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Au-TiO_2纳米复合材料光催化性能和应用研究进展 被引量:1
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作者 刘杰 徐梦达 任艳蓉 《广东化工》 CAS 2017年第16期116-119,134,共5页
二氧化钛由于其耐腐蚀性,对生物无毒性,高效清洁等特点,已经在众多领域得到广泛的研究。尤其二氧化钛材料具有极强的催化氧化能力,在环境污染治理和有机物降解方面得到应用。但纯的二氧化钛由于禁带较宽,只能吸收太阳光中近紫外的光线... 二氧化钛由于其耐腐蚀性,对生物无毒性,高效清洁等特点,已经在众多领域得到广泛的研究。尤其二氧化钛材料具有极强的催化氧化能力,在环境污染治理和有机物降解方面得到应用。但纯的二氧化钛由于禁带较宽,只能吸收太阳光中近紫外的光线。拓宽二氧化钛的光谱响应范围,实施对可见光的吸收利用,是二氧化钛基光催化材料面临的主要问题。二氧化钛上负载的金纳米颗粒形成的Au-TiO_2复合材料不仅提高了其氧化还原能力,而且具有良好的可见光催化性能。本文综述了Au-TiO_2的光催化原理,Au-TiO_2光催化活性的影响因素及其应用。 展开更多
关键词 二氧化钛 光催化 au-ti O2复合材料 可见光吸收
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Tailoring the microenvironment of Ti sites in Ti-containing materials for synergizing with Au sites to boost propylene epoxidation
2
作者 Shudong Shi Zhihua Zhang +3 位作者 Yundao Jing Wei Du Xuezhi Duan Xinggui Zhou 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第8期133-143,共11页
Au sites supported on Ti-containing materials(Au/Ti-containing catalyst)are currently considered as a promising catalyst for the propylene epoxidation owing to the synergistic effect that hydrogen peroxide species for... Au sites supported on Ti-containing materials(Au/Ti-containing catalyst)are currently considered as a promising catalyst for the propylene epoxidation owing to the synergistic effect that hydrogen peroxide species formed on Au sites diffuses to the Ti sites to form the Ti-hydroperoxo intermedi-ates and contributes to the formation of propylene oxide(PO).In principle,thermal treatment will significantly affect the chemical and physical structures of Ti-containing materials.Consequently,the synergy between tailored Ti sites with different surface properties and Au sites is highly expected to enhance the catalytic performance for the reaction.Herein,we systematically studied the intrinsic effects of different microenvironments around Ti sites on the PO adsorption/desorption and conversion,and then effectively improved the catalytic performance by tailoring the number of surface hydroxyl groups.The Ti^(Ⅵ) material with fewer hydroxyls stimulates a remarkable enhancement in PO selectivity and H_(2) efficiency compared to the Ti^(Ⅵ) material that possessed more hydroxyls,offering a 7-fold and 4-fold increase,respectively.As expected,the Ti^(Ⅵ+Ⅳ) and Ti^(Ⅳ) materials also exhibit a similar phenomenon to the Ti^(Ⅵ) materials through the same thermal treatment,which strongly supports that the Ti sites microenvironment is an important factor in suppressing PO con-version and enhancing catalytic performance.These insights could provide guidance for the rational preparation and optimization of Ti-containing materials synergizing with Au catalysts for propylene epoxidation. 展开更多
关键词 Propylene epoxidation MICROENVIRONMENT Ti-containing material au-ti synergy Hydroxyl group
