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Advanced semiconductor catalyst designs for the photocatalytic reduction of CO_(2) 被引量:3
1
作者 Zhangsen Chen Gaixia Zhang +3 位作者 Siyi Cao Guozhu Chen Cuncheng Li Ricardo IzquierdoShuhui Sun 《Materials Reports(Energy)》 2023年第2期27-42,I0002,共17页
Using clean solar energy to reduce CO_(2)into value-added products not only consumes the over-emitted CO_(2)that causes environmental problems,but also generates fuel chemicals to alleviate energy crises.The photocata... Using clean solar energy to reduce CO_(2)into value-added products not only consumes the over-emitted CO_(2)that causes environmental problems,but also generates fuel chemicals to alleviate energy crises.The photocatalytic CO_(2)reduction reaction(PCO_(2)RR)relies on the semiconductor photocatalysts that suffer from high recombination rate of the photo-generated carriers,low light harvesting capability,and low stability.This review explores the recent discoveries on the novel semiconductors for PCO_(2)RR,focusing on the rational catalyst design strategies(such as surface engineering,band engineering,hierarchical structure construction,single-atom catalysts,and biohybrid catalysts)that promote the catalytic performance of semiconductor catalysts on PCO_(2)RR.The advanced characterization techniques that contribute to understanding the intrinsic properties of the photocatalysts are also discussed.Lastly,the perspectives on future challenges and possible solutions for PCO_(2)RR are presented. 展开更多
关键词 Photoreduction of CO_(2) semiconductor catalysts Photocatalyst modification Heterojunction construction Catalytic efficiency Activity Environmental and sustainable applications
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Bi_(2)O_(3)/BiFeO_(3)异质结的制备及其光催化性能研究
2
作者 罗刚 李增鹏 +3 位作者 戴剑锋 何川 马宏 江小明 《化工新型材料》 北大核心 2025年第9期256-261,268,共7页
氧化铋(Bi_(2)O_(3))是近年来研究较为广泛的窄隙半导体光催化剂,因其具有无毒、结构可调、氧化能力强、廉价易得等优点,在化学试剂、玻璃着色、压敏电阻、防腐涂料等领域具有广阔的发展前景。如何提高氧化铋光催化材料的光催化活性并... 氧化铋(Bi_(2)O_(3))是近年来研究较为广泛的窄隙半导体光催化剂,因其具有无毒、结构可调、氧化能力强、廉价易得等优点,在化学试剂、玻璃着色、压敏电阻、防腐涂料等领域具有广阔的发展前景。如何提高氧化铋光催化材料的光催化活性并深入阐明活性提高的机理成为研究的热点。利用常规的电化学沉积、水热法、固相法等掺杂改性难以提升氧化铋氧空位的迁移扩散效率以及高比表面积。基于此,采用同轴双喷嘴静电纺丝技术,在不同配比浓度下,制备了Bi_(2)O_(3)/BiFeO_(3)复合纳米异质结,利用X射线衍射分析、拉曼光谱、扫描电镜以及投射电镜等进一步分析了Bi_(2)O_(3)/BiFeO_(3)复合纳米异质的结构、形貌及光催化性能。结果表明:复合后短棒状结构的Bi_(2)O_(3)/BiFeO_(3)纳米异质结相比于纯相纤维状结构的Bi_(2)O_(3)、BiFeO_(3)纳米材料,其光催化降解甲基橙(MO)的性能得到了较大提升,可见光吸收范围得到了有效拓展,光生电荷的分离效率和其可见光利用率得到了提高,为后续设计铋基复合纳米光催化材料提供了指导和借鉴。 展开更多
