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AuSn钎料及AuSn/Ni焊点的组织性能研究 被引量:8
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作者 韦小凤 王檬 +2 位作者 王日初 彭超群 冯艳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期639-643,共5页
分别采用叠轧-合金化法和回流焊技术制备AuSn箔材钎料和AuSn/Ni焊点,用扫描电子显微镜及电子万能试验机研究钎焊时间对AuSn/Ni界面组织及焊点剪切性能的影响。结果表明:采用叠轧-合金化法制备的AuSn钎料的熔点和化学成分都接近Au-20Sn... 分别采用叠轧-合金化法和回流焊技术制备AuSn箔材钎料和AuSn/Ni焊点,用扫描电子显微镜及电子万能试验机研究钎焊时间对AuSn/Ni界面组织及焊点剪切性能的影响。结果表明:采用叠轧-合金化法制备的AuSn钎料的熔点和化学成分都接近Au-20Sn共晶钎料。Ni/AuSn/Ni焊点在330℃钎焊30s时形成良好的层状ζ-(Au,Ni)5Sn+δ-(Au,Ni)Sn共晶组织;钎焊60s时,AuSn/Ni界面产生薄而平直的(Ni,Au)3Sn2金属间化合物(IMC)层和针状(Ni,Au)3Sn2化合物;随着钎焊时间继续延长,(Ni,Au)3Sn2IMC层厚度明显增加,针状(Ni,Au)3Sn2化合物异常长大。同时,随着钎焊时间延长Ni/AuSn/Ni钎焊接头的剪切强度先增加后减小,钎焊90s时的剪切强度达到最高12.49MPa。 展开更多
关键词 ausn钎料 ausn Ni焊点 界面反应 金属间化合物(IMC) 剪切强度
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AuSn合金在电子封装中的应用及研究进展 被引量:22
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作者 李金龙 谈侃侃 +3 位作者 张志红 胡琼 罗俊 李双江 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期539-546,共8页
AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用。从电子封装无铅化和合金... AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用。从电子封装无铅化和合金焊料的可靠性等方面,对AuSn合金焊料的物相结构和材料性能进行了讨论,并对AuSn合金焊料在电子封装中的应用及其研究进展进行了总结和展望。 展开更多
关键词 ausn 合金焊料 电子封装
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AuSn钎料及镀层界面金属间化合物的演变 被引量:14
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作者 张威 王春青 阎勃晗 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1143-1145,共3页
对激光软钎焊下AuSn钎料与Au和Au/Ni金属化镀层界面形成的金属间化合物进行SEM及EDX分析,并讨论激光输入能量对界面金属间化合物演变规律的影响。研究结果表明:在激光加热及快速冷却条件下,Au迅速溶解到界面附近的钎料中,使得成分偏离... 对激光软钎焊下AuSn钎料与Au和Au/Ni金属化镀层界面形成的金属间化合物进行SEM及EDX分析,并讨论激光输入能量对界面金属间化合物演变规律的影响。研究结果表明:在激光加热及快速冷却条件下,Au迅速溶解到界面附近的钎料中,使得成分偏离共晶点,界面处生成稳定的Au5Sn;随着激光功率及加热时间的增加,未完全溶解的Au层变薄,Au5Sn向钎料内部长大。 展开更多
关键词 ausn钎料 激光软钎焊 金属间化合物
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AuSn20/Ni焊点的界面反应及剪切强度 被引量:7
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作者 韦小凤 王日初 +1 位作者 彭超群 冯艳 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1907-1913,共7页
