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VIGA法制备CIG合金粉研究
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作者 张学东 李拓夫 王海北 《中国资源综合利用》 2025年第8期1-6,共6页
针对铜铟镓(Cu-In-Ga,CIG)合金熔炼时易偏析的问题,在雾化介质(氩气)压强为6.5 MPa、温度为20 ℃、熔炼温度为1 200 ℃的条件下,试验以高纯金属单质Cu、In和Ga为原料,采用真空感应熔炼气雾化法(Vacuum Induction-melting Gas Atomizatio... 针对铜铟镓(Cu-In-Ga,CIG)合金熔炼时易偏析的问题,在雾化介质(氩气)压强为6.5 MPa、温度为20 ℃、熔炼温度为1 200 ℃的条件下,试验以高纯金属单质Cu、In和Ga为原料,采用真空感应熔炼气雾化法(Vacuum Induction-melting Gas Atomization,VIGA)制备高纯CIG合金粉。结果表明,CIG合金粉杂质含量不超过0.01%,球形度较好,元素分布均匀,无明显偏析现象。CIG合金粉由两部分组成,一部分是Cu-Ga合金,另一部分是In。含量较少的Cu-Ga合金呈片状均匀地分布在In的表面,Cu、In和Ga的配比(原子比)与CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_(2)中的配比偏差不超过0.03。它们可以作为制备铜铟镓硒(Cu(In_(x)Ga_(1–x))Se__(2),CIGS)薄膜太阳能电池的原材料。 展开更多
关键词 真空感应熔炼气雾化法(VIGA) 铜铟镓(cig)合金粉 铜铟镓硒(Cu(In_(x)Ga_(1–x))Se_(2) cigS)薄膜太阳能电池 制备
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从废旧CIGS太阳能电池芯片中提取金属镓
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作者 靳冉公 王为振 +3 位作者 黄海辉 李拓夫 徐晓辉 高崇 《有色金属(冶炼部分)》 北大核心 2025年第9期131-138,共8页
铟、镓均为具有高回收价值的稀有金属,对从CIGS太阳能电池芯片浸出液中分离铟镓的方法进行研究,分别采用碱性中和、多级逆流萃取方法对溶液中的铟、镓进行分离试验。发现在碱性中和分离铟镓的过程中,铟镓共沉淀会发生铟镓相互包裹,影响... 铟、镓均为具有高回收价值的稀有金属,对从CIGS太阳能电池芯片浸出液中分离铟镓的方法进行研究,分别采用碱性中和、多级逆流萃取方法对溶液中的铟、镓进行分离试验。发现在碱性中和分离铟镓的过程中,铟镓共沉淀会发生铟镓相互包裹,影响镓在碱性造液时的复溶率。在萃取的系列研究中,对10%浓度的P204萃取铟的最大饱和容量进行了测量,为7.32 g/L。绘制了P204浓度为20%条件下铟萃取的McCable-Thiele图,依图推测三级逆流萃取即可达到99%以上的铟萃取率。结果表明,分步逆流萃取可有效对溶液中的铟、镓进行分离。采用P204萃取剂,萃取剂浓度20%,相比O/A=1∶1,溶液pH=1的条件下进行三级逆流萃取,铟萃取率超过99.8%,镓基本不萃取,取得了良好的分离效果。对分离后的含镓溶液进行深度净化、电积,获得了纯度超过99%的金属镓。 展开更多
关键词 cigS电池 铟镓分离 逆流萃取 中和碱浸
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从CIGS废料中回收金属铜的研究
3
作者 靳冉公 王为振 +3 位作者 黄海辉 李拓夫 徐晓辉 高崇 《中国资源综合利用》 2025年第5期18-22,共5页
铜铟镓硒(Cu-In-Ga-Se,CIGS)薄膜太阳能电池应用广泛,其废料含有约20%的铜元素,有必要从CIGS废料中回收金属铜。废料采用硫酸熟化,使其形成可溶性硫酸盐,水溶后经过萃取、电积获得金属铜。研究表明,酸料比为2.5,采用三段焙烧可使废料有... 铜铟镓硒(Cu-In-Ga-Se,CIGS)薄膜太阳能电池应用广泛,其废料含有约20%的铜元素,有必要从CIGS废料中回收金属铜。废料采用硫酸熟化,使其形成可溶性硫酸盐,水溶后经过萃取、电积获得金属铜。研究表明,酸料比为2.5,采用三段焙烧可使废料有效熟化,铜的溶解率超过99%。液固比为15时,对熟化料进行水浸,可获得铜含量12 g/L的料液。Lix984萃取剂浓度为25%,萃取体系的有机相与水相的体积比(O/A)为2时,料液进行两级逆流萃取,萃取率超过98.5%,对反萃液进行电积,获得纯度超过99.95%的阴极铜。 展开更多
关键词 铜铟镓硒(cigS)废料 硫酸熟化 水溶浸出 萃取铜
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Efficiency improvement for post-sulfurized CIGS solar cells enabled by in situ Na doping
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作者 Zeran Gao Yuchen Xiong +7 位作者 Jiawen Wang Shanshan Tian Wanlei Dai Haoyu Xu Xinzhan Wang Chao Gao Yali Sun Wei Yu 《Journal of Energy Chemistry》 2025年第2期324-332,I0007,共10页
Despite sulfurization offers the advantage of improving the photovoltaic performance in preparing Cu(In,Ga)Se2(CIGS)absorbers,deep level defects in the absorber and poor energy level alignment on the front surface are... Despite sulfurization offers the advantage of improving the photovoltaic performance in preparing Cu(In,Ga)Se2(CIGS)absorbers,deep level defects in the absorber and poor energy level alignment on the front surface are still main obstacles limiting the improvement of power co nversion efficiency(PCE)in sulfided CIGS solar cells.Herein,an in-situ Na doping strategy is proposed,in which the tailing effect of crystal growth is used to promote the sulfurization of CIGS absorbers.It is found that the grain growth is supported by Na incorporating due to the enrichment of NaSe_(x)near the upper surface.The high soluble Na during grain growth can not only suppress intrinsic In_(Cu) donor defects in the absorber,but also tailor