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基于Fan-out技术的三维堆叠封装
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作者 姚昕 王斌 张荣臻 《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第6期100-103,共4页
基于扇出型晶圆级封装工艺(Fan-out工艺)技术的三维集成已成为实现电子系统元器件高集成度、小型化和低成本应用的有效途径。设计了一种基于Fan-out技术的三维堆叠封装DDR3存储模块,其相比于独立10片DDR3芯片在系统板上节省75%的空间。... 基于扇出型晶圆级封装工艺(Fan-out工艺)技术的三维集成已成为实现电子系统元器件高集成度、小型化和低成本应用的有效途径。设计了一种基于Fan-out技术的三维堆叠封装DDR3存储模块,其相比于独立10片DDR3芯片在系统板上节省75%的空间。通过对多层堆叠存储模块的系统需求与方案设计分析、电设计与仿真优化研究确定电路的结构与布线设计,最终研制生产的产品接触失效测试正常,功能码正确测试通过,电路各项指标均可满足系统的设计要求,验证了本设计的合理性。 展开更多
关键词 扇出型晶圆级封装工艺 三维堆叠封装 DDR3存储模块 高集成度
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A high-efficiency transformer-in-package isolated DC-DC converter using glass-based fan-out wafer-level packaging 被引量:2
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作者 Lin Cheng Zuohuan Chen +1 位作者 Daquan Yu Dongfang Pan 《Fundamental Research》 CSCD 2024年第6期1407-1414,共8页
A transformer-in-package(TiP)isolated direct current-direct current(DC-DC)converter using glass-based fan-out wafer-level packaging(FOWLP)is proposed.By using 3-layer redistribution layers(RDLs),both the transformer a... A transformer-in-package(TiP)isolated direct current-direct current(DC-DC)converter using glass-based fan-out wafer-level packaging(FOWLP)is proposed.By using 3-layer redistribution layers(RDLs),both the transformer and interconnections are built without an additional transformer chip,and the converter only has 2 dies:a transmitter(TX)chip and a receiver(RX)chip.The proposed solution results in a significant reduction in the cost and makes major improvements in the form factor and power density.Moreover,the transformer built by the RDLs achieves a high quality factor(Q)and high coupling factor(k),and the efficiency of the converter is thus improved.The TX and RX chips were implemented in a 0.18μm Biopolar CMOS DMOS(BCD)process and embedded in a compact package with a size of 5 mm×5 mm.With an output capacitance of 10μF,the converter achieves a peak efficiency of 46.5%at 0.3 W output power and a maximum delivery power of 1.25 W,achieving a maximum power density of 50 mW/mm2. 展开更多
关键词 Isolated DC-DC converter Transmitter(TX) Receiver(RX) TRANSFORMER fan-out wafer level packaging(FOWLP) Power density Efficiency
