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AuGeNi/n—InP欧姆接触研究
1
作者 盛永喜 茅保华 鲍希茂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期386-391,共6页
本文对金属—n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的接触电阻进行了理论分析,研究了AuGeNi/n-InP欧姆接触的电学特性、冶金性质和组分分布,其最佳工艺条件已用于器件制造.
关键词 augeni/n-inp 欧姆接触 接触电阻
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n-InP在浓电解质溶液中的光电化学稳定性
2
作者 张国栋 陈兵 《华东冶金学院学报》 1990年第3期69-74,共6页
本文研究了支持电解质KCl浓度对n—InP光电化学稳定性的影响,指出在pH=1的饱和KCl溶液中,光照时能够形成1—2个分子层厚度的表面氧化膜,这层膜的存在能够保护电极免受光腐蚀,而不降低光生空穴的界面迁移速度。
关键词 n-inp KCL溶液 光电化学
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用复阻抗法研究光照下n-InP/溶液界面的扩散过程
3
作者 张倩文 钱道荪 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1989年第4期483-486,共4页
近年来,一些作者测定了半导体电极的复阻抗,而n-InP的复阻抗至今未见报道。本文测定了n-InP在Fe<sup>3+</sup>/Fe<sup>2+</sup>溶液中的复平面图,它在低频区为一直线,应用Randles频谱图,证明其符合混合控制机理... 近年来,一些作者测定了半导体电极的复阻抗,而n-InP的复阻抗至今未见报道。本文测定了n-InP在Fe<sup>3+</sup>/Fe<sup>2+</sup>溶液中的复平面图,它在低频区为一直线,应用Randles频谱图,证明其符合混合控制机理,研究了电极电位及光强对频谱图的影响,并用理论模型对实验结果进行了解释。理论部分n型半导体当电极电位负于平带电位时,表面为反型层,则氧化剂阴极还原过程为O+ne→R若反应完全不可逆,则电流密度J符合下列关系式: 展开更多
关键词 n-inp 半导体电极 界面扩散 复阻抗
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以n-InP为基的光电化学电池的研究
4
作者 张国栋 王大璞 +1 位作者 钱道荪 孙璧媃 《太阳能学报》 EI CAS 1983年第1期1-8,共8页
本文对以n-InP为基的再生式光电化学电池进行了多方面的探讨。研究了电极的掺杂浓度、晶面、溶液中的氧化还原对、酸碱度以及光强对电池性能的影响,还研究了电极的稳定性。研制的电池性能指标如下:n-InP[N_D=10^(16)cm^(-3),(100)面]在0... 本文对以n-InP为基的再生式光电化学电池进行了多方面的探讨。研究了电极的掺杂浓度、晶面、溶液中的氧化还原对、酸碱度以及光强对电池性能的影响,还研究了电极的稳定性。研制的电池性能指标如下:n-InP[N_D=10^(16)cm^(-3),(100)面]在0.001MFe^(2+)+0.5MFe^(3+)+3MHCl溶液中,光强为65mW/cm^2时,转换效率η=18％;n-InP[N_D=10^(18)cm^(-3),(100)面]在0.5MFe^(2+)+0.4MFe^(3+)+1.5MHCl溶液中,光强为50mW/cm^2,η=6—8％,转换效率稳定性超过90小时;n-InP[N_D=10^(18)cm^(-3),(?)面]在2MS+1.5MNa_2S+1MNaOH溶液中,光强为50mW/cm^2,短路150小时后,电极完全稳定,η=3.1％。 展开更多
关键词 n-inp CM 极化曲线 占据态 价带 光强 能带结构 太阳能电池 光电化学电池 掺杂浓度
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n型GaAs欧姆接触电极制备工艺 被引量：1
5
作者 左芬 翟章印 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第4期606-610,共5页
目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩... 目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500℃时可得到很小的比接触电阻率(10^(-6)Ω·cm^(2)),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。 展开更多
关键词 砷化镓 半导体 欧姆接触 金锗镍合金 电极材料 离子溅射 比接触电阻率
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在n—InP(100)衬底上低温液相外延生长1.55μm GaInAsP双异质结构层的研究
6
作者 邢启江 王舒民 +2 位作者 陈娓兮 章蓓 王若鹏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期324-328,332,共6页
在590℃温度下,不使用1.3μm GaInAsP 防回熔层,直接在 n-InP(100)衬底上液相外延生长出1.55μm InP/GaInAsP/InP 双异质结构外延片。对这种外延片的生长情况及其特性和 InP 衬底的热损伤情况,本文作了详细的分析和讨论。
关键词 GAINASP 异质结构 液相外延 n-inp
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Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响
7
作者 张书敬 杨瑞霞 +1 位作者 崔玉兴 杨克武 《电子器件》 CAS 2007年第5期1539-1541,共3页
研究了AuGeNi/Au金属系统中Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得... 研究了AuGeNi/Au金属系统中Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触. 展开更多
关键词 augeni/Au 砷化镓 欧姆接触
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Ni对AuGe_(12)合金组织和性能的影响 被引量：9
8
作者 谢宏潮 阳岸恒 +2 位作者 庄滇湘 李曲波 贺晓燕 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期35-39,共5页
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗... 通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化合物,扰乱Ge在金中均匀分布,使Ge颗粒变得粗大。随Ni加入量增加,产生GeNi化合物集聚,AuGeNi合金金相组织粗大,合金的硬度、强度降低,加工性能变差,合金熔化温度范围变宽。 展开更多
关键词 金属材料 金锗合金 金锗镍合金 蒸发材料 机械性能 显微组织
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