S distribution in bulk and the band alignment at the heterojunction,which are both beneficial for the effective electron carriers.Meanwhile,the Na aggregation near the bottom of the absorber also contributes to the crystalline quality increasing and favorable ultra-thin MoSe_(2) formation at back contact,resulting in a reduced barrier height conducive to hole transport.PCE of the champion device is as high as 16.76%with a 28%increase.This research offers new insights into synthesizing CIGS solar cells and other chalcogenide solar cells with superior cell performance when using an intense sulfurization process. 展开更多
关键词 cigS SULFURIZATION In situ doping DEFECT CBO
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All-stage targeted therapy for invasive cryptococcosis through interaction between the secretory protein Cig1 and hemin
5
作者 Liting Cheng Zhongyi Ma +9 位作者 Xinlin Yang Xue Wang Yuqiong Wang Xinlong Liu Zhongjie Tang Dingxi Jang Guojian Liao Tongbao Liu Shuang Wu Chong Li 《Asian Journal of Pharmaceutical Sciences》 2025年第4期133-146,共14页
Cryptococcosis,a serious systemic fungal infection caused by Cryptococcus neoformans(C.neoformans)and its variants,poses a significant clinical challenge due to its poor prognosis and severe health implications.The tr... Cryptococcosis,a serious systemic fungal infection caused by Cryptococcus neoformans(C.neoformans)and its variants,poses a significant clinical challenge due to its poor prognosis and severe health implications.The treatment of cryptococcal infections is complicated by several unique factors,stemming from both the pathogenic characteristics of the fungi and the biological barriers they exploit.These include the fungi’s protective capsule,their ability to reside within host macrophages—thereby evading pharmacological intervention—and their involvement in multi-organ infections such as the lung and brain,in particular their strategic positioning within the brain,protected by the blood-brain barrier(BBB).To overcome these obstacles,precise active targeting emerges as a pivotal strategy.Identifying common targets is imperative to enhance therapeutic efficacy while ensuring the druggability of delivery systems.However,research on the methodology for selecting such shared targets remains sparse.In our investigation,we have pioneered the use of secreted proteins as shared target to trace the pathogens and their infection pathways.We identified the mannoprotein Cig1,prominently expressed on the surfaces of infected macrophages,lungs,and brains,as a viable shared target.On this basis,we utilized Hemin,a ligand for Cig1,to design liposomes(Hemin Lip)tailored for addressing complex fungal infections.By leveraging the interaction with the secreted protein Cig1,Hemin Lip specifically identifies and binds to organs and macrophages harboring cryptococcal infections,thereby facilitating targeted and efficacious clearance of both intracellular and extracellular fungus.Moreover,we have extended this targeting mechanism to other nanomedicinal platforms,including albumin nanoparticles.This study proposes an innovative drug delivery model that targets extracellular secretory proteins within the infection microenvironment,offering a streamlined formulation with the potential for effective therapy against complex infections. 展开更多
关键词 Cryptococcus neoformans cig1 Blood-brain barrier Shared target HEMIN