关键词 半导体催化剂 氧化铋 光催化性能 异质结
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用于光催化制氢的光催化剂研究进展
3
作者 岑方龙 王家宏 胡兵 《石化技术与应用》 2025年第5期419-425,共7页
介绍了光催化制氢的原理,对光催化制氢的光催化剂研究进展进行了综述,并对光催化制氢的挑战与机遇进行了分析。指出今后光催化剂研究应聚焦在拓宽催化剂的光谱响应范围,采用保护性包覆层(如二氧化硅或石墨烯)以增强催化剂抗氧化与抗腐... 介绍了光催化制氢的原理,对光催化制氢的光催化剂研究进展进行了综述,并对光催化制氢的挑战与机遇进行了分析。指出今后光催化剂研究应聚焦在拓宽催化剂的光谱响应范围,采用保护性包覆层(如二氧化硅或石墨烯)以增强催化剂抗氧化与抗腐蚀能力;利用多组分催化剂的协同效应提升氢气生成效率;推广绿色、低能耗的催化剂合成技术等方面。 展开更多
关键词 光催化 制氢 催化剂 半导体 石墨烯 尖晶石铁氧体
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半导体光催化氧化有机物的研究现状及发展趋势 被引量:84
4
作者 贺北平 王占生 张锡辉 《环境科学》 CAS CSSCI CSCD 北大核心 1994年第3期80-83,共4页
就半导体光催化氧化法的机理、光催化对有机物的氧化能力、提高光催化剂催化活性的途径及固定相光催化的进展等几方面进行了较为全面的概述,并提出了光催化氧化法今后的研究方向。可以预见,光催化氧化将会成为新型有效的水处理手段。
关键词 半导体 催化剂 光催化氧化 有机物
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二氧化钛纳米材料的合成及其在环保领域的应用研究进展 被引量:33
5
作者 牛新书 许亚杰 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期203-208,共6页
综述了近年来纳米TiO2 光催化剂在制备方法、表面改性、光催化氧化机理及应用方面的研究进展 。
关键词 研究进展 纳米二氧化钛 半导体催化剂 光催化氧化 合成 环保材料
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光催化分解对四环素溶液COD的影响 被引量:10
6
作者 姜义华 胡岗 +1 位作者 葛葆珪 瞿敏明 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期153-156,共4页
报道了以粉状无机半导体(ZnO)为催化剂,光分解水溶液中四环素抗菌素后溶液内COD的变化,其去除率高达90%左右。此结果有助于制药工业废水的光催化处理研究及太阳能的开发与利用。
关键词 光催化分解 四环素 废水处理
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光催化氧化后四环素的分解率与COD去除率之间关系的探讨 被引量:3
7
作者 姜义华 胡岗 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期231-234,共4页
以粉状无机半导体(ZnO)为催化剂,探讨了水溶夜中四环素经光催化氧化后分解率和COD去除率之间的关系。实验表明,在本实验中四环素的分解率和COD去除率之间有较好的正相关性,当反应系统中有足量的活性催化剂和足够的光照时... 以粉状无机半导体(ZnO)为催化剂,探讨了水溶夜中四环素经光催化氧化后分解率和COD去除率之间的关系。实验表明,在本实验中四环素的分解率和COD去除率之间有较好的正相关性,当反应系统中有足量的活性催化剂和足够的光照时间时,绝大部分四环素将被较彻底地氧化分解成CO2,这不仅有助于光催化反应机理的研究,也有助于今后在环保中的实际应用。 展开更多
关键词 四环素氧化分解 光催化 COD去除率 太阳能 废水
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Cu/MoO_3-TiO_2复合半导体光催化剂的制备与表征 被引量:13
8
作者 梅长松 钟顺和 《催化学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第11期862-868,共7页
