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Cu/AlN/Cu功能梯度电极材料的制备及其应用
1
作者 孙静 罗洁 +1 位作者 吕薪羽 张宗仁 《中国陶瓷》 北大核心 2025年第8期31-37,共7页
采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了Cu/AlN/Cu功能梯度电极材料,并成功实现了与CoSb_(3)热电材料的高效连接。通过扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS),在Cu/AlN/Cu与CoSb_(3)的界面处检测到Cu_(3)Sb、Cu_(3.3)Sb、(Ag,In)、Cu、CuIn及Cu2In... 采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了Cu/AlN/Cu功能梯度电极材料,并成功实现了与CoSb_(3)热电材料的高效连接。通过扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS),在Cu/AlN/Cu与CoSb_(3)的界面处检测到Cu_(3)Sb、Cu_(3.3)Sb、(Ag,In)、Cu、CuIn及Cu2In等多种物相,这些相的分布与局部元素分布高度吻合。研究表明,焊接温度显著影响过渡层的结构和均匀性,较低的焊接温度(500℃)有利于形成均匀稳定的过渡层,减少孔洞生成,提升界面连接质量。此外,Cu、Ag、In、Ti等元素在界面区域展现出复杂的扩散行为,尤其是Ti元素的偏析,显著增强了界面的润湿性和结合强度。然而,不对称的扩散速率引发了Kirkendall效应,进一步影响了过渡层的微观结构。X射线衍射(XRD)结果显示,SPS连接后界面处相结构连续,缺乏明显的界面分界线。 展开更多
关键词 放电等离子烧结 功能梯度材料 Cu/aln/Cu CoSb_(3) 界面连接
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超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展(续)
2
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期453-462,共10页
以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在Al... 以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在AlN功率二极管、AlN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)、AlN增强GaN HEMT和AlN的热管理应用等方面的最新进展,包括AlN异质多层外延结构、超晶格量子阱结构、AlN功率器件新结构设计、AlN新器件工艺、AlN超薄势垒层、AlN缓冲层、AlN钝化层、AlN耦合沟道层、AlN及其合金的热阻和AlN多晶陶瓷热导率等。分析评价了AlN功率电子学的发展、关键技术进步和发展态势。 展开更多
关键词 aln aln二极管 aln高电子迁移率晶体管(HEMT) aln增强GaN HEMT 热管理
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超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展
3
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期361-374,共14页
以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在Al... 以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在AlN功率二极管、AlN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)、AlN增强GaN HEMT和AlN的热管理应用等方面的最新进展,包括AlN异质多层外延结构、超晶格量子阱结构、AlN功率器件新结构设计、AlN新器件工艺、AlN超薄势垒层、AlN缓冲层、AlN钝化层、AlN耦合沟道层、AlN及其合金的热阻和AlN多晶陶瓷热导率等。分析评价了AlN功率电子学的发展、关键技术进步和发展态势。 展开更多