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Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性 被引量:10
3
作者 张锦文 张太平 +2 位作者 王玮 宁宝俊 武国英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期737-740,共4页
研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退... 研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触 .随快速退火温度的升高接触电阻降低 .快速退火时间 30 s已可实现该温度下最佳欧姆接触 .当工作温度不高于 30 展开更多
关键词 ALGAN 欧姆接触 半导体材料
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甲醛在Au/Ti电极上电氧化的交流阻抗研究 被引量:4
4
作者 于文强 易清风 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期476-478,共3页
采用电化学阻抗谱(EIS)研究了甲醛在Au/Ti电极上的电氧化过程,通过对Nyquist图的理论分析,求得一系列甲醛电氧化的动力学参数。运用R1[C1(R2W1)]形式的等效电路对甲醛电氧化的阻抗图谱进行了模拟,较好地解释了甲醛电氧化实验中的动力规... 采用电化学阻抗谱(EIS)研究了甲醛在Au/Ti电极上的电氧化过程,通过对Nyquist图的理论分析,求得一系列甲醛电氧化的动力学参数。运用R1[C1(R2W1)]形式的等效电路对甲醛电氧化的阻抗图谱进行了模拟,较好地解释了甲醛电氧化实验中的动力规律。同时考察了极化电位和甲醛浓度对电化学交流阻抗谱的影响,发现在极化电位-0.5V时甲醛氧化最易进行,随着甲醛浓度的增加电荷转移电阻Rct不断减小。 展开更多
关键词 甲醛 电氧化 电化学阻抗 Au/Ti电极
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基于Ti/Pt/Au欧姆接触金属系统的InP基HEMT器件 被引量:3
5
作者 于宗光 李海鸥 黄伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期179-182,192,共5页
应用钛/铂/金(Ti/Pt/Au)金属系统在InP基HEMT制备工艺中形成了良好的欧姆接触,通过优化合金条件,获得了较低的欧姆接触电阻,并在此基础上对钛/铂/金欧姆接触形成机理进行了深入讨论。实验结果表明:在氮气气氛下进行温度300℃/30 s快速... 应用钛/铂/金(Ti/Pt/Au)金属系统在InP基HEMT制备工艺中形成了良好的欧姆接触,通过优化合金条件,获得了较低的欧姆接触电阻,并在此基础上对钛/铂/金欧姆接触形成机理进行了深入讨论。实验结果表明:在氮气气氛下进行温度300℃/30 s快速热退火后,得到欧姆接触最小电阻值为0.025Ω·mm。同时合金界面形态良好。制备出栅长1.0μm的InP基HEMT器件,测试结果表明器件具有良好的DC和RF特性,器件最大跨导(Gmmax)为672 mS/mm。饱和源漏电流IDSS为900 mA/mm,阈值电压为-0.8 V,单一的电流增益截止频率(fT)为40 GHz,最大晶振fmax为45 GHz。 展开更多
关键词 磷化铟 高电子迁移率晶体管(HEMT) 欧姆接触 化合物半导体
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Ti/Al/Ni/Au在N-polarGaN上的欧姆接触 被引量:3
6
作者 王现彬 王颖莉 赵正平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期14-16,共3页
N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点。以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线... N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点。以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱仪(EDX)研究了金属和N-polar GaN之间的反应生成物。结果表明,当退火温度升高到860℃时,可得到比接触电阻率ρc为1.7×10^(-5)Ω·cm^2的最优欧姆接触特性。TEM和EDX测试发现,除了生成已报道的AlN,还会在界面处产生多晶AlO_x,两者共同作用会进一步拉高势垒,从而对N-polar GaN上欧姆接触产生不利影响。 展开更多
关键词 TI/AL/NI/AU 欧姆接触 氮极性 氧化铝
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高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管 被引量:1
7
作者 刘文超 夏冠群 +1 位作者 李冰寒 黄文奎 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期756-759,共4页
利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触... 利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理. 展开更多
关键词 AlGaInP/GaAs 双异质结双极晶体管 Mo/W/Ti/Au 直流特性
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Si基GaN上的欧姆接触 被引量:2
8
作者 赵作明 江若琏 +3 位作者 陈鹏 席冬娟 沈波 郑有炓 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期425-427,共3页