采用回流焊技术制备AuSn20/Ni焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析(EDX)研究AuSn20/Ni焊点界面反应特征,探讨退火温度和时间对AuSn20/Ni焊点显微组织和剪切强度的影响。结果表明:AuSn20/Ni焊点在300℃钎焊90 s后,焊料内部产生ζ′-A... 采用回流焊技术制备AuSn20/Ni焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析(EDX)研究AuSn20/Ni焊点界面反应特征,探讨退火温度和时间对AuSn20/Ni焊点显微组织和剪切强度的影响。结果表明:AuSn20/Ni焊点在300℃钎焊90 s后,焊料内部产生ζ′-Au5Sn+δ-AuSn共晶组织和棒状(Ni,Au)3Sn2相。焊点在150℃退火时,界面反应速度较慢,金属间化合物(IMC)层厚度随着退火时间延长而缓慢增大;焊点的剪切强度随退火时间延长有较小幅度下降。在200℃退火时,AuSn20/Ni的界面反应速度较快,焊料/Ni界面形成(Au,Ni)Sn+(Ni,Au)3Sn2复合IMC层。焊点的剪切强度随退火时间延长呈较大幅度下降。从焊点力学可靠性方面考虑,AuSn20/Ni焊点不宜在200℃及以上温度长时间服役。 展开更多
关键词 ausn20 Ni焊点 界面反应 金属间化合物(IMC) 剪切强度
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AuSn20共晶合金钎料制备工艺研究进展 被引量:8
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作者 刘生发 陈晨 +3 位作者 熊杰然 熊文勇 胡哲兵 黄尚宇 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期952-956,共5页
AuSn20钎料以其优异的综合性能,广泛应用于高可靠微电子器件和光电子器件封装。但AuSn20共晶合金铸态组织的粗大和初生金属间化合物相分布的不均匀导致合金脆性较大,制备成形困难,其制备工艺是目前的研究热点。介绍了固态成形工艺、液... AuSn20钎料以其优异的综合性能,广泛应用于高可靠微电子器件和光电子器件封装。但AuSn20共晶合金铸态组织的粗大和初生金属间化合物相分布的不均匀导致合金脆性较大,制备成形困难,其制备工艺是目前的研究热点。介绍了固态成形工艺、液态成形工艺、薄膜工艺和快速凝固工艺制备AuSn20钎料的原理和特点,指出了制备工艺的发展方向。 展开更多
关键词 ausn20钎料 脆性 制备工艺 快速凝固
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AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响 被引量:1
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作者 井红旗 倪羽茜 +5 位作者 刘启坤 仲莉 孔金霞 王鑫 刘素平 马骁宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期850-854,共5页
为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响。利用MOCVD生长975nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72%的AlN过渡热... 为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响。利用MOCVD生长975nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72%的AlN过渡热沉封装器件表面颜色明显不同于组分相对较高的,空洞较多,平均波长红移约5nm,在寿命试验中过早失效,最终得出AuSn焊料中Au组分比重最好大于72%,小于80%,才能保证封装器件焊接质量,为实际生产和使用提供了指导意义。 展开更多
关键词 ausn焊料 半导体激光器 AlN过渡热沉 热阻
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AuSn/(Ni/AlSi)焊点的界面反应及剪切强度 被引量:1
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作者 王檬 朱志云 +1 位作者 韦小凤 冯艳 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期58-63,共6页
分别采用双辊甩带快速凝固技术和喷射沉积技术制备AuSn焊料和AlSi合金,研究AuSn/(Ni/AlSi)焊点的界面反应特征及固相老化退火时间对焊点组织和剪切强度的影响。研究结果表明:在300℃钎焊90 s后,AuSn/(Ni/AlSi)焊点形成细小的层状(ζ-Au5... 分别采用双辊甩带快速凝固技术和喷射沉积技术制备AuSn焊料和AlSi合金,研究AuSn/(Ni/AlSi)焊点的界面反应特征及固相老化退火时间对焊点组织和剪切强度的影响。研究结果表明:在300℃钎焊90 s后,AuSn/(Ni/AlSi)焊点形成细小的层状(ζ-Au5Sn)+(δ-AuSn)共晶组织和针状的(Ni,Au)3Sn2相。焊点在200℃固相老化退火不同时间后,共晶组织明显粗化,焊料/基体界面处形成(Au,Ni)Sn+(Ni,Au)3Sn2复合金属间化合物(IMC)层,且随退火时间延长逐渐增大。退火时间达1 000 h时,在(Ni,Au)3Sn2/Ni界面处产生(Ni,Au)3Sn相。当退火时间小于300 h时,焊点剪切强度随退火时间延长逐渐降低,断裂形式主要是发生在焊料/IMC界面的脆性断裂。退火时间继续延长剪切强度基本不变,断裂主要发生在IMC内部,而且从断裂模型沿晶断裂转变为穿晶断裂。 展开更多