关键词 aln aln二极管 aln高电子迁移率晶体管(HEMT) aln增强GaN HEMT 热管理
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基于改进ALNS的无人机-车辆应急物流路径规划
4
作者 唐新贵 沈正邦 《物联网技术》 2025年第18期65-69,73,共6页
为解决洪涝灾害下传统车辆因道路中断导致的配送效率低下问题,通过优化无人机-车辆协同路径规划来最小化受灾点的最大救援时间。构建融合水深、降雨、风速等动态约束的协同配送模型;提出改进的自适应大规模邻域搜索(ALNS)算法,引入强化... 为解决洪涝灾害下传统车辆因道路中断导致的配送效率低下问题,通过优化无人机-车辆协同路径规划来最小化受灾点的最大救援时间。构建融合水深、降雨、风速等动态约束的协同配送模型;提出改进的自适应大规模邻域搜索(ALNS)算法,引入强化学习(RL)代理智能调度ALNS核心步骤,动态集成禁忌搜索(TS)与变邻域搜索(VNS),平衡全局探索与局部开发。基于Solomon RC算例灾情模拟,改进ALNS算法124次迭代达最优202.24 min,显著优于标准ALNS及遗传算法(GA),车辆路径缩短且起降点选择更合理。改进ALNS算法通过RL驱动的多策略协同机制,为应急物流提供了一种可行的决策工具,具有提升救援效率与覆盖范围的应用前景。 展开更多
关键词 无人机-车辆 多策略协同机制 alnS 洪涝应急 强化学习 路径优化
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AlN陶瓷与Al低温钎焊钎料设计及接头组织性能研究 被引量：1
5
作者 周航泽 龙飞 +4 位作者 徐瑞 王策 何鹏 施清清 赵岩 《稀有金属材料与工程》 北大核心 2025年第2期453-462,共10页
针对目前缺乏适合AlN陶瓷和Al低温钎焊的钎料的问题,通过向AgCuTi钎料中加入In和Sn元素来降低钎料熔点,制备了新型低温钎料Ag-28Cu-35In-2Ti和Sn-19Ag-14.35Cu-17.5In-1Ti(质量分数),从而实现AlN/Al接头的良好连接。探究了两种钎料对Al... 针对目前缺乏适合AlN陶瓷和Al低温钎焊的钎料的问题,通过向AgCuTi钎料中加入In和Sn元素来降低钎料熔点,制备了新型低温钎料Ag-28Cu-35In-2Ti和Sn-19Ag-14.35Cu-17.5In-1Ti(质量分数),从而实现AlN/Al接头的良好连接。探究了两种钎料对AlN陶瓷和Al的低温钎焊工艺和接头组织形貌及性能影响。结果表明:Sn-19Ag-14.35Cu-17.5In-1Ti钎料在钎缝处形成了InSn3、TiAl_(3)等相对稳定的化合物。Ag-28Cu-35In-2Ti钎料在钎缝处生成Al_(2)Cu、AgIn_(2)和TiAl_(3)等相对稳定的化合物,随着焊接温度的增加,接头强度随之提高。为阻止In的扩散析出,选择在Al表面镀Ni,但镀Ni使接头导热性能有所下降。发现使用Ag-28Cu-35In-2Ti钎料进行焊接,在640℃保温30 min的条件下,接头强度最高,为20.28 MPa;在620℃保温15 min的条件下,热扩散系数可达到65.941 m^(2)/s。该钎料为AlN陶瓷/Al的高可靠连接提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 低温钎料 aln/Al 组织性能 表面改性
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采用真空磁控反应溅射和热水氧化法制备AlN_xO_y增透膜 被引量：4
6
作者 池华敬 熊凯 +4 位作者 郭帅 许丽 王双 陈革 章其初 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期652-655,共4页