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三维晶圆级扇出型封装产品质量评价方法研究
4
作者 田欣 黄东巍 《信息技术与标准化》 2025年第7期31-36,共6页
为解决三维晶圆级扇出型封装产品缺乏质量评价方法的问题,开展其工艺质量可靠性和器件质量可靠性评价方法的研究。结合裸芯片重构圆片、晶圆级多层再布线、晶圆级微凸点制备和三维堆叠等新工艺特点,确定了关键工艺参数及测试方法。通过... 为解决三维晶圆级扇出型封装产品缺乏质量评价方法的问题,开展其工艺质量可靠性和器件质量可靠性评价方法的研究。结合裸芯片重构圆片、晶圆级多层再布线、晶圆级微凸点制备和三维堆叠等新工艺特点,确定了关键工艺参数及测试方法。通过与传统结构器件的差异性分析,提出了三维晶圆级扇出型封装器件的关键质量评价项目。选用典型国产器件开展了验证,验证了测试结果的准确性。 展开更多
关键词 扇出型封装 晶圆级 工艺质量 器件质量
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电-热-力耦合下扇出型晶圆级封装RDL导电层热-力可靠性分析
5
作者 武瑞康 臧柯 +2 位作者 范超 王蒙军 吴建飞 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期955-964,共10页
为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-... 为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-力分布中,导电层起主导作用。与材料和厚度相比,导电层结构的过渡角度对RDL可靠性的影响相对较小。过渡角度在130°~160°范围内时,温度与应力极值波动小于1%;0.8~15 GHz频段内,RDL的温度与应力极值会随频率升高而递增且上升速率逐渐减缓。正交试验结果表明,导电层材料对温度和应力极值的影响最为显著。经优化后,导电层最佳参数为:银材料,厚度10μm,过渡角度140°。该研究成果可为先进封装领域中RDL的结构设计与优化提供参考。 展开更多
关键词 扇出型晶圆级封装(FOWLP) 导电层 重分布层(RDL) 多物理场 正交试验
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基于绝热桥式光纤的低损耗紧凑型四芯光纤扇入扇出器件
6
作者 张骏皓 陈伟 +2 位作者 侯超奇 张庭煜 王飞 《光子学报》 北大核心 2025年第8期40-47,共8页
制备了一种绝热桥式光纤,用于制备熔融拉锥型多芯光纤扇入/扇出器件。对光纤的折射率曲线进行设计,发现了一种具有三阶折射率结构的光纤,这种光纤不仅可以通过放宽绝热准则实现超短低损耗拉锥,还能实现单模光纤和四芯光纤的模场适配。... 制备了一种绝热桥式光纤,用于制备熔融拉锥型多芯光纤扇入/扇出器件。对光纤的折射率曲线进行设计,发现了一种具有三阶折射率结构的光纤,这种光纤不仅可以通过放宽绝热准则实现超短低损耗拉锥,还能实现单模光纤和四芯光纤的模场适配。实验表明,扇入扇出器件的理论绝热临界锥角扩大到了3.23°,锥区长度缩短到了1.8 mm,制备出的扇入扇出器件在1550 nm波长下的插入损耗小于0.56 dB。在紧凑型空分复用器件的部署和光纤加工领域具有巨大的应用潜力。 展开更多
关键词 空分复用 多芯光纤 熔融拉锥 扇入扇出器件
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扇出型晶圆级封装翘曲控制的研究进展
7
作者 张需 张志模 +1 位作者 李奇哲 王刚 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期666-675,共10页
扇出型晶圆级封装(FOWLP)凭借其体积小、I/O端口密度高、成本低等优势受到科研人员的广泛关注与研究,但晶圆在封装过程中的翘曲却严重影响了产品良率与可靠性。从材料改进创新、工艺流程优化、设计结构改进、仿真精确化四个角度,系统综... 扇出型晶圆级封装(FOWLP)凭借其体积小、I/O端口密度高、成本低等优势受到科研人员的广泛关注与研究,但晶圆在封装过程中的翘曲却严重影响了产品良率与可靠性。从材料改进创新、工艺流程优化、设计结构改进、仿真精确化四个角度,系统综述了现有FOWLP翘曲的优化方法,分析了各方法的优势与不足,并总结了其发展趋势。研究结果表明,低热膨胀系数(CTE)和高模量材料开发以及工艺流程优化对改善FOWLP翘曲具有关键作用,可为后续研究提供重要参考。 展开更多
关键词 扇出型晶圆级封装(FOWLP) 翘曲 重构晶圆 环氧塑封料(EMC) 有限元分析(FEA)
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一种K波段晶圆级封装器件化R组件设计
