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A NEW EPR DEFECT IN NEUTRON-IRRADIATED FZ-SILICON AND HYDROGEN PASSIVATION EFFECT
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作者 吴书祥 晏懋洵 +2 位作者 许惠英 毛晋昌 吴恩 《Science China Mathematics》 SCIE 1988年第1期98-104,共7页
A new EPR center having C2v symmetry and S=1, labeled as Si-PK3, has been observed for the first time in neutron-irradiated FZ-silicon. The spectra start to appear after 150℃ annealing and disappear at 500℃. The pri... A new EPR center having C2v symmetry and S=1, labeled as Si-PK3, has been observed for the first time in neutron-irradiated FZ-silicon. The spectra start to appear after 150℃ annealing and disappear at 500℃. The principal values of tensor g and D are determined. The microscopic model is proposed to be a trivacancy chain along the 〈110〉-direction with an oxygen atom situated in the middle. The annealing temperature of si-PK3 in hydrogencontaining samples is at least by 150℃ lower than that of other samples. 展开更多
关键词 EPR A NEW EPR DEFECT IN NEUTRON-IRRADIATED fz-silicon AND HYDROGEN PASSIVATION EFFECT
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旋转工艺对高阻区熔硅单晶研制的影响 被引量:1
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作者 庞炳远 闫萍 刘洪 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第9期630-633,共4页
采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长。真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率。单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,... 采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长。真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率。单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,并通过计算得到了杂质在单晶径向上的分布规律。分析认为正反转旋转工艺可以精确地控制杂质在单晶径向上的分布情况,进而确保了单晶径向上的磷杂质含量略大于硼杂质含量。最终,通过采用正反转旋转工艺,成功研制了电阻率为8 000Ω·cm以上的n型高均匀性区熔硅单晶。 展开更多
关键词 旋转工艺 区熔(FZ) 硅单晶 高阻 高均匀性
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线圈台阶对区熔硅单晶生长影响的数值计算分析
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作者 庞炳远 闫萍 +1 位作者 索开南 张殿朝 《中国电子科学研究院学报》 2009年第2期144-147,共4页
悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟,考虑二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,主要对比... 悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟,考虑二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,主要对比分析了线圈上方有无台阶对单晶生长的不同影响。同时结合相应的试验结果及现象,得到了线圈台阶的引入提高了晶体成晶的质量。 展开更多
关键词 区熔硅单晶 数值模拟 线圈台阶
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真空提纯对n型高阻区熔硅单晶研制的影响 被引量:1
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作者 庞炳远 闫萍 刘洪 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第10期676-680,共5页
