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基于灰度自适应增强的DKDP晶体损伤检测
1
作者 余健 史晋芳 +3 位作者 邱荣 郭德成 周磊 周强 《西南科技大学学报》 CAS 2024年第1期93-101,共9页
在磷酸二氢钾(KDP)及磷酸二氘钾(DKDP)晶体损伤研究中需要对图像中损伤点进行统计,为了解决损伤图像中弱小损伤点的低对比度导致统计不准确的问题,提出一种基于局部直方图灰度自适应增强的损伤点检测方法。首先利用图像差分去除高频背景... 在磷酸二氢钾(KDP)及磷酸二氘钾(DKDP)晶体损伤研究中需要对图像中损伤点进行统计,为了解决损伤图像中弱小损伤点的低对比度导致统计不准确的问题,提出一种基于局部直方图灰度自适应增强的损伤点检测方法。首先利用图像差分去除高频背景,然后根据图像中每个像素邻域的灰度与方差和整幅图像的灰度与方差之间的差异性,筛选出待增强像素,并通过邻域最大灰度值与全局最大灰度值得出灰度调节系数,对图像进行自适应增强,最后对增强后的图像进行阈值分割及目标分离。实验结果表明该增强算法可以使弱小损伤点的信噪比得到提升,更利于检测出图像中的弱小损伤点,提高DKDP晶体损伤研究中损伤点统计的准确性。 展开更多
关键词 损伤检测 图像增强 图像分割 边界跟踪 dkdp晶体
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KDP/DKDP晶体生长的研究进展 被引量：18
2
作者 王波 房昌水 +6 位作者 王圣来 孙洵 顾庆天 许心光 李义平 刘冰 牟晓明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期247-252,共6页
采用传统降温法，KDP晶体的生长速度一般在1～2mm／d，DKDP晶体的生长速度甚至更慢，并且晶体的恢复区域较大，利用率低；而采用快速生长法，晶体的生长速度可以提高到20～50mm／d，并且晶体的恢复区域小，利用率高。本文回顾了KDP／DKD... 采用传统降温法，KDP晶体的生长速度一般在1～2mm／d，DKDP晶体的生长速度甚至更慢，并且晶体的恢复区域较大，利用率低；而采用快速生长法，晶体的生长速度可以提高到20～50mm／d，并且晶体的恢复区域小，利用率高。本文回顾了KDP／DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展，报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。 展开更多
关键词 KDP/dkdp晶体 惯性约束核聚变 溶液晶体生长 传统降温法 “点籽晶”快速生长法
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DKDP晶体快速生长条件的研究 被引量：10
3
作者 张克从 宋有庭 +1 位作者 常新安 王希敏 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1997年第1期110-118,共9页
研究了ＤＫＤＰ溶液的性质，测定了四方相与单斜相各自溶解度曲线及溶液中两相平衡相变点温度，测定了四方相与单斜相的稳定区．同时，系统地研究了溶液稳定性、溶液ｐＤ值、温度、焦磷酸根等因素对ＤＫＤＰ晶体生长的影响，快速地生长... 研究了ＤＫＤＰ溶液的性质，测定了四方相与单斜相各自溶解度曲线及溶液中两相平衡相变点温度，测定了四方相与单斜相的稳定区．同时，系统地研究了溶液稳定性、溶液ｐＤ值、温度、焦磷酸根等因素对ＤＫＤＰ晶体生长的影响，快速地生长出ＤＫＤＰ晶体．晶体消光比的测定结果表明，快速生长的ＤＭＰ晶体的光学均匀性并未降低． 展开更多
关键词 dkdp晶体 生长条件 快速生长 晶体生长
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不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究 被引量：4
4
作者 王波 房昌水 +3 位作者 孙洵 王圣来 顾庆天 李毅平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1047-1052,共6页
过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素．本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75％的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试．研究了不同过饱和度下DKDP晶体的... 过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素．本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75％的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试．研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷．实验证明,DKDP晶体可以在<4℃的过饱和度下实现快速生长,但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加． 展开更多
