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28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计 被引量:4
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作者 宋圣宇 陈建军 +3 位作者 文溢 邢海源 李梦姿 郭阳 《计算机与数字工程》 2019年第11期2738-2745,共8页
随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要。LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品。经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参... 随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要。LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品。经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参数,然后通过电路级的优化以提高某些性能指标。最终得到的LDO电路能够稳定输出0.9V的电压,并且在温度系数,低功耗和低噪声等方面表现良好。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 带隙基准电路 28nm工艺 温度系数 低功耗低噪声
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抽样情况下复杂LDoS攻击检测方法研究
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作者 徐一凡 程光 周余阳 《信息网络安全》 北大核心 2026年第1期79-90,共12页
低速率拒绝服务(LDoS)攻击借助网络协议的自适应机制缺陷,以合法方式致使网络自适应机制失效,显著降低带宽利用率和服务质量。因此,LDoS攻击的高隐蔽性和强破坏性使其成为网络安全领域的重要研究课题。针对复杂LDoS攻击在多网络层次中... 低速率拒绝服务(LDoS)攻击借助网络协议的自适应机制缺陷,以合法方式致使网络自适应机制失效,显著降低带宽利用率和服务质量。因此,LDoS攻击的高隐蔽性和强破坏性使其成为网络安全领域的重要研究课题。针对复杂LDoS攻击在多网络层次中的隐蔽性及传统检测方法在抽样场景下的局限性,文章提出一种基于HLD-Sketch的LDoS攻击检测方法。文章涵盖在抽样情况下传输层LDoS攻击、应用层LDoS攻击及混合层次攻击场景。首先,通过改进的CM-Sketch结构实现动态流长估计,基于流长自适应调整抽样概率,优先对短流实施细粒度采样,减少长流背景噪声对攻击特征提取的干扰;其次,利用CM-Sketch的轻量级特性,在抽样流量中高效提取多维时序统计特征,包括流速率、上下行数据包个数及端口散布值等特征;最后,采用机器学习分类器对传输层、应用层及混合攻击进行层次化检测。实验结果表明,文章方法在3%的抽样率以及在混合攻击场景中,6 s内的检测准确率可以达到99.94%。该方法为高速网络环境下多维度LDoS攻击的实时检测提供了轻量化解决方案,尤其适用于大规模流量环境中的资源受限场景。 展开更多
关键词 低速率拒绝服务攻击 SKETCH 动态流抽样 多维时序特征 轻量化检测
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一种低功耗瞬态响应增强的无片外电容LDO
3
作者 于子靖 陈元平 +1 位作者 朱承同 谢月娥 《电子元件与材料》 北大核心 2026年第1期18-26,共9页
针对当前低功耗下低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,设计了一种兼具低功耗和瞬态响应增强的无片外电容LDO。该设计提出了一种带交叉耦合对管的电流型跨导误差放大器,在维持超低静态电流的同时提高了误差放大器跨导,从而提升了LDO... 针对当前低功耗下低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,设计了一种兼具低功耗和瞬态响应增强的无片外电容LDO。该设计提出了一种带交叉耦合对管的电流型跨导误差放大器,在维持超低静态电流的同时提高了误差放大器跨导,从而提升了LDO环路增益和单位增益带宽,改善了LDO的瞬态响应性能和线性调整率;设计了体端调制电路和瞬态响应增强电路,进一步提高了LDO的瞬态响应性能。整体电路设计基于TSMC 180 nm CMOS工艺,实现了1.15~1.8 V电压输入下,输出电压1 V,最大输出电流100 mA。后仿真结果表明,全负载范围内LDO的最大静态电流为804 nA,当负载从0.1到100 mA以500 ns切换时,欠冲和过冲电压分别为126和135 mV,稳定恢复时间分别为1.5和1.8μs。 展开更多
关键词 低功耗 瞬态响应增强 无片外电容ldo 体端调制技术
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高稳定性LDO集成电路设计 被引量:4
4
作者 李亮 黄思仪 +3 位作者 宋惠安 钮小超 成珏飞 汪义旺 《中国集成电路》 2025年第1期59-64,共6页
