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Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响
被引量：
1
1
作者
甄聪棉
马丽
+2 位作者
张金娟
刘英
聂向富
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期1730-1734,共5页
利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CoCrTa/X(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长....
利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CoCrTa/X(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品,颗粒尺寸和表面粗糙度较小,而且磁畴明显,说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.
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关键词
cocrta
垂直磁记录
缓冲层
微结构
原文传递
题名
Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响
被引量：
1
1
作者
甄聪棉
马丽
张金娟
刘英
聂向富
机构
河北师范大学物理科学与信息工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期1730-1734,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:10274018)
河北师范大学博士基金(批准号:L2003B08)
河北省自然科学基金(批准号:A2005000143)资助的课题.~~
文摘
利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CoCrTa/X(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品,颗粒尺寸和表面粗糙度较小,而且磁畴明显,说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.
关键词
cocrta
垂直磁记录
缓冲层
微结构
Keywords
cocrta
, perpendicular magnetic recording, underlayer, microstructure
分类号
O482.5 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响
甄聪棉
马丽
张金娟
刘英
聂向富
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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