关键词 ausn (Ni AlSi)焊点 固相老化退火 金属间化合物(IMC) 脆性断裂
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AuSn20焊料制备技术及发展趋势 被引量:5
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作者 孙晓亮 马光 +1 位作者 李银娥 刘啸锋 《电工材料》 CAS 2010年第3期9-11,共3页
随着电子产品小型化、无铅化的发展,对焊接材料提出了更高的要求。无铅焊料AuSn20由于具有优良的性能,在高可靠性气密封装和芯片焊接中被广泛应用。本文介绍了AuSn20焊料的性能和制备方法,指出了传统的铸造拉拔轧制法、叠层冷轧复合法... 随着电子产品小型化、无铅化的发展,对焊接材料提出了更高的要求。无铅焊料AuSn20由于具有优良的性能,在高可靠性气密封装和芯片焊接中被广泛应用。本文介绍了AuSn20焊料的性能和制备方法,指出了传统的铸造拉拔轧制法、叠层冷轧复合法及电镀沉积法的不足,提出了研究及制备AuSn20合金焊料的技术改进方案。 展开更多
关键词 无铅化 ausn20焊料 制备 技术改进
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成形工艺对AuSn20共晶钎料薄带组织与性能的影响 被引量:2
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作者 刘生发 陈柱 +5 位作者 刘俐 熊杰然 熊文勇 胡哲兵 陈晨 黄尚宇 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期712-716,共5页
采用普通凝固-轧制工艺和快速凝固-轧制工艺制备了两种AuSn20共晶合金钎料薄带,借助OM、FESEM、XRD、EPMA、EDS、DSC和MTS陶瓷试验系统,比较了其显微组织、物相组成、成分分布、熔化特性和剪切强度。结果表明,相对于普通凝固-轧制工艺,... 采用普通凝固-轧制工艺和快速凝固-轧制工艺制备了两种AuSn20共晶合金钎料薄带,借助OM、FESEM、XRD、EPMA、EDS、DSC和MTS陶瓷试验系统,比较了其显微组织、物相组成、成分分布、熔化特性和剪切强度。结果表明,相对于普通凝固-轧制工艺,快速凝固-轧制工艺制备的AuSn20共晶合金钎料薄带组织细小、成分均匀,固相线温度和液相线温度分别降低了4.9℃和7.4℃,熔化区间减小2.5℃,润湿性和剪切强度分别提高了10.96%和19.02%。 展开更多
关键词 快速凝固 ausn20钎料 显微组织 性能
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微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微观组织结构研究 被引量:5
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作者 吴娜 胡永芳 +1 位作者 严伟 李孝轩 《电子机械工程》 2016年第4期50-53,共4页
文中采用Au80Sn20共晶焊料对Ga As功率芯片与Mo Cu基板进行焊接,分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响,给出了Ga As芯片共晶焊的工艺参数控制要求,通过扫描电镜及能谱仪分析接头的显微组织、元素分布,通过X射线检测仪测... 文中采用Au80Sn20共晶焊料对Ga As功率芯片与Mo Cu基板进行焊接,分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响,给出了Ga As芯片共晶焊的工艺参数控制要求,通过扫描电镜及能谱仪分析接头的显微组织、元素分布,通过X射线检测仪测定接头的孔洞率,研究Ga As芯片背面和Mo Cu基板表面的镀层与焊料之间的相互作用以及焊缝的凝固过程。Ga As芯片背面的Au层部分溶解在Au Sn焊料中,Mo Cu基板表面的Au层完全溶解在Au Sn焊料中,焊缝与Ni层结合,焊缝由靠近两侧母材的ζ-Au5Sn金属间化合物层和中间的Au-Sn共晶组织组成。 展开更多
关键词 ausn GAAS 镀层 共晶焊接 微观组织
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老化退火中Cu/AuSn20/Ni焊点的组织演变
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作者 彭健 王日初 +2 位作者 韦小凤 刘锐 王檬 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S2期84-88,共5页