研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝 (Al)和钛铝铂金(Ti Al Pt Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al GaN在 45 0℃氮气气氛退火 3min取得最好的欧姆接触率 7.5× 1 0 3Ω·cm2 ,而Ti Al Pt... 研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝 (Al)和钛铝铂金(Ti Al Pt Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al GaN在 45 0℃氮气气氛退火 3min取得最好的欧姆接触率 7.5× 1 0 3Ω·cm2 ,而Ti Al Pt Au GaN接触在 6 5 0℃氮气气氛退火 2 0s取得最好的欧姆接触 8.4× 1 0 5Ω·cm2 ,而且Ti Al Pt Au GaN接触有较好的热稳定性。 展开更多
关键词 欧姆接触 硅基氮化镓 合金化 退火 热稳定性
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用于同位素电池的储能复合电极的可行性研究 被引量:1
9
作者 李鑫 王关全 +3 位作者 杨玉青 魏洪源 林黎蔚 任丁 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期175-180,共6页
借鉴太阳能电池Ti/Pd/Ag复合电极的设计方案,将其优化设计为Ti/Pd/Au复合电极并加载氚源,以此验证同位素源与换能器件整合的可行性。在N型单晶硅基体上制备电极,为研究氚在电极中的行为,用氘气模拟氚气对电极进行同位素加载,采用XRD、SE... 借鉴太阳能电池Ti/Pd/Ag复合电极的设计方案,将其优化设计为Ti/Pd/Au复合电极并加载氚源,以此验证同位素源与换能器件整合的可行性。在N型单晶硅基体上制备电极,为研究氚在电极中的行为,用氘气模拟氚气对电极进行同位素加载,采用XRD、SEM和四探针研究复合电极的储氚性能、微结构、电学性能等的变化。结果表明:复合电极能吸附氘并生成TiD_x(x≤2),具备一定的储氚性能;在Ti与Si界面处出现了TiSi_2相,表明膜基间发生了合金化,这提高了复合电极与硅基体的结合强度,同时降低了接触电阻;10^(-4)Ω·cm量级的表面电阻率基本可满足对电极导电性能的要求。由此可见,Ti/Pd/Au复合电极应用于伏特效应同位素电池是可行的。 展开更多
关键词 同位素电池 Ti/Pd/Au复合电极 储氚
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AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触 被引量:2
10
作者 杨燕 王文博 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1823-1827,共5页
通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触... 通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3·30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN TI/AL/NI/AU 欧姆接触 高电子迁移率晶体管
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退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响 被引量:3
11
作者 吴涛 江先锋 +2 位作者 周旻超 郭栓银 张丽芳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期24-27,共4页
采用磁控溅射的方法在P型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影响。结果表明:p-GaAs上制作的Ti/Pt/Au金属系统能在很短的退火时间(60S)内形成很好的欧姆接... 采用磁控溅射的方法在P型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影响。结果表明:p-GaAs上制作的Ti/Pt/Au金属系统能在很短的退火时间(60S)内形成很好的欧姆接触。过分延长退火时间,并不能改善系统的欧姆接触性能。退火温度在400-450℃时均可得到较好的欧姆接触。当退火温度为420℃,退火时间为120S时,比接触电阻率达到最低,为1.41×10^-6Ω·cm2。 展开更多
关键词 p型砷化镓 欧姆接触 磁控溅射 Ti/Pt/Au 退火 圆形传输线模型 比接触电阻率
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高Al组分n-AlGaN的Ti/Al/Ti/Au欧姆接触 被引量:1
12
作者 周勋 罗木昌 +1 位作者 赵文伯 黄烈云 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期230-234,共5页
采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率(5.67×10-5Ω.cm2)。研究证实,Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响,同... 采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率(5.67×10-5Ω.cm2)。研究证实,Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响,同时发现,高低温两步退火方式之所以能够改善欧姆接触特性的本质是与Al3Ti及TiN各自的生成条件直接相关,即低温利于生成Al3Ti,高温利于生成TiN,而这对n型欧姆接触的有效形成至关重要。 展开更多
关键词 高Al组分n-AlGaN Ti/Al/Ti/Au 接触层厚度 两步退火 欧姆接触
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1.0μm Gate-Length GaAs MHEMT Devices and SPDT Switch MMICs
13
作者 徐静波 黎明 +6 位作者 张海英 王文新 尹军舰 刘亮 李潇 张健 叶甜春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期668-671,共4页