用溶胶 凝胶法制备了复合半导体MoO3 TiO2 ,并用等体积浸渍法制备了Cu/MoO3 TiO2 光催化剂 .利用X射线衍射、激光拉曼光谱、程序升温还原、红外光谱、透射电镜和紫外 可见漫反射光谱等技术研究了所得光催化剂的物相结构、微粒尺寸... 用溶胶 凝胶法制备了复合半导体MoO3 TiO2 ,并用等体积浸渍法制备了Cu/MoO3 TiO2 光催化剂 .利用X射线衍射、激光拉曼光谱、程序升温还原、红外光谱、透射电镜和紫外 可见漫反射光谱等技术研究了所得光催化剂的物相结构、微粒尺寸和吸光性能 .结果表明 ,MoO3 含量为 10 %时呈单分子层分散在TiO2 上 ,催化剂的平均粒径为 10nm .MoO3 的引入使TiO2的吸收限发生明显的蓝移 ,MoO3 负载量超过 10 %时 ,有体相MoO3 生成 ,其光吸收性能下降 .Mo O Ti键的形成加强了半导体之间的相互作用 ,有利于光生载流子在半导体间的传输 .负载金属Cu可促进四面体配位Mo向八面体配位Mo转化 . 展开更多
关键词 氧化钼 氧化钛 复合半导体 负载型催化剂 光吸收性能
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高温高压合成含硼金刚石单晶制备工艺初探 被引量:5
9
作者 李洪岩 李木森 +1 位作者 宫建红 郑克芳 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期550-553,共4页
本文以掺入不同含量硼铁的铁基合金为触媒,以石墨为碳源,在高温高压条件下合成了含硼金刚石单晶体。利用扫描电镜(SEM)观察了金刚石及触媒的组织形貌;利用金相显微镜观察了金刚石颗粒的颜色和形态;利用拉曼光谱仪(RS)确认了人造金刚石... 本文以掺入不同含量硼铁的铁基合金为触媒,以石墨为碳源,在高温高压条件下合成了含硼金刚石单晶体。利用扫描电镜(SEM)观察了金刚石及触媒的组织形貌;利用金相显微镜观察了金刚石颗粒的颜色和形态;利用拉曼光谱仪(RS)确认了人造金刚石单晶体中硼的存在;利用低温电阻测量仪验证了合成的含硼金刚石单晶颗粒具有半导体性能。实验结果表明,在金刚石的合成中,触媒中硼铁含量为2wt%的合成效果相对最好。 展开更多
关键词 半导体 金刚石 含硼触媒 人工合成 高温高压
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Ru-ZnO气敏材料的敏感特性研究 被引量:6
10
作者 徐甲强 胡平 +1 位作者 秦建华 谷书华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期281-283,共3页
采用化学沉淀法合成了纯ZnO微细粉,用浸渍法合成了Ru-ZnO气敏材料及Al2O3基催化剂。采用静态配气法测试了ZnO单层膜及双层膜旁热式气敏元件的敏感特性。实验结果表明,Ru的掺杂可提高ZnO的气体灵敏度,催化剂涂... 采用化学沉淀法合成了纯ZnO微细粉,用浸渍法合成了Ru-ZnO气敏材料及Al2O3基催化剂。采用静态配气法测试了ZnO单层膜及双层膜旁热式气敏元件的敏感特性。实验结果表明,Ru的掺杂可提高ZnO的气体灵敏度,催化剂涂层的施加可改善Ru-ZnO对汽油、乙醇、丁烷的气敏选择性。 展开更多
关键词 金属氧化物 半导体 气体传感器 氧化锌
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Ni基催化剂上CH_4、C_2H_6和C_2H_4的裂解积炭性能(英文) 被引量:3
11
作者 杨咏来 徐恒泳 李文钊 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第9期773-775,共3页
采用脉冲微反技术研究了添加半导体氧化物对Ni基催化剂上CH_4、C_2H_6和C_2H_4的裂解积炭反应特性的影响。结果表明,n型半导体CeO_2的添加降低了CH_4和C_2H_6的积炭活性,而p型半导体Co_3O_4的添加则加速CH_4和C_2H_6的裂解积炭;而对... 采用脉冲微反技术研究了添加半导体氧化物对Ni基催化剂上CH_4、C_2H_6和C_2H_4的裂解积炭反应特性的影响。结果表明,n型半导体CeO_2的添加降低了CH_4和C_2H_6的积炭活性,而p型半导体Co_3O_4的添加则加速CH_4和C_2H_6的裂解积炭;而对于与CH4和C_2H_6活化机制不同的C_2H_4分子的活化,上述影响机制正好相反,n型半导体CeO_2的添加促进C_2H_4的裂解积炭反应,而p型半导体Co_3O_4的添加则抑制C_2H_4的裂解积炭反应。XPS分析表明,活性金属Ni与半导体氧化物之间存在的金属-半导体相互作用是这种影响机制的主要因素。 展开更多
关键词 甲烷 乙烷 乙烯 镍催化剂 金属-半导体相互作用 裂解 积炭 半导体 氧化物
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光催化分解硫化氢制取氢气的研究 被引量:9
12
作者 张谊华 滕玉美 +2 位作者 曾宪康 王涵慧 俞稼镛 《感光科学与光化学》 CSCD 1994年第2期120-125,共6页
