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Si/Ti摩尔比对SiO_2-TiO_2气凝胶催化性能的影响 被引量：3
1
作者 张波 姜剑锋 +1 位作者 邓冰心 陈银飞 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2015年第4期374-378,共5页
通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反... 通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反应产物只有环氧苯乙烷(SO)和苯甲醛(BA).随着Si/Ti摩尔比的降低,催化剂的TON和双氧水的有效利用率逐渐降低,但苯乙烯的转化率先迅速增加后增加缓慢,SO的选择性先增加后降低,当Si/Ti摩尔比为16.4时,SO的选择性和收率最高,这归因于随着钛含量的增加,三种不同钛物种相对含量的变化. 展开更多
关键词 苯乙烯 环氧化 sio2-tiO2复合气凝胶 si/ti比 选择性
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Ti/SiO_2(薄)/Si体系在微量氧存在的氮气中退火过程的研究 被引量：1
2
作者 李映雪 李玉铭 李山东 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第10期637-643,共7页
RBS,AES,XPS分析结果证实:在有微量氧存在的氮气中,Ti/SiO_2(薄)/Si体系不同温度下退火过程均无TiN生成;随退火温度升高,该体系形成的TiSi_2层不断增厚,Ti氧化物层不断变薄,并伴有SiO_2在表面层重新出现。通过△G的计算,热力学证明反应2... RBS,AES,XPS分析结果证实:在有微量氧存在的氮气中,Ti/SiO_2(薄)/Si体系不同温度下退火过程均无TiN生成;随退火温度升高,该体系形成的TiSi_2层不断增厚,Ti氧化物层不断变薄,并伴有SiO_2在表面层重新出现。通过△G的计算,热力学证明反应2TiO+5Si=2TiSi_2+SiO_2能够发生,并以此解释了退火中各层的变化规律。 展开更多
关键词 ti/sio2/si 微量氧 氮气 退火
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CaCl_2熔盐中电解高钛渣/SiO_2复合阴极制备Ti_5Si_3的研究 被引量：2
3
作者 况文浩 华一新 +4 位作者 徐存英 李坚 李艳 张臻 高小兵 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2017年第7期52-57,共6页
采用FFC熔盐电解法,在900℃和2.6~3.2V槽电压的条件下,以CaCl2熔盐为电解质电解还原高钛渣/SiO_2复合阴极,成功制备出了Ti_5Si_3合金。通过热力学计算和单因素条件试验探讨了电解时间和槽电压对电解产物的影响。结果表明,在初始阶段反... 采用FFC熔盐电解法,在900℃和2.6~3.2V槽电压的条件下,以CaCl2熔盐为电解质电解还原高钛渣/SiO_2复合阴极,成功制备出了Ti_5Si_3合金。通过热力学计算和单因素条件试验探讨了电解时间和槽电压对电解产物的影响。结果表明,在初始阶段反应速率很快,随着中间产物CaTiO_3和CaSiO_3的生成,反应速率逐渐减缓。当槽电压为2.6V时,反应速率缓慢;提高到2.8V后,反应速率有了明显的提升。在900℃、8h、3.2V的条件下制备出的Ti_5Si_3为疏松多孔、粒径为2~5μm的合金粉末。 展开更多
关键词 ti5si3 高钛渣 sio2 CaCl2熔盐电解
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TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜
4
作者 温锦生 刘超 +1 位作者 钟声 杨志刚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期324-328,共5页
讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0... 讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045mol/L。最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率。 展开更多
关键词 分电极酸性化学镀 Cu基板 tiN/ti/sio2/si基板 集成电路
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Si/Ti原子比对TiO_2-SiO_2复合薄膜亲水性能与摩擦磨损性能的影响
5
作者 王晓宏 赵青南 +3 位作者 常潇 陆文涛 董玉红 赵杰 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第4期579-586,共8页
采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研... 采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研究了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜微观结构、表面形貌、亲水性能和摩擦磨损性能。结果表明,所制备的纯TiO_2薄膜具有锐钛矿结构,其平均晶粒尺寸为11 nm,TiO_2-SiO_2复合薄膜呈现非晶结构,其粒子尺寸相对减小;随着Si/Ti原子比的增大,薄膜在可见光区的平均透过率从76. 6%增加到84. 3%。当复合薄膜中Si/Ti原子比为1∶2时,薄膜的摩擦系数为0. 11,薄膜具有最佳的亲水性能;在紫外光照射2 h后水接触角降到3. 0°;在黑暗中放置30 h后水接触角略增加到7. 7°。 展开更多
