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半导体AMAT Centura 5200设备外延工艺颗粒异常改善提升技术分析

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摘要半导体硅外延生长工艺操作过程中会产生多种缺陷,包括晶圆膜厚、电阻率均匀性差、颗粒、划痕、滑移线、条纹以及雾等,其中导致颗粒异常的工艺因素有很多。基于此,分析提供该类型外延炉颗粒异常管控改善的方法及措施,通过建立完善的FTA分析,提升改善颗粒超标工艺结果,提高晶圆产品良率,为相关半导体行业提供参考和借鉴。

作者陆爱国

机构地区济南比亚迪半导体有限公司

出处《今日制造与升级》 2024年第11期25-27,共3页 Manufacture & Upgrading Today

关键词半导体外延生长 AMAT Centura 颗粒

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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今日制造与升级

2024年第11期

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