以连续流动进H_2S气体系统,在室温条件下研究了用Xe灯照射含有催化剂的NaOH水溶液时,H_2S光催化分解为H_2气和元素S的反应.分别采用CdS、V_2O_5/TiO_2和V_2O_5/Al_2O_3为催化剂,考... 以连续流动进H_2S气体系统,在室温条件下研究了用Xe灯照射含有催化剂的NaOH水溶液时,H_2S光催化分解为H_2气和元素S的反应.分别采用CdS、V_2O_5/TiO_2和V_2O_5/Al_2O_3为催化剂,考察了产氢量与介质中NaOH含量及照射时间的关系,讨论了光催化分解H_2S的反应机理.结果表明,连续流动通入H_2S气体进行光催化分解的方法是可行的,并接近实际可能应用的情况. 展开更多
关键词 光催化 硫化氢 光分解
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CeO_2和Co_3O_4助剂对镍基催化剂上CH_4积碳和CO_2消碳性能的影响 被引量:16
13
作者 杨咏来 李文钊 徐恒泳 《催化学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第6期517-520,共4页
采用脉冲微反技术研究了添加CeO2 和Co3 O4助剂对镍基催化剂上CH4积碳和CO2 消碳性能的影响 ,并用BET ,TGA ,XPS及CO2 TPSR等技术对催化剂进行了表征 .结果表明 ,添加CeO2 可以提高活性原子Ni0 中d电子的密度 ;Ni0 原子中d电子密度的... 采用脉冲微反技术研究了添加CeO2 和Co3 O4助剂对镍基催化剂上CH4积碳和CO2 消碳性能的影响 ,并用BET ,TGA ,XPS及CO2 TPSR等技术对催化剂进行了表征 .结果表明 ,添加CeO2 可以提高活性原子Ni0 中d电子的密度 ;Ni0 原子中d电子密度的增加在一定程度上抑制了CH4分子中C H键σ电子向d轨道的迁移 ,降低了CH4裂解积碳性能 ;同时加强了Ni0原子d轨道向CO2 空反键π轨道的电子迁移 ,促进了CO2 分子的活化 ,提高了CO2 的消碳活性 .助剂Co3 O4的添加则促进CH4的裂解积碳 ,抑制了CO2 的消碳 .分析表明 ,活性金属与半导体助剂之间存在的金属 半导体相互作用是影响这种机制的主要因素 . 展开更多
关键词 CEO2 CO3O4 CH4 CO2 金属-半导体相互作用 镍基催化剂 氧化铈 氧化钴 积碳 消碳 甲烷 二氧化碳
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掺杂α—Fe_(2)O_(3)的气敏材料特性 被引量:13
14
作者 王毓德 吴兴惠 《传感器技术》 CSCD 1994年第3期32-36,共5页
报道了在SnO_2、ZnSnO_3基体材料中掺有α—Fe_2O_3金属氧化物作催化剂的半导体气敏材料的性能。实验表明,在不同基体材料中掺入不同比例的α—Fe_2O_3后,元件静态电阻R_0及元件对甲烷(CH_4)、丁烷、乙醇等气体性能随掺杂比例不同而改善... 报道了在SnO_2、ZnSnO_3基体材料中掺有α—Fe_2O_3金属氧化物作催化剂的半导体气敏材料的性能。实验表明,在不同基体材料中掺入不同比例的α—Fe_2O_3后,元件静态电阻R_0及元件对甲烷(CH_4)、丁烷、乙醇等气体性能随掺杂比例不同而改善,而对一氧化碳(CO)、汽油等气体性能改善不大。此外,α—Fe_2O_3掺杂使元件的可靠性、长期稳定性得到明显提高。 展开更多
关键词 掺杂α-Fe_(2)O_(3) 催化剂 半导体气敏材料
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Electron promoted ZnO for catalytic synthesis of higher alcohols from syngas 被引量:1
15
作者 Fang Li Qian Zhang +3 位作者 Jing Liu Nan Cui Guoqing Guan Wei Huang 《Green Energy & Environment》 SCIE EI CSCD 2022年第6期1390-1400,共11页
Direct conversion of syngas from those non-petroleum carbon resources to higher alcohols are very attractive due to the process simplicity with low energy consumption.However,the reaction always suffers from low yield... Direct conversion of syngas from those non-petroleum carbon resources to higher alcohols are very attractive due to the process simplicity with low energy consumption.However,the reaction always