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BJT等效电路模型的发展 被引量:5
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作者 罗杰馨 陈静 +2 位作者 伍青青 肖德元 王曦 《电子器件》 CAS 2010年第3期308-316,共9页
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主... 随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主要从以下几个方面展开:模型的大信号等效电路图;归一化电荷的计算,转移电流表达式;晶体管二阶效应模型,包括基区宽度调制效应(即Early效应)、大注入效应等;大电流条件下的Kirk效应,准饱和效应等。 展开更多
关键词 等效电路模型 bjt bjt模型 HICUM模型 电荷控制理论
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基于SDG MOS表面电势理论的PNP BJT过基极电流改进模型研究
2
作者 刘帅 曹菲 +2 位作者 王祖军 邢嘉彬 秦建强 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第8期919-927,共9页
电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)效应诱使PNP双极型晶体管(Bipolar Junction Transistors,BJTs)产生界面态电荷和氧化层俘获电荷,导致基极电流异常增大。鉴于传统解析模型的局限性,本文基于对称双栅MOSFET(Symmetric Double Gate M... 电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)效应诱使PNP双极型晶体管(Bipolar Junction Transistors,BJTs)产生界面态电荷和氧化层俘获电荷,导致基极电流异常增大。鉴于传统解析模型的局限性,本文基于对称双栅MOSFET(Symmetric Double Gate MOSFET,SDG MOS)表面电势理论,通过引入缺陷复合机制,提出了一种改进的PNP BJT过基极电流解析模型,并通过数值仿真揭示了不同界面态电荷密度(1×10^(11)~3×10^(12)cm^(2))和氧化层俘获电荷密度(1×10^(11)~1×10^(12)cm^(2))下的表面电势分布特征。3CK3B型晶体管在^(60)Coγ射线下的辐照试验(总剂量50/100 krad(Si))表明:改进模型计算结果与试验值的平均相对误差低至24.5%,较传统模型预测精度提升19%。理论分析表明,该模型可准确表征TID效应下双极晶体管表面电势的分布特征与过基极电流的关联机制,为抗辐射加固设计提供理论依据。 展开更多
关键词 电离总剂量效应 双极型晶体管 过基极电流 对称双栅MOSFET 表面电势理论
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基于GaAs_BJT的差分负阻结构VCO设计
3
作者 杜鑫威 肖曼琳 +1 位作者 肖帅 张文煜 《上海工程技术大学学报》 2025年第2期223-228,共6页
基于国产三安光电0.25μm砷化镓(gallium arsenide,GaAs)异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)工艺,设计一款工作频率在3.8~4.0 GHz的低噪声LCVCO。采用双极结型晶体管构成差分负阻结构设计,并使用源极电阻偏置电... 基于国产三安光电0.25μm砷化镓(gallium arsenide,GaAs)异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)工艺,设计一款工作频率在3.8~4.0 GHz的低噪声LCVCO。采用双极结型晶体管构成差分负阻结构设计,并使用源极电阻偏置电路提供工作电流,最后通过尾电感和大电容滤波技术改善噪声系数,并在版图设计中以微带线代替电感来达到更低的噪声系数。芯片后仿结果表明,本设计中LC-VCO调频范围为3.75~4.05 GHz,振幅为1.6 V,相位噪声在1 MHz偏移处为−118.8 dBc,压控灵敏度为43 MHz/V。 展开更多
关键词 双极结型晶体管 差分负阻 尾电感
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电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析 被引量:7
4
作者 黄文韬 王吉林 +4 位作者 刘志农 陈长春 陈培毅 钱佩信 孟祥提 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期213-216,共4页
研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在... 研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在相同辐照剂量辐照后的 SiGe HBT 相比都增大很多,β 下降幅度也很大。这说明 SiGe HBT 具有比 Si BJT 更好的抗辐照性能。对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析。 展开更多
关键词 电子辐照 SiGe异质结晶体管(HBT) Si双极晶体管(bjt) 电学特性
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SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较 被引量:1
