期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到9,095篇文章
< 1 2 … 250 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
AlInGaN/GaN PIN紫外光电探测器的研制 被引量：2
1
作者 黄瑾 洪灵愿 +1 位作者 刘宝林 张保平 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期669-672,708,共5页
用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层,研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为1.5 V,反向击穿电压大于40 V;室温-5 V偏压下... 用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层,研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为1.5 V,反向击穿电压大于40 V;室温-5 V偏压下,暗电流为33 pA,350 nm处峰值响应度为0.163 A/W,量子效率为58%。 展开更多
关键词 alingan/gan PIN光电探测器 紫外光电探测器
在线阅读 下载PDF
AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究
2
作者 贾德宇 《河南科技学院学报》 2009年第3期45-47,共3页
AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性,利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料.利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN/GaN异质结构,通过汞探针C-V测量和Hall效应测量,发现其电学特性明显优于常规AlGaN/GaN异质结构... AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性,利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料.利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN/GaN异质结构,通过汞探针C-V测量和Hall效应测量,发现其电学特性明显优于常规AlGaN/GaN异质结构,通过XDR和AFM分析,发现其势垒层结晶质量十分出色,但表面形貌与常规异质结构相比还存在一定差距. 展开更多
关键词 alingan/gan 异质结构 材料生长
在线阅读 下载PDF
融合Transformer与DF-GAN的文本生成图像方法
3
作者 马静 车进 孙末贤 《计算机工程》 北大核心 2026年第2期413-422,共10页
文本生成图像任务中的文本编码器不能深度挖掘文本信息,导致后续生成的图像语义不一致。针对该问题,提出一种DXC-GAN文本生成图像方法。引入Transformer系列中的XLNet(Xtra Long Network)预训练模型替换原始文本编码器,捕获大量文本的... 文本生成图像任务中的文本编码器不能深度挖掘文本信息,导致后续生成的图像语义不一致。针对该问题,提出一种DXC-GAN文本生成图像方法。引入Transformer系列中的XLNet(Xtra Long Network)预训练模型替换原始文本编码器,捕获大量文本的先验知识,实现对上下文信息的深度挖掘。添加CBAM(Convolutional Block Attention Module)注意力模块,使生成器更加关注图像中的重要信息,从而解决生成图像细节不完整和空间结构错误问题。在判别器中引入对比损失,与模型中匹配感知梯度惩罚和单向输出结合,使得相同语义图像之间更加接近,不同语义图像之间更加疏远,从而增强文本与生成图像之间的语义一致性。实验结果表明:与DF-GAN相对比,DXC-GAN在CUB数据集上的IS(Inception Score)与FID(Fréchet Inception Distance)分别提升了4.42%和17.96%;在Oxford-102数据集上,IS为3.97,FID为37.82;相较于DF-GAN,DXC-GAN在鸟类图像生成方面有效避免了多头少脚等畸形问题,同时在花卉图像生成上也显著减少了花瓣残缺等图像质量问题;此外,DXC-GAN还增强了文本与图像的对齐性,显著提升了图像的完整度和生成效果。 展开更多
