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微波3D-SiP模组的关键工艺方法研究
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作者 廖雯 张威 +2 位作者 文鹏 吉垚 张磊 《压电与声光》 北大核心 2025年第5期852-856,共5页
本文介绍了一种微波3D-SiP模组的工艺设计方法。该模组内部采用4种焊接材料和1种粘接材料,基于通用气密封HTCC管壳进行三维堆叠,实现了立体组装的产品小型化。同时,通过理论仿真与产品加工工艺相结合,分别对影响模组装配质量的键合、电... 本文介绍了一种微波3D-SiP模组的工艺设计方法。该模组内部采用4种焊接材料和1种粘接材料,基于通用气密封HTCC管壳进行三维堆叠,实现了立体组装的产品小型化。同时,通过理论仿真与产品加工工艺相结合,分别对影响模组装配质量的键合、电路板入壳和批量植球3项关键工艺进行研究。研究表明,该模组采用的工艺方法具有标准化、通用化、可靠性高的工艺特点。 展开更多
关键词 微波3d-sip模组 三维堆叠 仿真 金丝键合 植球工艺
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温度循环作用下陶瓷3D-SiP BGA焊点寿命预测
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作者 张理想 冯思润 +2 位作者 冀乃一 赵永志 厉志强 《电子工艺技术》 2025年第5期25-28,共4页
系统级封装的小型化带来了一些可靠性问题,如温度循环载荷作用下BGA焊点疲劳断裂。提出了一种基于陶瓷封装的三维系统集成封装(3D-SiP)方法,该封装能够显著提升系统封装的集成度,同时实现封装的气密。通过试验和仿真研究了温度循环作用... 系统级封装的小型化带来了一些可靠性问题,如温度循环载荷作用下BGA焊点疲劳断裂。提出了一种基于陶瓷封装的三维系统集成封装(3D-SiP)方法,该封装能够显著提升系统封装的集成度,同时实现封装的气密。通过试验和仿真研究了温度循环作用下BGA焊点的寿命,仿真结果与试验结果误差为8.95%。 展开更多
关键词 BGA 寿命预测 温度循环 3d-sip封装
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面向3D-SiP模组的超宽带互联技术研究
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作者 吕嘉然 阚尧 +3 位作者 刘士杰 徐梦苑 汤君坦 成海峰 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期47-53,共7页
针对有源相控阵天线前端向低剖面、超宽带、高集成方向发展的趋势,基于三维系统级封装(Three-dimensional system-in-package, 3D-SiP)技术的TR模组成为了当前研究的热点。本文面向一种采用高温共烧陶瓷(High temperature co-fired cera... 针对有源相控阵天线前端向低剖面、超宽带、高集成方向发展的趋势,基于三维系统级封装(Three-dimensional system-in-package, 3D-SiP)技术的TR模组成为了当前研究的热点。本文面向一种采用高温共烧陶瓷(High temperature co-fired ceramic, HTCC)技术和球栅阵列(Ball grid array, BGA)堆叠技术实现的3D-SiP TR模组,开展了三维超宽带互联结构的技术研究。对三种基础结构进行了超宽带仿真研究,在此基础上实现了组成3DSiP TR模组内部的2~18 GHz的高密度三维互联结构,并对采用该互联结构的3D-SiP TR模组进行了实物研制及测试。测试结果显示,该3D-SiP TR模组在2~18 GHz频带内反射系数≤-10 dB,插入损耗≤3.8 dB。 展开更多
关键词 超宽带 垂直互连 高温共烧陶瓷(HTCC)技术 三维系统级封装(3d-sip)
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基于信号/电源完整性的3D-SiP陶瓷封装设计 被引量:7
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作者 张荣臻 高娜燕 +1 位作者 朱媛 丁荣峥 《电子与封装》 2017年第1期1-5,14,共6页
通过3D集成技术实现电子产品的小型化、高密度、高性能,已成为一条重要的技术途径。为了实现某型号数字信号处理系统的小型化,采用上下腔、3D叠层的气密性陶瓷封装结构,基于产品的信号/电源完整性对陶瓷封装进行了设计。运用Cadence Rel... 通过3D集成技术实现电子产品的小型化、高密度、高性能,已成为一条重要的技术途径。为了实现某型号数字信号处理系统的小型化,采用上下腔、3D叠层的气密性陶瓷封装结构,基于产品的信号/电源完整性对陶瓷封装进行了设计。运用Cadence Release16.3及SIwave5软件对其电性能进行了仿真分析,并根据仿真结果对封装设计进行优化,使封装的信号/电源完整性符合产品设计要求。最终研制生产的产品测试结果与仿真结果吻合,验证了封装电设计的合理性。 展开更多
