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DCCMT与P-MIG铝合金焊接焊缝成形特点与微观组织分析 被引量:3
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作者 梁志敏 赵双双 +2 位作者 汪殿龙 王军 路浩 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第7期215-218,222,共5页
采用直流CMT(DC CMT)与脉冲MIG(P-MIG)焊接方法分别对4 mm厚铝合金进行了堆焊与对接试验,并对接头的成形及微观组织进行了分析。结果表明,在相同线能量下进行堆焊试验,DC CMT焊焊丝的比熔化量明显大于P-MIG焊,DC CMT焊对母材的热输入量... 采用直流CMT(DC CMT)与脉冲MIG(P-MIG)焊接方法分别对4 mm厚铝合金进行了堆焊与对接试验,并对接头的成形及微观组织进行了分析。结果表明,在相同线能量下进行堆焊试验,DC CMT焊焊丝的比熔化量明显大于P-MIG焊,DC CMT焊对母材的热输入量要大于P-MIG焊;在不同线能量下进行对接试验,DC CMT可以获得较P-MIG优良的接头,对装配间隙的要求低于P-MIG;观察微观组织,DC CMT焊较P-MIG焊焊缝中心晶粒细化,热影响区范围减小。分析堆焊与对接试验接头成形特点、微观组织区别,指出两种焊接方法的过渡形式及熔滴温度为其主要影响因素。 展开更多
关键词 冷金属过渡 脉冲气体保护焊 焊缝成形 微观组织
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铝合金DC CMT与P-MIG混合过渡焊特征分析 被引量:3
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作者 赵双双 梁志敏 +1 位作者 汪殿龙 王军 《焊接技术》 2015年第1期26-29,6,共4页
焊丝的熔化速率及焊缝的熔深不仅与热输入有关,而且与焊接的过渡形式及熔滴温度相关。在相同的热输入情况下,直流CMT(DC CMT)与脉冲MIG(P-MIG)以一定的比例组合实现混合过渡焊,使焊丝的熔化量、焊缝的熔深、熔宽发生变化。结果表明,DC ... 焊丝的熔化速率及焊缝的熔深不仅与热输入有关,而且与焊接的过渡形式及熔滴温度相关。在相同的热输入情况下,直流CMT(DC CMT)与脉冲MIG(P-MIG)以一定的比例组合实现混合过渡焊,使焊丝的熔化量、焊缝的熔深、熔宽发生变化。结果表明,DC CMT焊时焊丝的比熔化量最大,P-MIG焊时焊丝的比熔化量最小;DC CMT焊的熔深最大。焊接铝合金时,通过调整DC CMT与PMIG的比例,可以避免出现焊接熔合不良、烧穿及熔池下塌现象。 展开更多
关键词 冷金属过渡 脉冲气体保护焊 熔滴过渡 焊缝成形
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以单分散P(DC-TMPTA)聚合物微球为Pickering乳液稳定剂制备石蜡乳液和石蜡微球 被引量:1
3
作者 肖作旭 曹红岩 +1 位作者 姜绪宝 孔祥正 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1797-1805,共9页
以三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)和1-十二烯(DC)为单体,不使用任何乳化剂或分散稳定剂,通过沉淀聚合制备了高度单分散P(DC-TMPTA)的聚合物微球颗粒.以此聚合物微粒为Pickering稳定剂,不添加任何化学助剂,以乙醇-水混合介质在70℃下通... 以三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)和1-十二烯(DC)为单体,不使用任何乳化剂或分散稳定剂,通过沉淀聚合制备了高度单分散P(DC-TMPTA)的聚合物微球颗粒.以此聚合物微粒为Pickering稳定剂,不添加任何化学助剂,以乙醇-水混合介质在70℃下通过恒速振荡制得了单分散石蜡Pickering乳液.将该体系迅速降温至石蜡熔点之下,制得了窄分布的固体石蜡微球.研究了连续相水含量、振荡频率及稳定粒子尺寸对Pickering乳液及石蜡微球的影响,优化了石蜡乳液和微球的制备条件.利用扫描电子显微镜对石蜡微球的表面和内部形貌进行了表征,结果表明P(DC-TMPTA)微球全部聚集在石蜡液滴和固化后的石蜡微球表面.基于石蜡微球和聚合物稳定粒子的尺寸,计算了不同条件下石蜡微球表面聚合物粒子的数量.通过聚合物粒子在石蜡-乙醇和水混合溶液界面的三相接触角以及石蜡-乙醇和水混合溶液界面张力的测定,计算了聚合物粒子在石蜡-乙醇和水混合溶液界面吸附能,为解释该体系Pickering乳液的稳定性提供了理论支持. 展开更多
关键词 沉淀聚合 聚合物微球 pickering乳液 石蜡微球
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Dynamical Analysis of DC Shunt Motor Powered by PV Generator Using Perturbation and Observation as MPPT Technique
4
作者 Tha’er Omar Sweidan 《Energy and Power Engineering》 2017年第1期55-69,共15页