研究Cu/AuSn20/Ni焊点在120、160和200℃下老化退火时金属间化合物(IMC)层的组织形貌、生长动力学以及焊点剪切性能。结果表明:在老化退火过程中,焊点Cu/AuSn20上界面形成AuCu和Au(Cu,Sn)复合IMC层,Ni/AuSn20下界面形成(Ni,Au,Cu)3Sn2四... 研究Cu/AuSn20/Ni焊点在120、160和200℃下老化退火时金属间化合物(IMC)层的组织形貌、生长动力学以及焊点剪切性能。结果表明:在老化退火过程中,焊点Cu/AuSn20上界面形成AuCu和Au(Cu,Sn)复合IMC层,Ni/AuSn20下界面形成(Ni,Au,Cu)3Sn2四元IMC层;IMC层厚度随着退火时间延长而逐渐增大,其生长动力学分析表明AuCu层和Au(Cu,Sn)层的生长机制为体积扩散,而(Ni,Au,Cu)3Sn2层的生长机制为反应扩散;IMC层的长大速率随温度升高而增大;焊点的室温剪切强度随AuCu和Au(Cu,Sn)层厚度增大而大幅降低,剪切断裂发生在Cu/AuSn20界面。 展开更多
关键词 Cu/ausn20/Ni焊点 老化退火 生长动力学 金属间化合物(IMC) 剪切强度
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AuSn焊料预热温度对高功率半导体激光器封装质量影响的研究 被引量:3
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作者 赵梓涵 王宪涛 王海卫 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2017年第2期78-81,共4页
为提高高功率半导体激光器封装质量,对AuSn焊料预热温度进行研究。通过分析AuSn焊料共晶原理,建立四组不同预热温度的AuSn焊料封装试验。通过对比不同预热温度下封装器件的光电参数,光谱特性及SEM检测效果,对实验结果进行分析。实验结... 为提高高功率半导体激光器封装质量,对AuSn焊料预热温度进行研究。通过分析AuSn焊料共晶原理,建立四组不同预热温度的AuSn焊料封装试验。通过对比不同预热温度下封装器件的光电参数,光谱特性及SEM检测效果,对实验结果进行分析。实验结果表明AuSn焊料的预热温度对高功率半导体激光器封装质量有重要影响,并得出AuSn焊料预热温度在235℃时高功率半导体激光器的封装质量最为理想。 展开更多
关键词 ausn焊料 预热温度 半导体激光器 封装质量
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AuSn20/Au/Ni焊点剪切性能研究 被引量:1
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作者 叶惠婕 王捷 +1 位作者 吴懿平 陈卫民 《电子工艺技术》 2020年第2期63-66,70,共5页
采用3种应变率(0.3 s^-1、3 s^-1、30 s^-1)对4种AuSn20焊层厚度(3μm、6μm、9μm、12μm)的AuSn20/Au/Ni焊接接头进行了剪切实验,分析了不同应变率以及AuSn20焊层尺寸对AuSn20/Au/Ni焊接接头抗剪切性能的影响。结果表明,AuSn20/Au/Ni... 采用3种应变率(0.3 s^-1、3 s^-1、30 s^-1)对4种AuSn20焊层厚度(3μm、6μm、9μm、12μm)的AuSn20/Au/Ni焊接接头进行了剪切实验,分析了不同应变率以及AuSn20焊层尺寸对AuSn20/Au/Ni焊接接头抗剪切性能的影响。结果表明,AuSn20/Au/Ni焊接接头的剪切强度随应变率增大而增大,在3μm^12μm的AuSn20焊层厚度范围内,AuSn20/Au/Ni焊接接头的剪切强度随AuSn20焊层厚度增大而增大。 展开更多
关键词 ausn20/Au/Ni 金锡焊料 剪切强度 金属间化合物
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GaAs功率芯片AuSn20共晶焊接技术研究 被引量:2
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作者 任卫朋 刘凯 +2 位作者 罗燕 陈靖 余之光 《科技创新与应用》 2019年第25期109-110,113,共3页
针对GaAs功率芯片共晶焊接工艺中,因焊接空洞、虚焊致使芯片烧毁的问题,对AuSn20共晶焊接技术进行研究。通过自动共晶设备,对共晶温度曲线参数进行实验分析。结果表明,共晶温度曲线设置260℃、320℃的温度梯度可以保证焊料的充分融化、... 针对GaAs功率芯片共晶焊接工艺中,因焊接空洞、虚焊致使芯片烧毁的问题,对AuSn20共晶焊接技术进行研究。通过自动共晶设备,对共晶温度曲线参数进行实验分析。结果表明,共晶温度曲线设置260℃、320℃的温度梯度可以保证焊料的充分融化、浸润,共晶熔融时间控制在15-30s可以形成适量的IMC层。对优化后的共晶焊接面进行热阻分析,在满负荷条件下,功率芯片最高节温为93℃,满足小于125℃的要求,说明共晶质量良好。 展开更多
关键词 功率芯片 ausn20焊料 共晶焊接
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半导体AuSn焊料低温真空封装工艺研究 被引量:6
15
作者 李丙旺 徐春叶 《电子与封装》 2011年第2期4-8,共5页