1.0μm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by MBE epitaxial material and contact-mode lithography technology. Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au were evaporated to form gate metals. Excellent DC and RF performanc... 1.0μm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by MBE epitaxial material and contact-mode lithography technology. Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au were evaporated to form gate metals. Excellent DC and RF performances have been obtained, and the transconductance, maximum saturation drain current density, threshold voltage, current cut-off frequency,and maximum oscillation frequency of Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au MHEMTs were 502 (503) mS/mm, 382(530)mA/mm,0.1( - 0.5)V,13.4(14.8)GHz,and 17.0(17.5)GHz,respectively. DC-10GHz single-pole double-throw (SPDT) switch MMICs have been designed and fabricated by Ti/Pt/Au MHEMTs. Insertion loss,isolation,input,and out- put return losses of SPDT chips were better than 2.93,23.34,and 20dB. 展开更多
关键词 MHEMT Pt/Ti/Pt/Au Ti/Pt/Au SPDT MMIC
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Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究
14
作者 刘文超 李冰寒 +1 位作者 周健 夏冠群 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第4期429-431,共3页
用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究。结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1... 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究。结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1.5×10^(-4)Ω·cm^2,快速合金化后呈现欧姆特性可能与接触界面处生成的TiAs相有关。 展开更多
关键词 砷化镓 欧姆接触 磁控溅射 合金化 多层金属 接触电阻 俄歇电子能谱 XRD
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新型微流通池pH-ISFET集成传感器的研制 被引量:1
15
作者 牛蒙年 丁辛芳 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期75-81,共7页
报道了一种新型微流通池pE-ISFET集成传感器,该集成传感器采用常规IC工艺、微加工技术和键合技术,实现微流通池、四对长臂式ISFET/REFET传感器(差分测量用)和Ti/Au膜伪参考电极芯片一体化结构,芯片面积... 报道了一种新型微流通池pE-ISFET集成传感器,该集成传感器采用常规IC工艺、微加工技术和键合技术,实现微流通池、四对长臂式ISFET/REFET传感器(差分测量用)和Ti/Au膜伪参考电极芯片一体化结构,芯片面积为8mmx6mm,微流通池体积为0.7mmx5.0mm×0.3mm,当集成传感器外部配上蠕动泵、注入阀和测量电路则构成微流通池pH-ISFET流动注入分析(FIA)系统。实验结果表明,该集成传感器和FIA系统具有响应快、耗样液量少等特点,且稳定性和可靠性大为提高。 展开更多
关键词 传感器 微流通池 pH-ISFET传感器 流动注入分析
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短波CMT红外光导探测器延伸电极的改进
16
作者 史琪 王向前 +1 位作者 汤金春 铁筱滢 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第2期84-86,94,共4页
针对短波CMT红外光导探测器出现的拖尾问题,找到其拖尾的原因:过渡电极的功函数过大。为此,在原来Cr/Au电极的基础上,提出了In/Au+Cr/Au电极初步解决了拖尾问题,但是在工艺上出现了In聚球现象,影响器件的稳定性。又提出Ti/Au电极,比较... 针对短波CMT红外光导探测器出现的拖尾问题,找到其拖尾的原因:过渡电极的功函数过大。为此,在原来Cr/Au电极的基础上,提出了In/Au+Cr/Au电极初步解决了拖尾问题,但是在工艺上出现了In聚球现象,影响器件的稳定性。又提出Ti/Au电极,比较好的解决了拖尾问题和In/Au+Cr/Au电极带来的工艺问题。 展开更多
关键词 功函数 Cr/Au电极 In/Au+Cr/Au电极 Ti/Au电极
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Al2O3/Ti生物相容连接接头微观组织及力学性能
17