关键词 生成对抗网络 文本生成图像 XLNet CBAM 对比损失
在线阅读 下载PDF
高阻Si衬底上预铺Al工艺对GaN材料晶体质量和射频损耗影响研究
4
作者 杨乾坤 彭大青 +3 位作者 李传皓 张东国 王克超 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期6-10,共5页
采用金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在高阻Si(111)衬底上生长了氮化物材料,研究衬底的预铺Al工艺对衬底表面形貌、氮化镓结晶质量及射频损耗等的影响。结果表明,采用低温低流量长时间的预铺A... 采用金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在高阻Si(111)衬底上生长了氮化物材料,研究衬底的预铺Al工艺对衬底表面形貌、氮化镓结晶质量及射频损耗等的影响。结果表明,采用低温低流量长时间的预铺Al工艺,抑制了表面Al聚集物的形成,减少了AlN表面坑,提升了Si衬底上GaN材料的晶体质量。基于优化的预铺Al工艺,GaN(002)/(102)半高宽达到391 arcsec/510 arcsec,5 GHz下射频损耗为0.16 dB/mm,25 GHz下射频损耗为0.37 dB/mm。 展开更多
关键词 硅基氮化镓 预铺铝 射频损耗 晶体质量
原文传递
高功率GaN基蓝光二极管激光器性能退化实验研究
5
作者 谢鹏飞 张永刚 +6 位作者 王丞乾 吕文强 武德勇 郭林辉 雷军 王昭 高松信 《强激光与粒子束》 北大核心 2026年第1期1-7,共7页
高功率GaN基蓝光二极管激光器在工业加工、铜材料焊接、3D打印和水下激光通信等技术领域有着广泛的应用前景。蓝光二极管激光芯片COS单元器件具有热阻低和尺寸小的优点,但是该器件存在可靠性较低的问题,导致其在工业化应用中受到一定限... 高功率GaN基蓝光二极管激光器在工业加工、铜材料焊接、3D打印和水下激光通信等技术领域有着广泛的应用前景。蓝光二极管激光芯片COS单元器件具有热阻低和尺寸小的优点,但是该器件存在可靠性较低的问题,导致其在工业化应用中受到一定限制,因此对其性能退化因素进行深入研究。基于光学显微技术、扫描电子显微表征和能谱分析手段对经过长时老化考核后器件的性能退化因素进行分析研究。实验研究和分析表明,GaN基体材料缺陷、腔面多余物沉积和光化学腐蚀是导致蓝光二极管激光芯片性能退化的主因,同时良好的气密性封装可提高二极管激光芯片的可靠性。 展开更多
关键词 高功率gan蓝光二极管激光器 性能退化 二极管激光器封装 气密封
在线阅读 下载PDF
时频双域注意力机制GAN的电磁信号降噪
6
作者 边杏宾 石森 +1 位作者 胡志勇 马俊明 《计算机系统应用》 2026年第3期219-230,共12页
在电磁信息安全领域,电磁泄漏红信号的检测受电磁噪声干扰影响严重.传统降噪方法在处理非平稳信号和复杂噪声环境时存在局限性.提出一种基于生成对抗网络(GAN)的降噪方法,通过生成器与判别器的对抗学习实现高效降噪.针对电磁信号的非平... 在电磁信息安全领域,电磁泄漏红信号的检测受电磁噪声干扰影响严重.传统降噪方法在处理非平稳信号和复杂噪声环境时存在局限性.提出一种基于生成对抗网络(GAN)的降噪方法,通过生成器与判别器的对抗学习实现高效降噪.针对电磁信号的非平稳特性设计了时频双域注意力机制(time-frequency dual-domain attention mechanism, TF-DAM),生成器采用基于TF-DAM改进的U-Net架构,结合残差网络和dropout层增强泛化能力,利用编码器-解码器结构和跳跃连接保留信号细节,训练过程中采用动态调整损失权重的策略提高训练效率和降噪效果.实验表明,该方法在信噪比提升和细节保留上优于传统方法,在非平稳信号处理中表现突出.本研究为电磁信号降噪提供了新思路,具有较高应用价值. 展开更多
关键词 非平稳电磁信号 生成对抗网络 时频双域注意力机制 U-Net改进架构 损失权重动态调整