介绍了半导体金锡(AuSn)焊料焊接封装的影响因素:焊接气氛、镀金层、焊料,在低温真空焊接封装的基础上,重点探讨了AuSn焊料真空钎焊封装的影响因素、AuSn焊料本身的组分比及其浸润性等对焊接封装的影响、AuSn焊料真空焊接封装炉温曲线... 介绍了半导体金锡(AuSn)焊料焊接封装的影响因素:焊接气氛、镀金层、焊料,在低温真空焊接封装的基础上,重点探讨了AuSn焊料真空钎焊封装的影响因素、AuSn焊料本身的组分比及其浸润性等对焊接封装的影响、AuSn焊料真空焊接封装炉温曲线设置及焊接温度和时间的正交实验、AuSn焊料真空焊接封装中真空度的影响因素、真空度对焊接质量的影响、AuSn焊料真空焊接封装中还原气体的作用及有无通入还原气体的焊接封装对比实验等,并通过真空、炉温和还原气体等方面所作的相应工艺实验,对相关工艺技术问题进行了深入研究。基于大量的AuSn焊料真空焊接封装实验及理论分析,给出了最优化工艺条件解决方案。 展开更多
关键词 ausn焊料 真空 还原气体
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Growth behavior and microstructure of intermetallics at interface of AuSn20 solder and metalized-Ni layer
16
作者 Xiao-feng WEI Xue-wei ZHU Ri-chu WANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第5期1199-1205,共7页
The AuSn20/Ni joints were prepared by the reflow soldering technology and then annealed at solid-state temperature to form diffusion couples.The interfacial reactions and the growth kinetics of the intermetallic compo... The AuSn20/Ni joints were prepared by the reflow soldering technology and then annealed at solid-state temperature to form diffusion couples.The interfacial reactions and the growth kinetics of the intermetallic compounds(IMC)at the AuSn20/Ni soldering interface were investigated by scanning electron microscopy(SEM)and electron probe microanalysis(EPMA).The results show that,the(Ni,Au)3Sn2phases are formed at the AuSn20/Ni interface after soldering at583K.The thickness l of the IMC layer monotonically increases with increasing annealing time t according to the relationship l=k(t/t0)n,where the exponent n is0.527,0.476and0.471for393,433and473K annealing,respectively.This indicates that the volume diffusion contributes to the growth of the IMC layer at the AuSn20/Ni interface at solid-sate temperature.The pre-exponential factor K0=1.23×10?7m2/s and the activation enthalpy QK=81.8kJ/mol are obtained from the results of the parabolic coefficient K by a least-squares method. 展开更多
关键词 ausn20/Ni joint interfacial reaction growth kinetics volume diffusion mechanism
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烧结温度对AuSn焊料薄膜及封装激光器性能的影响 被引量:4
17
作者 杨扬 孙素娟 +2 位作者 李沛旭 夏伟 徐现刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期840-845,共6页