在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜。再将沉积该薄膜的玻璃试样浸入沸腾的去离子水中,经一定时间氧化后,制备成表面粗糙的AlN和Al2O3的陶瓷... 在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜。再将沉积该薄膜的玻璃试样浸入沸腾的去离子水中,经一定时间氧化后,制备成表面粗糙的AlN和Al2O3的陶瓷混合物增透膜AlNxOy。在3.2 mm厚的低铁玻璃上,溅射沉积厚度为120 nm的Al-AlN金属陶瓷薄膜,沸水氧化8 min,制备的单面增透膜AlNxOy试样的太阳透射比Te达93.5%,可见光透射比Tv达95.2%。制备的双面增透膜AlNxOy试样的Te,Tv进一步提高,Te高达95.6%,与未镀膜玻璃衬底的90.4%相比,增加了5.2%;Tv高达97.0%,与玻璃衬底的91.6%相比,增加了5.4%。 展开更多
关键词 增透膜 反应溅射 沸水氧化 薄膜 金属陶瓷 Al-aln aln AL2O3 alnxOy
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添加SiC对C/C复合材料与AlN陶瓷钎焊接头组织及性能的影响
7
作者 傅孟春 吴畏 +3 位作者 林盼盼 林铁松 何鹏 邵天巍 《焊接学报》 北大核心 2025年第11期36-43,52,共9页
为了构建C/C复合材料与AlN陶瓷的热适配接头,采用AgCuTi+SiC复合钎料实现了二者的活性钎焊连接.研究了SiC添加量对界面组织及力学性能的影响规律,对界面反应和应力缓释机理进行分析.钎焊接头典型组织为C/C复合材料/TiC/Cu(s,s)+Ag(s,s)+... 为了构建C/C复合材料与AlN陶瓷的热适配接头,采用AgCuTi+SiC复合钎料实现了二者的活性钎焊连接.研究了SiC添加量对界面组织及力学性能的影响规律,对界面反应和应力缓释机理进行分析.钎焊接头典型组织为C/C复合材料/TiC/Cu(s,s)+Ag(s,s)+SiC+Ti_(3)SiC_(2)+Ti_(5)Si_(3)+TiC/TiN/AlN,接头抗剪强度随着SiC第二相含量的增加呈现先增大后减小的变化规律,当SiC添加含量为3%(质量分数)、钎焊工艺参数为820℃/15 min时,抗剪强度达到最大值为27 MPa.结果表明,SiC增强相的引入可以调控钎料热膨胀系数,在钎缝与母材间形成梯度过渡,有效缓解钎缝中心区域与两侧母材之间因热膨胀系数不匹配而导致的较大残余应力,从而提升接头强度. 展开更多
关键词 C/C复合材料 aln陶瓷 复合钎料 界面组织 力学性能
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AlN介质层对GaN表面生长金刚石钝化膜的影响研究
8
作者 梁礼峰 郁鑫鑫 +4 位作者 李忠辉 刘金龙 李成明 王鑫华 魏俊俊 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1417-1425,共9页
GaN表面生长金刚石钝化膜可用于改善器件传热能力,提升器件功率特性及可靠性。在GaN和金刚石层中间的介质层,对于实现高质量的GaN表面金刚石(Diamond-on-GaN)至关重要。本研究采用原子层沉积(ALD)技术在GaN表面预先沉积了10 nm的晶态/... GaN表面生长金刚石钝化膜可用于改善器件传热能力,提升器件功率特性及可靠性。在GaN和金刚石层中间的介质层,对于实现高质量的GaN表面金刚石(Diamond-on-GaN)至关重要。本研究采用原子层沉积(ALD)技术在GaN表面预先沉积了10 nm的晶态/非晶态混合的AlN介质层,并通过氧终端金刚石悬浮液在AlN层上实现了高密度静电自组装播种;随后通过优化的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)工艺再生长约120 nm厚的纳米晶金刚石(NCD)薄膜。表面氧终端调控的纳米金刚石悬浮液可以在AlN介质层表面实现高密度播种,结合梯度甲烷的MPCVD金刚石生长工艺,制备出了具有高结晶度、低粗糙度(Ra=15.2 nm)和低残余应力(0.84 GPa)的NCD薄膜。时域热反射(TDTR)测量表明,NCD薄膜的热导率约为123.85 W·m^(-1)·K^(-1),GaN与NCD之间的有效界面热阻(TBReff)为(9.78±0.27) m^(2)·K·GW^(-1)。透射电子显微镜(TEM)分析表明,AlN介质层有效保护了GaN免受等离子体刻蚀,并实现了金刚石和GaN之间的光滑界面。本研究表明,采用薄的ALD AlN作为在GaN表面生长金刚石的介质层可以与氧终端金刚石籽晶实现静电自组装,从而提高金刚石形核密度,再通过梯度甲烷金刚石沉积工艺,能够在GaN上沉积出高质量的NCD薄膜并降低金刚石与GaN的界面热阻。 展开更多
