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[(enH)_2(enH_2)Sn_2Se_6]的合成、结构及性能研究 被引量：4
1
作者 韩克飞 夏芸 +1 位作者 魏永革 郭洪猷 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第5期724-728,共5页
采用溶剂热法 ,以K2 Se∶SnCl2 ·2H2 O∶Se∶en =1∶1∶4∶48的摩尔比 ,在 15 0℃下反应 5d ,生成黄色透明柱状晶体[(enH2 ) 2 Sn2 Se6·en] .该晶体属于三斜晶系 ,空间群为P 1,晶胞参数 ,a =0 865 9( 2 )nm ,b =1 10 5 5 ( 2... 采用溶剂热法 ,以K2 Se∶SnCl2 ·2H2 O∶Se∶en =1∶1∶4∶48的摩尔比 ,在 15 0℃下反应 5d ,生成黄色透明柱状晶体[(enH2 ) 2 Sn2 Se6·en] .该晶体属于三斜晶系 ,空间群为P 1,晶胞参数 ,a =0 865 9( 2 )nm ,b =1 10 5 5 ( 2 )nm ,c =0 663 60 ( 10 )nm ,α =10 4 44 ( 3 )° ,β =110 93 ( 3 )° ,γ =79 74( 3 )° ,V =0 5 7198( 19)nm3 ,Z =1.[(enH) 2 (enH2 )Sn2 Se6]晶体由质子化的乙二胺正离子 (enH) + ,(enH2 ) 2 + 和二聚硒代锡酸根负离子 (Sn2 Se6) 4 -堆积而成 .在AxSn2 Se6系列化合物 ,正离子A的大小对晶体结构的类型产生重要的影响 .研究表明 ,此晶体具有 1 76eV的能隙 (Eg) ,是个半导体 ,对太阳辐射具有选择吸收特性 ,在温度低于 180℃时是稳定的 . 展开更多
关键词 [(enH)2(enH2)Sn2se6] 结构 光学性能 溶剂热法合成 聚硒代锡酸根负离子 碱金属离子 半导体 金属硫族化合物
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拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶体的研究进展 被引量：8
2
作者 吕莉 张敏 +2 位作者 杨立芹 羊新胜 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期7-12,共6页
拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化... 拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2Se3的研究发展方向。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 晶体生长 Bi2se3
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α-Cu_2Se精细结构的球差校正扫描透射电镜表征 被引量：5
3
作者 陈陆 刘军 +1 位作者 王勇 张泽 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第2期139-144,共6页
目前学界对Cu_2Se低温α相的结构仍未认识清楚,而解决这一问题对理解Cu_2Se在相变过程中热电性能提升等特性具有重要意义。本文首次报道了由球差校正扫描透射电镜(STEM)拍摄到的沿■带轴的原子级分辨率高角环形暗场(HAADF)像,揭示了由S... 目前学界对Cu_2Se低温α相的结构仍未认识清楚,而解决这一问题对理解Cu_2Se在相变过程中热电性能提升等特性具有重要意义。本文首次报道了由球差校正扫描透射电镜(STEM)拍摄到的沿■带轴的原子级分辨率高角环形暗场(HAADF)像,揭示了由Se原子以多种形式有序起伏产生的复杂结构。结合电子衍射图谱,分析了包含不同层数、通过相互组合构成α-Cu_2Se晶体的多种结构变体。使用QSTEM软件对构建的结构变体进行高分辨图像模拟,得到了与实验对应的HAADF像。该工作为更全面地理解α-Cu_2Se的结构提供了新的重要信息。 展开更多
关键词 α-Cu2se 聚焦离子束 电子衍射 球差校正 STEM 有序起伏
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Ag-Ag_2Se共敏化ZnO花-棒异质结构的合成及其光电化学特性 被引量：3
4
作者 韩志钟 韦力瑗 +3 位作者 郭晔 潘海波 陈建中 陈耐生 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1856-1862,共7页