This paper presents the perturbation and observation (P & O) algorithm as maximum power point tracking (MPPT) method for the dynamical analysis of DC shunt motor fed by photovoltaic generator at different solar ir... This paper presents the perturbation and observation (P & O) algorithm as maximum power point tracking (MPPT) method for the dynamical analysis of DC shunt motor fed by photovoltaic generator at different solar irradiance levels. At each solar intensity, the maximum power point of current/voltage (I/V) characteristic of the PV generator is achieved by perturbation and observation algorithm. The nonlinear behavior of (I/V) characteristics of the PV generator at various solar intensities and the magnetization curve of the ferromagnetic material of the DC shunt motor are described by high order polynomial mathematical expression. The dynamical analysis of the DC shunt motor fed by PV generator at different solar intensity has been carried out, also the dynamical analysis of DC shunt motor is investigated at a step change in solar intensity levels with fixed load at motor. 展开更多
关键词 dc SHUNT Motor MppT p & O pV GENERATOR DYNAMICAL Analysis
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射干提取液对铜绿假单胞菌PA11株R质粒体内外消除作用 被引量:16
5
作者 于军 于红 +1 位作者 肖洋 吴春凤 《吉林大学学报(医学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期170-171,共2页
目的 :以射干提取液为质粒消除剂 ,对铜绿脓假单胞菌 PA1 1株 R质粒进行体内外消除试验 ,使消除子恢复对抗生素的敏感性。方法 :取射干水煎剂对 PA1 1株进行最小抑菌浓度 ( MIC)试验 ,统计 MIC50 和 MIC90 。结果 :射干水煎剂对 PA1 1株... 目的 :以射干提取液为质粒消除剂 ,对铜绿脓假单胞菌 PA1 1株 R质粒进行体内外消除试验 ,使消除子恢复对抗生素的敏感性。方法 :取射干水煎剂对 PA1 1株进行最小抑菌浓度 ( MIC)试验 ,统计 MIC50 和 MIC90 。结果 :射干水煎剂对 PA1 1株 MIC为 31 .2 5 g· L-1,MIC50 为7.81 g·L-1,MIC90 为 1 5 .62 g· L-1。结论 展开更多
关键词 射干 假单胞菌 铜绿 R因子
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基于P-U下垂特性的虚拟直流电机控制策略 被引量:14
6
作者 支娜 丁可 +2 位作者 黄庆辉 李武华 张辉 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第6期1238-1248,共11页
直流微电网中传统P-U下垂控制由于只具备下垂特性、缺乏惯性,无法抑制直流母线电压波动,当网内功率突变时,直流母线电压瞬态特性较差,平稳性低。为抑制直流母线电压波动,提升直流母线电压动态稳定性,提出一种基于P-U下垂特性的虚拟直流... 直流微电网中传统P-U下垂控制由于只具备下垂特性、缺乏惯性,无法抑制直流母线电压波动,当网内功率突变时,直流母线电压瞬态特性较差,平稳性低。为抑制直流母线电压波动,提升直流母线电压动态稳定性,提出一种基于P-U下垂特性的虚拟直流电机(VDCM)控制策略。通过模拟直流电机机械惯性,将直流电机机电暂态响应过程与下垂控制特性进行等效,设计直流电压源变换器(VSC)P-U下垂控制环路,使直流变换器具备直流电机大惯性、高阻尼输出特性,有效地提升了母线电压动态稳定性,抑制直流母线电压波动。该文建立虚拟直流电机控制策略小信号模型,分析控制策略动作具体机理及系统稳定性,并与传统P-U下垂控制进行对比,通过仿真及实验验证了该策略的有效性。 展开更多
关键词 直流微电网p-U 下垂特性机械惯性 虚拟直流电机控制
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直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性 被引量:11
7
作者 袁国栋 叶志镇 +5 位作者 曾昱嘉 吕建国 钱庆 黄靖云 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期668-673,共6页