在线阅读 下载PDF
基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究
7
作者 李世权 蔡利康 +1 位作者 林罡 章军云 《电子技术应用》 2026年第1期43-47,共5页
基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器... 基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器件跨导的二阶导数的峰值比常规器件的低大约56%,显示其优越的抑制三阶互调的能力。另外,还探究了自热效应对器件线性度的影响。所提出的器件结构在高线性应用领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 线性度 缓变沟道 栅压摆幅 gan HEMT 跨导
在线阅读 下载PDF
氢离子注入GaN高电子迁移率晶体管栅极正向输运、退化与击穿
8
作者 张东楷 胡晴 +5 位作者 郭玉龙 翟颖 刘栩珊 王梓旭 于国浩 闫大为 《物理学报》 北大核心 2026年第5期295-301,共7页
本文基于氢等离子体注入技术实现了增强型p-GaN高电子迁移率晶体管向耗尽型器件的转变,研究了栅极正向电流的输运、电流退化与击穿行为.通过变温电流-电压(T-I-V)扫描、低频噪声测试与锁相红外成像技术,获得以下结果:1)在双对数坐标系... 本文基于氢等离子体注入技术实现了增强型p-GaN高电子迁移率晶体管向耗尽型器件的转变,研究了栅极正向电流的输运、电流退化与击穿行为.通过变温电流-电压(T-I-V)扫描、低频噪声测试与锁相红外成像技术,获得以下结果:1)在双对数坐标系下栅极正向T-I-V曲线呈显著幂律关系,斜率对温度不敏感,对应热激活能仅约52 meV,电流噪声具有典型1/f特性,表明正向电流应主要为缺陷辅助跳跃电流;2)在长时间正向栅压应力作用下,器件I-V特性退化为典型整流特性,表明局部高阻GaN区重新形成p-GaN,半对数坐标系下,电流线性区的理想因子高达2.6,电流噪声谱具有1/f特性,证明缺陷辅助隧穿电流成为主要输运机制;3)通过锁相红外成像技术精准定位击穿“热点”位置,并结合像素温度矫正技术测得“热点”处真实温度. 展开更多
关键词 氢离子注入 gan高电子迁移率晶体管 输运机制 退化 击穿
在线阅读 下载PDF
应力释放对InGaN/GaN量子阱有源区发光特性的影响机制
9
作者 郭一庸 武智波 +3 位作者 徐昊一 李长富 高渊 冀子武 《聊城大学学报(自然科学版)》 2026年第2期249-254,共6页
制备了两个不同的绿光InGaN/GaN量子阱(QW)结构(具有和不具有应力释放层),研究了其电致发光(EL)的注入电流依赖性和光致发光(PL)的温度依赖性。EL测量结果显示,与不具有应力释放层的QW结构(S1)相比,具有应力释放层的QW结构(S2)有一个较... 制备了两个不同的绿光InGaN/GaN量子阱(QW)结构(具有和不具有应力释放层),研究了其电致发光(EL)的注入电流依赖性和光致发光(PL)的温度依赖性。EL测量结果显示,与不具有应力释放层的QW结构(S1)相比,具有应力释放层的QW结构(S2)有一个较强的EL强度、显著的能量红移和一个较小的效率下垂;而PL测量结果则显示了S2比S1有更少的非辐射中心、更大的活化能和更高的内量子效率。这些结果表明,应力释放层的导入不仅缓解了有源区的应力、增加了In原子的并入,还提高了其有源区的结构质量、增强了其局域效果,同时降低了其电子泄露。这一解释得到了高分辨率X射线衍射测量结果的证实,结果显示S2比S1有更低的位错密度和更好的结构/结晶质量。 展开更多
关键词 Ingan/gan量子阱 应力释放层 电致发光 光致发光 效率下垂 内量子效率
在线阅读 下载PDF
MOS电容开裂导致GaN功率放大器失效分析
10
作者 张亚彬 徐博能 +1 位作者 贡茜 崔洪波 《电子工艺技术》 2026年第2期32-34,共3页