suffers from low yield as well as low selectivity.Herein,effective increase of higher alcohols proportion in the product is realized by direct conversion of syngas over electronically-modulated ZnO semiconductor via Cu doping.It is considered that the lower Fermi level and narrower band gap of catalysts by embedding Cu^(2+)into ZnO lattice could facilitate donor reaction by boosting the process for the reactants to obtain electrons on the catalyst surface for the formation of CH_(x) species and carbon chain growth,in which the Cu doping on ZnO lattice play important role in the promotion of CO adsorption.As a result,4 mol%Cu doped ZnO exhibits a highest C_(2+) OH/ROH fraction of 48.1%.Selectivity of catalysts from straight chain alcohol is better than from branch chain alcohol,which is different from promoted Cu/ZnO based catalyst.However,over-doping of Cu(7 mol%)on ZnO results in the aggregation Cu species on ZnO surface,leading to a sharp decrease of higher alcohols proportion to 3.2%.The results shed light on the nature that a direct correlation between semiconductor Fermi level and synthesis of higher alcohols,and the semiconductor-based catalysts mainly accelerate the hydrogenation reactions by enhancing thermally excited electron transfer. 展开更多
关键词 semiconductor catalysts Electron promotion Fermi level ZNO Higher alcohols
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金属氧化物半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究进展 被引量:3
16
作者 霸书红 才思雨 冯璐 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期460-470,I0008,共12页
金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在... 金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在催化领域得到了广泛应用。本文介绍了单一金属氧化物、复合金属氧化物、掺杂金属氧化物和负载型金属氧化物四类半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究现状,探讨了催化机理和影响催化效果的因素,分析得出P型金属氧化物半导体材料的禁带宽度越小,费米能级降低,逸出能越大,催化作用明显;对于N型来说,禁带宽度越大,费米能级升高,逸出能越小,催化效果越好。为了充分利用金属氧化物的优点克服其缺陷,常在金属氧化物中引入杂元素形成离子晶格缺陷和制造新的局部杂质能级以改变电子的跃迁,从而提高金属氧化物的催化性能。不论是复合金属氧化物,还是负载型金属氧化物,均存在对高氯酸铵的正协同催化效应。开发禁带宽度小的多孔纳米管P型金属氧化物、掺杂型金属氧化物和负载型金属氧化物材料仍是人们关注的重点。探索以高氯酸铵为基的核壳型复合材料、P-N结金属氧化物半导体催化材料以及探究载流子在两种半导体P-N界面间的迁移规律,有望成为提高催化效率的新途径。 展开更多
关键词 高氯酸铵 金属氧化物半导体材料 催化剂 禁带宽度
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贵金属修饰型TiO_2的催化活性及Fermi能级对其光催化性能的影响 被引量:16