作者 林盼盼 林铁松 +2 位作者 何鹏 王茂昌 杨汉高 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期16-23,I0002,I0003,共10页
文中对Al2O3陶瓷和金属Ti表面磁控溅射Mo和Ti金属层,以纯Au箔钎料,研究连接工艺及Ti金属化层厚度对连接接头微观组织和力学性能的影响.结果表明,焊缝主要由Au钎料和(Au,Mo)ss构成,(Au,Mo)ss中含有少量(Ti,Mo)ss和TixAuy金属间化合物.另... 文中对Al2O3陶瓷和金属Ti表面磁控溅射Mo和Ti金属层,以纯Au箔钎料,研究连接工艺及Ti金属化层厚度对连接接头微观组织和力学性能的影响.结果表明,焊缝主要由Au钎料和(Au,Mo)ss构成,(Au,Mo)ss中含有少量(Ti,Mo)ss和TixAuy金属间化合物.另外,在Al2O3/钎料界面处及焊缝中存在少量呈条状分布的TiO2和TixAly金属间化合物.连接工艺及Ti金属化层厚度主要影响各物相的数量及分布状态,通过影响焊缝中固溶体的分布均匀性及金属间化合物的数量而影响接头抗剪强度.当连接温度为1080℃、保温时间为5min、Ti金属化层厚度为0.2μm时,接头的抗剪强度达到最大值138MPa. 展开更多
关键词 氧化铝陶瓷 纯钛 金钎料 微观组织 力学性能
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难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性
18
作者 刘文超 夏冠群 +2 位作者 李冰寒 黄文奎 刘延祥 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期57-61,共5页
用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法对比接触电阻进行了测试 ,并利用俄歇电子能谱 (AES)、X射线... 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法对比接触电阻进行了测试 ,并利用俄歇电子能谱 (AES)、X射线衍射图谱 (XRD)对接触的微观结构进行了分析 .结果表明 ,用 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料表面进行处理后 ,比接触电阻最小 ;在 70 0℃快速合金化后获得最低的比接触电阻 ,约为 4 5× 10 -6Ω·cm2 .这是由于 (NH4) 2 S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度 ,消除了费米能级钉扎效应 。 展开更多
关键词 Mo/W/Ti/Au GAAS 欧姆接触 钝化
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颈缘完成线弯曲度的金-1.6wt%钛合金的瓷边缘PFM精度
19
作者 陶建祥 韩栋伟 +1 位作者 依田正信 木村幸平 《现代口腔医学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期255-258,共4页
目的调查金-1.6wt%钛合金的瓷边缘PFM精度以及颈缘完成线弯曲度对瓷边缘PFM精度的影响。方法预备3种颈缘完成线弯曲度的金属基牙(最大高度分别为1mm,3mm,5mm),每种基牙上各制作10个唇侧瓷边缘PFM(5个为金-1.6wt%钛合金,5个对照组KIK金合... 目的调查金-1.6wt%钛合金的瓷边缘PFM精度以及颈缘完成线弯曲度对瓷边缘PFM精度的影响。方法预备3种颈缘完成线弯曲度的金属基牙(最大高度分别为1mm,3mm,5mm),每种基牙上各制作10个唇侧瓷边缘PFM(5个为金-1.6wt%钛合金,5个对照组KIK金合金),测定熔瓷后烤瓷冠的精度。结果最大高度1mm,3mm,5mm弯曲度烤瓷冠的颈缘缝隙都在50μm以内。最大高度1mm,3mm,5mm弯曲度的金-1.6wt%钛合金PFM的唇侧颈缘缝隙分别为34±6μm,32±8μm,33±4μm。最大高度1mm,3mm,5mm弯曲度的KIK金合金PFM的唇侧颈缘缝隙分别为33±7μm,34±9μm,36±8μm。在3种弯曲度之间以及金-1.6wt%钛合金和KIK之间,唇侧颈缘缝隙没有显著性差异。结论金-1.6wt%钛合金的PFM与KIK一样有良好的精度。完成线弯曲度对瓷边缘PFM精度没有显著性影响。 展开更多
关键词 完成线弯曲度 金-1.6wt%钛合金 瓷边缘PFM 精度
暂未订购
西藏多龙矿集区地堡Cu(Au)矿床含矿斑岩锆石U-Pb测年、Hf同位素组成及其地质意义 被引量:21
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作者 林彬 陈毓川 +14 位作者 唐菊兴 宋扬 王勤 冯军 李彦波 唐晓倩 林鑫 刘治博 王艺云 方向 杨超 杨欢欢 费凡 李力 高轲 《地质论评》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1565-1578,共14页
西藏多龙矿集区地堡铜(金)矿位于班公湖—怒江缝合带北侧,羌塘地块南缘,是多龙矿集区中具有较好找矿前景的斑岩—浅成低温热液矿床。本文首次对地堡含矿斑岩进行LA-ICP-MS锆石U-Pb测年、微量元素和Hf同位素分析。含矿斑岩23个锆石点测试... 西藏多龙矿集区地堡铜(金)矿位于班公湖—怒江缝合带北侧,羌塘地块南缘,是多龙矿集区中具有较好找矿前景的斑岩—浅成低温热液矿床。本文首次对地堡含矿斑岩进行LA-ICP-MS锆石U-Pb测年、微量元素和Hf同位素分析。含矿斑岩23个锆石点测试,获得锆石^(206)Pb/^(238)U加权平均值年龄为122.0±2.5Ma(MSWD=0.34),与多龙矿集区成矿岩浆活动时限一致,是多龙矿集区的重要组成部分。锆石微量元素特征揭示地堡含矿斑岩中锆石为岩浆锆石,锆石Ti温度计计算出其结晶温度为663~850℃,平均为765℃,其岩浆源区可能经历了水饱和条件下的部分熔融作用。Hf同位素分析结果表明,地堡含矿斑岩锆石n(^(176)Hf)/n(^(177)Hf)值相对较高,为0.282726~0.283054,ε_(Hf)(t)为1.1~12.6,均为正值,其物质来源有幔源组分的加入,可能为壳幔混源的新生下地壳。 展开更多
关键词 锆石U-PB测年 锆石Ti温度计 HF同位素组成 多龙矿集区地堡铜金矿 西藏
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