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溶胶-凝胶-碳热还原法制备富碳β-SiC纳米粉体 被引量:9
1
作者 李智敏 曹全喜 +2 位作者 黄云霞 李桂芳 张文庆 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期942-946,共5页
采用溶胶-凝胶-碳热还原法,以正硅酸乙酯和蔗糖为原料,在0.1 MPaAr气气氛中碳热还原合成β-SiC纳米粉体。通过X射线衍射、Raman光谱、扫描电镜和透射电镜对β-SiC纳米粉体的物相、微观结构及形貌进行了表征。结果表明:当合成温度为1 60... 采用溶胶-凝胶-碳热还原法,以正硅酸乙酯和蔗糖为原料,在0.1 MPaAr气气氛中碳热还原合成β-SiC纳米粉体。通过X射线衍射、Raman光谱、扫描电镜和透射电镜对β-SiC纳米粉体的物相、微观结构及形貌进行了表征。结果表明:当合成温度为1 600℃时,已经开始生成β-SiC相,随着温度升高至1 700℃,完全生成了含有C_(Si)缺陷的富碳β-SiC相。β-SiC纳米粉体表现为纳米级的团聚颗粒,平均粒径为40 nm,并生成晶须。对β-SiC纳米粉体的碳热还原反应机理进行了分析,结果表明:溶胶-凝胶法明显降低了生成气态SiO控制反应的温度。 展开更多
关键词 碳化硅 溶胶-凝胶-碳热还原法 反应机理 点缺陷
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SrTiO_3的缺陷化学 被引量:2
2
作者 罗世永 张家芸 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期409-413,共5页
系统分析了有关SrTiO3的缺陷化学的文献报道,在此基础上给出了未掺杂、受主和施主掺杂SrTiO3的缺陷反应方程、平衡常数、各种缺陷的生成自由能和生成焓.由此可以计算和预测SrTiO3主要点缺陷的浓度.
关键词 钛酸锶 缺陷反应 点缺陷浓度 缺陷化学 铁电功能陶瓷材料
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B-Z反应中斑图的数值模拟及实验研究 被引量:5
3
作者 郑佳喻 周华喜 +2 位作者 孙金芳 杨军 孙萍 《大学物理》 北大核心 2008年第10期50-54,共5页
根据B-Z反应的FKN机理得出的二维Tyson模型,用差分方法模拟了靶型波、单螺旋波、双螺旋波的形成过程.通过数值模拟发现螺旋波的组织中心是一个点缺陷,系统所有的动力学行为都受这个缺陷点的影响.在此基础上,在封闭的溴酸盐/硫酸/试亚铁... 根据B-Z反应的FKN机理得出的二维Tyson模型,用差分方法模拟了靶型波、单螺旋波、双螺旋波的形成过程.通过数值模拟发现螺旋波的组织中心是一个点缺陷,系统所有的动力学行为都受这个缺陷点的影响.在此基础上,在封闭的溴酸盐/硫酸/试亚铁灵的B-Z反应体系中,通过割断靶型波的方法,产生了双螺旋波.同时,也观察到了单螺旋波与螺旋波的破碎.这些实验结果与数值模拟结果一致.将B-Z振荡反应实验引入非线性物理实验教学中,可以扩充时空动力学的实验内容. 展开更多
关键词 B-Z反应 点缺陷 靶型波 螺旋波 数值模拟
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二氧化铀点缺陷模型的建立及应用 被引量:1
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作者 李锐 高家诚 +1 位作者 杨晓东 畅欣 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期877-880,共4页
为研究超化学剂量二氧化铀(UO2+x)中缺陷对烧结的影响,应用缺陷化学理论建立了点缺陷模型(PDM)。通过PDM计算了UO2+x中的缺陷浓度、铀离子的扩散系数、烧结后密度等。结果表明,二氧化铀中的铀离子和氧离子的缺陷浓度随着气氛中氧分压(p... 为研究超化学剂量二氧化铀(UO2+x)中缺陷对烧结的影响,应用缺陷化学理论建立了点缺陷模型(PDM)。通过PDM计算了UO2+x中的缺陷浓度、铀离子的扩散系数、烧结后密度等。结果表明,二氧化铀中的铀离子和氧离子的缺陷浓度随着气氛中氧分压(pO2)或UO2+x中的多余氧x的变化而急剧变化。超化学剂量二氧化铀芯块的烧结试验结果很好地符合了计算值。PDM揭示了UO2+x粉末能够在较低温度下烧结成芯块的机理。 展开更多
关键词 点缺陷模型 超化学剂量 反应方程 缺陷浓度 扩散系数
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反应动力学理论和n型金属氧化物E_F的变化范围 被引量:1
5
作者 袁庆华 刘晓健 +1 位作者 李蕾 裘南畹 《山东大学学报(工学版)》 CAS 2006年第4期114-116,124,共4页
首先,提出了一种用化学反应动力学来研究半导体点缺陷浓度统计分布的理论;其次,用这个理论来研究了有2次施主能级的n型金属氧化物费米能级EF,给出EF的下限EFm为Ed2-RTln2;第三,用泊松方程的解和电中性方程来估算费米能级,得出EF的上限EF... 首先,提出了一种用化学反应动力学来研究半导体点缺陷浓度统计分布的理论;其次,用这个理论来研究了有2次施主能级的n型金属氧化物费米能级EF,给出EF的下限EFm为Ed2-RTln2;第三,用泊松方程的解和电中性方程来估算费米能级,得出EF的上限EFM为Ed1-RTln2. 展开更多
关键词 反应动力学 Fermi能级 点缺陷
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ZnCdSe单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合激活的点缺陷反应
6
作者 唐敏学 沈凯 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第4期57-60,共4页
本文对ZnCdSe单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究.样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明,这种反应增强了辐射量子效率.实验结果与温度相关的点缺陷状态跃迁率模型相吻合,并得到该跃... 本文对ZnCdSe单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究.样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明,这种反应增强了辐射量子效率.实验结果与温度相关的点缺陷状态跃迁率模型相吻合,并得到该跃迁的激活能为0.45ev. 展开更多
关键词 ZNCDSE 单量子阱 非辐射载子复合 点缺陷 半导体
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Pd(111)点缺陷表面乙炔加氢生成乙烯的密度泛函理论研究
7
作者 王星 杨作银 李亚平 《物理化学进展》 2013年第3期40-46,共7页
本文通过密度泛函理论(DFT)研究Pd(111)表面上点缺陷对乙炔加氢生成乙烯反应的影响。计算结果表明乙炔,乙烯基和乙烯的结合能在Pd(111)和Pd(111)点缺陷表面按照Pd(111) >Pd-fd >Pd-sd的顺序递减。Pd-fd表示点缺陷在第一层,Pd-sd... 本文通过密度泛函理论(DFT)研究Pd(111)表面上点缺陷对乙炔加氢生成乙烯反应的影响。计算结果表明乙炔,乙烯基和乙烯的结合能在Pd(111)和Pd(111)点缺陷表面按照Pd(111) >Pd-fd >Pd-sd的顺序递减。Pd-fd表示点缺陷在第一层,Pd-sd表示点缺陷在第二层。乙炔加氢生成乙烯基的能垒在Pd(111)表面上最大,在Pd-sd表面上最小,而乙烯基加氢生成乙烯的能垒在Pd(111)表面上最大,但是在Pd-fd表面上最小。因此Pd(111)表面上点缺陷的存在提高了乙炔加氢生成乙烯反应的活性。 展开更多
关键词 乙炔 反应机理 密度泛函理论 点缺陷
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