采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种金属间化合物,随着烧结温度的上升,两相晶粒均明显长大,而ζ相... 采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种金属间化合物,随着烧结温度的上升,两相晶粒均明显长大,而ζ相Au5Sn趋向于形成枝晶。较低温度下烧结的焊料表面粗糙度较高,不利于激光器管芯的贴装。高温过烧焊料薄膜的导电导热性能有少许提升,对封装激光器管芯的功率没有明显影响,但焊料薄膜中残余应力较高,使激射波长有所蓝移。该结果将为Au Sn焊料的烧结参数优化和硬焊料封装激光器的性能分析提供参考和指导。 展开更多
关键词 激光器 金锡焊料 烧结 温度 金属间化合物
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AuSn20钎料与镀Au/Ni可伐合金钎焊界面显微组织研究
18
作者 钟海锋 刘平 冯斌 《浙江冶金》 2021年第3期12-15,共4页
本文将AuSn20合金钎料与镀Au/Ni的可伐合金进行钎焊,采用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)分析研究AuSn20合金钎料以及钎焊反应后的焊缝区域成分及形貌结构。研究发现,AuSn20合金钎料为两相组织,分别为δ(AuSn)相和ζ'(Au5Sn)相;当钎焊... 本文将AuSn20合金钎料与镀Au/Ni的可伐合金进行钎焊,采用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)分析研究AuSn20合金钎料以及钎焊反应后的焊缝区域成分及形貌结构。研究发现,AuSn20合金钎料为两相组织,分别为δ(AuSn)相和ζ'(Au5Sn)相;当钎焊温度为290℃,保温10s后,焊缝区域为层叠相间的δ(AuSn)和ζ'(Au5Sn)相组成的共晶组织,AuSn合金钎料与镀Au层并未反应,中间有较为明显的裂纹;当钎焊温度为310℃,保温10s后,焊缝区域除了由δ(AuSn)和ζ'(Au5Sn)相组成的共晶组织外,还出现了大块胞状的ζ'(Au5Sn)相,AuSn合金钎料与镀Au层焊接良好,未产生裂纹缺陷。 展开更多
关键词 ausn 钎焊 可伐合金
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激光器芯片烧结用AuSn薄膜焊料制造技术研究 被引量:1
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作者 刘凯 罗燕 +2 位作者 任卫鹏 王立春 彭斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期106-110,共5页
共晶成分的金锡合金焊料AuSn20,具有较高的热导率、剪切强度、抗热疲劳性和抗腐蚀性,在高功率电子器件和光电子器件封装中应用广泛.本文在AlN陶瓷基板上,通过分层电镀Au/Sn/Au三层薄膜并合金化的方法,在AlN陶瓷表面制备了一种预制AuSn2... 共晶成分的金锡合金焊料AuSn20,具有较高的热导率、剪切强度、抗热疲劳性和抗腐蚀性,在高功率电子器件和光电子器件封装中应用广泛.本文在AlN陶瓷基板上,通过分层电镀Au/Sn/Au三层薄膜并合金化的方法,在AlN陶瓷表面制备了一种预制AuSn20合金焊料的基板.分析了焊料的成分及性能,结果满足国军标GJB 548B-2005《微电子器件试验方法和程序》的剪切强度要求.用该基板封装激光二极管后达到设计功率,光功率效率为35%. 展开更多
关键词 金锡 薄膜 分层电镀 共晶 合金化 激光二极管
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化镀镍金陶瓷管壳金锡合金封帽空洞研究
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作者 王喆 王永辉 杜勿默 《微纳电子技术》 2025年第8期54-60,共7页
陶瓷管壳的化镀镍金工艺主要用于球栅阵列(BGA)焊盘等引出端的镀覆,在无法设计电镀工艺线的管壳产品中,封口区与键合区才会采用化镀镍金工艺,但化镀镍金镀层陶瓷封装密封性能的试验验证与可靠性论证并不充分。采用化镀镍金、化镀镍电镀... 陶瓷管壳的化镀镍金工艺主要用于球栅阵列(BGA)焊盘等引出端的镀覆,在无法设计电镀工艺线的管壳产品中,封口区与键合区才会采用化镀镍金工艺,但化镀镍金镀层陶瓷封装密封性能的试验验证与可靠性论证并不充分。采用化镀镍金、化镀镍电镀金、电镀镍金三种镀层结构的陶瓷管壳为研究对象,分别进行金锡合金气密性封装。通过微观组织和元素表征与X射线测试观察封口界面与断面微观形貌,系统研究了化镀镍金管壳封口空洞的分布特征与形貌特征。结果表明,化镀镍金陶瓷管壳封帽后,封口区会形成密集空洞,空洞造成的密封宽度小于设计密封宽度的25%,密集空洞产生的原因可能是由于化镀还原金层内部缺陷与杂质影响了焊料冶金反应。通过将镀覆方式由还原金改为置换金,将镀层厚度由1.3μm以上调整至0.1μm,可以消除密集空洞,使封口区空洞率由约28%降低至0。研究成果有助于提高微电子元器件陶瓷封装质量,提升金锡合金封帽工艺的可靠性。 展开更多
关键词 陶瓷封装 化镀镍金 镀层厚度 金锡焊料 封帽工艺 空洞
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