本文设计了一款高稳定性的LDO集成电路,它具有输出稳定性高的优点。在考虑参数指标折中的条件下设计了性能可靠的带隙电压基准源电路和两级共源共栅误差放大器电路以及限流保护电路,通过调节各模块的参数来平衡LDO的性能。设计完成在UMC... 本文设计了一款高稳定性的LDO集成电路,它具有输出稳定性高的优点。在考虑参数指标折中的条件下设计了性能可靠的带隙电压基准源电路和两级共源共栅误差放大器电路以及限流保护电路,通过调节各模块的参数来平衡LDO的性能。设计完成在UMC 0.11μm工艺下,通过Cadence仿真与验证,结果表明设计的LDO在输入电压2V到5V间均可以稳定输出1.8V的电压值;温度系数为5.33ppm/℃;线性调整率为0.00012%/V;负载调整率为0.0173%/mA,显示出本设计的LDO线性稳压器性能优异,满足实际应用的需求。 展开更多
关键词 电源管理 ldo 带隙基准源 误差放大器 限流电路
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一款低功耗高稳定性LDO电路设计
5
作者 李新 高志鑫 李海川 《中国集成电路》 2025年第11期28-34,68,共8页
针对常规LDO低静态电流工作时电路存在稳定性问题,提出一种低功耗高稳定性LDO电路。采用耗尽基准复用为误差放大器的第一级,减小芯片面积,降低静态电流。同时,利用动态电流偏置与米勒补偿相结合的方式,提高LDO稳定性。基于华虹0.35μmC... 针对常规LDO低静态电流工作时电路存在稳定性问题,提出一种低功耗高稳定性LDO电路。采用耗尽基准复用为误差放大器的第一级,减小芯片面积,降低静态电流。同时,利用动态电流偏置与米勒补偿相结合的方式,提高LDO稳定性。基于华虹0.35μmCMOS工艺,电源电压为3V、负载电容为1μF,对设计的电路进行仿真验证。仿真结果表明,总静态电流为1.06μA,低频下PSR为-71dB@1kHZ,相位裕度大于45°,在-40°~150°温度范围,电压温度系数为16.4ppm/℃。 展开更多
关键词 ldo 低静态电流 耗尽基准放大器
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一种具有基极电流补偿的低噪声LDO 被引量:1
6
作者 黄经纬 罗萍 +3 位作者 王浩 辛相文 李鹏 罗凯 《微电子学》 北大核心 2025年第4期563-569,共7页
基于180 nm BCD工艺,设计了一种具有基极电流补偿的低噪声LDO电路,采用BJT预放大级,降低了误差放大器的1/f噪声;采用单位增益负反馈架构,消除了反馈电阻网络贡献的噪声,并通过一阶RC低通滤波器降低了基准的高频噪声;同时,提出一种基极... 基于180 nm BCD工艺,设计了一种具有基极电流补偿的低噪声LDO电路,采用BJT预放大级,降低了误差放大器的1/f噪声;采用单位增益负反馈架构,消除了反馈电阻网络贡献的噪声,并通过一阶RC低通滤波器降低了基准的高频噪声;同时,提出一种基极电流补偿电路,用于补偿BJT预放大级的基极电流,避免基准电压的降低。仿真结果表明:该LDO输入电压2.4~5.5 V,输出电压0.8~5.3 V,最大带载电流500 mA,在1 kHz处的输出噪声谱密度为4 nV/√Hz,10~100 kHz积分噪声为0.92μVRMS。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 低噪声 基极电流补偿 电流基准
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坡缕石负载Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料对甲基橙的光催化降解
7
作者 马雪娥 胡美凤 +2 位作者 宋雪丽 常玥 查飞 《材料研究学报》 北大核心 2025年第6期413-424,共12页
以坡缕石负载Zn-In LDO(PGS@Zn-In LDO)和硫代乙酰胺为原料,通过水热法在PGS@Zn-In LDO上原位生长ZnS、In_(2)S_(3)制备PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料,利用X射线衍射仪(XRD)、比表面积-孔径分析仪(BET)、扫描电子显微镜(SEM)... 以坡缕石负载Zn-In LDO(PGS@Zn-In LDO)和硫代乙酰胺为原料,通过水热法在PGS@Zn-In LDO上原位生长ZnS、In_(2)S_(3)制备PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料,利用X射线衍射仪(XRD)、比表面积-孔径分析仪(BET)、扫描电子显微镜(SEM)、热场发射透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、紫外-可见分光光度计(Uv-vis DRS)、荧光光谱仪、电化学交流阻抗(EIS)测试等手段对其表征,研究其对甲基橙(MO)的光催化降解性能。结果表明,这种材料的吸光范围比Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)的宽。并且坡缕石有利于Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)复合材料的光生载流子的迁移。模拟可见光光照60 min后50%PGS@Zn-In LDO/ZnS/In_(2)S_(3)-2复合材料对甲基橙(MO)的降解率为99.1%,其催化稳定性也比较高。在这种材料的光降解反应中起关键作用的是超氧负离子和空穴,在相同的实验条件下对酸性品红、结晶紫、罗丹明B、孔雀石绿、亚甲基蓝等常见染料的降解率不低于97.2%。 展开更多