采用水相法合成ZnO花-棒(ZFRs)有序阵列结构,同时利用离子交换法,制备Ag和Ag2Se量子点共敏化光ZnO光阳极(AA-ZFRs)。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDS)和透射电子显微镜(TEM)等手段对样品进行了分析... 采用水相法合成ZnO花-棒(ZFRs)有序阵列结构,同时利用离子交换法,制备Ag和Ag2Se量子点共敏化光ZnO光阳极(AA-ZFRs)。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDS)和透射电子显微镜(TEM)等手段对样品进行了分析和表征,并测试其光电化学特性以及量子效应。结果表明,Ag-Ag2Se共敏化ZnO花-棒三维有序结构对太阳光的吸收范围延展至近红外区(750 nm),并且在敏化层与ZnO基质界面形成异质结,有效的抑制光生电子-空穴对复合,增强光转换量子效应,从而提高光电化学性能,开路电压达到-0.77 V,短路电流为0.64 mA。 展开更多
关键词 ZnO花-棒 Ag-Ag2se共敏化 量子点 光电化学特性
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多元醇法制备和表征Sb_2Se_3纳米线 被引量：11
5
作者 陈名海 高濂 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1343-1348,共6页
以自制的NaHSe乙醇溶液为硒源,在PEG-400无水体系中采用多元醇法,在180℃生长10h制备了直径100-200nm,长度可达十几微米的纳米线.产物通过XRD、TEM、HRTEM、FESEM、EDS和UV-Vis等手段进行了表征,并研究了不同多元醇对产物形貌的影响.研... 以自制的NaHSe乙醇溶液为硒源,在PEG-400无水体系中采用多元醇法,在180℃生长10h制备了直径100-200nm,长度可达十几微米的纳米线.产物通过XRD、TEM、HRTEM、FESEM、EDS和UV-Vis等手段进行了表征,并研究了不同多元醇对产物形貌的影响.研究表明,PEG-400作为结构导向剂在制备一维Sb2Se3纳米线中发挥着至关重要的作用,并且无水环境为纳米晶的生长提供了更加纯净的条件,有利于制备高质量的纳米晶. 展开更多
关键词 纳米线 Sb2se3 多元醇法
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水热合成Sb2Se3纳米线及其对Bi2Te3纳米粉末热电性能的影响 被引量：2
6
作者 张艳华 徐桂英 +3 位作者 郭志敏 韩菲 王泽 葛昌纯 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期615-620,共6页
以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成... 以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成分和微观形貌等进行了表征,实验结果表明保温时间达到24h时,获得产物为单相Sb2Se3纳米线晶体.根据实验结果还研究了水热合成Sb2Se3纳米线晶体可能的反应及生长机理,结果表明一维纳米线沿[001]方向生长,纳米线的形成与其独特的层状晶体结构有关.最后采用放电等离子体快速热压烧结法将水热合成的Bi2Te3纳米粉末与不同含量Sb2Se3纳米线进行复合,分析了Sb2Se3纳米线对Bi2Te3纳米材料热电性能的影响,发现复合约1at%Sb2Se3纳米线可以使Bi2Te3纳米材料热电性能有一定提高. 展开更多
关键词 水热合成 Sb2se3 纳米线 热电性能
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Sb_2Se_3热电材料的真空熔炼合成及微结构研究 被引量：3
7
作者 胡孔刚 段兴凯 +1 位作者 满达虎 金海霞 《铸造技术》 CAS 北大核心 2012年第11期1251-1253,共3页
采用石英管真空封装高纯度的Sb、Se粉末,在800℃下熔炼12 h,冷却后制成Sb2Se3粉末,在真空下进行热压烧结(470℃,60 MPa)并保温0.5 h,成功制备出Sb2Se3块体材料。运用XRD,SEM和EDS方法对材料的物相、成分和形貌进行了表征。结果表明,真... 采用石英管真空封装高纯度的Sb、Se粉末,在800℃下熔炼12 h,冷却后制成Sb2Se3粉末,在真空下进行热压烧结(470℃,60 MPa)并保温0.5 h,成功制备出Sb2Se3块体材料。运用XRD,SEM和EDS方法对材料的物相、成分和形貌进行了表征。结果表明,真空熔炼合成粉末和热压烧结块体材料的XRD图谱峰与Sb2Se3的标准衍射图谱(01-072-1184)相对应。Sb2Se3热压块体材料在平行于热压方向的断面上分布着大量的层片状结构,但少量片状结构变得粗大,层片状结构厚度约在1μm以下,并沿某一方向择优生长;垂直于热压方向的断面上微观形貌主要是层片状结构,并出现少量近似球形的结构,层片状结构短而薄,部分变得粗大,晶粒结构不均匀。热压烧结块体材料中Sb和Se的原子分数分别为40.68%,59.32%,接近2∶3。 展开更多
关键词 真空熔炼 热压烧结 Sb2se3 热电材料