关键词 dkdp晶体 过饱和度 晶体生长 缺陷
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DKDP晶体亚稳相生长研究 被引量：5
5
作者 常新安 王希敏 +2 位作者 肖卫强 臧和贵 张克从 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期48-53,共6页
本文通过大量ＤＫＤＰ晶体亚稳相生长实验，对影响ＤＫＤＰ亚稳相生长体系稳定性、晶体生长速率和质量的因素进行了研究，并简要探讨了其影响机理，提出了消除或减弱不利影响的措施，为生长优质大尺寸ＤＫＤＰ晶体提供了依据。
关键词 非线性光学晶体 dkdp晶体 亚稳相生长 晶体生长
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DKDP晶体快速生长的研究 被引量：3
6
作者 潘建国 曾金波 +3 位作者 林秀钦 魏兆敏 林羽 林敢 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期624-627,619,共5页
本文研究了DKDP晶体溶液中的有害杂质、过热方式和溶液稳定性的关系。根据DKDP晶体快速生长的特点,设计了新的晶体生长装置。并利用新的生长装置进行了DKDP晶体的快速生长,生长出60mm×60mm×60mm的高光学质量的DKDP晶体。测量... 本文研究了DKDP晶体溶液中的有害杂质、过热方式和溶液稳定性的关系。根据DKDP晶体快速生长的特点,设计了新的晶体生长装置。并利用新的生长装置进行了DKDP晶体的快速生长,生长出60mm×60mm×60mm的高光学质量的DKDP晶体。测量了快速生长出的DKDP晶体的透过率和光学均匀性。 展开更多
关键词 dkdp晶体 稳定性 快速生长 光学均匀性
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优质DKDP晶体的点状籽晶生长及其表征研究 被引量：5
7
作者 刁立臣 常新安 臧和贵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期35-40,共6页
本文在研究DKDP溶液稳定性的基础上 ,采用Z切点状籽晶 (5mm× 5mm× 3mm)生长了多块DKDP晶体 ,在2 5 0ml和 10 0 0ml生长瓶中分别获得了在 [10 0 ]和 [0 0 1]向生长速度可达到 3mm/d和 4 5mm/d的点状籽晶生长优质DKDP晶体的生... 本文在研究DKDP溶液稳定性的基础上 ,采用Z切点状籽晶 (5mm× 5mm× 3mm)生长了多块DKDP晶体 ,在2 5 0ml和 10 0 0ml生长瓶中分别获得了在 [10 0 ]和 [0 0 1]向生长速度可达到 3mm/d和 4 5mm/d的点状籽晶生长优质DKDP晶体的生长条件。通过等离子体发射光谱 (ICP)和紫外可见光谱分析发现DKDP晶体柱面的金属离子含量比锥面高 ,柱面的紫外可见吸收比锥面大。性能测试结果表明 ,点状籽晶全方位生长的DKDP晶体的激光损伤阈值约为 5GW/cm2 、半波电压约为 4kV、动态消光比约为 16 0 0∶1。 展开更多
关键词 dkdp晶体 点状籽晶 晶体生长 表征 溶液稳定性 性能
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大尺寸KDP/DKDP晶体的非线性吸收研究 被引量：3
8
作者 王端良 李廷斌 +3 位作者 张光辉 王圣来 王继扬 丁建旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2492-2496,共5页
大口径KDP/DKDP晶体可用作激光约束核聚变（ICF）中Pockels盒和倍频器件的晶体材料。但是在强激光脉冲下,非线性光吸收限制了激光输出的能量密度和晶体的应用。本文利用Z-扫描技术,测量了大口径KDP和DKDP（70%氘含量）晶体样品在皮秒激... 大口径KDP/DKDP晶体可用作激光约束核聚变（ICF）中Pockels盒和倍频器件的晶体材料。但是在强激光脉冲下,非线性光吸收限制了激光输出的能量密度和晶体的应用。本文利用Z-扫描技术,测量了大口径KDP和DKDP（70%氘含量）晶体样品在皮秒激光波长λ=1064 nm,532 nm下的非线性吸收曲线,获得相应的非线性吸收系数β。研究表明,在λ=532 nm时,KDP晶体的非线性吸收系数β介于0.0124-0.1591 cm/GW之间,I类DKDP（70%氘含量）的非线性吸收系数β为0.0920 cm/GW;当λ=1064 nm时,KDP和DKDP（70%氘含量）都未测量到非线性吸收。晶体的非线性吸收可能与波长、晶体的切向等有关。 展开更多
