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六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型 被引量:3
1
作者 高嵩 石广源 王中文 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第1期28-31,共4页
介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型 ,计算了不同漏源击穿电压下 ,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例 ,分析了阻值随电压变化的原因 .
关键词 六角形单胞 功率vdmosfet 特征导通电阻 数学模型 击穿电压 功率损耗
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功率VDMOSFET的优化设计 被引量:3
2
作者 高玉民 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第10期31-34,6,共5页
本文推导出在外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式及使外延层理想比电阻达到最小值时电阻率和厚度的精确表达式.文中揭示了VDMOSFET 以往设设中存在的问题.提出了整体优化的方法并考虑了终端的影响.
关键词 功率vdmosfet 优化设计
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4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应 被引量:13
3
作者 刘忠永 蔡理 +3 位作者 刘小强 刘保军 崔焕卿 杨晓阔 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第2期80-85,共6页
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了... 对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图。研究结果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB阈值电压分别为335 V和270 V,发生SEB效应时的最大电场强度分别为2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效应方面比6H-SiC材料更有优势。所得结果可为抗辐射功率器件的设计及应用提供参考。 展开更多
关键词 碳化硅(SIC) 单粒子烧毁(SEB) 垂直双扩散MOSFET((vdmosfet)) SEB阈 值电压 二维器件仿真
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功率VDMOSFET的瞬态热阻抗测量 被引量:2
4
作者 贾松良 邓志宏 张向民 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第3期45-49,共5页
介绍了利用VDMOSFET的寄生pn结二极管Dsd作为温敏元件来测量功率VDMOS管热阻抗的方法;给出了温敏参数中温度系数和几类功率VDMOS管瞬态热阻抗的测量结果;讨论了对热阻抗测量准确度有较大影响的四个因素。其结... 介绍了利用VDMOSFET的寄生pn结二极管Dsd作为温敏元件来测量功率VDMOS管热阻抗的方法;给出了温敏参数中温度系数和几类功率VDMOS管瞬态热阻抗的测量结果;讨论了对热阻抗测量准确度有较大影响的四个因素。其结果,在一定条件下进行的瞬态热阻抗测量可用来监测VD-MOS管的芯片粘接质量和用作功率VDMOS管的快速热筛选。 展开更多
关键词 vdmosfet 瞬态热阻抗 测量
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功率VDMOSFET单粒子效应研究 被引量:4
5
作者 段雪 郎秀兰 +6 位作者 刘英坤 董四华 崔占东 刘忠山 孙艳玲 胡顺欣 冯彬 《微纳电子技术》 CAS 2008年第10期573-576,共4页
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS... 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。 展开更多
关键词 功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 单粒子栅穿 单粒子烧毁 缓冲屏蔽 锎源
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关于功率VDMOSFET优化设计中的几个问题
6
作者 高玉民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期19-23,共5页
本文采用保角映射精确计算了线性单元图形VDMOSFET外延层电阻,并与45°扩展角模型的结果进行比较,给出了近似方法适用的范围。采用整体优化设计方法计算了依据工艺条件给定器件有关参数情况下,两类单元图形VDMOSFET最小比导通电阻... 本文采用保角映射精确计算了线性单元图形VDMOSFET外延层电阻,并与45°扩展角模型的结果进行比较,给出了近似方法适用的范围。采用整体优化设计方法计算了依据工艺条件给定器件有关参数情况下,两类单元图形VDMOSFET最小比导通电阻与电压的关系。结果表明,线性单元的最小比导通电阻大于峰窝状单元图形,其a/s值也大于后者的值。这两类单元图形的第二个差异或许使采用线性单元图形在有些场合下可降低工艺难度,提高产品等级合格率。文中最后揭示了整体优化设计方法在较低电压器件设计中的重要作用,计算表明这种方法是使比导通电阻达到最小的方法。 展开更多
关键词 vdmosfet 优化设计 导通电阻
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智能高压大功率VDMOSFET
7
作者 茅盘松 《电子器件》 CAS 1995年第4期227-233,共7页
本文介绍一种高可靠的具有自动过流保护的智能高压大功率VDMOSFET,已研制出了漏源击穿电压大于200V;正常工作电源大于2A;自动保护过电流小于4A的器件。工艺完全与常规VDMOSFET一致。这种新颖VDMOSFE... 本文介绍一种高可靠的具有自动过流保护的智能高压大功率VDMOSFET,已研制出了漏源击穿电压大于200V;正常工作电源大于2A;自动保护过电流小于4A的器件。工艺完全与常规VDMOSFET一致。这种新颖VDMOSFET结构的应用能提高整机可靠性。 展开更多