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水热共还原法合成一维Sb_2Se_3纳米单晶带和单晶棒 被引量：2
8
作者 崔洪梅 刘宏 +3 位作者 王继扬 李霞 韩峰 林延霆 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期61-64,共4页
采用水热共还原法在105-180℃合成了宽度为40-100nm的Sb2Se3纳米单晶带和直径为100-250nm的纳米单晶棒。用X射线衍射、透射电镜和高分辨电镜对所得的产物进行了表征。结果表明:Sb2Se3单晶带和单晶棒是结晶程度良好的纳米晶,单晶带和单... 采用水热共还原法在105-180℃合成了宽度为40-100nm的Sb2Se3纳米单晶带和直径为100-250nm的纳米单晶棒。用X射线衍射、透射电镜和高分辨电镜对所得的产物进行了表征。结果表明:Sb2Se3单晶带和单晶棒是结晶程度良好的纳米晶,单晶带和单晶棒的生长方向为[001];纳米结构形貌和尺寸随合成温度的改变而变化;并提出了Sb2Se3单晶带和单晶棒的生长模型。 展开更多
关键词 Sb2se3 纳米结构 热电材料
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Bi_2Se_3纳米片的制备及表征 被引量：1
9
作者 刘丽君 向卫东 +3 位作者 钟家松 杨昕宇 梁晓娟 刘海涛 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期524-529,共6页
以BiCl3和Se粉为铋源和硒源,Na2SO3为还原剂,在碱性条件下,采用简单的溶剂热法首次在不同溶剂中均合成了Bi2Se3纳米片。探究了不同反应时间片状纳米晶的定向生长特性。通过X射线粉末衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),... 以BiCl3和Se粉为铋源和硒源,Na2SO3为还原剂,在碱性条件下,采用简单的溶剂热法首次在不同溶剂中均合成了Bi2Se3纳米片。探究了不同反应时间片状纳米晶的定向生长特性。通过X射线粉末衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等方法对所得产物的物相结构及形貌进行了表征。结果表明在不同溶剂中所得产物均为纯六方相Bi2Se3纳米片,产物的尺寸及形貌随溶剂变化虽有所不同,但总体为片状形貌,并阐明了片状形貌Bi2Se3的形成与其内部特殊的层状结构密切相关。 展开更多
关键词 Bi2se3 纳米片 溶剂热 合成 表征
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水热法制备Sb_2Se_3纳米线及其光响应性能研究 被引量：2
10
作者 陈哲 陈峰 谭乃迪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期238-242,共5页
采用简单的水热方法成功合成出分散性良好、尺寸均一的Sb2Se3纳米线。研究表明,所合成出的Sb2Se3纳米线直径约20-30 nm,长度达30μm。与此同时,讨论了如乙二胺的浓度、反应时间和形成机制等很多反应参数。还详细研究了Sb2Se3的光响应性能。
关键词 水热合成法 Sb2se3纳米线 光响应性能
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牛血清白蛋白辅助合成Ag2Se-Se复合纳米粒子 被引量：1
11
作者 孔毅飞 高峰 +3 位作者 崔大祥 黄鹏 贺蓉 李娜 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期641-644,752,共5页
本文利用牛血清白蛋白(BSA)作为表面活性剂,在水相中成功合成了具有复合结构的Ag2Se-Se纳米粒子。该复合纳米粒子具有较好的分散性。整个实验过程均在室温下进行,合成方法简单、可控且重复性好。结合傅立叶变换红外光谱(FTIR)和紫外吸... 本文利用牛血清白蛋白(BSA)作为表面活性剂,在水相中成功合成了具有复合结构的Ag2Se-Se纳米粒子。该复合纳米粒子具有较好的分散性。整个实验过程均在室温下进行,合成方法简单、可控且重复性好。结合傅立叶变换红外光谱(FTIR)和紫外吸收光谱(UV-vis)的结果,分析了纳米粒子复合结构的形成过程;采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)结合选区电子衍射(SAED)和能谱分析(EDS),对制备的复合粒子形貌和成份组成进行了分析测定;利用X射线粉末衍射(XRD)分析了复合粒子的晶体结构和相组成。采用BSA修饰制备得到的纳米粒子生物相容性好,可以在生物医学领域中得到广泛应用。 展开更多
关键词 牛血清白蛋白 SE Ag2se 复合纳米粒子
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新型Sb_2S_3-Sb_2Se_3与单晶二氧化钛纳米阵列复合结构在太阳能电池领域的应用(英文) 被引量：1