关键词 Z-扫描 KDP/dkdp 非线性吸收 激光损伤
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大尺寸KDP/DKDP晶体热膨胀系数研究 被引量：3
9
作者 刘琳 王圣来 +3 位作者 刘光霞 王端良 李伟东 丁建旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1443-1447,1453,共6页
采用Perkin Elmer公司的Diamond TMA热机械分析仪对KDP/DKDP晶体在25~100℃范围内的平均线性热膨胀系数进行了研究。得到KDP/DKDP晶体x切向、z切向、Ⅰ类切向和Ⅱ类切向的平均线性热膨胀系数,分别为：KDP（2.454×10^-5/℃、4.168&#... 采用Perkin Elmer公司的Diamond TMA热机械分析仪对KDP/DKDP晶体在25~100℃范围内的平均线性热膨胀系数进行了研究。得到KDP/DKDP晶体x切向、z切向、Ⅰ类切向和Ⅱ类切向的平均线性热膨胀系数,分别为：KDP（2.454×10^-5/℃、4.168×10^-5/℃、3.465×10^-5/℃和2.884×10^-5/℃）,DKDP（2.602×10^-5/℃、4.284×10^-5/℃、3.568×10^-5/℃和3.052×10^-5/℃）。另外,实验结果表明大尺寸KDP/DKDP晶体不同部位热膨胀系数存在不均匀性。 展开更多
关键词 KDP/dkdp晶体 均匀性 热膨胀系数 热机械分析仪
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不同温度生长DKDP晶体的性质 被引量：2
10
作者 程秀凤 徐明霞 +5 位作者 刘宝安 张清华 张剑锋 王正平 孙洵 许心光 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期129-133,共5页
用点籽晶快速生长法在不同温度区间生长了四块氘含量60%DKDP晶体,观察了不同温度下晶体生长过程,同时测量了晶体的透过光谱、摇摆曲线和1053nm激光损伤阈值。结果表明,在高温区间晶体生长外形优于低温生长的晶体。不同温区晶体的透过光... 用点籽晶快速生长法在不同温度区间生长了四块氘含量60%DKDP晶体,观察了不同温度下晶体生长过程,同时测量了晶体的透过光谱、摇摆曲线和1053nm激光损伤阈值。结果表明,在高温区间晶体生长外形优于低温生长的晶体。不同温区晶体的透过光谱并无明显变化,但是随着生长温度的降低,晶体的结构完整性变差,1053nm激光损伤阈值降低。 展开更多
关键词 dkdp晶体 温度 摇摆曲线 激光损伤阈值
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生长方式对DKDP晶体质量的影响研究 被引量：2
11
作者 常新安 臧和贵 +1 位作者 陈学安 肖卫强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期185-189,193,共6页
本文进行了片状籽晶c向生长、点状籽晶全方位生长和锥头籽晶c向生长等不同方式的DKDP晶体生长研究。通过对不同生长方式分析、对比,认为锥头籽晶c向生长为最佳生长方式,以此方式在体积为10L的育晶器中顺利地生长出了c向尺寸达145mm的DKD... 本文进行了片状籽晶c向生长、点状籽晶全方位生长和锥头籽晶c向生长等不同方式的DKDP晶体生长研究。通过对不同生长方式分析、对比,认为锥头籽晶c向生长为最佳生长方式,以此方式在体积为10L的育晶器中顺利地生长出了c向尺寸达145mm的DKDP晶体。通过{100}晶面和{101}晶面面网密度和生长基元在不同晶面上成键的键能估算,结合晶体生长的Bravais法则和PBC理论对DKDP晶体生长习性进行了理论解释,同时对全方位生长晶体质量问题的成因进行了讨论。 展开更多
关键词 dkdp晶体 生长方式 晶体质量 面网密度 键能
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DKDP晶体的拉曼散射谱分析 被引量：1
12
作者 赵朋 夏海瑞 +3 位作者 凌宗成 王培吉 苏燕 张仲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期292-294,共3页