关键词 复合材料 工业催化 染料废水 光催化降解 坡缕石负载Zn-In ldo/ZnS/In_(2)S_(3)
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一种无片外电容的低功耗瞬态增强LDO 被引量:1
8
作者 程铁栋 金枭涵 《电子测量技术》 北大核心 2025年第12期26-31,共6页
针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高... 针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高系统稳定性。输出电压尖峰通过电容耦合至瞬态增强电路,为功率管栅极提供充、放电路径,提高瞬态响应性能。电路基于SMIC 180 nm CMOS工艺设计,仿真结果显示,在100μA~50 mA负载电流跳变范围内,LDO瞬态增强后,输出电压上冲尖峰减小343 mV,下降39%;输出电压下冲尖峰减小592 mV,下降57%。负载调整率为0.0057 mV/mA,线性调整率为0.22 mV/V。电路静态电流约为3μA,LDO电流效率高达99.99%。 展开更多
关键词 ldo 前馈补偿 密勒补偿 瞬态增强
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一种低功耗环路复用的LDO
9
作者 童洒洒 喻思禹 +2 位作者 郑孝辰 刘欣洋 周泽坤 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第4期408-415,共8页
为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大... 为进一步降低片上系统供电电路的面积和功耗,提出了一种无片外电容的低功耗环路复用低压差线性稳压器(LLM-LDO)电路。首先,该电路无需引入外部基准,输出电压仅由带隙核心和电阻比例决定。其次,带隙核心和LDO系统环路复用同一个误差放大器,减小了电路的面积和功耗。最后,LLM-LDO系统在单位增益带宽内近似为单极点系统,在无片外电容的情况下,系统可以产生稳定的电源轨。本文基于180 nm BCD对系统各项性能参数进行仿真验证,结果显示:系统的静态电流为8.5μA,线性调整率为0.18μV/V;当负载电流在10μA~100 mA变化范围内时,负载调整率为1.9μV/mA,系统的相位裕度最小为71.4°,PSR在100 Hz时为-121 dB,系统的最长启动时间为39.6μs。 展开更多
关键词 低功耗 环路复用 无片外电容ldo 环路稳定性 电源抑制
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一种用于低功耗Buck的自适应供电轨LDO电路
10
作者 彭怡然 罗萍 +2 位作者 赵忠 连卓凡 李云泽 《微电子学》 北大核心 2025年第6期1013-1019,共7页
设计了一种旨在降低整体电路损耗的Buck变换器片内LDO电路。重点针对Buck变换器中片内电源轨生成电路LDO的损耗进行分析;通过复用Buck变换器的输出,在检测到Buck输出电压达到预设阈值时,自动将LDO供电轨从输入电压切换至Buck变换器的输... 设计了一种旨在降低整体电路损耗的Buck变换器片内LDO电路。重点针对Buck变换器中片内电源轨生成电路LDO的损耗进行分析;通过复用Buck变换器的输出,在检测到Buck输出电压达到预设阈值时,自动将LDO供电轨从输入电压切换至Buck变换器的输出电压,从而实现了LDO功率管损耗的降低以及Buck变换器转换效率的提高。所提出的LDO电路可用于宽输入范围的Buck变换器。实验结果表明,在输入电压12 V、输出电压5 V的典型工作条件下,基于该结构的LDO,Buck变换器的转换效率最大可提升5%。 展开更多
关键词 低功耗Buck变换器 自适应控制 ldo
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一种基于负载追踪补偿的LDO电路
11
作者 李玉标 张瑛 +2 位作者 秦存溢 罗寅 杨华 《微电子学与计算机》 2025年第12期122-128,共7页
为提高大电流低压差线性稳压器(Low-Dropout Linear Regulator,LDO)在全负载范围内的稳定性,提出了一种利用负载追踪补偿的LDO电路。该电路采用改进型动态零点补偿技术和阻抗衰减技术,分别实现了零点追踪和极点追踪,同时利用电流缓冲补... 为提高大电流低压差线性稳压器(Low-Dropout Linear Regulator,LDO)在全负载范围内的稳定性,提出了一种利用负载追踪补偿的LDO电路。该电路采用改进型动态零点补偿技术和阻抗衰减技术,分别实现了零点追踪和极点追踪,同时利用电流缓冲补偿解决了Miller补偿导致的右平面零点问题,使得稳压器可以在宽负载电流范围下稳定工作。电路采用0.18μm BCD工艺进行设计,仿真结果表明,所设计的LDO电路静态电流为56.3μA,在空载情况下的相位裕度为52°,3 A满载时相位裕度达到85°,在全负载范围内均具有良好的稳定性。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 动态零点 阻抗衰减技术 大电流
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一种高稳定性带过流保护的LDO电路设计