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作者 朱贵德 罗鑫 +2 位作者 王军会 罗里 何小峰 《电讯技术》 北大核心 2025年第6期980-985,共6页
介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和砷化镓(GaAs)工艺相结合的芯片架构,实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封... 介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和砷化镓(GaAs)工艺相结合的芯片架构,实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封扇出晶圆级封装工艺,通过在两种芯片上合理设置接地焊盘位置,再借助晶圆级封装的再布线设计和植球工艺,实现单个封装内多通道间以及多个封装间的良好电磁屏蔽。采用多物理场协同仿真方式,将无源互连的场级全波仿真结果与有源电路的电路级仿真结果进行场路协同联合仿真,通过场路协同调谐优化,得到最优宽带匹配效果,研制出了一款晶圆级扇出封装器件化R组件。实测表明在K波段噪声系数小于2.1 dB,小信号增益大于22 dB,延时误差均方根小于1.8 ps。R组件尺寸为11 mm×8 mm×0.7 mm,重量仅0.2 g。该设计方案充分发挥了CMOS工艺数模混合集成能力和GaAs工艺优异的射频性能,实现了R组件更高的功能密度、通道密度和低成本需求,具有一定的工程应用价值。 展开更多
关键词 相控阵天线 K波段R组件 晶圆级扇出封装 场路协同仿真
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基于FOPLP工艺多I/O芯片封装的可靠性研究及优化
9
作者 江京 刘建辉 +3 位作者 陶都 宋关强 李俞虹 钟仕杰 《电子与封装》 2025年第2期6-12,共7页
随着封装工艺的进步,扇出型板级封装(FOPLP)工艺因其具有高集成度、低成本、更好的性能和更广泛的应用领域等优势而备受关注。针对基于FOPLP工艺封装的多I/O芯片产品可靠性开展了系统研究。探索和分析了产品在偏压高加速温湿度应力测试(... 随着封装工艺的进步,扇出型板级封装(FOPLP)工艺因其具有高集成度、低成本、更好的性能和更广泛的应用领域等优势而备受关注。针对基于FOPLP工艺封装的多I/O芯片产品可靠性开展了系统研究。探索和分析了产品在偏压高加速温湿度应力测试(BHAST)中的漏电问题,根据失效分析结果,将重点聚焦于爬胶高度和产品应力。同时,通过试验设计(DOE)验证了改善产品的银胶量和固定加工参数。针对多I/O芯片应力问题,采用仿真模拟优化应力分布,产品成功通过BHAST可靠性测试,满足130℃、85%RH条件下连续工作264 h的BHAST可靠性要求,对提升多I/O类产品整体性能和市场竞争力具有重要意义。 展开更多
关键词 扇出型板级封装 失效分析 可靠性 热应力仿真
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扇出型树脂基晶圆级封装中切割工艺参数对芯片表面脏污的影响研究
10
作者 张鹏 陈志斌 曹亮 《中国集成电路》 2025年第8期77-82,共6页
扇出型树脂基晶圆级封装切割工艺中,由于塑封料自身、刀片类型及切割工艺参数的影响,会在切割后的芯片表面残留脏污颗粒,对芯片倒装键合后的底填效果产生影响,进而影响器件整体功能。因此,本文针对脏污产生的原因,以切割刀片类型、划片... 扇出型树脂基晶圆级封装切割工艺中,由于塑封料自身、刀片类型及切割工艺参数的影响,会在切割后的芯片表面残留脏污颗粒,对芯片倒装键合后的底填效果产生影响,进而影响器件整体功能。因此,本文针对脏污产生的原因,以切割刀片类型、划片膜类型、切割水流速和切割液浓度4个因素,采用正交试验法开展切割工艺芯片表面脏污改善方法研究。通过光学显微镜观察并记录试验条件下芯片表面的脏污状况,确定了切割工艺中芯片表面产生脏污因素的顺序为划片膜类型>刀片类型>切割液浓度>切割水流量的规律,固化了扇出型树脂基晶圆级产品切割工艺匹配的切割耗材及工艺参数。 展开更多
关键词 扇出型封装 晶圆级树脂基 脏污颗粒 正交试验法
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带扇叶形锚固板钢筋机械锚固性能试验研究 被引量:1
11
作者 吴琛 姚鹏飞 +1 位作者 陈真锋 邓芬 《工程力学》 北大核心 2025年第1期74-82,共9页
为避免型钢混凝土节点钢筋锚固时导致的大量型钢穿孔或钢筋焊接,设计一种新型扇叶形锚固板,并通过带扇叶形锚固板钢筋中心拔出试验,分析锚固板形式、钢筋直径、锚固长度对带锚固板钢筋机械锚固性能的影响。试验结果表明:带扇叶型锚固板... 为避免型钢混凝土节点钢筋锚固时导致的大量型钢穿孔或钢筋焊接,设计一种新型扇叶形锚固板,并通过带扇叶形锚固板钢筋中心拔出试验,分析锚固板形式、钢筋直径、锚固长度对带锚固板钢筋机械锚固性能的影响。试验结果表明:带扇叶型锚固板钢筋可避开抗剪栓钉,具有施工方便的优点,同时拥有良好的锚固性能;当钢筋锚固长度为5d~7d时,发生混凝土劈裂破坏,当锚固长度为8d~12d时,发生钢筋拉断破坏,且钢筋的锚固系数大于1.25,具有良好的锚固性能;带扇叶形锚固板钢筋极限粘结强度随钢筋直径、钢筋锚固长度增大而减小,建议钢筋的锚固长度取为8d;提出了适用于带扇叶形锚固板钢筋极限粘结强度的计算公式,能较准确地反映扇叶形锚固板对混凝土产生的挤压和劈裂作用。 展开更多