根据空间群理论分析和指认了磷酸二氘钾晶体[K(DxH1-x)2PO4,简称DKDP]的拉曼活性晶格振动模,测量了其室温拉曼光谱。结果表明DKDP晶体的晶格振动谱主要是由D2PO4-阴离子团簇的内振动引起的。与H2PO4-阴离子稀溶液的拉曼谱和NaD2(PO4)2... 根据空间群理论分析和指认了磷酸二氘钾晶体[K(DxH1-x)2PO4,简称DKDP]的拉曼活性晶格振动模,测量了其室温拉曼光谱。结果表明DKDP晶体的晶格振动谱主要是由D2PO4-阴离子团簇的内振动引起的。与H2PO4-阴离子稀溶液的拉曼谱和NaD2(PO4)2晶体的拉曼谱比较,DKDP晶体中D2PO4-阴离子的四个特征内振动模可被指认为881cm-1(ν1),357cm-1(ν2),514/541cm-1(ν3),965cm-1(ν4)。 展开更多
关键词 dkdp晶体 拉曼光谱 空间群
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355 nm和1064 nm激光辐照下DKDP晶体的表面损伤特性 被引量：1
13
作者 史晋芳 邱荣 +6 位作者 郭德成 周磊 蒋勇 周强 余健 陈元攀 谢准 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期25-32,共8页
利用Nd:YAG激光器研究了DKDP晶体元件在激光辐照下的表面损伤特性,对比研究了355 nm和1064 nm激光辐照下晶体元件的表面损伤形貌,分析了每种损伤形貌对应的前驱体和损伤机制。研究结果表明:相对于体损伤,晶体的表面损伤更加复杂,在脉宽... 利用Nd:YAG激光器研究了DKDP晶体元件在激光辐照下的表面损伤特性,对比研究了355 nm和1064 nm激光辐照下晶体元件的表面损伤形貌,分析了每种损伤形貌对应的前驱体和损伤机制。研究结果表明:相对于体损伤,晶体的表面损伤更加复杂,在脉宽约10 ns、损伤概率小于等于50%的激光能量密度辐照下,DKDP晶体的表面损伤主要有带坑底空腔损伤坑、表面损伤裂纹、平底损伤坑、表面烧蚀四种典型形貌。通过光学显微镜和扫描电子显微镜的成像和分析发现:带坑底空腔损伤坑和表面损伤裂纹的前驱体都是晶体体缺陷,平底损伤坑的前驱体则可能是表面加工裂纹、裂纹内碎屑、表层体缺陷等中的一种或多种,表面烧蚀主要由表面污染和浅表层缺陷形成。与熔石英光学元件一样,表面损伤仍然是晶体元件抗激光辐照损伤的薄弱环节。 展开更多
关键词 激光诱导表面损伤 dkdp晶体 损伤形貌 材料体缺陷 表面加工缺陷
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DKDP晶体生长溶液中多磷酸根浓度变化规律研究 被引量：1
14
作者 常新安 韩丽辉 +2 位作者 臧和贵 陈学安 肖卫强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期234-238,共5页
本文采用离子色谱法对不同合成和晶体生长阶段的DKDP溶液中多磷酸根离子含量进行了详细测定,进而总结出合成和晶体生长过程中多磷酸根离子的浓度变化规律,并从化学热力学和动力学的角度进行了分析,提出了有效降低生长溶液中多磷酸根离... 本文采用离子色谱法对不同合成和晶体生长阶段的DKDP溶液中多磷酸根离子含量进行了详细测定,进而总结出合成和晶体生长过程中多磷酸根离子的浓度变化规律,并从化学热力学和动力学的角度进行了分析,提出了有效降低生长溶液中多磷酸根离子浓度的措施,为生长高质量DKDP晶体创造了条件。 展开更多
关键词 晶体生长 dkdp溶液 多磷酸根离子 离子色谱法
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KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的斜入射测量 被引量：1
15
作者 高波 杨斌 +3 位作者 李强 姜昌录 黎高平 柴立群 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期3041-3047,共7页
考虑惯性约束聚变系统中的磷酸二氢钾/磷酸二氘钾(KDP\DKDP)的吸收系数直接影响系统的转换效率及最终输出能量,本文研究了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的测量方法。提出了新的基于朗伯定律的倍频晶体吸收系数斜入射测量法。建立了斜入射状... 考虑惯性约束聚变系统中的磷酸二氢钾/磷酸二氘钾(KDP\DKDP)的吸收系数直接影响系统的转换效率及最终输出能量,本文研究了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的测量方法。提出了新的基于朗伯定律的倍频晶体吸收系数斜入射测量法。建立了斜入射状态下入射光偏振态与晶体o光和e光的关系模型,推导了小角度入射下晶体e光折射率的迭代计算方法。采用该方法计算了晶体的e光折射率,通过测量得到的数据间接计算出了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数。详细分析了该方法在测量过程中的各项误差来源,得出该方法测量误差优于0.000 2cm^(-1)。最后,对一块40mm×40mm×60mm的开关晶体元件进行测试并与分光光度法比对以验证提出方法的可行性,结果显示两种测量方法的偏差小于0.000 2cm^(-1),表明该方法可用于惯性约束聚变系统中倍频晶体吸收系数的测量。 展开更多