12
作者 陈延学 李逸坦 +1 位作者 张瑞梓 隋行 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2013年第5期379-383,共5页
近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注.Sb2S3和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分.通过水热法,二氧化钛(TiO2)单晶纳米阵列被成功... 近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注.Sb2S3和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分.通过水热法,二氧化钛(TiO2)单晶纳米阵列被成功生长在FTO导电玻璃上.通过连续离子层吸附法(SILAR),Sb2S3-Sb2Se3复合纳米结构被生长在二氧化钛单晶纳米阵列的表面.利用X射线衍射(XRD)表征Sb2S3和Sb2Se3纳米晶体的晶相,利用扫描电子显微镜(SEM)表征其形貌,发现在这一复合结构中,二氧化钛单晶纳米阵列与Sb2S3结合之后所留下的空隙被Sb2Se3量子点填充,从而提高了结构表面积的利用率.随着连续离子层吸附法反应周期的增加,Sb2S3-Sb2Se3与二氧化钛单晶纳米阵列共同形成复合结构的带隙发生了明显的红移,吸收边在可调控的情况下由1.7 eV向红外波段发生了移动.这种纳米结构的比表面积大、工艺简单、结构致密、沉积速率快、可调控性强,对于今后敏化太阳能电池领域的应用有很大的启发作用. 展开更多
关键词 太阳能电池 TIO2 Sb2S3 Sb2se3 单晶纳米阵列
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混合价硒代锡酸盐K_2Sn_2Se_4的固相合成、晶体结构和反射光谱研究 被引量：1
13
作者 张丽丹 魏永革 +1 位作者 冯秀玲 郭洪猷 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1395-1398,共4页
采用反应性熔盐法在550℃下合成一种新型混合价硒代锡酸盐晶体(K2Sn2Se4).该晶体属于四方晶系,空间群为I4cm,晶胞参数a=0.81524(12)nm,b=0.81524(12)nm,c=0.67152(13)nm.K2Sn2Se4晶体具有一维链状结构,一维的1∞[Sn2Se4]2-链沿c轴方向... 采用反应性熔盐法在550℃下合成一种新型混合价硒代锡酸盐晶体(K2Sn2Se4).该晶体属于四方晶系,空间群为I4cm,晶胞参数a=0.81524(12)nm,b=0.81524(12)nm,c=0.67152(13)nm.K2Sn2Se4晶体具有一维链状结构,一维的1∞[Sn2Se4]2-链沿c轴方向无限扩展,K+插入链之间.K2Sn2Se4属于Zintl型化合物,具有半导体特性.漫反射光谱法研究结果表明,该化合物的光学能隙(Eg)为1.7eV. 展开更多
关键词 硒代锡酸盐 K2Sn2se4 反应性熔盐法 晶体结构
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水热法制备Sb_2Se_3纳米晶 被引量：1
14
作者 周晓东 石华强 +2 位作者 翟自芹 胡正水 傅洵 《青岛科技大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第2期99-102,共4页
以酒石酸锑钾(K(SbO)C4H4O6.1/2H2O)和硒粉作为锑源和硒源,自制的2-十一烷基-1-二硫脲乙基咪唑啉季铵盐(SUDEI)为表面活性剂,150℃水热反应24 h,得到不同形貌的Sb2Se3纳米晶。通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS... 以酒石酸锑钾(K(SbO)C4H4O6.1/2H2O)和硒粉作为锑源和硒源,自制的2-十一烷基-1-二硫脲乙基咪唑啉季铵盐(SUDEI)为表面活性剂,150℃水热反应24 h,得到不同形貌的Sb2Se3纳米晶。通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)对Sb2Se3纳米晶进行了表征。讨论了反应条件对Sb2Se3纳米晶形貌的影响。 展开更多
关键词 Sb2se3纳米晶 咪唑啉表面活性剂 水热法
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单晶Co^(2+):MgGa_2Se_4光学吸收谱的理论解释 被引量：1
15
作者 施思齐 雷敏生 《江西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第2期172-175,共4页