报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了... 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 10 2 ~ 10 3 Ω·cm ,载流子浓度为 10 15~ 10 16cm-3 ,迁移率为 0 5~ 1 32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV .而在 4 5 0℃生长的p 展开更多
关键词 Al N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射
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抗P-选择素凝集素-EGF功能域单抗对人树突状细胞成熟及功能抑制作用分析 被引量:1
8
作者 周同 孙桂芝 +5 位作者 张玉梅 赵亚鹏 吴开胤 张雁云 张冬青 陈楠 《细胞生物学杂志》 CSCD 2006年第2期201-205,共5页
在发现抗P-选择素凝集素-EGF功能域单抗(PsL-EGFmAb)对体外培养人树突状细胞(DC)成熟及功能有抑制作用基础上,进一步观察了PsL-EGFmAb对DC干预调节的作用机制。通过SCF、GM-CSF、TGF-β1、Flt-3L和TNF-α体外培养体系,从脐血CD34+造血... 在发现抗P-选择素凝集素-EGF功能域单抗(PsL-EGFmAb)对体外培养人树突状细胞(DC)成熟及功能有抑制作用基础上,进一步观察了PsL-EGFmAb对DC干预调节的作用机制。通过SCF、GM-CSF、TGF-β1、Flt-3L和TNF-α体外培养体系,从脐血CD34+造血干细胞中诱导扩增获得DC,并于成熟过程中用PsL-EGFmAb进行干预。采用流式细胞仪检测细胞表面分子表达;RT-PCR检测细胞内NF-κBp50、NF-κBp65mRNA表达;MTT比色法检测T细胞增殖反应,以及ELISA法测定IL-12p70分泌的含量。结果显示,PsL-EGFmAb对DC表面特异性C型凝集素DC-SIGN(CD209)表达有抑制作用,同时也能抑制DC细胞内NF-κBp50、NF-κBp65mRNA表达,相应抑制其黏附共刺激分子CD11c、CD83、CD80、CD86表达,以及IL-12p70分泌,此外也可抑制DC体外刺激T细胞增殖的能力。研究结果表明,PsL-EGFmAb对DC成熟及功能的抑制作用,提示与其抑制作为DC模式识别受体及功能分子DC-SIGN有关,并可能是通过影响NF-κB信号途径起作用。 展开更多
关键词 树突状细胞 分化成熟 dc-SIGN p-选择素凝集素-EGF功能域单抗 抑制作用
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基于DSP的无刷直流电机P-模糊自适应PID控制系统 被引量:5
9
作者 刘兴艳 董洋洋 《电机技术》 2011年第3期23-26,共4页
针对传统的速度、电流双闭环控制系统不能随外界变化而调整PID参数并且控制精度不高的问题,提出一种新型的P-模糊自适应PID控制方法且采用TMS320LF2407ADSP作为处理器。实验结果表明:该模糊控制系统运行平稳,具有较高的控制精度和较好... 针对传统的速度、电流双闭环控制系统不能随外界变化而调整PID参数并且控制精度不高的问题,提出一种新型的P-模糊自适应PID控制方法且采用TMS320LF2407ADSP作为处理器。实验结果表明:该模糊控制系统运行平稳,具有较高的控制精度和较好的鲁棒性,实现了P-模糊自适应PID控制系统的数字化。 展开更多
关键词 无刷直流电机 p-模糊自适应pID控制 TMS320LF2407A
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数控机床大功率DC-DC转换器设计与控制 被引量:3
10
作者 张淑艳 张长春 +1 位作者 田纪亚 王超 《机械设计与制造》 北大核心 2021年第10期169-173,178,共6页
针对数控机床行业中使用的大功率DC-DC转换器,提出一种适用于大功率应用场合的LCL型dc/dc转换器的改进设计方法。基于零无功功率和有功功率平衡条件,结合电压和电流的P-Q理论方法,设计LCL型dc/dc变换器以实现更高的电压阶跃比,并限制电... 针对数控机床行业中使用的大功率DC-DC转换器,提出一种适用于大功率应用场合的LCL型dc/dc转换器的改进设计方法。基于零无功功率和有功功率平衡条件,结合电压和电流的P-Q理论方法,设计LCL型dc/dc变换器以实现更高的电压阶跃比,并限制电容器电压。依据提出的方法设计转换器参数,并搭建仿真模型对设计方案进行验证。仿真结果显示,转换器能实现300 kV/20kV的大功率DC-DC转换,电压阶跃比高且系统稳定性较好。说明所提出设计方法可用于数控机床中大功率高阶跃比DC-DC转换器设计与控制。 展开更多
关键词 dc-dc转换器 数控机床 p-Q理论 电压阶跃比 零无功功率
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发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响 被引量:1
11
作者 石瑞英 孙海锋 +2 位作者 袁志鹏 罗明雄 汪宁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期831-835,共5页
在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 。
