La_2O_3 掺杂的 TiO_2 电容-压敏电阻器特性研究 被引量：14

1

作者 罗建军 方湘怡 武明堂 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第9期62-66,共5页

为改善ＴｉＯ２电容－压敏电阻器的非线性，文章通过添加少量Ｌａ２Ｏ３，使其非线性系数得到提高，并对其原因进行了分析．结果表明，Ｌａ２Ｏ３添加剂可提高材料晶界势垒高度，从而提高了其非线性系数．

关键词 电容 压敏电阻器 非线性 氧化镧 二氧化钛 掺杂

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SrTiO_3复合功能陶瓷中烧结助剂的研究 被引量：8

2

作者 徐庆 陈文 +1 位作者 赵雷康 袁润章 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1999年第1期76-80,共5页

采用一次烧成法制备出SrTiO3电容—压敏复合功能陶瓷，着重研究了SiO2-TiO2-Al2O2系烧结助剂对SrTiO3陶瓷的结构和复合功能特性的影响。研究结果表明：组成合理的烧结助剂有助于促进SrTiO3陶瓷的烧结，改善微观结构，并相应优化SrTiO3... 采用一次烧成法制备出SrTiO3电容—压敏复合功能陶瓷，着重研究了SiO2-TiO2-Al2O2系烧结助剂对SrTiO3陶瓷的结构和复合功能特性的影响。研究结果表明：组成合理的烧结助剂有助于促进SrTiO3陶瓷的烧结，改善微观结构，并相应优化SrTiO3陶瓷的复合功能。研究确定，优化的烧结助剂组成为0．5wt％SiO2-0．2wt％TiO2-0．05wt％Al2O3。 展开更多

关键词 烧结助剂 复合功能陶瓷 钛酸锶 陶瓷 半导体

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热分解氧化反应对TiO_2电容压敏电阻器性能的影响 被引量：7

3

作者 罗建军 方湘怡 武明堂 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期93-96,共4页

研究了具有热分解氧化反应的ＣｕＯ、ＭｎＯ２等的一类氧化物对ＴｉＯ２压敏电阻器性能的影响，采用Ｃ—Ｖ分析、Ｉ—Ｖ测量和介电测量等实验手段，分析了它们的作用机理．结果发现，在晶界处发生的热分解氧化反应能增加界面态密度，提... 研究了具有热分解氧化反应的ＣｕＯ、ＭｎＯ２等的一类氧化物对ＴｉＯ２压敏电阻器性能的影响，采用Ｃ—Ｖ分析、Ｉ—Ｖ测量和介电测量等实验手段，分析了它们的作用机理．结果发现，在晶界处发生的热分解氧化反应能增加界面态密度，提高晶界势垒高度，从而改善ＴｉＯ２电容压敏电阻器的非线性性能． 展开更多

关键词 电容压敏电阻器 热分解 二氧化钛 电阻器 氧化

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1000kV特高压固定串联补偿装置关键元件工作条件研究 被引量：29

4

作者 张媛媛 班连庚 +5 位作者 项祖涛 林集明 郑彬 张艳萍 韩彬 韩亚楠 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2013年第8期2218-2224,共7页

基于长治—南阳—荆门特高压交流试验示范工程扩建工程,利用电磁暂态程序(EMTP),研究了区外和区内故障时,1 000 kV特高压串补关键元件工作条件。研究首次提出:采用金属氧化物限压器(metal oxide varistor,MOV)-并联间隙组合作为特高压... 基于长治—南阳—荆门特高压交流试验示范工程扩建工程,利用电磁暂态程序(EMTP),研究了区外和区内故障时,1 000 kV特高压串补关键元件工作条件。研究首次提出:采用金属氧化物限压器(metal oxide varistor,MOV)-并联间隙组合作为特高压串补的过电压保护措施;区外故障时仅由MOV限制电容器的过电压,间隙不动作;区内故障时,火花间隙及旁路开关可以动作,从而将电容器和MOV旁路;特高压串补过电压保护水平为2.3 pu;长南I线和南荆I线串补MOV的最大能耗水平分别为57 MJ/相和45 MJ/相;采用"电抗器+MOV串电阻"型阻尼回路作为串补电容器的放电阻尼装置,电容器放电回路的自振频率约为300 Hz;短路期间,特高压串补火花间隙和旁路开关最大放电电流为153 kA。 展开更多

