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CVD-ZnS胞状生长现象对材料结构与性能的影响
被引量:
3
1
作者
杨海
魏乃光
+7 位作者
杨德雨
李红卫
霍承松
黎建明
李冬旭
杨建纯
史晶晶
郭立
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019年第7期1233-1239,共7页
采用化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸ZnS晶体(CVD-ZnS),利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS材料内部的晶粒生长方向、分布方式,但对材料内部的物相、元...
采用化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸ZnS晶体(CVD-ZnS),利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS材料内部的晶粒生长方向、分布方式,但对材料内部的物相、元素分布并未造成显著影响;通过对胞状物密集区的光学均匀性检测,分别为2.71×10^-5和2.85×10^-5,均方根值分别为6.46×10^-6和4.98×10^-6,正常区域的样品光学均匀性为9.53×10^-6,均方根值为1.51×10^-6,表明胞状物的存在会降低CVD-ZnS材料的光学均匀性;采用三点弯曲法测试材料弯曲强度,四组弯曲强度数据表明CVD-ZnS正常区的弯曲强度明显高于CVD-ZnS胞状物密集区。
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关键词
cvd-zns
胞状生长
晶体结构
材料性能
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职称材料
CVD-ZnS胞状生长现象抑制方法
被引量:
4
2
作者
杨德雨
杨海
+5 位作者
李红卫
霍承松
魏乃光
黎建明
李冬旭
史晶晶
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018年第11期351-356,共6页
实验采用化学气相沉积方法制备硫化锌体材料(CVD-ZnS),并对材料中普遍出现的胞状生长现象进行了系统研究。通过微观结构表征及宏观形貌分析,发现胞状生长起始于大尺寸的晶体生长中心,其内部晶粒的生长方向发生了横向偏移,且生长速率大...
实验采用化学气相沉积方法制备硫化锌体材料(CVD-ZnS),并对材料中普遍出现的胞状生长现象进行了系统研究。通过微观结构表征及宏观形貌分析,发现胞状生长起始于大尺寸的晶体生长中心,其内部晶粒的生长方向发生了横向偏移,且生长速率大于正常晶粒,最终导致了产物表面的球状凸起,产物侧剖面表现出"倒圆锥"状生长形貌。同时,依据实验中所出现的不同胞状生长现象,探究了胞状物异常生长中心形成的主要原因。在此基础之上,设计了不同条件的沉积实验,探究了各类胞状生长现象的抑制方法,并在实际生产过程中得到了验证,从而实现了对该异常现象的有效抑制。
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关键词
cvd-zns
胞状生长
抑制方法
微观结构
原文传递
题名
CVD-ZnS胞状生长现象对材料结构与性能的影响
被引量:
3
1
作者
杨海
魏乃光
杨德雨
李红卫
霍承松
黎建明
李冬旭
杨建纯
史晶晶
郭立
机构
北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司
北京有色金属研究总院有研新材料股份有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019年第7期1233-1239,共7页
文摘
采用化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸ZnS晶体(CVD-ZnS),利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS材料内部的晶粒生长方向、分布方式,但对材料内部的物相、元素分布并未造成显著影响;通过对胞状物密集区的光学均匀性检测,分别为2.71×10^-5和2.85×10^-5,均方根值分别为6.46×10^-6和4.98×10^-6,正常区域的样品光学均匀性为9.53×10^-6,均方根值为1.51×10^-6,表明胞状物的存在会降低CVD-ZnS材料的光学均匀性;采用三点弯曲法测试材料弯曲强度,四组弯曲强度数据表明CVD-ZnS正常区的弯曲强度明显高于CVD-ZnS胞状物密集区。
关键词
cvd-zns
胞状生长
晶体结构
材料性能
Keywords
cvd-zns
cellular growth
crystal structure
material property
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
CVD-ZnS胞状生长现象抑制方法
被引量:
4
2
作者
杨德雨
杨海
李红卫
霍承松
魏乃光
黎建明
李冬旭
史晶晶
机构
北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司
北京有色金属研究总院有研新材料有限公司
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018年第11期351-356,共6页
文摘
实验采用化学气相沉积方法制备硫化锌体材料(CVD-ZnS),并对材料中普遍出现的胞状生长现象进行了系统研究。通过微观结构表征及宏观形貌分析,发现胞状生长起始于大尺寸的晶体生长中心,其内部晶粒的生长方向发生了横向偏移,且生长速率大于正常晶粒,最终导致了产物表面的球状凸起,产物侧剖面表现出"倒圆锥"状生长形貌。同时,依据实验中所出现的不同胞状生长现象,探究了胞状物异常生长中心形成的主要原因。在此基础之上,设计了不同条件的沉积实验,探究了各类胞状生长现象的抑制方法,并在实际生产过程中得到了验证,从而实现了对该异常现象的有效抑制。
关键词
cvd-zns
胞状生长
抑制方法
微观结构
Keywords
cvd-zns
nodular growth
counteracting methods
microstructure
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
CVD-ZnS胞状生长现象对材料结构与性能的影响
杨海
魏乃光
杨德雨
李红卫
霍承松
黎建明
李冬旭
杨建纯
史晶晶
郭立
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CVD-ZnS胞状生长现象抑制方法
杨德雨
杨海
李红卫
霍承松
魏乃光
黎建明
李冬旭
史晶晶
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018
4
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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