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Enhanced magnetic properties in Nd-Fe-B magnets prepared by spark plasma sintering via die-upsetting process 被引量:8
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作者 胡志华 储林华 +1 位作者 李军 刘颖 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第7期660-663,共4页
The magnetic properties and microstructure of Nd-Fe-B magnets prepared by spark plasma sintering with different die-upsetting processes were investigated. The results showed that the optimum magnetic properties of die... The magnetic properties and microstructure of Nd-Fe-B magnets prepared by spark plasma sintering with different die-upsetting processes were investigated. The results showed that the optimum magnetic properties of die-upset Nd-Fe-B magnets were obtained at 680 ℃ when the die-upset level was 60%, and the degree of magnetic alignment was 0.84. The microstructures showed that the coarse grains oc-curred predominantly within certain areas, and abnormal grain growth was not observed within the major areas of well-aligned grains. There existed many small spherical grains, which stacked together and were not aligned during die upsetting when the deformation temperature was 650 ℃. These small spherical grains grew up, and were aligned when the deformation temperature increased from 650 to 680 ℃, which could improve the crystallographic alignment of die-upset Nd-Fe-B magnets. 展开更多
关键词 Nd-Fe-B magnets magnetic properties the die-upset level deformation temperature spark plasma sintering rare earths
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Enhanced mechanical properties in die-upset Nd-Fe-B magnets via die-upsetting process 被引量:7
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作者 胡志华 瞿海锦 +3 位作者 赵佳奇 罗成 李军 刘颖 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期1112-1115,共4页
The mechanical properties of die-upset Nd-Fe-B magnets produced at different die-upset processes were investigated. The results showed that the optimum comprehensive mechanical properties of die-upset Nd-Fe-B magnets ... The mechanical properties of die-upset Nd-Fe-B magnets produced at different die-upset processes were investigated. The results showed that the optimum comprehensive mechanical properties of die-upset Nd-Fe-B magnets were obtained at the deformation temperature of 680 ℃. The anisotropy of Vickers hardness was more obvious at the die-upset level of 55%, and the Vickers hardness measured parallel to the c-axis was significantly lower than that perpendicular to the c-axis. The fracture toughness measured parallel to the c-axis first increased, and then decreased with increase in die-upset level. The maximum fracture toughness of Nd-Fe-B magnets was obtained at the die-upset level of 60%. The microstmcture showed that the width of defect layers and the average size of large grains increased, and the layered structure of die-upset Nd-Fe-B magnets was obviously different with increase in the die-upset level. 展开更多
关键词 Nd-Fe-B magnets mechanical properties die-upset level fracture toughness Vickers hardness rare earths
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EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较 被引量:6
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作者 王桂珍 林东生 +6 位作者 齐超 白小燕 杨善超 李瑞宾 马强 金晓明 刘岩 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期510-514,共5页