针对某Ga N功率放大器件MOS电容组装过程中开裂的问题进行分析,通过对失效样品外观的观察和断裂形貌分析,在MOS电容断裂面发现有明显的贝壳纹和河流花样形貌。根据解理断裂的特征分析出裂纹源的位置与电容器意外受力点重合,借助格雷菲... 针对某Ga N功率放大器件MOS电容组装过程中开裂的问题进行分析,通过对失效样品外观的观察和断裂形貌分析,在MOS电容断裂面发现有明显的贝壳纹和河流花样形貌。根据解理断裂的特征分析出裂纹源的位置与电容器意外受力点重合,借助格雷菲斯原理和相关理论研究解释了微裂纹扩展导致MOS电容器失效的机理,采用模拟试验的方案复现MOS电容失效,形貌与失效件基本吻合,得出该MOS电容器失效的根本原因是MOS电容存在微裂纹和应力变化。 展开更多
关键词 MOS电容开裂 微裂纹 解理断裂 gan功率器件
在线阅读 下载PDF
多尺度融合的AOT-GAN网络电成像空白条带智能填充
11
作者 黄露逸 王飞 +1 位作者 孔令松 姜启书 《煤田地质与勘探》 北大核心 2026年第2期226-234,共9页
【目的】针对电成像图因仪器极板分布与推靠机制导致的井眼覆盖不全、存在空白条带问题,为克服传统填充方法在强非均质地层中易失真、难以保持裂缝等精细结构的局限,采用基于生成对抗网络的AOT-GAN网络对空白条带进行填充,以实现高精度... 【目的】针对电成像图因仪器极板分布与推靠机制导致的井眼覆盖不全、存在空白条带问题,为克服传统填充方法在强非均质地层中易失真、难以保持裂缝等精细结构的局限,采用基于生成对抗网络的AOT-GAN网络对空白条带进行填充,以实现高精度、高保真的信息重建。【方法】基于原始电成像图与CIFLog全井眼填充图构建高质量数据集,在GAN网络中引入自适应上下文感知与多尺度特征增强机制,结合4种损失函数动态优化,形成兼顾全局语义与局部细节的AOT-GAN网络。依据图像评价指标优选超参数,采用该网络填充不同缝网形态及纹理特征电成像图,并与经典的GAN网络、Criminisi算法、Bicubic插值法进行效果对比。【结果和结论】AOT-GAN在峰值信噪比(32.93 dB)与结构相似性指数(77.58%)上均优于经典算法,填充效果自然无痕,能有效保持高角度缝、网状缝的连续性,准确还原包卷层理与燧石结核等纹理细节,为基于电成像图的储层参数计算提供了可靠的数据支撑与理论依据。 展开更多
关键词 电成像测井 图像填充 生成对抗模型 AOT-gan网络 井壁裂缝
在线阅读 下载PDF
一种对抗GAN攻击的联邦隐私增强方法研究
12
作者 施寅生 包阳 庞晶晶 《信息网络安全》 北大核心 2026年第1期49-58,共10页
联邦学习通过分布式训练避免数据集中存储,然而,仍存在恶意客户端利用生成式对抗网络(GAN)攻击窃取隐私数据的风险。传统的差分隐私和加密机制等防御手段,存在模型性能与隐私效果权衡难或计算成本高等问题。文章针对联邦学习在图像识别... 联邦学习通过分布式训练避免数据集中存储,然而,仍存在恶意客户端利用生成式对抗网络(GAN)攻击窃取隐私数据的风险。传统的差分隐私和加密机制等防御手段,存在模型性能与隐私效果权衡难或计算成本高等问题。文章针对联邦学习在图像识别任务中面临的GAN攻击风险,提出一种基于Rényi差分隐私的隐私增强方法,旨在提升模型的数据隐私性。Rényi差分隐私的串行组合机制使得在多轮迭代中隐私预算增长速率从传统差分隐私的线性降为亚线性,可有效降低噪声添加量。文章方法利用Rényi差分隐私紧密的噪声组合特性,在客户端梯度更新参数时,通过基于权均衡权重的梯度裁剪和优化的高斯噪声添加,实现差分隐私计算,进而降低隐私泄露风险,同时平衡模型可用性。实验表明,文章方法在模型全局准确性受影响程度可接受的前提下,实现本地数据的隐私保护,增强模型的隐私保护能力,进而有效抵御GAN攻击,保障图像数据隐私性。 展开更多
关键词 联邦学习 gan攻击 Rényi差分隐私 隐私增强
在线阅读 下载PDF
GaN 30 kW连续波高可靠固态微波源
13
作者 韩煦 郭怀新 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所基于Ga N器件,利用高效集成功率合成及传输技术、微流道三维高效散热技术、高功率自适应相关技术,设计制备了915 MHz 30 kW连续波固态微波源(如图1所示)。该产品实现了0.01%频率稳定度、0.1%功率稳定度及65%以上转换... 南京电子器件研究所基于Ga N器件,利用高效集成功率合成及传输技术、微流道三维高效散热技术、高功率自适应相关技术,设计制备了915 MHz 30 kW连续波固态微波源(如图1所示)。该产品实现了0.01%频率稳定度、0.1%功率稳定度及65%以上转换效率,频率和功率稳定度优于磁控管产品两个数量级以上,用于金刚石生长领域产生的等离子球更加紧实,生长效率更高。 展开更多