关键词 特高压 串联补偿 金属氧化物限压器 电容器 火花间隙 旁路开关 阻尼装置 工作条件

原文传递

Mn对一次烧成钛酸锶陶瓷复合功能的影响 被引量：4

5

作者 徐庆 陈文 袁润章 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第6期401-404,共4页

采用一次烧成工艺制备了 Mn掺杂的 Sr Ti O3电容 -压敏复合功能陶瓷 ,采用 SEM观察了 Sr Ti O3复合功能陶瓷的微观结构 ,测量了不同氧化热处理温度下 Sr Ti O3陶瓷的电学特性 ,采用 XPS研究了 Sr Ti O3复合功能陶瓷中 Mn的化学状态 ,并... 采用一次烧成工艺制备了 Mn掺杂的 Sr Ti O3电容 -压敏复合功能陶瓷 ,采用 SEM观察了 Sr Ti O3复合功能陶瓷的微观结构 ,测量了不同氧化热处理温度下 Sr Ti O3陶瓷的电学特性 ,采用 XPS研究了 Sr Ti O3复合功能陶瓷中 Mn的化学状态 ,并分析了 Mn的掺杂行为。研究结果表明 :一次烧成的 Sr Ti O3陶瓷达到较高的烧成致密度 ,Mn主要以 Mn2 + 的形式存在于晶界。氧化热处理过程中 Mn低价取代晶粒表面的 Ti4+ ,对于 Sr Ti O3陶瓷中产生复合功能特性具有重要影响。 展开更多

关键词 复合功能 一次烧成 锰 钛酸锶陶瓷 半导体陶瓷

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耦合方式对浪涌保护器组合波输出波形特性影响的研究 被引量：6

6

作者 姚学玲 陈景亮 孙伟 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期36-39,共4页

笔者建立了压敏电阻的仿真模型以及组合波耦合网络的MATLAB仿真电路,研究了电容耦合和压敏电阻耦合方式对组合波短路电流波形参数的影响规律。耦合电容的加入使组合波短路电流的波前时间和半峰值时间减小,回路虚拟阻抗增加,且随着耦合... 笔者建立了压敏电阻的仿真模型以及组合波耦合网络的MATLAB仿真电路,研究了电容耦合和压敏电阻耦合方式对组合波短路电流波形参数的影响规律。耦合电容的加入使组合波短路电流的波前时间和半峰值时间减小,回路虚拟阻抗增加,且随着耦合网络的耦合电容容量的增加,短路电流波的波前时间和半峰值时间增加,虚拟阻抗减小;压敏电阻耦合对组合波短路电流的影响规律和电容耦合相同,对于同一规格压敏电阻,随着电容上充电电压的增加,短路电流波的波前时间和半峰值时间增加,虚拟阻抗减小。在电容上充电电压相同情况下,随着压敏电阻通过直流1 mA时的电压U1mA的增加短路电流波的波前时间和半峰值时间显著减小,而虚拟阻抗则显著增加。 展开更多

关键词 组合波 电容耦合 压敏电阻耦合 波形参数

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特高压无间隙金属氧化物避雷器均压电容柱电位分布研究 被引量：13

7

作者 张金凤 郭洁 +3 位作者 李可伦 陈舒 周越 乔兵兵 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期170-175,共6页

超、特高压避雷器电位分布的改善通常采用综合均压措施,即在高压端加均压环,同时在避雷器元件上并联均压电容柱。虽然均压电容柱能有效改善避雷器电压分布,但也带来了性能难以检验及参数选择不当会使避雷器运行可靠性下降等诸多不安全... 超、特高压避雷器电位分布的改善通常采用综合均压措施,即在高压端加均压环,同时在避雷器元件上并联均压电容柱。虽然均压电容柱能有效改善避雷器电压分布,但也带来了性能难以检验及参数选择不当会使避雷器运行可靠性下降等诸多不安全因素。通常均压柱中电容器电容比避雷器电阻片电容小很多,电容柱自身的电位分布比电阻片柱更不均匀,局部电容器的荷电率很高,会导致其加速老化,直至毁坏。文中采用有限元法建立1 000kV交流系统无间隙金属氧化物避雷器挂网运行时的三维仿真模型,在给定的均压环配置基础上,计算分析了均压电容柱的电位分布,得出电容值和电容器、垫片的排布对电容柱电位分布的影响显著,特别是避雷器元件两端靠近法兰的电容器承担的电压需要关注,必须合理选择电容器参数,为特高压避雷器均压电容器参数的合理选取提供参考依据。 展开更多

关键词 避雷器 电阻片 均压电容 荷电率 电位分布

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La_2O_3掺杂对TiO_2系压敏陶瓷结构和性能的影响 被引量：3