关键词 3d-sip 信号/电源完整性 陶瓷封装
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三维系统级封装(3D-SiP)中的硅通孔技术研究进展 被引量:3
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作者 王美玉 张浩波 +1 位作者 胡伟波 梅云辉 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第19期261-276,共16页
随着系统复杂度的不断提高,传统封装技术已不能满足多芯片、多器件的高性能互联。而三维系统级封装(3D-system in package,3D-SiP)通过多层堆叠和立体互联实现了芯片和器件的高性能集成。其中,硅通孔(Throughsiliconvia,TSV)结构在3D-S... 随着系统复杂度的不断提高,传统封装技术已不能满足多芯片、多器件的高性能互联。而三维系统级封装(3D-system in package,3D-SiP)通过多层堆叠和立体互联实现了芯片和器件的高性能集成。其中,硅通孔(Throughsiliconvia,TSV)结构在3D-Si P中发挥着极为关键的作用。系统性的回顾了TSV技术的研究进展,包括TSV的技术背景、生产制造、键合工艺和应用特色,同时对比并总结了不同制造工艺和键合工艺的优缺点,如制造工艺中的刻蚀、激光钻孔、沉积薄膜和金属填充,键合工艺中的焊锡凸点制备、铜柱凸点制备和混合键合,讨论了TSV当前面临的挑战,展望了TSV未来的发展趋势。 展开更多
关键词 三维封装 系统级封装 硅通孔 垂直互联
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3D-Si/LG5复合材料微观组织及热物理性能研究
6
作者 修子扬 陈国钦 +2 位作者 王晓峰 武高辉 邓宗权 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期65-68,共4页
采用压力浸渗技术制备Sip/LG5复合材料并对其进行高温扩散处理。组织观察表明:复合材料增强体形貌经过高温扩散处理后由不规则的尖角形状转变为三维网络结构(3D)。对3D-Si/LG5复合材料界面的研究表明,与高温扩散处理前复合材料的界面相... 采用压力浸渗技术制备Sip/LG5复合材料并对其进行高温扩散处理。组织观察表明:复合材料增强体形貌经过高温扩散处理后由不规则的尖角形状转变为三维网络结构(3D)。对3D-Si/LG5复合材料界面的研究表明,与高温扩散处理前复合材料的界面相比,三维网络结构3D-Si/LG5复合材料的界面更光滑,界面结合程度也更好。三维网络结构3D-Si/LG5复合材料界面处及基体合金内部有Si析出,基体合金中存在着孪晶;三维网络结构3D-Si/LG5复合材料的平均线膨胀系数与高温扩散处理前相比,降低了10.5%;增强体三维网络化减少界面及基体中大量细小弥散的Si析出,使得三维网络3D-Si/LG5复合材料的热导率变化不大。 展开更多
关键词 Sip/LG5 网络结构 微观结构 热膨胀系数 热导率
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L频段双通道高集成度变频SiP模块设计
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作者 杜泽保 孔小雪 +1 位作者 王晓庆 张树鹏 《电子技术应用》 2026年第1期48-52,共5页
为了适应系统轻量化、小型化、集成化的需求,基于3D堆叠技术实现了一款高集成度L频段双通道变频SiP模块。该SiP模块采用多层有机复合基板堆叠,集成了两路变频通道、频率源和微控制器,采用陶瓷管壳气密封装,尺寸仅为21 mm×16 mm... 为了适应系统轻量化、小型化、集成化的需求,基于3D堆叠技术实现了一款高集成度L频段双通道变频SiP模块。该SiP模块采用多层有机复合基板堆叠,集成了两路变频通道、频率源和微控制器,采用陶瓷管壳气密封装,尺寸仅为21 mm×16 mm×4.3 mm。测试结果表明,该模块具有43.5 dB的典型变频增益,增益平坦度小于0.7 dB,带外杂散抑制大于60 dBc,通道间隔离度大于50 dB,满足系统使用要求。 展开更多
关键词 3D堆叠 SiP模块 变频 复合基板
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3D集成技术在尖端领域的应用及其发展趋势 被引量:6
8
作者 王明涛 何君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期328-332,共5页
近年来,随着微电子系统不断向微小型化发展,3D集成技术的开发和应用倍受关注。3D技术通常使用硅通孔把RF前端、信号处理、存储、传感等功能垂直集成在一起,从而达到增强功能密度、缩小尺寸和提高可靠性的目的。3D集成微系统的集成度和... 近年来,随着微电子系统不断向微小型化发展,3D集成技术的开发和应用倍受关注。3D技术通常使用硅通孔把RF前端、信号处理、存储、传感等功能垂直集成在一起,从而达到增强功能密度、缩小尺寸和提高可靠性的目的。3D集成微系统的集成度和效率比传统电子系统提高了上百倍。以片上系统和封装中系统两大主流3D技术为例,对其在当前微电子领域,特别是在卫星、航天等科技领域的发展现状和产品特性进行了介绍,并对该技术所面临的挑战和未来发展方向做了分析预测。 展开更多
