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Exploring photogenerated charge carrier transfer in semiconductor/metal junctions using Kelvin probe force microscopy
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作者 Chuanbiao Bie Zheng Meng +3 位作者 Bowen He Bei Cheng Gang Liu Bicheng Zhu 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第6期11-19,共9页
Semiconductor/metal junctions are widely discussed in photocatalysis.However,there is a notable scarcity of systematic studies focusing on photogenerated charge carrier transfer in such junctions.Herein,CdS/Pt,CdS/Au,... Semiconductor/metal junctions are widely discussed in photocatalysis.However,there is a notable scarcity of systematic studies focusing on photogenerated charge carrier transfer in such junctions.Herein,CdS/Pt,CdS/Au,and CdS/Ag are synthesized to serve as model systems for investigating the charge carrier transfer in semiconductor/metal junctions.Kelvin probe force microscopy is employed to visualize the transfer of photogenerated carriers in these materials.The results show that the electron transfer behavior under illumination is related to the conduction band position of CdS and the Fermi level position of the metal.Moreover,Schottky junctions hinder the transfer of photogenerated electrons from CdS to Pt and Au,whereas ohmic contacts facilitate the transfer of photogenerated electrons from CdS to Ag.This work provides novel insights into the mechanisms governing the transfer of photogenerated carriers in semiconductor/metal junctions. 展开更多
关键词 Kelvin probe force microscopy Surface potential work function contact potential difference Charge carrier transfer
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基于接触势差法的表面功函数测试装置 被引量:3
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作者 张浩 刘善鹏 +4 位作者 黄伟 委福祥 曹进 蒋雪茵 张志林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期505-509,共5页
利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成... 利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成。能在空气环境中快速测量半导体、金属、金属氧化物薄膜的表面功函数。我们运用此装置成功地对有机电致发光的阳极氧化铟锡(ITO)薄膜、p型硅片的功函数进行了测量,得到了样品经过UV-Ozone处理前后功函数随时间变化的曲线,为器件的优化提供了依据。 展开更多
关键词 功函数 接触势差 ITO 有机电致发光
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金属接触电势差问题讨论 被引量:1
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作者 孙汪典 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1989年第3期90-93,共4页
本文对目前国内电磁学关于金属接触电势差的解释提出不同的看法,指出金属接触电势差完全由两金属的脱出功决定,不存在由脱出功以外的电子密度不同这一因素而造成的所谓内接触电势差。
关键词 接触电势差 脱出功 费米能级
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导电聚合物MEH-PPV表面光电特性的研究
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作者 黄宗浩 孙海珠 +1 位作者 张文 杨继华 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2003年第4期383-385,共3页
用接触电位差(CPD)方法研究了导电聚合物MEH-PPV薄膜的光电特性.测得MEH-PPV的能隙为2 1eV,表面功函数为4 7-4 8eV,是p型导电材料.同时研究了不同铸膜溶剂对薄膜光电特性的影响.测得由不含芳环的四氢呋喃为溶剂制得的薄膜表面功函数比... 用接触电位差(CPD)方法研究了导电聚合物MEH-PPV薄膜的光电特性.测得MEH-PPV的能隙为2 1eV,表面功函数为4 7-4 8eV,是p型导电材料.同时研究了不同铸膜溶剂对薄膜光电特性的影响.测得由不含芳环的四氢呋喃为溶剂制得的薄膜表面功函数比由含芳环的氯苯为溶剂制得的薄膜低0 15eV. 展开更多
关键词 接触电位差法 CPD 导电聚合物 光电特性 四氢呋喃