关键词 30 kW 连续波 高可靠 gan
原文传递
基于GAN-LSTM的通用机场冲突探测与智能解脱方法
14
作者 陈博 李梓明 +4 位作者 徐松涛 叶一龙 柯颖 高峰 王东 《交通运输研究》 2026年第1期70-79,共10页
为提升A类通用机场终端区在动态环境下的冲突探测与解脱能力,提出一种生成对抗网络(GAN)与长短期记忆网络(LSTM)深度融合的端到端冲突探测与智能解脱方法。该方法的核心创新包括:(1)构建双任务判别器架构,通过共享特征实现轨迹真伪判别... 为提升A类通用机场终端区在动态环境下的冲突探测与解脱能力,提出一种生成对抗网络(GAN)与长短期记忆网络(LSTM)深度融合的端到端冲突探测与智能解脱方法。该方法的核心创新包括:(1)构建双任务判别器架构,通过共享特征实现轨迹真伪判别与冲突概率预测;(2)设计物理约束引导的生成器,在满足飞行约束条件下生成多样化解脱轨迹,并通过多准则筛选最优方案;(3)提出自适应损失权重调整策略,动态平衡轨迹重建精度、对抗训练与冲突规避等多个目标。基于TrajAir数据集的综合实验表明,所提方法的冲突检测准确率达93.4%,解脱成功率达88%,显著优于所对比的传统几何规则方法;所生成轨迹误差小、符合飞行性能约束,体现出良好的实时性、准确性及决策灵活性。研究可为通用航空空中交通管理智能化提供技术参考,有望促进低空空域的安全高效运行。 展开更多
关键词 通用航空 冲突探测 轨迹生成 生成对抗网络 深度学习
在线阅读 下载PDF
基于改进GAN模型的煤矿机械齿轮箱磨损故障检测
15
作者 石岚 《煤矿机械》 2026年第3期193-197,共5页
针对煤矿机械齿轮箱磨损故障检测存在的故障检测精度低、易受噪声干扰等不足,提出一种基于改进生成对抗网络(GAN)模型的检测方法。首先,构建GAN模型并计算Wasserstein距离;然后,利用神经网络模型定义齿轮箱故障形式,并提取内涵的故障特... 针对煤矿机械齿轮箱磨损故障检测存在的故障检测精度低、易受噪声干扰等不足,提出一种基于改进生成对抗网络(GAN)模型的检测方法。首先,构建GAN模型并计算Wasserstein距离;然后,利用神经网络模型定义齿轮箱故障形式,并提取内涵的故障特征以实施数据的预训练;最后,推导出检测模型的损失函数,实现对煤矿机械齿轮箱故障的定位与检测。实验结果表明,该方法能够根据磨损程度的不同而检测出煤矿机械齿轮箱的故障情况,在齿轮箱轻度磨损中检测出的噪声值为57.2 dB。该方法具有较好适用性和检测效果,能够基于特征提取和故障数据训练实现对磨损情况的检测。 展开更多
关键词 煤矿机械 gan 齿轮箱 磨损状态检测 Wasserstein距离
原文传递
基于GAN与超分辨率重建的裂缝图像增强技术研究
16
作者 满轲 孙东兴 +2 位作者 宋志飞 邓稀肥 江胜华 《智能感知工程》 2026年第1期37-44,共8页
针对基于深度学习的裂缝识别任务中样本数据不足、图像质量较低的问题,开展基于生成对抗网络(Generative Adversarial Network,GAN)与超分辨率(Super-resolution,SR)重建的裂缝图像增强技术研究。首先,通过对Tunnel Crack、CFD公开裂缝... 针对基于深度学习的裂缝识别任务中样本数据不足、图像质量较低的问题,开展基于生成对抗网络(Generative Adversarial Network,GAN)与超分辨率(Super-resolution,SR)重建的裂缝图像增强技术研究。首先,通过对Tunnel Crack、CFD公开裂缝数据集进行筛选与清洗,建立基础裂缝数据集;其次,采用镜像变换、亮度调整、随机遮掩等方法扩充样本集,并利用SA-BAGAN-GP模型进行对抗生成,结合自注意力机制有效提升生成图像的结构一致性和裂缝纹理的真实性;再次,针对生成图像细节模糊的问题,引入基于Real-ESRGAN的超分辨率重建算法实现对裂缝边缘与细节的显著增强;最后,利用Labelme进行数据标注,构建包含2400张裂缝图像及对应标签的高质量数据集,为裂缝识别算法的优化提供可靠的数据支撑。 展开更多
关键词 gan 超分辨率重建 裂缝 图像增强 数据标注
在线阅读 下载PDF
PFEM-GAN驱动的CT图像超分辨率重建研究
17
作者 魏俊东 石宇龙 李美珊 《佳木斯大学学报(自然科学版)》 2026年第2期41-44,共4页