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16.48% Efficient solution-processed CIGS solar cells with crystal growth and defects engineering enabled by Ag doping strategy
6
作者 Mengyu Xu Shaocong Yan +9 位作者 Ting Liang Jia Jia Shengjie Yuan Dongxing Kou Zhengji Zhou Wenhui Zhou Yafang Qi Yuena Meng Litao Han Sixin Wu 《Journal of Energy Chemistry》 2025年第1期59-65,共7页
Solution-processed Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS) solar cells suffer from serious carrier recombination and power conversion efficiency(PCE) loss because of the poor film properties and easy formation of defects.Herein, we pro... Solution-processed Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS) solar cells suffer from serious carrier recombination and power conversion efficiency(PCE) loss because of the poor film properties and easy formation of defects.Herein, we propose Ag&Se co-selenization strategy to enhance the crystallization and passivate harmful defects of the CIGS films. The formation of Ag-Se phase during the selenization process enables the formation of large grains and suppresses the deep level defects. It is found that Ag doping can enlarge the depletion region width, lower the Urbach energy and prolong the carrier lifetime. As a result, a champion solution-processed CIGS solar cell presents a high efficiency of 16.48% with the highly improved opencircuit voltage(VOC) of 662 m V and fill factor(FF) of 75.8%. This work provides an efficient strategy to prepare high quality solution-processed CIGS films for high-performance CIGS solar cells. 展开更多
关键词 cigS solarcells Solution-processedmethod Ag doping Crystal growth Defects engineering
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预制层结构成分对溅射后硒化制备CIGS薄膜的影响 被引量:1
7
作者 王卫兵 刘平 +3 位作者 李伟 马凤仓 刘新宽 何代华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期93-96,共4页
采用磁控溅射法制备了不同结构成分的铜铟镓(CIG)预制层,对预制层进行硒化得到铜铟镓硒(CIGS)薄膜。采用XRD、SEM及EDS研究了CIG预制层的结构成分对CIGS薄膜的组织与结构的影响。结果表明,不同结构成分的CIG预制层经过硒化后得到的CIGS... 采用磁控溅射法制备了不同结构成分的铜铟镓(CIG)预制层,对预制层进行硒化得到铜铟镓硒(CIGS)薄膜。采用XRD、SEM及EDS研究了CIG预制层的结构成分对CIGS薄膜的组织与结构的影响。结果表明,不同结构成分的CIG预制层经过硒化后得到的CIGS薄膜中各元素的成分比例差别不大;采用Ga浓度相对较高的CuGa靶制备的两层结构的CIG预制层经硒化后生成的CIGS薄膜,其(112)面择优取向比较明显,晶粒尺寸相对较大。 展开更多
关键词 cigS 磁控溅射 cig预制层
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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的研究进展 被引量:19
8
作者 王波 刘平 +3 位作者 李伟 马凤仓 刘新宽 陈小红 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第19期54-58,共5页
综述了CIGS薄膜太阳能电池近年来的研究进展。概述了CIGS薄膜的组织结构、性能特性及其之间的联系;介绍了CIGS薄膜吸收层的多种制备方法,如多元共蒸发法、溅射后硒化法、电沉积法、喷涂高温分解法等;概述了Na掺杂对CIGS电池性能的促进... 综述了CIGS薄膜太阳能电池近年来的研究进展。概述了CIGS薄膜的组织结构、性能特性及其之间的联系;介绍了CIGS薄膜吸收层的多种制备方法,如多元共蒸发法、溅射后硒化法、电沉积法、喷涂高温分解法等;概述了Na掺杂对CIGS电池性能的促进作用及其机理;总结了柔性衬底CIGS薄膜太阳能电池的研究情况;最后从理论和实验研究方面展望了CIGS薄膜太阳能电池的研究方向。 展开更多
关键词 太阳能电池 cigS Na掺杂 柔性衬底
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CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能 被引量:14
9
作者 敖建平 孙云 +4 位作者 刘琪 何青 孙国忠 刘芳芳 李凤岩 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期682-686,共5页
在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格... 在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格在乙酸胺浓度较小时,为六方晶和立方晶混合结构;乙酸胺浓度较大时,为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CAS制备的CIGS太阳电池,光电转换效率最大可达12.1%,3.5×3.6cm^3小面积组件为6.6%。立方相CAS制备的最佳电池效率达到12.17%。两种晶相结构的CAS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。 展开更多
关键词 CBD CDS薄膜 cigS太阳电池
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CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究 被引量:25