12
作者 韩富璇 何庆国 +1 位作者 王鑫 马琳 《微纳电子技术》 2025年第5期46-53,共8页
采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电... 采用0.25μm CMOS工艺设计了一种高稳定性带过流保护功能的低压差线性稳压器(LDO)。该LDO包括带隙基准电路、误差放大器、过流保护电路等。过流保护电路可以在LDO负载超过设定值时关闭LDO电路。误差放大器主环路采用负载电容等效串联电阻(ESR)和密勒电容倍增补偿进行频率补偿,保证全负载条件下电路的稳定性。仿真结果表明,设计的LDO实现了7~15 V的输入电压范围,输出电压典型值为5 V,带载能力为0~20 mA,过流保护开启阈值为24 mA,全负载范围内最差相位裕度为76°。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 过流保护 高稳定性 频率补偿 误差放大器(EA)
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活化PMS氧化RhB的铁基三元LDH/LDO的研发与制备条件优化
13
作者 晏梦园 姜应和 《武汉理工大学学报》 2025年第1期75-83,共9页
通过双滴共沉淀法,制备了一系列铁基LDH/LDO,以其活化过氧单硫酸盐(PMS)降解RhB的效果为评价标准,通过对比试验,优选得到了性价比最高的三元铁基LDH/LDO催化剂——ZnCuFe-LDO。该产品的最佳制备条件为:前体盐为氯盐,Zn/Cu/Fe的摩尔比例... 通过双滴共沉淀法,制备了一系列铁基LDH/LDO,以其活化过氧单硫酸盐(PMS)降解RhB的效果为评价标准,通过对比试验,优选得到了性价比最高的三元铁基LDH/LDO催化剂——ZnCuFe-LDO。该产品的最佳制备条件为:前体盐为氯盐,Zn/Cu/Fe的摩尔比例为3∶3∶2,水浴陈化温度为40℃,pH为9。研究成果可为该类催化剂的研发及推广应用提供理论支持。 展开更多
关键词 LDH ldo 催化氧化 PMS RHB
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LDO启动浪涌的反馈网络优化抑制方法研究
14
作者 康端刚 康婷 +2 位作者 李辉 吴临玉 汪晓文 《电子技术应用》 2025年第10期42-46,共5页
低压差线性稳压器(LDO)作为现代电子系统的核心电源管理器件,其启动浪涌电流问题严重威胁系统可靠性。以MSK5101型LDO为研究对象,针对使能端加入RC延时电路后输入浪涌电流尖峰现象,提出一种基于反馈网络动态优化的抑制方法。通过建立小... 低压差线性稳压器(LDO)作为现代电子系统的核心电源管理器件,其启动浪涌电流问题严重威胁系统可靠性。以MSK5101型LDO为研究对象,针对使能端加入RC延时电路后输入浪涌电流尖峰现象,提出一种基于反馈网络动态优化的抑制方法。通过建立小信号模型并进行频域分析,揭示了反馈网络参数对系统响应速度与稳定性的影响规律,提出通过增大反馈电阻与调整补偿电容实现等效软启动。实验结果表明,优化后浪涌电流峰值由2.7 A降至0.87 A(降幅67.8%),输出电压建立时间由2.9 ms延长至12.3 ms,显著提升了宇航电源系统的可靠性和鲁棒性。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 启动浪涌电流 反馈网络优化 软启动技术 电源管理
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采用交叉耦合误差放大器的低压高增益LDO设计
15
作者 张锦辉 朱春茂 张霖 《电子与封装》 2025年第1期52-58,共7页
设计了一种低输入电压、高增益的LDO,其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益,并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点,确保该电路的频率响应环路稳定性。采用0.35μm标准CMOS工艺进行仿真,输入电压为1.5 V、负载最... 设计了一种低输入电压、高增益的LDO,其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益,并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点,确保该电路的频率响应环路稳定性。采用0.35μm标准CMOS工艺进行仿真,输入电压为1.5 V、负载最大电流为100 mA。仿真结果表明,构建的LDO可以将输出电压稳定在1.2 V,环路的低频增益在轻载的情况下高达122 dB,芯片面积为0.196 mm2,且相位裕度在重载情况下亦能做到大于58°,静态电流为21.2μA。由于交叉耦合误差放大器的使用,电路的精度得到很大提高,负载调整率可以达到0.007%,所设计的LDO有较高的应用价值。 展开更多
关键词 低压 交叉耦合 ldo 跨导运算放大器
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无电容型LDO的研究现状与进展 被引量:10
16
作者 邹志革 邹雪城 +3 位作者 雷鑑铭 杨诗洋 陈晓飞 余国义 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期241-246,共6页