关键词 3D系统 片上系统 封装中系统 3D集成 硅通孔
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3D设计技术在SiP中的应用 被引量:5
9
作者 李扬 《电子技术应用》 2018年第9期39-43,共5页
SiP(System-in-Package)系统级封装技术是最新的微电子封装和系统集成技术,目前已成为电子技术发展的热点。SiP最鲜明的特点就是在封装中采用了3D(Three Dimensions)技术,通过3D技术,可以实现更高的系统集成度,在更小的面积内封装更多... SiP(System-in-Package)系统级封装技术是最新的微电子封装和系统集成技术,目前已成为电子技术发展的热点。SiP最鲜明的特点就是在封装中采用了3D(Three Dimensions)技术,通过3D技术,可以实现更高的系统集成度,在更小的面积内封装更多的芯片。从设计角度出发,介绍了应用在SiP中的3D设计技术,包括3D基板设计技术和3D组装设计技术,阐述了3D设计的具体思路和方法,可供工程师在设计3D SiP时参考。 展开更多
关键词 系统级封装 3D SIP 3D设计技术 3D基板设计 3D组装设计
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一种宽带高隔离度2×4开关矩阵的3D模块设计 被引量:1
10
作者 郝志娟 白银超 颜廷臣 《通信电源技术》 2023年第5期49-51,共3页
设计的开关矩阵3D模块采用球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)植球工艺将上下2层陶瓷基板进行互联,以此实现三维电路结构。在需要对多种元器件进行布局和复杂布线的情况下,采用多层陶瓷基板来构建系统级封装(System In Package,SIP),更易于... 设计的开关矩阵3D模块采用球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)植球工艺将上下2层陶瓷基板进行互联,以此实现三维电路结构。在需要对多种元器件进行布局和复杂布线的情况下,采用多层陶瓷基板来构建系统级封装(System In Package,SIP),更易于实现开关矩阵的强大功能。该3D模块开关矩阵的体积为21 mm×16 mm×3.6 mm,采用3D SIP集成技术解决了宽带射频信号的垂直互联、高密度集成、通道隔离度等难题,实现了对宽带信号的开关切换,可以同时实现4个输出端口对2个输入激励的任意切换。与传统的开关矩阵相比,该模块具有体积小、重量轻以及成本低等优点,可以广泛用于功分网络及其他微波系统的一体化、小型化设计。 展开更多
关键词 3D系统级封装(SIP) 宽带 小型化 开关矩阵 隔离度
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系统模块(SiP)和三维封装(3D)在移动通讯中的应用(英文) 被引量:3
11
作者 李维平 Chris Scanlan Akito Yoshida 《电子工业专用设备》 2004年第7期10-14,共5页
电子封装业界正遭受着前所未有的来自手机和其他移动通讯终端设备挑战。在这一领域里,IC封装的关键是尺寸微型化,缩减成本和市场时机。这一挑战的背后隐含着手机技术发展的两大趋势:系统模块化和日益增长的复杂性及功能。越来越多的功... 电子封装业界正遭受着前所未有的来自手机和其他移动通讯终端设备挑战。在这一领域里,IC封装的关键是尺寸微型化,缩减成本和市场时机。这一挑战的背后隐含着手机技术发展的两大趋势:系统模块化和日益增长的复杂性及功能。越来越多的功能正在被组合到手机上即PDA、MP3、照相机、互联网等等。功能的增加需要靠模块化来实现,而模块化又促进了更多功能的组合。同时,模块化使得移动通讯终端设备得以微型化、降低成本和缩短设计周期。业界越来越多地感受到整体射频模块和通讯模块解决方案的必要性。这些整体模块把手机设计师从电路设计的细节中解脱出来,从而能专著于高层的手机应用和系统的设计。为了满足上诉移动通讯产品的苛刻要求,大量的新兴电子封装技术和封装产品应运而生。最引人注目的例子在于对系统模块穴SiP雪和三维穴3D雪封装的重点资金和技术投入。这两项先进封装技术有着各自不同的特征和应用范围。总体介绍先进封装技术在移动通讯中的应用,重点讨论电子封装材料和工艺所面临的挑战和最新发展趋势。对移动通讯带来的新一轮集成化及其所产生的潜在供应链问题也做了适当的讨论。 展开更多
关键词 电子封装 系统模块 三维封装 移动通讯 无限局域
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SiP协调设计和PI解析(3)
12
作者 蔡积庆(编译) 《印制电路信息》 2011年第5期35-42,共8页
SiP协调设计和PI解析:(1)封装和热设计,(2)芯片的三维安装。
关键词 SiP协调设计 PI解析 封装 热设计芯片三维安装
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组合导航微系统陶瓷基三维集成技术