关键词 半导体器件 高压 功率 vdmosfet 电力电子器件
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
8
作者 耿凯鸽 《山西电子技术》 2010年第4期91-93,共3页
按照功率VDMOSFET正向设计的思路,选取(100)晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件,提取参数结果,并最终完成工艺产品试制,达到了500 V/8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制要求。结果证... 按照功率VDMOSFET正向设计的思路,选取(100)晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件,提取参数结果,并最终完成工艺产品试制,达到了500 V/8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制要求。结果证明,通过计算机模拟仿真,架起了理论分析与实际产品试制之间的桥梁。相对于原来小批量投片、反复试制的方法,不仅节约了时间,降低了研制成本,而且模拟结果与实际试制结果之间能够较好地吻合。针对传统结终端结构的弊端,提出了一种新型结终端结构,大大提高了产品的击穿电压和可靠性。 展开更多
关键词 功率vdmosfet 计算机模拟仿真 结终端结构
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功率VDMOSFET外延层参数的优化选择
9
作者 高玉民 《陕西机械学院学报》 1992年第3期181-187,214,共7页
本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达式。从比导通电阻最小的要求考虑,提出了优选外延层参数的方法,计算结果表明,此法优于传统方法和C.Hu方法... 本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达式。从比导通电阻最小的要求考虑,提出了优选外延层参数的方法,计算结果表明,此法优于传统方法和C.Hu方法,可使VDMOSFET的比导通电阻达到最小值。 展开更多
关键词 外延层参数 选择 电阻 vdmosfet
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功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点 被引量:5
10
作者 金千男 杜国同 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2004年第6期549-552,共4页
综合评述了VDMOSFET(VerticalDoubleDiffusedMOSFET)与IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trenchgate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点。新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减... 综合评述了VDMOSFET(VerticalDoubleDiffusedMOSFET)与IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trenchgate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点。新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点。在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构。 展开更多
关键词 功率器件 功率MOSFET 绝缘栅双极晶体管
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功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究 被引量:2
11
作者 赵志桓 姜维宾 +3 位作者 韩希方 张礼 李惠军 李东华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期693-696,共4页
依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能... 依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能够影响功率VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置。结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平。 展开更多
关键词 功率 优化 仿真 工艺参数 可制造性设计 验证
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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制 被引量:1
12
作者 李飞 刘英坤 +2 位作者 邓建国 胡顺欣 孙艳玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期199-202,共4页
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的... 在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。 展开更多
关键词 射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅漏电容 栅屏蔽层 台栅结构 屏蔽栅结构
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高压大功率VDMOSFET终端技术的研究 被引量:3
13
作者 陈岩 《北京轻工业学院学报》 1999年第1期54-58,共5页
对实现VDMOSFET高耐压水平的场限环结合场板的结终端技术进行了研究.分析了表面电荷密度对耐压水平和优化环间距的影响.
关键词 场限环 电力电子器件 vdmosfet 耐压水平 终端
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功率VDMOSFET研制
14
作者 朱静远 茅盘松 谢世健 《电子器件》 CAS 1991年第2期63-66,共4页
本文简单介绍了BV_(DS)>200V,I_(DS)>2A的功率VDMOSFET的研制与工艺,并给出了测试结果.