无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点。与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在... 无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点。与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在稳定性和瞬态特性上遇到巨大挑战。分析讨论了无电容型LDO的设计挑战;回顾了无电容型LDO在提高稳定性和改善瞬态特性上的最新研究成果。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 无电容型ldo 集成稳压器
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一种带过温保护和折返电流限的LDO设计 被引量:15
17
作者 刘明亮 明鑫 +2 位作者 欧雪春 周泽坤 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期411-415,共5页
提出了一种带过温保护电路和折返电流限的LDO,其主环路采用密勒补偿与零点补偿相结合的补偿方式。电路设计基于CSMC的1μm CDMOS工艺,用Hspice进行仿真验证。仿真结果表明,过温保护电路可以实现对电路的保护,并有25℃的迟滞温度;折返电... 提出了一种带过温保护电路和折返电流限的LDO,其主环路采用密勒补偿与零点补偿相结合的补偿方式。电路设计基于CSMC的1μm CDMOS工艺,用Hspice进行仿真验证。仿真结果表明,过温保护电路可以实现对电路的保护,并有25℃的迟滞温度;折返电流限可以将过流时的输出电流限制为一个较小的值,并在输出短路时使输出电流保持在30 mA左右;LDO的主环路在轻载和重载下都具有很好的稳定性。 展开更多
关键词 ldo 过温保护 折返电流限 频率补偿
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LDO过流与温度保护电路的分析与设计 被引量:23
18
作者 闫良海 吴金 +1 位作者 庞坚 姚建楠 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期127-129,141,共4页
IC芯片集成密度和功耗密度的增大使得过流和温度保护电路十分必要。过流保护电路将检测电流转化为栅压控制开关管;温度保护电路利用PN结正向导通电压的温度特性,促使比较器输出翻转达到保护目的。分别给出了两种保护电路的多种具体实现... IC芯片集成密度和功耗密度的增大使得过流和温度保护电路十分必要。过流保护电路将检测电流转化为栅压控制开关管;温度保护电路利用PN结正向导通电压的温度特性,促使比较器输出翻转达到保护目的。分别给出了两种保护电路的多种具体实现结构,基于CSMC0.6μm工艺,给出两种保护电路应用于LDO的Spectra模拟结果,并验证了设计结构具有稳定的保护功能。 展开更多
关键词 过流 过温 保护电路 ldo
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温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用 被引量:12
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作者 王忆 何乐年 严晓浪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1657-1662,共6页
设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40~130℃范围内的30nA的基... 设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40~130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1.5nA提高到±0.9nA.用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40~130℃范围时减小到4μA.用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计.芯片测试结果验证了以上设计. 展开更多
关键词 30nA 静态电流 寄生二极管 ldo
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LDO稳压器电磁脉冲损伤阈值试验研究 被引量:5
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作者 崔志同 毛从光 +2 位作者 孙蓓云 翟爱斌 靳茗 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期423-425,共3页
针对低压差线性稳压器,采用接触式脉冲电流注入试验方法,研究电磁脉冲对集成半导体器件的损伤机理,并对试验数据进行统计分析。结果显示,该器件的电磁脉冲损伤阈值规律可以用Weibull分布函数较好地进行表征。
关键词 电磁脉冲 低压差线性稳压器 损伤阈值 WEIBULL分布
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