为进一步提高GAN在CT图像超分辨率重建任务中的质量,本文提出一种PFEM-GAN模型。首先,生成器引入PFEM模块,通过通道、空间并行的特征增强机制捕捉图像高价值信息;其次,判别器改进Patch-GAN,结合残差连接融合多尺度特征,增强对图像细节... 为进一步提高GAN在CT图像超分辨率重建任务中的质量,本文提出一种PFEM-GAN模型。首先,生成器引入PFEM模块,通过通道、空间并行的特征增强机制捕捉图像高价值信息;其次,判别器改进Patch-GAN,结合残差连接融合多尺度特征,增强对图像细节的判别能力;最后,采用Pixel Loss,Content Loss,Adversarial Loss和Total Variation Loss结合,强化特征约束与结构一致性以指导网络训练。在LoDoPaB-CT数据集上的实验表明,所提方法在4倍放大因子下,PSNR、SSIM指标均优于对比方法,实现了对CT图像超分辨率重建质量的提升。 展开更多
关键词 生成对抗网络 特征增强 CT图像 超分辨率重建
在线阅读 下载PDF
基于GAN数据增强在航空旋转部件缺陷检测中的应用
18
作者 夏巍 王燕山 +1 位作者 李广元 贾晨枫 《测控技术》 2026年第1期37-44,共8页
针对航空旋转部件缺陷样本稀缺且类别分布不均的问题,提出了一种基于“修复-生成”机制的缺陷样本生成方法。利用大规模掩膜修复(Large Mask Inpainting,LaMa)模型对原始缺陷图像进行语义补全,构建结构一致的缺陷-修复图像对,从而增强... 针对航空旋转部件缺陷样本稀缺且类别分布不均的问题,提出了一种基于“修复-生成”机制的缺陷样本生成方法。利用大规模掩膜修复(Large Mask Inpainting,LaMa)模型对原始缺陷图像进行语义补全,构建结构一致的缺陷-修复图像对,从而增强训练样本的表达一致性。同时,设计一种掩膜引导的空间-频域特征融合生成对抗网络(Mask-Guided Spatial-Frequency Feature Fusion Generative Adversarial Network,Mask-FFTGAN),提升模型对缺陷区域形态、边界和局部结构的建模能力。损失函数融合条件对抗损失和像素重建损失,实现图像真实感与结构一致性的平衡。在AeBAD-S数据集上的实验证明,该方法在局部缺陷区域生成任务中取得弗雷歇起始距离(Fréchet Inception Distance,FID)值最低为10.22、感知图像块相似度(Learned Perceptual Image Patch Similarity,LPIPS)低于0.1的性能,在缺陷检测任务中通过数据扩增实现平均精确率、召回率和F1值分别提升10.2%、8.6%和9.3%。结果表明,该方法能有效缓解样本不足的问题,提升下游检测性能,为工业领域高质量缺陷图像的生成与增强提供了一种可行方案。 展开更多
关键词 航空发动机叶片检测 小样本 生成对抗网络 数据增强
在线阅读 下载PDF
AlGaN/GaN异质结欧姆接触优化与导通机理研究
19
作者 王强 曹京津 +2 位作者 曲莹 范晶晶 李飞扬 《微纳电子技术》 2026年第1期87-93,共7页
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻... 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻分别为1.01Ω·mm和304Ω/□。通过TLM结构的变温测试来研究AlGaN/GaN异质结欧姆接触的导通机理。实验结果表明,随着测试温度升高,接触电阻率仅从1.01Ω·mm增加到1.26Ω·mm,展现出良好的温度稳定性。比接触电阻率与温度的拟合曲线表明,场发射是AlGaN/GaN异质结欧姆接触电流传输的主导机制。透射电子显微镜的结果表明,在高温退火中,金属Ti扩散至AlGaN中与之发生反应并产生大量的N空位,在AlGaN势垒层中形成重掺杂,从而减小了势垒宽度,促进了欧姆接触的形成。 展开更多
关键词 ALgan/gan异质结 欧姆接触制备 传输线模型(TLM) 变温测试 导通机理
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 250 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部