关键词 发射极镇流电阻 In0.49Ga0.51p/GaAs HBT 直流特性 高频特性 EEACC 1350F 2560B 2560J 2560Z
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N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性 被引量:11
12
作者 吕建国 叶志镇 +3 位作者 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期730-734,共5页
利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N A... 利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%. 展开更多
关键词 N—Al共掺ZnO薄膜 p型传导 N2O生长气氛 直流反应磁控溅射
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P型TiO_x半导体薄膜的特性研究与制备
13
作者 赵大庆 李岩 杨锋 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第3期214-217,共4页
TiO2陶瓷在射频溅射过程中表面成分发生改变,变化后的陶瓷表面具有良好的导电性,可作为靶材采用直流溅射法在玻璃基片上制备TiO2薄膜,发现当工作气体中不通O2时溅射得到的TiO2薄膜由于氧缺位呈N型导电,而当预先在玻璃衬底上沉积一层金... TiO2陶瓷在射频溅射过程中表面成分发生改变,变化后的陶瓷表面具有良好的导电性,可作为靶材采用直流溅射法在玻璃基片上制备TiO2薄膜,发现当工作气体中不通O2时溅射得到的TiO2薄膜由于氧缺位呈N型导电,而当预先在玻璃衬底上沉积一层金属Ti时TiO2薄膜的导电类型发生了转变,由N型导电转向P型导电,该文对这一现象进行了研究,并讨论了钛层厚度和真空退火条件对薄膜P型导电性质的影响。 展开更多
关键词 TiOx 薄膜 直流磁控溅射 p
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p型透明导电Cu-Al-O薄膜的直流共溅射法制备
14
作者 杨兵初 马学龙 +1 位作者 张丽 颜建堂 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期684-686,691,共4页
采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了p型透明导电Cu-Al-O薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计对样品进行了表征。结果表明,对所制备的p型透明导电Cu-Al-O薄膜经高温退火后,其结晶质量和导电... 采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了p型透明导电Cu-Al-O薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计对样品进行了表征。结果表明,对所制备的p型透明导电Cu-Al-O薄膜经高温退火后,其结晶质量和导电性能均有一定提高,薄膜在可见光区的平均透过率接近70%,禁带宽度约为3.75 eV。 展开更多
关键词 直流共溅射 p型透明导电薄膜 Cu—Al—O薄膜 高温退火
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衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文)
15
作者 王超 季振国 +2 位作者 韩玮智 席俊华 张品 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1132-1135,共4页
利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响。XRD结果显示所有... 利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响。XRD结果显示所有制备的薄膜都具有垂直于衬底的c轴择优取向,并且随着衬底温度的增加,薄膜的晶体质量得到了提高。Hall测试表明衬底温度对p型ZnO薄膜的电阻率具有较大影响,400℃下生长的p型ZnO薄膜由于具有较高的迁移率(1.32 cm2/Vs)和载流子浓度(5.58×1017cm-3),因此表现出了最小的电阻率(8.44Ω.cm)。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 p 直流反应磁控溅射
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直流磁控溅射制备PbTe薄膜
16
作者 穆武第 程海峰 +1 位作者 唐耿平 陈朝辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1329-1331,共3页