17
作者 鄂磊 徐明霞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1538-1541,共4页
采用自制纳米TiO_2粉末,以磷酸铝为粘结剂,制备了负载型TiO_2光催化剂。将Ag,Pt或Pd 3种金属的盐溶液滴涂在负载TiO_2的表面,从而得到修饰型负载光催化剂(M/TiO_2)。通过甲基橙溶液降解实验研究了贵金属的掺杂种类和含量对TiO_2光... 采用自制纳米TiO_2粉末,以磷酸铝为粘结剂,制备了负载型TiO_2光催化剂。将Ag,Pt或Pd 3种金属的盐溶液滴涂在负载TiO_2的表面,从而得到修饰型负载光催化剂(M/TiO_2)。通过甲基橙溶液降解实验研究了贵金属的掺杂种类和含量对TiO_2光催化性能的影响。实验结果表明:适量掺杂Ag,Pt或Pd 3种金属粒子均可提高TiO_2的光催化活性,且3种金属粒子的最佳掺杂质量分数分别为0.5%,1.0%和1.0%。在最佳掺杂量时,Ag/TiO_2[ω(Ag)=0.5%]的光催化活性要高于Pt/TiO_2[ω(Pt)=1.0%]或Pd/TiO_2[ω(Pd)=1.0%]。另外,通过金属一半导体接触理论阐述了M/TiO_2的光催化机理,并通过Ag,Pt,Pd金属的Fermi能级的不同,解释了Ag/TiO_2,Pt/TiO_2和Pd/TiO_2 3种光催化剂催化性能的差别。 展开更多
关键词 贵金属掺杂 金属-牙半导体 Fermi能级 光催化氧化
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半导体光催化氧化在有机废水处理中的应用与研究进展 被引量:6
18
作者 段明峰 梅平 《化学与生物工程》 CAS 2003年第6期12-14,共3页
简要介绍了半导体光催化氧化降解有机物的作用机理,重点阐述半导体光催化氧化在处理有机废水中的应用,并就该技术之不足对其应用前景和发展方向作了展望。
关键词 有机废水 半导体光催化氧化法 作用机理 TiO2-活性炭悬浮体系 纳米TIO2光催化剂
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气敏材料An-WO_3催化特性的物理解释 被引量:3
19
作者 王旭升 薛丽君 +2 位作者 周晓华 三浦则雄 山添升 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期287-289,共3页
对Au-WO3粉体材料的制备及氨敏特性进行了研究,得到材料的电阻和对氨的灵敏度随 Au含量的增加先增大,达到某一极值后减小的实验结果,本文还用透射电子显微镜(TEM)观察了Au颗粒在WO3表面的分布情况,发现Au颗粒... 对Au-WO3粉体材料的制备及氨敏特性进行了研究,得到材料的电阻和对氨的灵敏度随 Au含量的增加先增大,达到某一极值后减小的实验结果,本文还用透射电子显微镜(TEM)观察了Au颗粒在WO3表面的分布情况,发现Au颗粒的团聚现象。根据电子催化模型时Au在WO3表面的随机分布情况进行了计算机模拟,模拟结果与实验观测现象相符,在此基础上给出了Au 颗粒催化机理的定性物理解释。 展开更多
关键词 半导体气体传感器 气敏机理 催化剂 气敏材料
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Ni/CeO_2-Al_2O_3催化剂上CH_4-CO_2转化积炭性能的研究 被引量:21
20
作者 杨咏来 徐恒泳 李文钊 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期2112-2116,共5页
采用脉冲微量反应技术研究了添加 n型半导体氧化物 Ce O2 对 Ni基催化剂上 CH4积炭 /CO2 消炭性能的影响 ,用 TPR,XPS和氢吸附技术对催化剂进行了表征 .结果表明 ,活性金属原子 Ni与半导体氧化物Ce O2 之间存在金属 -半导体相互作用 ( M... 采用脉冲微量反应技术研究了添加 n型半导体氧化物 Ce O2 对 Ni基催化剂上 CH4积炭 /CO2 消炭性能的影响 ,用 TPR,XPS和氢吸附技术对催化剂进行了表征 .结果表明 ,活性金属原子 Ni与半导体氧化物Ce O2 之间存在金属 -半导体相互作用 ( MSc I) ,Ce O2 的添加提高了活性原子 Ni0的 d电子密度 ,在一定程度上抑制了 CH4分子中 C—Hσ电子向 d轨道的迁移 ,降低了 CH4裂解积炭活性 ;可加强 Ni0原子 d轨道向CO2 空反键 π轨道的电子迁移 ,促进 CO2 分子的活化 ,提高 CO2 的消炭活性 ,使 Ni/Ce O2 -Al2 O3 催化剂具有较强的抗积炭性能 . 展开更多
关键词 Ni/CeO2-Al2O3催化剂 金属-半导体相互作用 金属-载体相互作用 CH4 积炭 CO2 消炭 氧化铈 氧化铝 载体 合成气 甲烷 二氧化碳
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