关键词 功率VDMOSFE 电压控制器
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计及风电场涉网功率平抑与AGC考核的混合储能容量优化配置
15
作者 杨浩 宋贞寒 +2 位作者 施啸寒 易文飞 宋浩宇 《电工技术学报》 北大核心 2026年第1期217-233,共17页
针对风电场锂离子电池和超级电容混合储能系统(HESS)容量优化配置问题,面向风电场涉网功率平抑和自动发电控制(AGC)功率指令考核与辅助服务的场景,考虑混合储能系统全寿命周期成本,综合风电消纳、峰谷套利、碳交易、功率平抑和AGC功率... 针对风电场锂离子电池和超级电容混合储能系统(HESS)容量优化配置问题,面向风电场涉网功率平抑和自动发电控制(AGC)功率指令考核与辅助服务的场景,考虑混合储能系统全寿命周期成本,综合风电消纳、峰谷套利、碳交易、功率平抑和AGC功率指令考核与辅助服务等多项收益,提出风电场HESS双层容量优化配置模型,旨在提升风储联合系统的经济效益。上层考虑市场电价和风电出力数据,以储能套利收益最大为目标,基于储能套利最优建立混合储能容量优化模型;下层综合考虑储能全生命周期成本、碳交易规则、风电平抑和AGC功率指令考核与补偿机制,采用预测控制方法构建以风储联合系统效益最大为目标的容量配置模型,并进行上下层迭代求解。针对下层混合储能功率指令分配问题,采用改进希尔伯特黄变换(HHT)确定锂离子电池和超级电容的功率指令。最后,通过算例分析,验证了所提风电场混合储能的容量优化配置方法,能够有效地提升风储联合系统涉网功率平抑与AGC功率指令考核下的经济收益。 展开更多
关键词 风电功率平抑 AGC功率指令 辅助服务 并网考核 混合储能优化配置
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双负载三电平整流器功率解耦控制和电容电压波动抑制
16
作者 姜卫东 徐星俣 +3 位作者 王金平 刘欣然 杨柳 钟敏 《中国电机工程学报》 北大核心 2026年第1期376-388,I0028,共14页
近年来,三电平中点钳位型整流器在各个领域得到广泛应用,随着“光伏-储能-充电桩”三位一体的微电网系统的兴起,其上、下直流侧电压和上、下负载功率的独立稳定控制变得愈发关键。该文针对上述需求提出一种双负载T型三电平整流器的通用... 近年来,三电平中点钳位型整流器在各个领域得到广泛应用,随着“光伏-储能-充电桩”三位一体的微电网系统的兴起,其上、下直流侧电压和上、下负载功率的独立稳定控制变得愈发关键。该文针对上述需求提出一种双负载T型三电平整流器的通用控制方法。首先,基于载波脉宽调制方法分析双负载T型三电平整流器直流零序电压注入与上、下直流侧功率分配的关系,并给出功率解耦控制方法;其次,分析并绘制出不同调制度下,上、下直流侧平均功率占比的极限情况,并依据上、下直流侧瞬时功率恒定的控制目标求解出零序电压瞬时分量来抑制直流侧电容电压波动;最后,通过实验验证上述方法的可行性和有效性。 展开更多
关键词 双负载整流器 零序电压注入 功率分配关系 功率解耦 电容电压波动抑制
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基于BSimilar优化PTransformer的光伏功率短期预测
17
作者 张文广 蔡浩 +1 位作者 刘科 孙盼荣 《动力工程学报》 北大核心 2026年第1期77-84,102,共9页
为提高光伏功率短期预测的精度,提出了考虑光伏设备性能退化因素的相似日算法优化的分时段多通道独立光伏功率短期预测方法。首先,在PTransformer模型中用分时段与通道独立的方法来处理光伏输入数据,以降低空间复杂度及提高长时间数据... 为提高光伏功率短期预测的精度,提出了考虑光伏设备性能退化因素的相似日算法优化的分时段多通道独立光伏功率短期预测方法。首先,在PTransformer模型中用分时段与通道独立的方法来处理光伏输入数据,以降低空间复杂度及提高长时间数据序列的关注度。其次,运用Transformer的编码器模型,通过自身注意力机制捕捉光伏序列特征之间的依赖关系,进行光伏功率的短期预测。最后,运用夹角余弦距离计算相似度并考虑光伏设备性能退化因素确定相似日,利用其功率数据优化PTransformer模型,以改善功率数据的滞后性。结果表明:相比典型的光伏功率短期预测方法,所提方法训练速度更快,预测精准度更高,并且对复杂天气状况下的光伏功率也有较好的预测结果。 展开更多
关键词 光伏功率 短期预测 性能退化 贝叶斯分析 TRANSFORMER 相似日