关键词 纳米晶金刚石 GAN aln介质层 热导率 界面热阻 原子层沉积 静电自组装播种
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Ti掺杂对AlN(0001)/Mg(0001)界面性质影响的第一性原理计算
9
作者 吴志晨 尧军平 +1 位作者 李勤 周兰民 《中国材料进展》 北大核心 2025年第11期1054-1060,共7页
通过第一性原理计算,研究了不同终端AlN(0001)/Mg(0001)界面模型的稳定性以及Ti添加对AlN(0001)/Mg(0001)界面结合强度和电子结构的影响机理。结果表明,N终端FCC位结构的界面模型最为稳定,粘附功高达10.72 J/m^(2),且N终端的AlN/Mg界面... 通过第一性原理计算,研究了不同终端AlN(0001)/Mg(0001)界面模型的稳定性以及Ti添加对AlN(0001)/Mg(0001)界面结合强度和电子结构的影响机理。结果表明,N终端FCC位结构的界面模型最为稳定,粘附功高达10.72 J/m^(2),且N终端的AlN/Mg界面相较于Al终端的AlN/Mg界面要更稳定。随着Ti元素的引入,N终端FCC位结构的AlN(0001)/Mg(0001)界面的结合强度得到了显著提高。Ti原子的加入使得界面处的原子间电荷转移得到增强,且与界面处的N原子形成了Ti—N的强共价键,从而提高了界面的结合强度和稳定性。 展开更多
关键词 aln/Mg界面 粘附功 Ti掺杂 电子结构 第一性原理计算
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AlN-石墨管复合材料的原位合成及其作为导热填料的应用
10
作者 邓宇强 邹慧娟 +6 位作者 张维斌 吴启煌 刘杰聪 程艳玲 左飞 聂光临 林华泰 《功能材料》 北大核心 2025年第8期8171-8178,共8页
聚合物基导热材料受限于低的热导率,复合填料多维结构能够在聚合物中形成有效的导热通道。有效利用含氮有机物合成氮化铝(AlN)过程中的残余碳,在催化剂的作用下,采用一步合成工艺原位获得了AlN-石墨管复合材料多维结构,并将该材料作为... 聚合物基导热材料受限于低的热导率,复合填料多维结构能够在聚合物中形成有效的导热通道。有效利用含氮有机物合成氮化铝(AlN)过程中的残余碳,在催化剂的作用下,采用一步合成工艺原位获得了AlN-石墨管复合材料多维结构,并将该材料作为导热填料应用于石蜡基复合材料中。结果表明,随着煅烧温度的升高,复合材料的结晶性和碳的石墨化程度明显增加。煅烧温度大于1000℃后,原位获得了结晶性良好的AlN和有序的石墨管复合结构,该结构BET比表面积达到161.17 cm^(2)/g,孔隙主要为介孔结构。随着填料含量的增加,AlN-石墨管/石蜡复合材料的热导率线性增加,丰富的孔隙起到明显的抑制泄露的作用。当填充量达到60%时,热导率为0.745 W·m^(-1)·K^(-1),相对于纯石蜡增长了2倍,同时具有良好的形状稳定性。所制备的AlN-石墨管多维复合材料仅能够有效促进复合材料的热量传输,还能维持良好的形状稳定性,在电子材料的热管理方面具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 aln 复合材料多维结构 石蜡复合材料 热导率
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Invar 36表面脉冲直流磁控溅射制备AlN薄膜的择优取向调控及性能
11
作者 吴熠 唐国梁 +1 位作者 李文举 肖舒 《中国表面工程》 北大核心 2025年第4期233-243,共11页