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基于原子力显微镜的G/FTO双层薄膜接触特性研究
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作者 王敏 蔡文豪 +3 位作者 郁建元 王智浩 周昊哲 赵洪力 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2023年第6期2262-2272,共11页
本文采用湿法刻蚀法将单层石墨烯(G)与掺氟二氧化锡(FTO)薄膜复合在一起,采用拉曼(Raman)光谱、聚焦离子束(FIB)和透射电子显微镜(TEM)研究了G/FTO双层薄膜的结构、表面和界面形貌、元素分布等信息;采用基于原子力显微镜(AFM)的开尔文... 本文采用湿法刻蚀法将单层石墨烯(G)与掺氟二氧化锡(FTO)薄膜复合在一起,采用拉曼(Raman)光谱、聚焦离子束(FIB)和透射电子显微镜(TEM)研究了G/FTO双层薄膜的结构、表面和界面形貌、元素分布等信息;采用基于原子力显微镜(AFM)的开尔文探针力显微镜(KPFM)和导电原子力显微镜(C-AFM)研究了FTO薄膜和G/FTO双层薄膜的形貌、接触电势差(CPD)、功函数、接触势垒。结果表明,FTO薄膜和G/FTO双层薄膜的接触电势差分别为-0.474、-0.441 V,两者功函数分别为5.329、5.296 eV。与FTO薄膜相比,G/FTO双层薄膜的迁移率由21.26 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)增加到23.82 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。FTO薄膜和G/FTO双层薄膜相应的势垒高度分别(0.39±0.06) V和(0.33±0.05) V,G/FTO双层薄膜的势垒高度更小。 展开更多
关键词 石墨烯 掺氟二氧化锡 双层结构 接触特性 接触电势差 功函数 接触势垒
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WSe_(2)场效应晶体管的源漏接触特性研究
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作者 张璐 张亚东 +3 位作者 孙小婷 贾昆鹏 吴振华 殷华湘 《半导体光电》 北大核心 2021年第3期371-374,384,共5页
二硒化钨(WSe_(2))具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集成电路中成为硅(Si)的替代材料。文章采用理论与实验相结合的方式系统分析了WSe_(2)场效应晶体管中的... 二硒化钨(WSe_(2))具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集成电路中成为硅(Si)的替代材料。文章采用理论与实验相结合的方式系统分析了WSe_(2)场效应晶体管中的源漏接触特性对器件导电类型及载流子传输特性的影响,通过制备不同金属作为源漏接触电极的WSe_(2)场效应晶体管,发现金属/WSe_(2)接触的实际肖特基接触势垒高低极大地影响了晶体管的开态电流。源漏金属/WSe_(2)接触特性不仅取决于接触前理想的费米能级差,还受到界面特性,特别是费米能级钉扎效应的影响。 展开更多
关键词 二硒化钨 双极特性 金属功函数 肖特基势垒 源漏接触 费米能级钉扎
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氧分压调控氧化铜薄膜生长及其表面功函数研究
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作者 杨文宇 付红 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期117-124,共8页
本文采用反应磁控溅射法制备p型二元铜氧化物半导体薄膜,通过氧气流量调节实现Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的可控生长。所制备薄膜的形貌与结构分别利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪以及拉曼光谱进行表征。经紫外可见分光光度计测量... 本文采用反应磁控溅射法制备p型二元铜氧化物半导体薄膜,通过氧气流量调节实现Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的可控生长。所制备薄膜的形貌与结构分别利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪以及拉曼光谱进行表征。经紫外可见分光光度计测量可知,Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的带隙分别为2.89 eV、1.55 eV和2.74 eV。为进一步研究Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的表面物理性质,基于Kelvin探针力显微镜(KPFM)技术直接测量了薄膜样品与探针尖端间的接触电位差(V_(CPD)),结果表明Cu_(2)O、CuO和Cu_(4)O_(3)薄膜的表面功函数都随着温度的升高而呈现逐渐减小的趋势。 展开更多
关键词 氧化铜 磁控溅射 带隙 氧分压 表面功函数 接触电位差
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新型功函数测量系统的建立及其应用研究 被引量:3
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作者 黄伟 刘善鹏 +4 位作者 张浩 曹进 朱文清 蒋雪茵 张志林 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期454-456,466,共4页
采用接触势差法,设计并组建了功函数测量系统。该系统由信号发生单元、振动单元和检测单元组成,信号发生单元输出低频正弦信号使参比电极振动,调节振动单元偏压使检测单元输出信号为零,通过计算加载偏压和标准参比电极的偏差可得样品功... 采用接触势差法,设计并组建了功函数测量系统。该系统由信号发生单元、振动单元和检测单元组成,信号发生单元输出低频正弦信号使参比电极振动,调节振动单元偏压使检测单元输出信号为零,通过计算加载偏压和标准参比电极的偏差可得样品功函数值。用该系统测量了UV处理对ITO功函数的影响,发现ITO功函数的提高存在极限值并可改善有机电致发光器件(OLED)的性能。该系统可在空气中快速、准确测量表面功函数。 展开更多
关键词 功函数 接触势差 ITO 有机电致发光器件(OLED)
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