13
作者 沈时俊 何一蕾 +1 位作者 汪金华 庄永河 《电子技术应用》 2025年第4期101-105,共5页
为了解决高精度组合导航系统的体积和重量较大的问题,基于多层陶瓷基板高密度布线和三维立体组装等系统级封装(System In Package,SiP)工艺技术,提出了一种全新的三维立体微系统封装结构。采用低温共烧陶瓷(Low Temperature Cofired Cer... 为了解决高精度组合导航系统的体积和重量较大的问题,基于多层陶瓷基板高密度布线和三维立体组装等系统级封装(System In Package,SiP)工艺技术,提出了一种全新的三维立体微系统封装结构。采用低温共烧陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic,LTCC)基板高密度布线及贴装、基板堆叠、高正交度立体组装等SiP工艺,将三轴加速度计、三轴陀螺仪、卫星导航、地磁计和气压高度计等集成在一个封装单元中,研制出外形尺寸仅3.1 cm×2.9 cm×0.96cm、重量仅18g的组合导航微系统产品,拓展了应用领域。通过数据融合算法,可以有效提升导航精度和可靠性,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 组合导航微系统 系统级封装 三维立体组装 低温共烧陶瓷
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Ka频段卫通收发共口径多波束相控阵封装天线设计 被引量:1
14
作者 蓝海 王子宁 《电讯技术》 北大核心 2024年第8期1322-1327,共6页
为满足卫星通信中双频共口径、高集成、多波束等要求,提出了一种基于封装天线(Antenna in Package, AIP)架构的Ka频段收发共口径多波束相控阵天线。天线以双频堆叠微带单元的形式实现了收发共口径,并通过天线集成滤波器保证了收发通道... 为满足卫星通信中双频共口径、高集成、多波束等要求,提出了一种基于封装天线(Antenna in Package, AIP)架构的Ka频段收发共口径多波束相控阵天线。天线以双频堆叠微带单元的形式实现了收发共口径,并通过天线集成滤波器保证了收发通道的隔离度优于44 dB。在±60°范围内,64元接收阵增益优于17.4 dB,128元发射阵增益优于20.2 dB,具有良好的波束扫描性能。为获得收发多波束一片式集成,在收发(Transmitter/Receiver, T/R)组件中使用晶圆级三维系统集成封装(Three Dimensions System in Package, 3D-SIP)并结合微凸点的制备技术,保证了系统级芯片(System-on-Chip, SOC)的高密度二次集成。高低频混压技术同样被应用于阵面、收发网络、控制供电链路的多层板集成。所提多波束的相控阵天线新架构具有高密度集成TR组件、多波束一体化、高效散热等特点,在卫星通信和数据链等方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 Ka波段卫星通信 多波束相控阵天线 封装天线 收发共口径 SOC芯片 3d-sip封装
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基于BGA互联的毫米波模块三维集成设计 被引量:6
15
作者 周江 张先荣 钟丽 《电讯技术》 北大核心 2019年第6期724-728,共5页
设计了一种利用微波基板作为转接板的毫米波系统级封装(System in Package,SIP)模块。采用球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)作为射频信号层间垂直互联传输和隔离结构,实现了三维集成毫米波模块的低损耗垂直传输。对样件测试结果显示,在28~... 设计了一种利用微波基板作为转接板的毫米波系统级封装(System in Package,SIP)模块。采用球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)作为射频信号层间垂直互联传输和隔离结构,实现了三维集成毫米波模块的低损耗垂直传输。对样件测试结果显示,在28~31GHz频率范围之间,其端口驻波小于1.5,增益大于30dB。该三维集成结构简单,射频传输性能良好,其体积仅为传统二维平面封装结构的20%,实现了模块的小型化,可广泛用于微波和毫米波电路与系统。 展开更多
关键词 毫米波电路 三维集成 系统级封装 球栅阵列
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基于分形理论的三维系统封装微通道布局设计 被引量:2
16
作者 郭魏源 陈传举 +1 位作者 杨永顺 谢君利 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期364-368,共5页
