美国应用材料(AMAT)发布了可形成适用于22nm~14nm逻辑IC的低介电率(low-k)层间绝缘膜的两款制造装置。分别是成膜装置"Producer Black Diamond3"和紫外线(UV)固化装置"Producer Nanocure 3"。由发布可知,因微处理...美国应用材料(AMAT)发布了可形成适用于22nm~14nm逻辑IC的低介电率(low-k)层间绝缘膜的两款制造装置。分别是成膜装置"Producer Black Diamond3"和紫外线(UV)固化装置"Producer Nanocure 3"。由发布可知,因微处理器耗电量的1/3为布线耗电量所占,因此市场上要求能够在降低布线耗电量的同时,确保高机械强度的层间绝缘膜。对此。展开更多
文摘美国应用材料(AMAT)发布了可形成适用于22nm~14nm逻辑IC的低介电率(low-k)层间绝缘膜的两款制造装置。分别是成膜装置"Producer Black Diamond3"和紫外线(UV)固化装置"Producer Nanocure 3"。由发布可知,因微处理器耗电量的1/3为布线耗电量所占,因此市场上要求能够在降低布线耗电量的同时,确保高机械强度的层间绝缘膜。对此。