关键词 扇叶型锚固板 中心拔出试验 机械锚固性能 极限粘结强度 型钢混凝土节点
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空调室外机风道性能数值与试验研究
12
作者 黄愉太 《制冷与空调》 2025年第3期50-56,共7页
首先通过建立室外机风道数值模型,对内流场的叶片压力及涡量分布进行分析,得出抑制叶片泄漏涡是改善风道效率的有效方式。之后分别从3个方向对提升风道效率进行优化,并得出以下结论:叶片尾缘凹陷更为合理的划分了叶片的做功区,增强了叶... 首先通过建立室外机风道数值模型,对内流场的叶片压力及涡量分布进行分析,得出抑制叶片泄漏涡是改善风道效率的有效方式。之后分别从3个方向对提升风道效率进行优化,并得出以下结论:叶片尾缘凹陷更为合理的划分了叶片的做功区,增强了叶片外缘的有效做功能力;合适的翻边角对气流泄露有明显的抑制作用,不同的风道具有与之相匹配的翻边角度;导风圈包裹风叶1/3左右深度时风道整体出风效率相对最高。最后实验结果表明综合优化后的风道效率可提升约9.8%,噪声降低2.7 dB(A),风道整体性能得到显著提升。 展开更多
关键词 轴流风叶 风道性能 泄漏涡 数值模拟 室外机风道
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TFT-LCD横向线状未确认Mura分析及改善研究 被引量:13
13
作者 徐伟 彭毅雯 +1 位作者 雷有华 邱海军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期539-546,共8页
研究了产品开发过程中新出现的一种原因未知的横向线状Mura问题。通过分析和改善研究表明,Gate Fan-out区域栅极线金属交替布线设计中不同金属层线电阻差异是导致横向线状未确认Mura发生的主要原因;通过变更栅极线金属层厚度及材料,以... 研究了产品开发过程中新出现的一种原因未知的横向线状Mura问题。通过分析和改善研究表明,Gate Fan-out区域栅极线金属交替布线设计中不同金属层线电阻差异是导致横向线状未确认Mura发生的主要原因;通过变更栅极线金属层厚度及材料,以降低整体电阻和不同金属层线电阻差异可以解决此种不良现象;并通过试验论证此方法的量产可行性。 展开更多
关键词 横向线状Mura 扇形区域 栅极线金属层交替布线
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未确认Mura分析及改善对策 被引量:9
14
作者 徐伟 彭毅雯 肖光辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期612-615,共4页
未确认Mura是一种能够影响TFT-LCD画面品质的不良。文章对未确认Mura不良进行了详细的分析,认为扇形区域出现有源层残留是导致未确认Mura不良发生的原因,介绍了一种通过变更曝光工艺条件来解决此种不良的方法,并通过试验论证了此方法的... 未确认Mura是一种能够影响TFT-LCD画面品质的不良。文章对未确认Mura不良进行了详细的分析,认为扇形区域出现有源层残留是导致未确认Mura不良发生的原因,介绍了一种通过变更曝光工艺条件来解决此种不良的方法,并通过试验论证了此方法的量产可行性。 展开更多
关键词 未确认Mura 扇形区域 有源层残留 曝光工艺条件
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多端I/O系统用BiCMOS连线逻辑电路 被引量:6
15
作者 成立 高平 +2 位作者 董素玲 李彦旭 唐平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期7-10,共4页
为了满足数字通信和信息处理系统多端输入/输出(I/O)、高速、低耗的性能要求,笔者设计了几例BiCMOS连线逻辑电路,并提出了采用0.5 ?m BiCMOS工艺,制备所设计的连线逻辑电路的技术要点和元器件参数.所做实验表明了设计的连线逻辑电路既... 为了满足数字通信和信息处理系统多端输入/输出(I/O)、高速、低耗的性能要求,笔者设计了几例BiCMOS连线逻辑电路,并提出了采用0.5 ?m BiCMOS工艺,制备所设计的连线逻辑电路的技术要点和元器件参数.所做实验表明了设计的连线逻辑电路既具有双极型逻辑门电路快速、大电流驱动能力的特点,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗的长处,而且其扇入数可达3~16,扇出数可达1~18,因而它们特别适用于多端I/O高速数字通信和信息处理系统中. 展开更多