5
作者 康爱国 孟祥提 +3 位作者 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期68-71,共4页
比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下... 比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。 展开更多
关键词 SiGe HBT SI bjt γ射线辐射 直流电学特性 硅锗异质结对极晶体管 同硅双极晶体管
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开关用BJT的特性研究和PSPICE仿真 被引量:4
6
作者 李孜 张渊博 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1673-1678,1684,共7页
在Marx脉冲功率发生器中,开关是最重要的组件,其特性直接影响输出脉冲上升沿。提出一种利用BJT(Bipolar Junction Transistor)集电极与发射极间的雪崩击穿特性的新型开关器件代替传统开关的方法,可实现Marx输出上升沿小于5ns的脉冲电压... 在Marx脉冲功率发生器中,开关是最重要的组件,其特性直接影响输出脉冲上升沿。提出一种利用BJT(Bipolar Junction Transistor)集电极与发射极间的雪崩击穿特性的新型开关器件代替传统开关的方法,可实现Marx输出上升沿小于5ns的脉冲电压,可代替传统Marx发生器中的气体开关。介绍不同型号的BJT集电极与发射极间雪崩击穿特性,根据实验结果,以适合小型Marx发生器的BJT开关特性为主要依据选用合适的BJT。目前没有雪崩击穿的仿真元件,只能用PSPICE建立BJT的集电极与发射极间击穿仿真模型代替实际BJT的雪崩击穿,并以此来辅助Marx脉冲发生器的设计。 展开更多
关键词 bjt 雪崩击穿 PSPICE仿真 MARX发生器
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微波BJT器件噪声参数的抽取 被引量:2
7
作者 刘章文 古天祥 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1396-1398,共3页
对微波BJT器件的级联噪声模型 (En In)以及噪声参数的提取进行了研究 .从复相关理论出发 ,求得噪声参数Fmin,Rn 和Γopt的表达式 .根据二端口器件的本征H参数和噪声源配置 ,推出了En-In 模型的表达式方程 .将En-In 代入噪声参数的表达... 对微波BJT器件的级联噪声模型 (En In)以及噪声参数的提取进行了研究 .从复相关理论出发 ,求得噪声参数Fmin,Rn 和Γopt的表达式 .根据二端口器件的本征H参数和噪声源配置 ,推出了En-In 模型的表达式方程 .将En-In 代入噪声参数的表达式中即完成了对噪声参数的抽取 .后给出器件AT4 14 10和AT4 14 11噪声参数抽取结果 ,并与实测值进行比较 ,结果表明提取值与测量值基本上一致 . 展开更多
关键词 噪声测量 bjt En-In模型 复相关
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包含自加热效应的BJT电路的直流及瞬态模拟 被引量:1
8
作者 陈勇 杨谟华 朱德之 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期520-524,共5页
在分析BJT的G-P器件模型参数温度效应的基础上,提出了采用自洽模拟和外部控制循环,利用PSPICE对包含自加热效应的BJT电路进行直流和瞬态模拟的方法,其模拟结果与实验数据较好吻合.结果表明,直流及小信号下电路的自... 在分析BJT的G-P器件模型参数温度效应的基础上,提出了采用自洽模拟和外部控制循环,利用PSPICE对包含自加热效应的BJT电路进行直流和瞬态模拟的方法,其模拟结果与实验数据较好吻合.结果表明,直流及小信号下电路的自加热效应显著,而大信号瞬态情形由于器件的大注入引起的非线性饱和效应,使电路自加热效应引入的误差减小. 展开更多
关键词 bjt电路 自动加热效应 电路模拟 G-P模型
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BJT和MOSFET的非线性研究 被引量:3
9
作者 唐正明 周永宏 《西华师范大学学报(自然科学版)》 2009年第1期100-103,共4页
信号的放大需要放大电路工作在其近似的线性条件下才有意义.借助数学方法,对构成放大的电路的重要器件B JT和MOSFET的非线性进行了对比,并结合其各自的内部结构分析了2类器件非线性的产生和差异.目的在于为今后研制开发线性特性更好的... 信号的放大需要放大电路工作在其近似的线性条件下才有意义.借助数学方法,对构成放大的电路的重要器件B JT和MOSFET的非线性进行了对比,并结合其各自的内部结构分析了2类器件非线性的产生和差异.目的在于为今后研制开发线性特性更好的放大元件提供指导. 展开更多
关键词 bjt MOSFET TAYLOR公式 非线性
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BJT和FET的三种基本放大电路动态性能比较教学法 被引量:2
10
作者 别其璋 《重庆工商大学学报(自然科学版)》 2003年第1期88-91,共4页