对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。A... 对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C256的闩锁阈值为2×107 Gy(Si)/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy(Si)/s。对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值。基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因。 展开更多
关键词 浮栅器件 EEPROM SRAM 剂量率 闩锁阈值 翻转阈值
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大容量固态记录器的软件设计 被引量:1
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作者 唐雪寒 辛明瑞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1999年第6期50-54,共5页
文章介绍了以80C31 为CPU 的大容量固态记录器的软件设计, 以及抗干扰、抗空间单粒子翻转的软件设计策略。
关键词 固态记录器 软件设计 CPU 记录器 航天器
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一种基于FPGA的高安全性ARINC818卡设计
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作者 郑永瑞 林秋华 +1 位作者 冯晓旺 王全忠 《电光与控制》 CSCD 北大核心 2021年第8期110-114,共5页
ARINC818光纤视频总线以其高带宽、低延迟、非压缩数字视频接口,以及抗干扰、重量轻等优点在国内外飞机系统中广泛应用。由于航空机载电子系统对安全性有苛刻要求,ARINC818卡的安全性设计成为适航认证的一个重要考量。给出一种可行的ARI... ARINC818光纤视频总线以其高带宽、低延迟、非压缩数字视频接口,以及抗干扰、重量轻等优点在国内外飞机系统中广泛应用。由于航空机载电子系统对安全性有苛刻要求,ARINC818卡的安全性设计成为适航认证的一个重要考量。给出一种可行的ARINC818卡的安全性设计,经过故障注入等测试,充分验证了该方法的正确性和可行性。 展开更多
关键词 光纤通道 语音视频 航空数字视频总线 帧头控制协议 单粒子翻转 设计保证等级
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星载计算机SRAM抗单粒子多位翻转技术 被引量:7
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作者 李晓花 王雅云 +1 位作者 于锋 丁传红 《计算机工程与设计》 北大核心 2015年第6期1519-1523,1529,共6页
为提高传统纠检错(error detection and correction,EDAC)模块对星载SRAM中单粒子多位翻转(multiple bit upsets,MBU)的纠错率,提出一种能同时纠正多比特位翻转的技术,称为数据交错技术。参照版图交错法的原理,在FPGA的软件设计等级实... 为提高传统纠检错(error detection and correction,EDAC)模块对星载SRAM中单粒子多位翻转(multiple bit upsets,MBU)的纠错率,提出一种能同时纠正多比特位翻转的技术,称为数据交错技术。参照版图交错法的原理,在FPGA的软件设计等级实现数据的交错存储,将单粒子的多位翻转分离后,分别通过EDAC模块纠正。仿真结果表明,该数据交错技术与(12,8)汉明码及(21,16)汉明码结合后,可将传统EDAC模块对单粒子引起的两位及三位翻转的纠错率从53.69%及28.91%提升至99.82%,以较低代价,实现了MBU大部分翻转形式的纠正。 展开更多
关键词 星载计算机 静态随机存储器 (SRAM ) 单粒子多位翻转 数据交错 高可靠性
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基于物理的体硅CMOS存储器多位翻转特性电路级仿真分析 被引量:1
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作者 王坦 丁李利 +2 位作者 罗尹虹 赵雯 张凤祁 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2121-2127,共7页
本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析。该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应... 本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析。该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应位翻转截面的预估计算。针对一款65 nm工艺体硅CMOS存储器,对不同能量及角度入射的重离子引发的多位翻转效应(MCU)进行了仿真计算,并与试验结果进行了对比。 展开更多
关键词 单粒子效应 多位翻转 电路级仿真 位翻转截面 倾角入射
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自动锻压机上一种新型校直机机构
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作者 吴丽霞 杨元军 《锻压装备与制造技术》 2014年第3期41-42,共2页
自动锻压机在冷镦零件前,需要将线材笔直地送进机器内部进行镦锻。然而目前大部分线材的直线度并不能满足零件镦锻精度的要求,需要在线材送进机器前进行校直。本文介绍一种可满足多种不同规格线材送进功能的校直机构。
关键词 机械设计 自动锻压机 镦锻 校直机构
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存储系统中两级纠错编码方案设计与验证 被引量:1
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作者 罗金飞 赵帅兵 +2 位作者 覃落雨 王刚 刘晓光 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期183-192,共10页
针对恶劣空间环境设计了一种两级存储编码方案,以应对航天系统中存储单元发生多个单粒子翻转(SEU)错误的问题。方案设计的主要思想是根据简单低纠错编码组合出高容错编码,通过编码组合,使用字间编码来纠正字内编码无法纠正的错误,从而... 针对恶劣空间环境设计了一种两级存储编码方案,以应对航天系统中存储单元发生多个单粒子翻转(SEU)错误的问题。方案设计的主要思想是根据简单低纠错编码组合出高容错编码,通过编码组合,使用字间编码来纠正字内编码无法纠正的错误,从而使存储系统更加可靠;对两级编码方案提出若干优化策略,以提高编解码性能,使得两级冗余编码效率接近于原始字内编码。实验结果表明,提出的两级冗余编码方案能够较好解决存储系统中发生多个单粒子翻转错误的问题。即与单一的字内编码相比,两级纠错编码方案能够大大降低星上存储系统出现不可修复的概率,保证了星上存储系统的可靠运行。 展开更多
关键词 纠错编码 两级系统 存储系统 存储可靠性 单粒子翻转
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