关键词 磷酸二氢钾/磷酸二氘钾(KDP/dkdp)倍频晶体 吸收系数测量 斜入射 比尔朗伯原理
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(101)面籽晶生长DKDP单晶及其性质的研究 被引量：1
16
作者 林秀钦 曾金波 +2 位作者 潘建国 陈辉 蔡诗聪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期105-,共1页
本文主要介绍采用 ( 1 0 1 )面籽晶生长DKDP单晶 ,DKDP晶体具有激光破坏阈值高、转换效率高、半波电压低、透光波段宽等优良的物理性能 ,而且易生长出大尺寸的单晶 ,因此是目前高功率激光核聚变唯一可用的倍频材料。但由于其生长速度缓... 本文主要介绍采用 ( 1 0 1 )面籽晶生长DKDP单晶 ,DKDP晶体具有激光破坏阈值高、转换效率高、半波电压低、透光波段宽等优良的物理性能 ,而且易生长出大尺寸的单晶 ,因此是目前高功率激光核聚变唯一可用的倍频材料。但由于其生长速度缓慢、利用率低 ,制约了它的进一步发展。传统的生长方法Z Cut( 0 0 1 )面籽晶生长 ,在晶体生长初期需要“成锥”过程 ,浪费原材料。大多数晶体缺陷往出现在“成锥”区附近 ,影响晶体的光学质量。晶体生长方向与二、三倍频角度相差很远 ,利用率低。我们在对DKDP晶体进行长期生长研究的基础上 ,通过配制高纯度晶体生长母液、准确测定PD值、控制培养液的搅拌速度及适当的降温速率。采用独特的固定方式 ,利用 ( 1 0 1 )面籽晶直接生长DKDP大单晶。优点如下 :( 1 ) ( 1 0 1 )面籽晶生长不需要“成锥”过程 ,直接生长出透明可用的晶体 ,缩短晶体生长周期。( 2 ) ( 1 0 1 )面籽晶生长出的晶体与二、三倍频晶体材料匹配角相近。比传统 ( 0 0 1 )面生长法利用率提高 1 .5～ 2 .0倍。( 3)避开“成锥”过程 ,减少晶体内部缺陷的产生。采用上述生长工艺已研制出 70mm× 70mm× 1 30mmDKDP单晶。结果表明 :晶体的光学质量和利用率比传统生长法得到明显的提高。 展开更多
关键词 dkdp晶体 溶液晶体生长 非线性光学晶体 晶体性能
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退火处理对DKDP晶体光学均匀性的影响研究 被引量：1
17
作者 常新安 涂衡 +1 位作者 臧和贵 艾琳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期532-535,共4页
分别对不同生长速度的DKDP晶体进行了退火处理。结果表明,适当温度的退火处理能有效地提高晶体的光学均匀性,尤其是对快速生长的晶体质量提高更为显著。在实验温度范围内,退火温度越高,质量改善越明显。对退火机理进行了初步讨论。
关键词 dkdp晶体 热退火 光学均匀性
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用正电子湮没寿命谱学法研究DKDP单晶缺陷形成机理 被引量：1
18
作者 史子康 官月英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第1期77-83,共7页
本文首次用正电子湮没寿命谱学法研究 DKDP 单晶生长缺陷形成的机理,说明了正电子湮没技术是检测离子型晶体缺陷的有力手段。
关键词 dkdp晶体 正电子湮没 缺陷 非线性
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自身电光效应补偿法测量DKDP晶体感应主轴方向的应力双折射
19
作者 尹鑫 刘加民 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1989年第2期32-34,共3页
本文用DKDP晶体自身电光效应补偿的原理,测量了其感应主轴方向的应力双折射。
关键词 dkdp 晶体 光电效应 应力双折射
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四方DKDP晶体生长中的单斜相
20
作者 常新安 张克从 王希敏 《人工晶体学报》 CSCD 1991年第3期299-299,共1页
生长四方DKDP晶体遇到的主要困难是单斜相的干扰。单斜相出现的因素主要有以下几种。(1)生长温度:当DKDP溶液含氘量一定时,四方相和单斜相的转变温度即确定。在四方相亚稳区内,生长温度比转变温度越高,亚稳相晶体能量越高,越容易发生晶变。
关键词 单斜相 生长温度 亚稳相 四方dkdp晶体 晶变
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