8

作者 王天国 覃群 周志刚 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期32-35,共4页

采用传统的固相法制备了La2O3掺杂的TiO2系压敏陶瓷,通过XRD和SEM分析,测试其结构及压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:La2O3掺杂对所获陶瓷的结构和性能有显著的影响,在1380℃烧结条件下,掺杂x(La2O3)为0.70%的陶瓷表现出优... 采用传统的固相法制备了La2O3掺杂的TiO2系压敏陶瓷,通过XRD和SEM分析,测试其结构及压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:La2O3掺杂对所获陶瓷的结构和性能有显著的影响,在1380℃烧结条件下,掺杂x(La2O3)为0.70%的陶瓷表现出优良的综合电性能,其压敏电压为7.6V/mm,非线性系数为5.2,相对介电常数εr为9.96×104,介电损耗tanδ为0.32,这与该陶瓷具有最高的晶界势垒高度相一致。 展开更多

关键词 二氧化钛系 电容–压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 显微结构

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Ni、Cu掺杂钛酸锶复合功能陶瓷的电学特性 被引量：3

9

作者 徐庆 陈文 袁润章 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第3期223-226,共4页

采用一次烧成工艺制备了 Ni O、Cu O掺杂的 Sr Ti O3复合功能陶瓷 ,研究了其烧成状况、显微结构、复合功能特性及小电流区的电流 -温度关系。研究结果表明 ,掺 Ni O样品的晶粒粒度明显大于掺 Cu O样品 ;由于在烧成过程中受主杂质的行为... 采用一次烧成工艺制备了 Ni O、Cu O掺杂的 Sr Ti O3复合功能陶瓷 ,研究了其烧成状况、显微结构、复合功能特性及小电流区的电流 -温度关系。研究结果表明 ,掺 Ni O样品的晶粒粒度明显大于掺 Cu O样品 ;由于在烧成过程中受主杂质的行为有所不同 ,掺 Cu O样品具有较高的晶界受主态浓度。这使得在制备条件和掺杂浓度相同的条件下 ,掺 Ni O样品和掺 Cu 展开更多

关键词 镍 铜 掺杂 钛酸锶复合功能陶瓷 电学特性

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TiO_2电容、压敏复合功能材料研究 被引量：6

10

作者 张卫 武明堂 刘辅宜 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第2期137-141,共5页

通过掺杂Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｂｉ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２等多种添加剂，研究了ＴｉＯ＿２电容、压敏复合功能材料。这种材料既有大电容特性，又有压敏电阻的功能。基于半导体陶瓷的双肖特基势垒模型，本文还从理论上对这种复合功能材料的... 通过掺杂Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｂｉ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２等多种添加剂，研究了ＴｉＯ＿２电容、压敏复合功能材料。这种材料既有大电容特性，又有压敏电阻的功能。基于半导体陶瓷的双肖特基势垒模型，本文还从理论上对这种复合功能材料的压敏、电容特性进行了分析，得到的非线性系数和表现介电常数的理论值能较好地与实验结果相一致。本文的实验结果与理论分析对于进一步研究功能陶瓷材料等具有十分重要的意义。 展开更多

关键词 二氧化钛 压敏电阻 电容 肖特基势垒 功能材料

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石墨还原一次烧成SrTiO_3基电容-压敏复合功能陶瓷材料的研究 被引量：4

11

作者 王连洲 范福康 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 1998年第1期67-72,共6页

采用石墨还原一次烧成工艺制备了ＳｒＴｉＯ３基电容压敏复合功能陶瓷材料，探讨了施主Ｎｂ、受主Ｍｎ掺量对材料介电性能的影响。结果表明：Ｎｂ２Ｏ５的掺杂量在０６ｍｏｌ％时可获得高介电常数、低电阻率的材料；Ｍｎ有助于形成... 采用石墨还原一次烧成工艺制备了ＳｒＴｉＯ３基电容压敏复合功能陶瓷材料，探讨了施主Ｎｂ、受主Ｍｎ掺量对材料介电性能的影响。结果表明：Ｎｂ２Ｏ５的掺杂量在０６ｍｏｌ％时可获得高介电常数、低电阻率的材料；Ｍｎ有助于形成晶界势垒，提高材料的压敏非线性，Ｍｎ（ＮＯ３）２添加量为００５００６ｍｏｌ％可获得电容压敏综合性能较好的陶瓷材料。通过对比空气中烧成和石墨还原一次烧成新工艺，认为石墨还原烧成工艺有助于促进材料的晶粒生长和半导化过程。 展开更多