为提高OLED蒸镀制程中Invar 36合金掩膜板的防护性能,采用反应磁控溅射在Invar 36合金基材表面制备AlN薄膜。因AlN薄膜的性能与择优取向相关,通过探究三种基底转速(0、5和20 r/min)对择优取向的影响以实现性能的调控。采用X射线衍射、... 为提高OLED蒸镀制程中Invar 36合金掩膜板的防护性能,采用反应磁控溅射在Invar 36合金基材表面制备AlN薄膜。因AlN薄膜的性能与择优取向相关,通过探究三种基底转速(0、5和20 r/min)对择优取向的影响以实现性能的调控。采用X射线衍射、扫描电镜和能谱仪分别对AlN薄膜的晶面取向、截面形貌、沉积速率、晶体结构及成分进行表征。结果表明,从0到20 r/min转速的提升会增大薄膜的晶粒尺寸,静止沉积有利于AlN(002)的生长,提升转速则促进AlN(100)的生长。对两种不同择优取向的AlN薄膜进行绝缘性能和耐F−腐蚀性能测试,(002)取向具有更高的表面电阻率(1.3×10^(14)Ω),表现出更优异的绝缘性;在1 mol/L的NaF溶液体系中(100)取向具有更低的腐蚀电流密度(1.62×10^(−9) A/cm2),表现出更优异的耐F−腐蚀性能。阐明转动动能对AlN薄膜择优取向生长的影响机理:①静止及低速条件下的低转动动能有利于吸附原子在基材上的堆叠,具有足够的表面扩散能形成(002)取向;②转速增加可以提高转动动能,使吸附原子偏离原有沉积区域并获得基材表面切向的能量,对表面扩散能存在抵消作用,影响原子重排过程并因此形成(100)取向。针对两种AlN取向进行性能测试,表明不同取向具有不同的优势性能。转动动能对取向影响的机理阐明和不同取向的性能测试结果为实现Invar 36合金表面AlN薄膜的可控制备和防护性能提升提供理论指导。 展开更多
关键词 aln 择优取向 脉冲直流磁控溅射 Invar 36合金
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Er/Sc共掺AlN薄膜改性技术研究
12
作者 贺贞 张幸 +2 位作者 张必壮 侯正义 仲骏 《压电与声光》 北大核心 2025年第6期1059-1065,共7页
本文主要探讨了Er/Sc共掺AlN薄膜的制备与薄膜性质。采用有限元法仿真靶材表面的磁场分布,根据磁控溅射磁场强度分布与溅射效率的关系,设计镶嵌靶金属锭的个数和位置,从而控制Er/Sc共掺AlN薄膜的掺杂含量。研究镶嵌靶优化的Er_(x)Sc_(y)... 本文主要探讨了Er/Sc共掺AlN薄膜的制备与薄膜性质。采用有限元法仿真靶材表面的磁场分布,根据磁控溅射磁场强度分布与溅射效率的关系,设计镶嵌靶金属锭的个数和位置,从而控制Er/Sc共掺AlN薄膜的掺杂含量。研究镶嵌靶优化的Er_(x)Sc_(y)Al_(1-x-y)N_(z)薄膜发现,影响薄膜最优FWHM值的主要因素是Er含量,随着Er/Sc比例增加,薄膜的厚度降低,沉积速率降低。薄膜厚度对薄膜表面粗糙度有着显著的影响,两者呈正比关系,厚度越大,粗糙度越大。在相同参数下沉积的Er_(x)Sc_(y)Al_(1-x-y)N_(z)薄膜,薄膜压应力随着Er含量的增加呈先增大后减小趋势。 展开更多
关键词 aln薄膜 磁控溅射 有限元仿真
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基于第一原理计算AlN和Cu_(2)O表面能的精确方法
13
作者 石伊健 董晓茹 +1 位作者 黄楚云 廖家俊 《湖北工业大学学报》 2025年第1期100-103,共4页
为克服平均表面能上、下表面的差异性问题,采用基于第一性原理的方法,研究AlN和Cu_(2)O三种不同表面的固定模式,旨在修正材料的表面能,并将其与平均表面能进行比较。两种方案结果表明,AlN、Cu_(2)O的表面能排序分别为(001)<(010)<... 为克服平均表面能上、下表面的差异性问题,采用基于第一性原理的方法,研究AlN和Cu_(2)O三种不同表面的固定模式,旨在修正材料的表面能,并将其与平均表面能进行比较。两种方案结果表明,AlN、Cu_(2)O的表面能排序分别为(001)<(010)<(110)、(111)<(001)<(100),这与它们的悬空键密度不完全相同有关系。 展开更多
关键词 表面能 第一性原理 aln Cu_(2)O
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采用偏压与氮气交互作用策略构建高硬度的Ti_(3)AlN涂层
14
作者 马三保 贾丹 +5 位作者 黄瑞华 徐正田 施志军 邢晓磊 杨庆祥 周野飞 《材料保护》 2025年第11期45-52,共8页