探讨了将BJT和FET的三种基本放大电路放在一起进行对比教学的方法。在工程近似分析时,采用低频混合π型等效电路并忽略晶体管的rbb的情况下,这两种有源器件具有相同的低频小信号电路模型,从而导出了BJT和FET放大电路基本统一的输入电阻... 探讨了将BJT和FET的三种基本放大电路放在一起进行对比教学的方法。在工程近似分析时,采用低频混合π型等效电路并忽略晶体管的rbb的情况下,这两种有源器件具有相同的低频小信号电路模型,从而导出了BJT和FET放大电路基本统一的输入电阻、输出电阻和电压增益的表达式。简化了电路分析,提高了教学效率。 展开更多
关键词 比较教学法 bjt FET 基本放大电路 教学方法 动态性能 电子线路教学 教学改革
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BJT参数测试仪中数控微电流源研究与实现 被引量:1
11
作者 梁文海 《现代电子技术》 2008年第14期18-20,24,共4页
对BJT参数测试仪中数控微电流源进行研究与设计。系统采用Howland电流泵构成高精度V/I转换器,V/I转换器输入为数/模转换器的输出电压,微控制器通过改变输入数/模转换器的数字量实现对电流源输出电流控制。对数控微电流源的工作原理做了... 对BJT参数测试仪中数控微电流源进行研究与设计。系统采用Howland电流泵构成高精度V/I转换器,V/I转换器输入为数/模转换器的输出电压,微控制器通过改变输入数/模转换器的数字量实现对电流源输出电流控制。对数控微电流源的工作原理做了定性和定量分析,并通过实验验证设计的正确性。该数控微电流源通过双电阻反馈网络构成闭环控制系统,其输出电流精度高、稳定性好,具有良好的负载特性。 展开更多
关键词 bjt 微控制器 数控微电流源 闭环控制
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BJT放大电路工作点设计要求与整定方法 被引量:1
12
作者 元增民 卿斌 《长沙大学学报》 2011年第2期10-12,共3页
基于BJT既截止又饱和的条件确定基本共射放大电路及射极输出器临界工作点,使放大电路获得最大的不失真输出电压幅度,为被放大的交流信号创造一个最宽松的生存空间.使用所述方法可方便、快速、准确地调整工作点.
关键词 bjt放大电路 临界工作点 设计要求 整定方法
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平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析
13
作者 王伟 牛萍娟 +2 位作者 郭维廉 于欣 胡留长 《微纳电子技术》 CAS 2007年第1期6-10,共5页
采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电... 采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义。 展开更多
关键词 平面型共振隧穿二极管 离子注入 RTD/bjt串联单元 高级设计系统
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BJT放大电路失真类型及抑制失真的方法 被引量:2
14
作者 元增民 《长沙大学学报》 2012年第2期29-31,共3页
BJT放大器谐波失真分为削波失真和非线性失真,非线性失真分为非线性分流失真及非线性分压失真.工作点设置在临界位置可以避免单向削波失真.有效抑制非线性失真的因素除了负反馈之外,还有信号源内阻及多级反相放大.
关键词 bjt放大电路 临界工作点 削波失真 非线性失真 负反馈 多级反相放大
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BJT的反向导通及其在电视技术中的应用
15
作者 吴东升 冯杰 张青 《黄冈师范学院学报》 2004年第6期45-46,共2页
研究了 BJT 的反向导通问题,分析了 BJT 在反向导通情况下应用于电视机行扫描电路和黑电平箝位电路的两个实例。
关键词 bjt 导通 黑电平 行扫描电路 电视技术 电视机 箝位电路 实例
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基于Proteus的BJT的特性曲线仿真研究
16
作者 闵卫锋 冯春卫 雷娟 《杨凌职业技术学院学报》 2017年第1期4-6,共3页
BJT的特性曲线尤其是其输出特性曲线对于初学者而言较为抽象、难理解,而只有掌握了其特性曲线,才能对BJT构成的放大电路更容易的加以理解。通过Proteus软件对BJT特性曲线的仿真研究,使得该知识点形象、生动、化难为易。进一步加深了对... BJT的特性曲线尤其是其输出特性曲线对于初学者而言较为抽象、难理解,而只有掌握了其特性曲线,才能对BJT构成的放大电路更容易的加以理解。通过Proteus软件对BJT特性曲线的仿真研究,使得该知识点形象、生动、化难为易。进一步加深了对其的理解和掌握,为后续知识学习打下扎实的基础。 展开更多
关键词 PROTEUS bjt 特性曲线 电流探针 图表分析
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An SIT-BJT Operation Model for SITh in the Blocking State
17
作者 杨建红 汪再兴 李思渊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期645-649,共5页