关键词 SRTIO3 一次烧成 石墨还原 电容陶瓷 压敏陶瓷

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Bi_2O_3掺杂对Nb_2O_5-TiO_2电容-压敏双功能陶瓷的影响 被引量：1

12

作者 胡连峰 唐超群 +3 位作者 周文斌 薛霞 黄金球 马新国 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期877-879,共3页

研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响。实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×... 研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响。实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×104。烧结温度在1450℃时,压敏电压最低,Eb=1.979 V.mm-1。 展开更多

关键词 TIO2 Bi2O3掺杂 电容-压敏 非线性

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TiO_2基功能复合材料的研究 被引量：8

13

作者 纪士东 郭露村 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期7-8,共2页

从材料设计的角度出发，比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同。通过Nb_2O_5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率，研究了其他掺杂物如MnO_2、Bi_2O_3、Pb_3O_4、BaCO_3及烧成制度对材料性能的影响，制得了性能优... 从材料设计的角度出发，比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同。通过Nb_2O_5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率，研究了其他掺杂物如MnO_2、Bi_2O_3、Pb_3O_4、BaCO_3及烧成制度对材料性能的影响，制得了性能优良的功能复合材料。 展开更多

关键词 二氧化钛 功能复合材料 压敏电阻器 电容器

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Y_2O_3掺杂对Ta_2O_5-TiO_2电容-压敏陶瓷的影响 被引量：1

14

作者 王天国 邵刚勤 +1 位作者 李喜宝 张文俊 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第13期4-7,15,共5页

制备了Y2O3-Ta2O5-TiO2电容-压敏电阻器材料,对样品进行了XRD和SEM分析,测试了其压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:Y2O3对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响,在1 400℃烧结条件下,摩尔掺量为0.25%Y2O3的样品表现出优良的... 制备了Y2O3-Ta2O5-TiO2电容-压敏电阻器材料,对样品进行了XRD和SEM分析,测试了其压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:Y2O3对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响,在1 400℃烧结条件下,摩尔掺量为0.25%Y2O3的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为9.7 V/mm,非线性系数为4.5,相对介电常数为8.82×104,这与该样品具有最高的晶界势垒高度相一致。 展开更多

关键词 二氧化钛 电容-压敏电阻 压敏电压 非线性系数

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电容-压敏双功能材料研究进展 被引量：1

15

作者 焦雷 姜斌 +1 位作者 柏松 徐东 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2012年第2期31-39,共9页

电容-压敏双功能材料(SrTiO_3系、TiO_2系、WO_3系、CaCu_3Ti_4O_(12)系)因各自的优异性能,在科学研究和实际应用中先后成为研究的热点。笔者回顾电容-压敏双功能材料的发展历史,详细介绍了目前国内外研究最多的电容-压敏双功能材料的... 电容-压敏双功能材料(SrTiO_3系、TiO_2系、WO_3系、CaCu_3Ti_4O_(12)系)因各自的优异性能,在科学研究和实际应用中先后成为研究的热点。笔者回顾电容-压敏双功能材料的发展历史,详细介绍了目前国内外研究最多的电容-压敏双功能材料的结构特征和研究进展,并讨论了今后的研究方向:基础理论的研究;对电容-压敏陶瓷进行复合掺杂,改善其综合性能;超低压、双功能方向研究。 展开更多

关键词 电容 压敏 介电性能 掺杂

原文传递

Ce掺杂的TiO_2电容-压敏材料结构和电性能研究 被引量：6

16

作者 孟黎清 李红耘 +1 位作者 熊西周 罗绍华 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2003年第6期38-42,共5页

通过对样品压敏性能、介电性能的测定和晶体结构、表面形貌分析,研究了CeO2对TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现CeO2对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,0.4%摩尔分数CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其... 通过对样品压敏性能、介电性能的测定和晶体结构、表面形貌分析,研究了CeO2对TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现CeO2对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,0.4%摩尔分数CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的表观介电常数(εr=158600),较低的介电损耗(tgδ=0.32),是一种较有潜力的新型电容-压敏电阻器。 展开更多

关键词 二氧化钛 压敏电阻器 电容 二氧化铈

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一次烧成制度对SrTiO_3基电容-压敏复合功能陶瓷材料的影响 被引量：2