为了探究不同偏压和氮气气流量下Ti_(3)AlN涂层的微观结构和性能,通过真空阴极沉积技术制备了不同偏压和氮气气流量的Ti_(3)AlN涂层,并对其沉积速率、表面粗糙度、硬度、结合力和摩擦系数进行了表征。结果表明:随着氮气气流量的增加,涂... 为了探究不同偏压和氮气气流量下Ti_(3)AlN涂层的微观结构和性能,通过真空阴极沉积技术制备了不同偏压和氮气气流量的Ti_(3)AlN涂层,并对其沉积速率、表面粗糙度、硬度、结合力和摩擦系数进行了表征。结果表明:随着氮气气流量的增加,涂层沉积速率增加,表面粗糙度下降,硬度和结合力提高,摩擦系数略有下降。随着偏压的增加,涂层沉积速率先增加后下降,表面粗糙度先上升后下降,硬度和结合力提高,摩擦系数在偏压为200 V时较大。在偏压100 V且氮气气流量为60 mL/min的条件下制备的Ti_(3)AlN涂层,其结合力达到最优,为72.3 N,同时摩擦系数达到最低。本研究结果为优化Ti_(3)AlN涂层制备工艺提供了理论依据。 展开更多
关键词 Ti_(3)aln涂层 真空阴极沉积 沉积速率 表面粗糙度 硬度 结合力 摩擦系数
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粉末特性对AlN陶瓷致密化的影响 被引量：6
15
作者 秦明礼 曲选辉 +1 位作者 何新波 段柏华 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期176-180,共5页
以沉淀前驱物和低温燃烧合成前驱物为原料,利用碳热还原法制备出比表面积分别为4.26m2/g和17.4m2/g的两种AlN粉末,以该两种粉末为原料制备AlN陶瓷,研究了粉末比表面积对AlN陶瓷烧结行为的影响。结果表明:粉末比表面积是影响AlN烧结行为... 以沉淀前驱物和低温燃烧合成前驱物为原料,利用碳热还原法制备出比表面积分别为4.26m2/g和17.4m2/g的两种AlN粉末,以该两种粉末为原料制备AlN陶瓷,研究了粉末比表面积对AlN陶瓷烧结行为的影响。结果表明:粉末比表面积是影响AlN烧结行为的关键因素之一,对于燃烧合成前驱物制备的AlN粉末试样,没有添加Y2O3烧结助剂时在1700℃获得致密,添加Y2O3烧结助剂后,试样的烧结致密化温度降低为1600℃;而对于沉淀前驱物合成的AlN粉末试样,添加烧结助剂后仍需要在高于1800℃才能获得致密。探讨了粉末比表面积对AlN陶瓷烧结行为的影响机理,并利用SEM对陶瓷烧结过程中的显微结构变化进行了表征。 展开更多
关键词 aln陶瓷 粉末特性 aln粉末 低温燃烧合成 烧结行为 比表面积 烧结助剂 Y2O3 碳热还原法 烧结致密化 微结构变化 前驱物 表面积分 原料制备 温度降低 影响机理 烧结过程 试样 添加 SEM 沉淀
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AlN陶瓷的空心阴极等离子烧结工艺研究 被引量：3
16
作者 王从曾 苏学宽 +3 位作者 高帆 段成军 张连宝 马捷 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期279-283,共5页
将空心阴极效应运用于AIN陶瓷的烧结,选用自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,用Y2O3-Li2O-CaO(YLC)作为烧结助剂,进行了烧结试验,并探讨了工艺参数的影响。结果表明,空心阴极烧结工艺可制备出致密度高,导热性能好的AIN陶瓷。添加质量分数为... 将空心阴极效应运用于AIN陶瓷的烧结,选用自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,用Y2O3-Li2O-CaO(YLC)作为烧结助剂,进行了烧结试验,并探讨了工艺参数的影响。结果表明,空心阴极烧结工艺可制备出致密度高,导热性能好的AIN陶瓷。添加质量分数为5.5%的YLC烧结助剂,在1 700℃、保温3h的烧结条件下,获得相对密度为98.9%、热导率为93.8W/(m.K)的AIN烧结体。烧结体断口的SEM照片显示,烧结试样的晶粒生长发育完善,晶粒轮廓清晰,呈尖锐的多面体形状,晶粒大小均匀,孔隙和晶界相少,断裂模式主要为穿晶解理断裂。TEM观测表明,晶界相少,且大部分都缩至三角晶界,AIN晶粒与晶粒接触紧密。 展开更多
关键词 空心阴极 等离子 烧结 氮化铝(aln) 空心阴极效应 aln陶瓷 等离子烧结 工艺研究 晶粒大小 烧结助剂
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