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ECR-PECVD制备Si_3N_4薄膜沉积工艺的研究 被引量：7
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作者 陈俊芳 吴先球 +2 位作者 王德秋 丁振峰 任兆杏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第7期1309-1314,共6页
由偏心静电单探针诊断了电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积（ＥＣＲＰＥＣＶＤ）反应室内等离子体密度的空间分布规律．结果表明在轴向位置Ｚ＝５０ｃｍ处，直径１２ｃｍ范围内等离子体密度分布非常均匀．分析了等离子体密度径... 由偏心静电单探针诊断了电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积（ＥＣＲＰＥＣＶＤ）反应室内等离子体密度的空间分布规律．结果表明在轴向位置Ｚ＝５０ｃｍ处，直径１２ｃｍ范围内等离子体密度分布非常均匀．分析了等离子体密度径向均匀性对沉积速率均匀性和薄膜厚度均匀性的影响．讨论了沉积制备一定薄膜厚度的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的工艺重复性．研究了各种沉积工艺参数与Ｓｉ３Ｎ４薄膜沉积速率的相互关系． 展开更多
关键词 氮化硅 薄膜 err-pecvd 沉积工艺
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