A SIT-BJT model is proposed for static induction thyristors (SITh) operation in the blocking state. On the basis of the physical mechanism, this model is presented analytically in terms of governing equations that l... A SIT-BJT model is proposed for static induction thyristors (SITh) operation in the blocking state. On the basis of the physical mechanism, this model is presented analytically in terms of governing equations that link the electrical parameters to the structural parameters. The model is verified by numerical simulation and theoretical analysis. Based on the model, the variations of the electrical parameters such as the potential barrier, the anode junction voltage drop, and the current amplification factor are studied and discussed. 展开更多
关键词 static induction thyristor SIT-bjt model current amplification factor
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BJT体外抗肿瘤作用的实验——体外测定方法的比较
18
作者 苏颖 沈世人 +3 位作者 黄秀清 高频 张其忠 江蓬英 《福建医药杂志》 CAS 1992年第4期40-41,共2页
本文通过对抗癌新药三核过渡金属羧基配位簇合物(BJT)1~4号系列药体外抗肿瘤作用的测定,对细胞计数法、集落形成实验及台盼蓝排斥实验3种方法进行比较。一、材料和方法 (一) 肿瘤细胞株:人胃癌细胞株(SGC),人宫颈癌细胞株(Hela... 本文通过对抗癌新药三核过渡金属羧基配位簇合物(BJT)1~4号系列药体外抗肿瘤作用的测定,对细胞计数法、集落形成实验及台盼蓝排斥实验3种方法进行比较。一、材料和方法 (一) 肿瘤细胞株:人胃癌细胞株(SGC),人宫颈癌细胞株(Hela),人红白血病细胞株(K<sub>562</sub>),人肝癌细胞株(SMMC-7721)。 (二) 药物配制:BJT(1、2、3、4)由福建省物质结构研究所提供,用双蒸水配制。作为增殖抑制实验的阳性对照药物顺铂,用生理盐水配制。 (三) 展开更多
关键词 体外抗肿瘤作用 bjt 体外测定 细胞计数法 阳性对照药物 人宫颈癌细胞株 双蒸水 人胃癌细胞株 人肝癌细胞株 物质结构研究
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精确预计SiBJT微波功率器件峰值结温的方法
19
作者 张鸿欣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期646-651,共6页
三维全热程热电一体地模拟了 Si BJT微波功率器件 .热场计算包括从芯片的有源区经芯片 -粘接层 -基片 -粘接层 -底座直到固定于 70℃的安装台面的整个散热过程 .在处理热电正反馈时把有源区的 6 0个基本单元 (子胞 )当成 6 0个并联子胞... 三维全热程热电一体地模拟了 Si BJT微波功率器件 .热场计算包括从芯片的有源区经芯片 -粘接层 -基片 -粘接层 -底座直到固定于 70℃的安装台面的整个散热过程 .在处理热电正反馈时把有源区的 6 0个基本单元 (子胞 )当成 6 0个并联子胞晶体管进行建模 ,子胞模型包括子胞晶体管本身、基区横向扩展电阻、发射区横向扩展电阻 .热电一体分析除了涉及 Vbe随温度变化外 ,还有子胞发射极有效面积随子胞发射极电流上升而下降的效应 (以下称面积效应 ) .与对有源区各点直接进行分析相比 ,子胞建模不仅大大简化了计算 ,而且摸拟结果与器件结构、版图结构、工艺参数关系清楚 .模拟预计的热斑温度 (2 0 4℃ )与投片后三个样品的平均测量结果 (197℃ )在实验误差(10℃ )内一致 .模拟结果说明面积效应对抑制热电正反馈有重要作用 . 展开更多
关键词 可靠性 热模拟 双极微波功率器件 bjt 峰值结温
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一种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路 被引量:3
20
作者 肖剑波 邓林峰 +3 位作者 张渊 黄海清 王俊 沈征 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2017年第2期214-219,共6页
提出了1种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路,采用电容储能的思想设计了SiC BJT驱动电路和脉冲放电电路。脉冲放电时,整个电路与电网间由高阻隔离;采用达林顿结构实现了充电电路;驱动电路基于硅MOSFET和硅BJT 2级电路,对光耦电流进... 提出了1种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路,采用电容储能的思想设计了SiC BJT驱动电路和脉冲放电电路。脉冲放电时,整个电路与电网间由高阻隔离;采用达林顿结构实现了充电电路;驱动电路基于硅MOSFET和硅BJT 2级电路,对光耦电流进行快速功率放大。实验结果表明,SiC BJT在脉冲放电时,基极电流从0过渡到器件导通所需电流的上升时间约为6ns。所提出的驱动电路设计思想对高压双极型功率半导体器件的快速驱动开发具有启发意义。 展开更多
关键词 SIC bjt 驱动电路 脉冲功率技术
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