采用直流磁控溅射的方式,用PbTe靶材溅射沉积在玻璃基底上得到了PbTe薄膜,薄膜生长速率约为100nm/min,通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米的不同厚度的薄膜。PbTe薄膜是面心立方结构的纤维状生长的薄膜,溅射沉积时间对薄膜的晶... 采用直流磁控溅射的方式,用PbTe靶材溅射沉积在玻璃基底上得到了PbTe薄膜,薄膜生长速率约为100nm/min,通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米的不同厚度的薄膜。PbTe薄膜是面心立方结构的纤维状生长的薄膜,溅射沉积时间对薄膜的晶粒大小和结构有较大影响,溅射时间越长薄膜的晶粒越大,薄膜结构越致密,具有片层状结构。得到的PbTe薄膜是富Te的P型半导体薄膜,其电阻率随着薄膜厚度的增大而减小。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 pbTe薄膜 p型半导体 电阻率
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^(32)P后标记新法研究DNA-苯醌加合物的生成 被引量:3
17
作者 蒋湘宁 刘淑芬 徐晓白 《环境科学学报》 CAS CSSCI CSCD 北大核心 1992年第4期407-414,共8页
用以加P_1核酸酶提高灵敏度的^(32)P后标记新法研究了离体活细胞培养及试管反应形成的DNA-苯醌(BQ)加合物.4个被检加合物中有两个相应于苯醌与DNA上的胞嘧啶和鸟嘌呤作用形成的共价键加合物,其中较大的为首次发现的胞嘧啶-苯醌加合物.... 用以加P_1核酸酶提高灵敏度的^(32)P后标记新法研究了离体活细胞培养及试管反应形成的DNA-苯醌(BQ)加合物.4个被检加合物中有两个相应于苯醌与DNA上的胞嘧啶和鸟嘌呤作用形成的共价键加合物,其中较大的为首次发现的胞嘧啶-苯醌加合物.测得其相对标记率(RAL)试管条件为6.70×10^(-8)和8.93×10^(-9),细胞培养为8.23×10^(-9)和6.91×10^(-9),达到了在基因水平上研究DNA加合物的基本要求. 展开更多
关键词 核酸酶 磷32 DNA-BQ
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基于预测直接功率的双PWM一体化控制策略 被引量:4
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作者 王辉 徐雪刚 +1 位作者 吴轩 钟立群 《电气传动》 北大核心 2015年第9期43-46,共4页
传统双PWM变换器采用整流器和逆变器独立控制,直流侧需加入大电容来稳定负载的突变而导致的电压波动,大电容引入对系统性能、寿命、体积都有着不同程度的影响。提出一种基于预测直接功率控制(P-DPC)的PWM整流器控制策略,在双PWM独立控... 传统双PWM变换器采用整流器和逆变器独立控制,直流侧需加入大电容来稳定负载的突变而导致的电压波动,大电容引入对系统性能、寿命、体积都有着不同程度的影响。提出一种基于预测直接功率控制(P-DPC)的PWM整流器控制策略,在双PWM独立控制的同时,引入整流器和逆变器的功率信息,补偿到整流器控制回路中,实现协调控制。Matlab/Simulink仿真实验表明这种方法控制结构简单、易于实现,能在稳定直流电压的情况下大大减小直流侧电容,提高系统的动态响应性能。 展开更多
关键词 协调控制 功率补偿 pWM变换器 预测直接功率控制
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一种输出电压可变的键控DC—DC转换电路
19
作者 蒋正萍 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期204-205,共2页
介绍了一种 DC—DC门控两电压输出转换电路。该电路具有电路结构简单、设计构思新颖的特点 ,无需调试即可达到高稳定的两组 DC电压输出 ,且功率变换效率较高。另外 ,该电路的过载保护设计简单、可靠、灵敏 ,且具备自恢复性 ,特别适于开... 介绍了一种 DC—DC门控两电压输出转换电路。该电路具有电路结构简单、设计构思新颖的特点 ,无需调试即可达到高稳定的两组 DC电压输出 ,且功率变换效率较高。另外 ,该电路的过载保护设计简单、可靠、灵敏 ,且具备自恢复性 ,特别适于开发各种应用性产品。 展开更多
关键词 dc-dc转换器 键控 输出电压 过载保护
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多端柔性直流输电系统下垂控制P-V特性曲线时域分析 被引量:37
20
作者 罗永捷 李耀华 +4 位作者 王平 高范强 李子欣 赵聪 孙湛冬 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第S1期408-415,共8页
直流电压控制与功率分配是多端柔性直流输电(MTDC)系统控制的核心问题。本文首先分析了基于电压源型换流器(VSC)的MTDC系统的直流电压下垂控制策略,然后利用节点和支路等效模型及系统状态模型,分析并证明了满足系统稳定条件的下垂控制P-... 直流电压控制与功率分配是多端柔性直流输电(MTDC)系统控制的核心问题。本文首先分析了基于电压源型换流器(VSC)的MTDC系统的直流电压下垂控制策略,然后利用节点和支路等效模型及系统状态模型,分析并证明了满足系统稳定条件的下垂控制P-V特性曲线的数学约束,推导出适用于MTDC系统直流电压下垂控制策略的P-V特性曲线调节范围。在此基础上提出适应MTDC系统下垂控制的P-V特性曲线集合,以便于针对不同的系统参数和运行工况对控制策进行自适应优化。在PSIM仿真软件中搭建MMC-MTDC系统,对稳定运行、功率抬升以及换流器故障等工况进行仿真。仿真结果表明采用本文方法设定的特性曲线,系统具有良好的稳定性和动态响应特性。 展开更多
关键词 多端柔性直流输电 下垂控制 直流电压 功率平衡 p-V特性曲线
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