关键词 多端I/O系统 BICMOS 逻辑电路 高速数字信息处理系统 双极互补金属氧化物半导体器件 扇入数 扇出数 线与逻辑 线或逻辑 输入/输出通道
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圆片级封装的研究进展 被引量:8
16
作者 刘培生 仝良玉 +3 位作者 黄金鑫 沈海军 施建根 朱海清 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期68-72,共5页
圆片级封装(wafer level package,WLP)因其在形状因数、电性能、低成本等方面的优势,近年来发展迅速。概述了WLP技术近几年的主要发展。首先回顾标准WLP结构,并从焊球结构等方面对其进行了可靠性分析。其次介绍了扩散式WLP工艺以及它的... 圆片级封装(wafer level package,WLP)因其在形状因数、电性能、低成本等方面的优势,近年来发展迅速。概述了WLP技术近几年的主要发展。首先回顾标准WLP结构,并从焊球结构等方面对其进行了可靠性分析。其次介绍了扩散式WLP工艺以及它的典型应用,并说明了扩散式WLP存在的一些可靠性问题。最后总结了WLP技术结合硅通孔技术(TSV)在三维叠层封装中的应用。 展开更多
关键词 圆片级封装 标准WLP 综述 扩散式WLP 3D叠层封装
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BEPCII直线加速器数字延时触发器的设计与实现 被引量:2
17
作者 杨静 曹建社 +8 位作者 杜垚垚 汪林 马宇飞 张醒儿 叶强 麻惠洲 魏书军 岳军会 随艳峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期93-98,共6页
针对北京正负电子对撞机II期(BEPC II)直线加速器升级改造过程中束流位置探测器(BPM)电子学对外部触发信号的需求,设计了一台高精度延时控制、上升时间短和参数灵活调节的数字延时触发器。采用FPGA(现场可编程门阵列)作为主控制器展开设... 针对北京正负电子对撞机II期(BEPC II)直线加速器升级改造过程中束流位置探测器(BPM)电子学对外部触发信号的需求,设计了一台高精度延时控制、上升时间短和参数灵活调节的数字延时触发器。采用FPGA(现场可编程门阵列)作为主控制器展开设计,重点介绍了基于FPGA的边沿检测模块和多通道延时处理模块的设计与仿真,描述了FPGA和驱动电路的设计方案以及在直线加速器上的应用。经测试,延时可调范围4 ns^4μs,最小步进4 ns,步进误差0.125%;上升时间2 ns,延时抖动135.4 ps。 展开更多
关键词 直线加速器 现场可编程门阵列 可调延时 上升时间 多路扇出 驱动电路
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对数字电路扇出的影响和造成困难的分析 被引量:2
18
作者 梁业伟 杨志娟 +1 位作者 石茵 魏道政 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第3期311-317,共7页
提出一种在 Benchmark电路中存在的隐式扇出和描述实际组合电路中扇出的一种方法 .从 D传送、赋值和冗余、难测故障等方面 ,对扇出的影响造成的困难进行了分析 ,并叙述了其影响的范围和程度 .
关键词 扇出 数字电路 隐式扇出 测试
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我国对外投资产业选择与区位布局 被引量:10
19
作者 熊小奇 吴俊 《亚太经济》 CSSCI 北大核心 2010年第4期99-102,共4页
从国际产业技术双向转移的思路出发,结合我国产业结构的特点,我国对外投资应突出以下重点领域:开展先进制造业领域的对外投资,开展海外研发投资与科技智力合作,开展对外资源开发与合作,开展对外基础设施建设的投资合作,积极推动有比较... 从国际产业技术双向转移的思路出发,结合我国产业结构的特点,我国对外投资应突出以下重点领域:开展先进制造业领域的对外投资,开展海外研发投资与科技智力合作,开展对外资源开发与合作,开展对外基础设施建设的投资合作,积极推动有比较优势的服务业走出去。加快境外各类"合作区"建设,实现我国海外投资产业选择与区域布局的有序组合,实现我国海外投资"以点带面"的集群化有序布局。 展开更多
关键词 边际产业 以点带面 境外合作区
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二维衍射光栅在彩虹全息中的应用 被引量:1
20
作者 王取泉 赵同云 +2 位作者 熊贵光 周正国 田德诚 《光学技术》 CAS CSCD 1999年第1期67-69,72,共4页
提出了将正交位相光栅和扇出光栅应用于制作彩虹全息图的方法,分析了正交位相光栅产生的多重全息像的位置和强度分布,给出制作扇出光栅的一种实用方法,并给出了实验结果。
关键词 扇出光栅 全息术 二维衍射光栅 彩虹全息
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