10
作者 孙云 王俊清 +7 位作者 杜兆峰 舒保健 于刚 温国忠 周祯华 孙健 李长健 张丽珠 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期192-195,共4页
采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ... 采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。 展开更多
关键词 cigS薄膜 太阳电池 转换效率 CIS
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载气对CIGS薄膜结构和表面形貌的影响 被引量:8
11
作者 韩东麟 张弓 +2 位作者 庄大明 元金石 李春雷 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期235-239,共5页
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。分别以N2和Ar为载气,采用硒蒸汽硒化法制备了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2和Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成... 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。分别以N2和Ar为载气,采用硒蒸汽硒化法制备了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2和Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,采用Ar和N2为载气时,在各个流量下所制备的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。采用Ar为载气时,当Ar流量为0.10 m3/h时,所获得的CIGS薄膜的孔隙最少,随着Ar流量的增大,薄膜孔隙增多,变得疏松。采用N2为载气时,当N2流量为0.10 m3/h、0.20 m3/h、0.30 m3/h时,所获得的CIGS薄膜孔隙较多,当N2增大到0.40 m3/h时,薄膜变得致密,所获得的CIGS的CuI、n、Ga原子含量,处于制备弱p型CIGS薄膜的理想范围。 展开更多
关键词 太阳能电池 cigS 磁控溅射 薄膜 硒化
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Na掺入制备不锈钢衬底CIGS太阳电池 被引量:8
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作者 施成营 何青 +7 位作者 赵九成 李风岩 姜一 张力 王春婧 周志强 李长健 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期771-774,共4页
以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,在沉积CIGS薄膜前沉积一定厚度的NaF预置层,使得所制备的CIGS薄膜含有适量浓度的Na,并获得了10.06%的转换效率。利用X射线衍射仪和X射线荧光光谱仪... 以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,在沉积CIGS薄膜前沉积一定厚度的NaF预置层,使得所制备的CIGS薄膜含有适量浓度的Na,并获得了10.06%的转换效率。利用X射线衍射仪和X射线荧光光谱仪分别测量了所制备薄膜的晶相和组分,利用扫描电子显微镜分析了不锈钢衬底CIGS太阳电池的断面形貌,最后分析了NaF的掺入对CIGS太阳电池的影响。 展开更多
关键词 Cu(In Ga)Se2(cigS) 柔性 NAF 太阳电池 不锈钢
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温度对PLD法制备CIGS薄膜性能的影响 被引量:5
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作者 胡居广 林晓东 +4 位作者 曹慧群 罗仲宽 李启文 张一倩 刁雄辉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1848-1851,共4页
利用脉冲激光沉积(PLD)法在40~600℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征。结果表明,薄膜都以(112)择优取向生长,在40~400℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不... 利用脉冲激光沉积(PLD)法在40~600℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征。结果表明,薄膜都以(112)择优取向生长,在40~400℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不明显;温度达到600℃时,结晶质量、晶粒尺寸及薄膜的红外透光率等显著增加。认为这主要与Ga元素的扩散受温度的影响有关,温度越高,Ga元素有足够的能量进行充分扩散,并完成晶体结构重组,同时分析了Se元素含量随温度变化的原因。 展开更多
关键词 cigS薄膜 脉冲激光沉积 温度 扩散
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CIS(CIGS)薄膜材料的研究进展 被引量:10
14
作者 杜晶晶 龙飞 +1 位作者 邹正光 李建军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期9-12,共4页
以CIS(CIGS)作为吸收层的太阳能电池因其诸多优异性能而成为最具潜力的第三代太阳能电池。首先介绍了CIS(CIGS)薄膜的性能与掺杂对电池的影响,讨论了多种薄膜沉积技术及其优缺点,重点介绍了几种低成本制备技术及其影响因素,最后阐述了CI... 以CIS(CIGS)作为吸收层的太阳能电池因其诸多优异性能而成为最具潜力的第三代太阳能电池。首先介绍了CIS(CIGS)薄膜的性能与掺杂对电池的影响,讨论了多种薄膜沉积技术及其优缺点,重点介绍了几种低成本制备技术及其影响因素,最后阐述了CIS(CIGS)薄膜电池的发展情况,并展望了CIS(CIGS)电池的发展趋势。 展开更多
关键词 CIS cigS 薄膜沉积研究进展
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硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅰ) 氩气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响 被引量:5
15
作者 韩东麟 张弓 +2 位作者 庄大明 元金石 宋军 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期426-429,共4页