采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长。通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律。之后,通过计算得到了原料中主要... 采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长。通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律。之后,通过计算得到了原料中主要杂质磷杂质在每次真空提纯后的去除量,并讨论了磷杂质去除量对材料导电类型的影响。分析认为真空提纯工艺具有较高的提纯效率,通过真空提纯工艺可大幅提高材料的纯度和电阻率。提出要研制n型高纯高阻硅单晶,还需通过真空提纯工艺精确地控制硼、磷杂质的相对含量,并充分考虑杂质在径向上的分布规律。 展开更多
关键词 真空提纯 N型 高阻 硅单晶 区熔(FZ)
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硅中微量硼元素的区熔掺杂
5
作者 闫萍 庞炳远 索开南 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期60-63,共4页
以高纯B2O2的水溶液为掺杂剂,采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式,实现了硅材料的微量硼掺杂,研制出了导电类型为P型、电阻率为3000~5000Ω·cm的区熔用硅多晶。实验表明,区熔掺杂完成后附加的一次真空区熔过... 以高纯B2O2的水溶液为掺杂剂,采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式,实现了硅材料的微量硼掺杂,研制出了导电类型为P型、电阻率为3000~5000Ω·cm的区熔用硅多晶。实验表明,区熔掺杂完成后附加的一次真空区熔过程,使杂质在多晶硅中的分布变得更加均匀。在确定的工艺条件下,由于掺杂前及掺杂后多晶硅轴向电阻率的一致性、实验用多晶硅样本的大小、所需掺杂剂剂量的多少等因素均会影响掺杂的准确性,因此需要在相同条件下进行多次实验,通过积累大量的实验数据以实现准确掺杂。 展开更多
关键词 区熔(FZ) 掺硼 高电阻率 高纯度
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线圈台阶数量对悬浮区熔炉内电磁场和热场的影响 被引量:2
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作者 郑万超 李聪 +2 位作者 冯旭 张伟才 王东兴 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期468-474,共7页
为了提高悬浮区熔(FZ)法的成晶率和增加FZ法生长硅单晶的直径,使用模拟计算软件对FZ硅单晶生长过程进行了深入研究。通过Comsol Multiphysics软件模拟了FZ炉内的电磁场和热场,分析了加热线圈台阶数量对电磁场和热场的影响。随着加热线... 为了提高悬浮区熔(FZ)法的成晶率和增加FZ法生长硅单晶的直径,使用模拟计算软件对FZ硅单晶生长过程进行了深入研究。通过Comsol Multiphysics软件模拟了FZ炉内的电磁场和热场,分析了加热线圈台阶数量对电磁场和热场的影响。随着加热线圈台阶数量的增加,台阶处磁场强度降低,熔化的多晶硅表面远离中心位置附近的电磁能量和面电流密度增加,在主狭缝前缝尖端和后缝末端正下方的自由熔化表面的电磁能量、面电流密度和温度降低。因此,加热线圈台阶数量的增加可以使多晶硅表面熔化更加均匀并有效抑制液态硅从主狭缝下方边缘处溢出,提高FZ硅单晶生长的稳定性。 展开更多
关键词 悬浮区熔(FZ)硅 加热线圈 电磁场 热场 Comsol Multiphysics
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Φ105mm区熔硅单晶的生长工艺研究 被引量:3
7
作者 郭立洲 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期513-516,共4页
介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10
关键词 FZ硅单晶 加热线圈 夹持装置 生长工艺
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我国半导体硅材料的发展现状 被引量:6
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作者 蒋荣华 肖顺珍 《半导体情报》 2001年第6期31-35,共5页
叙述了我国半导体硅材料的发展现状及与国外相比存在的差距 。
关键词 半导体硅 多晶硅 单晶硅 半导体材料
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悬浮区熔炉线圈后狭缝倾角对电磁场的影响
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作者 郑万超 李聪 +1 位作者 冯旭 李明佳 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期262-267,共6页
为提高悬浮区熔(FZ)法的成品率,使用模拟计算软件研究了FZ硅单晶的生长过程。通过Comsol Multiphysics软件模拟了FZ炉线圈产生的电磁场,分析了线圈后狭缝倾角对电磁场的影响。随着线圈后狭缝倾角的增加,线圈台阶处和线圈底面坡面处的后... 为提高悬浮区熔(FZ)法的成品率,使用模拟计算软件研究了FZ硅单晶的生长过程。通过Comsol Multiphysics软件模拟了FZ炉线圈产生的电磁场,分析了线圈后狭缝倾角对电磁场的影响。随着线圈后狭缝倾角的增加,线圈台阶处和线圈底面坡面处的后狭缝位置向后狭缝倾斜方向偏移,导致后狭缝下方的磁场强度减弱,熔化的多晶硅表面和熔体自由表面的电磁能量等值线向后狭缝偏转方向偏移。结合熔化的多晶硅表面和熔体自由表面的电磁能量、电磁能量差与线圈后狭缝倾角的关系曲线,发现线圈后狭缝倾角为30°左右时,线圈产生的电磁场更有利于硅单晶生长。 展开更多
关键词 悬浮区熔(FZ)硅 线圈 后狭缝倾角 电磁场 熔化的多晶硅表面 熔体自由表面
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