为了更好地解决大功率三维系统封装(3D-SIP)芯片散热的问题,将分形理论和翅片型微通道相结合,应用于微米级的微通道布局中,形成新型的平行翅片型微通道、交错翅片型微通道、树状翅片型微通道3种布局。在ANSYS的FLOTRAN中建立了相应模... 为了更好地解决大功率三维系统封装(3D-SIP)芯片散热的问题,将分形理论和翅片型微通道相结合,应用于微米级的微通道布局中,形成新型的平行翅片型微通道、交错翅片型微通道、树状翅片型微通道3种布局。在ANSYS的FLOTRAN中建立了相应模型,得到了大功率芯片结温、芯片温差和3D-SIP的热阻,比较了3种微通道布局对大功率3D-SIP散热特性的影响。研究结果表明,相比其他两种微通道布局,树状翅片型微通道布局使3D-SIP的大功率芯片散热效果最好,为大功率3D-SIP的散热设计提供了很好的参考依据。 展开更多
关键词 三维系统封装(3d-sip) 散热特性 分形理论 平行翅片型微通道 交错翅片型微通道 树状翅片型微通道
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新型微电子封装技术 被引量:24
17
作者 高尚通 杨克武 《电子与封装》 2004年第1期10-15,23,共7页
本论文综述了自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术,包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。同时,叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封... 本论文综述了自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术,包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。同时,叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封装技术提出了一些思索和建议。 展开更多
关键词 微电子 封装技术 芯片尺寸封装 圆片级封装 三维封装 焊球阵列封装 系统封装
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硅基异质集成技术发展趋势与进展 被引量:9
18
作者 武俊齐 赖凡 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第2期214-218,共5页
目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装。硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术。它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展。硅基异质集成技... 目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装。硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术。它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展。硅基异质集成技术正处于芯片级集成向晶体管级集成的发展初期,已有关于晶体管级和亚晶体管级集成的报道。本文重点研究了单片三维集成电路(3D SoC)、太赫兹SiGe HBT器件、超高速光互连封装级系统(SiP)、单片集成电磁微系统等硅基异质集成技术前沿,展现了硅基异质集成技术的发展趋势,及其在军用和民用通信、智能传感技术发展中所具有的重要意义。 展开更多
关键词 硅基异质集成 3D SoC 光互连SiP 太赫兹SiGe HBT器件 电磁微系统
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微电子封装的新进展领域及对SMT的新挑战 被引量:5
19
作者 况延香 朱颂春 《电子工艺技术》 2004年第5期225-229,共5页
介绍了几种微电子新型封装材料,如LTCC、AIN、金刚石、AI-Sic和无铅焊接材料等,论述了正在发展中的新型先进封装技术,如WLP、3D和SIP等,并对封装新领域MEMS和MOEMS作了简介。最后,就这些新技术对SMT的新挑战作了些探讨。。
关键词 LTCC AI-Sic WLP 3D SIP MEMS MOEMS
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数字信号处理微系统设计 被引量:4
20
作者 杨芳 王良江 《电子与封装》 2016年第2期19-22,共4页
随着整机单位对电路尺寸及国产化的要求越来越高,数字信号处理微系统的需求显得尤为迫切。数字信号处理微系统不仅要求做到物理空间的缩小,更要保证整体性能的提升以及应用的简单化。数字信号处理微系统可以从SoC功能芯片、高可靠陶瓷/... 随着整机单位对电路尺寸及国产化的要求越来越高,数字信号处理微系统的需求显得尤为迫切。数字信号处理微系统不仅要求做到物理空间的缩小,更要保证整体性能的提升以及应用的简单化。数字信号处理微系统可以从SoC功能芯片、高可靠陶瓷/塑封基板3D-SiP封装等多个方面实现。但由于其成本高、周期长等缺点,严重影响了数字信号处理微系统的快速发展。通过设计实例,介绍了一种通过成品电路二次封装的方法,既解决了成本及周期的问题,又实现了小型化的目标。 展开更多
关键词 数字信号处理 微系统 SOC 3D—SiP 小型化
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