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu_(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,... 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu_(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同Ar流量下制备的CIGS薄膜均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。随着Ar流量的增大,CIGS薄膜晶粒直径增大。当Ar流量为0.20 m^3/h时,薄膜的孔隙最少。当Ar流量达到0.40 m^3/h时,薄膜晶粒出现明显的柱状生长。当Ar流量为0.10、0.20和0.30 m^3/h时,所制得的CIGS薄膜的Cu、In、Ga原子含量比,处于弱p型的理想范围。 展开更多
关键词 太阳电池 cigS 磁控溅射 薄膜 硒化
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CIGS薄膜材料研究进展 被引量:10
16
作者 肖健平 何青 +1 位作者 陈亦鲜 夏明 《西南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第1期189-193,共5页
CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中... CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中更理想的溅射后硒化法. 展开更多
关键词 cigS薄膜 共蒸发三步法 溅射后硒化
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化学水浴沉积CIGS太阳电池缓冲层ZnS薄膜的研究 被引量:5
17
作者 刘琪 冒国兵 +7 位作者 敖建平 孙云 孙国忠 刘芳芳 何青 李凤岩 周志强 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期155-159,共5页
在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有... 在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有ZnS和Zn(OH)2,SEM测试表明薄膜颗粒大小相近,但不致密。随着沉积时间的增加,薄膜厚度增加,透过率减小。当前采用CBD-ZnS薄膜制备的无镉CIGS太阳电池转换效率达到8.54%。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(CBD) ZNS薄膜 cigS太阳电池
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柔性不锈钢衬底CIGS薄膜太阳电池 被引量:4
18
作者 施成营 何青 +6 位作者 张力 肖建平 敖建平 杨成晓 李微 李凤岩 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期947-950,共4页
以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用三步共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,CIGS层在Mo导电层上具有很强的附着力。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相和组分。以ZnO:Al/i-ZnO/ CdS/CIGS/Mo/Stainless steel结构为... 以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用三步共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,CIGS层在Mo导电层上具有很强的附着力。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相和组分。以ZnO:Al/i-ZnO/ CdS/CIGS/Mo/Stainless steel结构为基础得到最高转换效率为9.39%的柔性太阳电池。最后讨论了衬底粗糙度、有害杂质的扩散和不含有Na元素等不利因素对于电池性能的影响。 展开更多
关键词 Cu(In Ga)Se2(cigS) 柔性 太阳电池 不锈钢
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CIG前驱膜叠层方式对CIGS膜成分和结构的影响 被引量:4
19
作者 李秋芳 庄大明 +2 位作者 张弓 宋军 李春雷 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期42-46,共5页
采用中频交流磁控溅射方法制备了三种不同叠层方式的CuInGa(CIG)前驱膜。采用固态法硒化,获得了CIGS吸收层。采用SEM和XRD观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌。着重分析不同叠层方式的CIG前驱膜对CIGS吸收层薄膜成分、晶体结... 采用中频交流磁控溅射方法制备了三种不同叠层方式的CuInGa(CIG)前驱膜。采用固态法硒化,获得了CIGS吸收层。采用SEM和XRD观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌。着重分析不同叠层方式的CIG前驱膜对CIGS吸收层薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明,三种叠层方式的前驱膜都可以获得成分均匀、结构一致的CIGS吸收层薄膜。Ga可以有效抑制In2Se挥发相生成,保持成分的稳定性。以CuGa(top)/CuIn(bottom)形式的前驱膜有利于形成紧密晶粒排列的CIGS。 展开更多
关键词 太阳能电池 cigS 磁控溅射 前驱膜 叠层方式
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CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展 被引量:4
20
作者 张晓科 关勇辉 +1 位作者 王可 解晶莹 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期528-533,共6页
CuInSe2(CIS)/Cu(In,Ga)Se2(CIGS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及制备上的挑战,20多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注。介绍了CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料的微结构、缺陷物理模型。阐明了缺陷类... CuInSe2(CIS)/Cu(In,Ga)Se2(CIGS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及制备上的挑战,20多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注。介绍了CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料的微结构、缺陷物理模型。阐明了缺陷类型与材料电学性能的关系:Cu空位VCu是p型材料中的主要受主,Se空位VSe是n型材料中的主要施主;以及Na元素的作用:优化膜的形貌、提高膜的导电率、还能减小缺陷的浓度。综述了两种常用制备方法(蒸镀法、溅射法)的研究进展。 展开更多
关键词 光伏材料 CIS/cigS 缺陷 蒸镀法 溅射法
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