该文考虑了d电子t2g轨道和eg 轨道局域性差别的影响 ,并计及Racah参量A对光谱跃迁的贡献 ,导出了 3d7电子组态在Td 对称下的哈密顿矩阵公式 .从理论上研究了Co2 + :MgGa2 Se4 中Co2 + 离子的吸收光谱 ,理论结果与实验结果吻合很好 .
关键词 MgGa2se4 晶场理论 钴离子 单晶 光学吸收谱
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共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响 被引量：1
16
作者 崔教林 张晓军 +1 位作者 李奕沄 高榆岚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2118-2122,共5页
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m... α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。 展开更多
关键词 α-In2se3基半导体 禁带宽度(Eg) 热电性能
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(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)熔炼冷压烧结材料的制备及其热电性能的研究 被引量：1
17
作者 王月媛 胡建民 +2 位作者 信江波 吕强 荣剑英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期655-659,共5页
本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能... 本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能沿垂直于冷压压力方向存在优化取向。 展开更多
关键词 (Bi2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2se3)0.05 热电材料 冷压烧结
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气相传输法制备大尺寸单晶Bi_2Se_3纳米片、纳米带
18
作者 李小帅 王增梅 +5 位作者 朱鸣芳 王善朋 陶绪堂 陆骏 陈兴涛 徐佳乐 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1199-1203,共5页
低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3... 低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明：气相传输法合成的单晶Bi2Se3纳米片、纳米带相纯度高,结晶性能好,均是{001}取向;Bi2Se3纳米片水平尺寸大,约为15--180μm;Bi2Se3纳米带长度达860μm,宽度约5μm。根据不同温度下制备的Bi2Se3纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异,分析了其可能的生长机制：在较高温度下沿〈001〉和〈1010〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米片;在较低温度下,沿〈1120〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi2Se3纳米材料的制备工艺,有望在微电子器件领域得到商业化应用。 展开更多
关键词 气相传输法 Bi2se3纳米片 Bi2se3纳米带
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Ag_2Se/Se/SiO_2纳米复合物的制备及其光电性质 被引量：1
19
作者 朱文晶 张胜义 《西华大学学报（自然科学版）》 CAS 2013年第3期18-22,共5页
通过两步法成功合成了Ag2Se/Se/SiO2纳米复合物。首先采用Na2SiO3和Na2SeSO3为反应物,制得纳米Se/SiO2前驱物,然后将前驱物与AgNO3反应制得产物。讨论了产物的形成机理,利用TEM、XRD、UV-vis、FT-IR、LRS、PL等方法对产物进行了表征,并... 通过两步法成功合成了Ag2Se/Se/SiO2纳米复合物。首先采用Na2SiO3和Na2SeSO3为反应物,制得纳米Se/SiO2前驱物,然后将前驱物与AgNO3反应制得产物。讨论了产物的形成机理,利用TEM、XRD、UV-vis、FT-IR、LRS、PL等方法对产物进行了表征,并对产物的电化学和电致发光特性进行了研究。结果表明,产物有一定的电化学活性,并有较好的电致发光行为。 展开更多
关键词 Ag2se SE SiO2纳米复合物 表征 电化学性质
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