17

作者 王连洲 范福康 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期46-48,共3页

研究了一次烧成制度对SrTiO3基电容一压敏复合功能陶瓷材料性能的影响。结果表明：适宜的烧成温度有利于促进SrTiO3的致密化，并获得理想显微结构。中温氧化温度及保温时间对材料的晶界层厚度和晶界势垒高度影响显著。氧化温度低，可使... 研究了一次烧成制度对SrTiO3基电容一压敏复合功能陶瓷材料性能的影响。结果表明：适宜的烧成温度有利于促进SrTiO3的致密化，并获得理想显微结构。中温氧化温度及保温时间对材料的晶界层厚度和晶界势垒高度影响显著。氧化温度低，可使材料具有大的介电常数ε和低压敏电压VlmA，但同时介电损耗tgδ上升，非线性系数α减小；保温时间越长，材料的α值越高，tgδ降低，但ε值减小，V1mA增大。通过对比空气中烧成和石墨还原一次烧成新工艺，认为石墨还原烧成试样有助于促进材料的晶粒生长和半导化过程。 展开更多

关键词 功能陶瓷 一次烧成制度 石墨还原 钛酸锶 陶瓷

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贺州变电站串联补偿工程电气二次设计综述 被引量：9

18

作者 王春成 游复生 +1 位作者 邓小玉 蔡田田 《陕西电力》 2010年第12期50-54,共5页

文中介绍了贺州变电站串联补偿工程(简称贺州变串补工程)的建设规模和控制、保护及测量等电气二次系统的设计思路与实现方式。重点阐述了贺州变串补工程设计、设备选型和工程实施中遇到的设备布置、控制保护系统组网结构、保护配置、测... 文中介绍了贺州变电站串联补偿工程(简称贺州变串补工程)的建设规模和控制、保护及测量等电气二次系统的设计思路与实现方式。重点阐述了贺州变串补工程设计、设备选型和工程实施中遇到的设备布置、控制保护系统组网结构、保护配置、测量系统的实现、供能方式的选择等关键难点问题及改进方案,以供其它高压串补工程参考。 展开更多

关键词 串补装置 电容器 MOV 放电间隙 旁路断路器 控制保护

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三价低熔点氧化物对TiO_2压敏电阻器性能的影响 被引量：2

19

作者 罗建军 武国胜 +1 位作者 方湘怡 武明堂 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期414-415,420,共3页

研究了三价低熔点氧化物Ｓｂ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３等对ＴｉＯ２压敏电阻器性能的影响，采用扫描电镜、Ｃ－Ｖ分析、Ｉ－Ｖ测量和介电测量等实验手段，并结合理论分析了它们的作用机理。结果发现，适当掺入这类氧化物能促进晶体生长，还有助... 研究了三价低熔点氧化物Ｓｂ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３等对ＴｉＯ２压敏电阻器性能的影响，采用扫描电镜、Ｃ－Ｖ分析、Ｉ－Ｖ测量和介电测量等实验手段，并结合理论分析了它们的作用机理。结果发现，适当掺入这类氧化物能促进晶体生长，还有助于形成ＴｉＯ２的粒界层，提高样品的非线性系数和稳定性。 展开更多

关键词 压敏电阻器 介电常数 二氧化钛

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一种基于等离子体的串联补偿电容器间隙技术 被引量：2

20

作者 温才权 吴志宇 +3 位作者 李先宁 王德昌 周凯 朱光亚 《广东电力》 2018年第8期182-187,共6页

针对串联补偿电容器(以下简称"串补")间隙在运行过程中频繁出现误触发的现象,提出一种等离子体串补间隙技术。根据间隙击穿电压分散性大的特点,利用等离子技术大幅度提高间隙距离,避免间隙误触发。为了避免电容分压元件参数... 针对串联补偿电容器(以下简称"串补")间隙在运行过程中频繁出现误触发的现象,提出一种等离子体串补间隙技术。根据间隙击穿电压分散性大的特点,利用等离子技术大幅度提高间隙距离,避免间隙误触发。为了避免电容分压元件参数变化引起分压系数变化导致间隙误触发的现象,取消了电容分压系统。由于从长电缆耦合进来的干扰会导致间隙控制设备损坏、间隙误触发等问题,利用超级电容、激光供能等措施避免长电缆的使用,降低干扰的影响。通过研究新型的间隙结构,利用重力避免了污秽的产生,从而避免污秽对间隙放电电压的影响。所研制的串补间隙经过三次区内故障、两次区外故障考验均能正确动作。 展开更多

关键词 串联补偿电容器 火花间隙 等离子体 金属氧化物限压器 电容分压系统 电磁干扰

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