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无蜂窝通感一体化系统用户调度与功率分配
18
作者 王丹 何春梅 +1 位作者 郑少杰 黄烨霞 《无线电通信技术》 北大核心 2026年第1期52-61,共10页
随着6G技术推进,毫米波/太赫兹频段的超大带宽优势与传播损耗瓶颈并存,传统蜂窝架构问题催生无蜂窝网络架构。通感一体化(Integrated Sensing and Communication,ISAC)技术通过资源共享实现感知与通信协同,可优化波束成型与对准,使无蜂... 随着6G技术推进,毫米波/太赫兹频段的超大带宽优势与传播损耗瓶颈并存,传统蜂窝架构问题催生无蜂窝网络架构。通感一体化(Integrated Sensing and Communication,ISAC)技术通过资源共享实现感知与通信协同,可优化波束成型与对准,使无蜂窝ISAC系统成为未来通信重要趋势。当前多数用户调度算法仅限制用户连接接入点的最大数量,未结合用户实际需求动态调整连接数目,导致信道质量好的用户易占用多余接入点服务名额,造成资源浪费。鉴于用户需求的动态变化,依其需求灵活调整接入点连接数量,可有效提升资源利用效率。为此,提出一种创新的动态用户调度方案,采用改进的K-means++聚类算法,基于用户信道状态与实时业务需求实现接入点动态分配,设计了基于二分法的功率分配(Bisection Method-based Power Allocation,BM-PA)算法优化资源配置。仿真结果表明,所提方案最高可节省40.6%的接入点资源,提升了资源利用率;在保障通信质量的同时,用户平均感知信噪比(Signal to Noise Ratio,SNR)显著提升。 展开更多
关键词 无蜂窝通感一体化系统 用户调度 功率分配 K-means++ 基于二分法的功率分配算法
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基于功率外环控制的双馈风电机组故障穿越通用电磁暂态建模
19
作者 朱大锐 程嘉康 +2 位作者 段建东 陈杰 邓俊 《电力系统自动化》 北大核心 2026年第2期197-207,共11页
当前风机厂家众多,控制逻辑各有差异,且多是控制结构未知的封装模型,模型应用存在较大局限性。而风电并网系统稳定性研究需要能准确反映实际风电机组各种典型故障穿越全过程响应特性的电磁暂态模型。为了解决此问题,对大量风机厂家封装... 当前风机厂家众多,控制逻辑各有差异,且多是控制结构未知的封装模型,模型应用存在较大局限性。而风电并网系统稳定性研究需要能准确反映实际风电机组各种典型故障穿越全过程响应特性的电磁暂态模型。为了解决此问题,对大量风机厂家封装模型进行故障穿越特性测试,分析测试数据并提出适用于对称、不对称故障的低、高电压穿越分阶段的全过程通用响应曲线,通过设计的每阶段转子侧、网侧功率外环参考值表达式并修改外环有功功率和无功功率参考值及控制参数,可便捷模拟不同厂家风机从故障发生到响应恢复的全过程。通过与主流厂家两种封装模型测试数据对比及误差计算分析,验证了所提建模方法对全部故障工况的适应性及通用性。 展开更多
关键词 双馈风电机组 电磁暂态模型 功率外环控制 故障穿越 建模
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基于改进变分模态分解与Informer组合模型的风电功率多步预测研究
20
作者 郭晓鹏 赵琪 张国维 《现代电力》 北大核心 2026年第1期20-29,共10页
保证风电功率预测的准确性是提高风能利用效率、实现电力系统可持续发展的关键工作。因此,该文提出一种基于改进变分模态分解与Informer组合模型的风电功率多步预测模型。首先,采用随机森林模型对风速、风向、压强等原始气象因素进行筛... 保证风电功率预测的准确性是提高风能利用效率、实现电力系统可持续发展的关键工作。因此,该文提出一种基于改进变分模态分解与Informer组合模型的风电功率多步预测模型。首先,采用随机森林模型对风速、风向、压强等原始气象因素进行筛选。其次,通过鹈鹕优化算法改进后的变分模态分解算法对风电功率信号进行分解,从而提高风电序列预测精准性。第三,基于Informer模型对风电功率进行多步预测。最后,通过与其他模型进行对比分析,验证该模型在风电功率多步预测中的优越性。算例结果表明,基于改进变分模态分解与Informer组合模型的风电功率多步预测模型具有良好的预测性能,可为风电功率的预测提供参考。 展开更多
关键词 风电功率预测 随机森林 鹈鹕优化算法 信号分解 多步预测
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