关键词 tiO2-sio2复合薄膜 si/ti比 亲水性能 摩擦性能 直流磁控溅射
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衬底温度对VUV光直接光CVD SiO_2/Si界面缺陷的影响 被引量：2
6
作者 谢茂浓 杜开瑛 刘玉荣 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期198-201,共4页
研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃～１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃ... 研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃～１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ－１增加至１０８０ｃｍ－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ＞１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ＜１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置的过剩氧缺陷相关；而在１００℃～１２０℃间，ΔＮｏｔ具有极小值，其大小约在１０１０ｃｍ－２数量级。 展开更多
关键词 真空紫外光CVD 界面缺陷 硅 二氧化硅
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高取向锐钛矿TiO_2薄膜的MOCVD法制备与表征 被引量：4
7
作者 孙一军 夏冠群 +1 位作者 张良莹 姚熹 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 1998年第3期208-212,共5页
采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出了高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究薄膜的组成和... 采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出了高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究薄膜的组成和形貌。结果表明，当沉积温度为５０００Ｃ和６０００Ｃ时，薄膜为锐钛矿结构，３０００Ｃ和４０００Ｃ时，薄膜以无定形结构为主。薄膜的组成为ＴｉＯ２，衬底影响薄膜的相组成。不同沉积温度下制备的薄膜具有不同的显微结构，薄膜厚度均匀。 展开更多
关键词 MOCVD 锐钛矿 光电子材料 二氧化钛 薄膜
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射频磁控溅射制备Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜的表面结构调控
8
作者 王萍 李弢 +1 位作者 谢波玮 古宏伟 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期125-128,共4页
研究了Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Ba0.7Sr0.3TiO3(BST7/3)薄膜时,基片加热温度和溅射功率对薄膜显微形貌和成相的影响。实验结果表明:常温下低功率溅射的BST7/3薄膜,表面形貌非常平整,但为非晶态物质的堆积;400℃高功率150 W溅射4 h的BST... 研究了Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Ba0.7Sr0.3TiO3(BST7/3)薄膜时,基片加热温度和溅射功率对薄膜显微形貌和成相的影响。实验结果表明:常温下低功率溅射的BST7/3薄膜,表面形貌非常平整,但为非晶态物质的堆积;400℃高功率150 W溅射4 h的BST薄膜,其最大表面起伏约为40 nm;400℃低功率、长时间8 h溅射的BST薄膜,其表面起伏约为12 nm;说明在保证BST充分成相的前提下,可以通过控制溅射功率和时间调控BST薄膜的表面形貌,降低表面粗糙度,使之适于后续器件制备工艺。介电性能测量表明,400℃,75 W,8 h溅射获得的BST7/3薄膜体现出典型的位移型铁电体特征;1 kHz薄膜的损耗约为0.04。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 Pt/ti/sio2/si BST薄膜 表面形貌
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西藏蛇绿岩豆荚状铬铁矿中简单氧化物矿物组合及其超高压成因 被引量：15
9
作者 白文吉 施倪承 +5 位作者 杨经绥 方青松 任玉峰 戎合 李国武 马喆生 《地质学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1538-1549,共12页
最近在西藏罗布莎蛇绿岩豆荚状铬铁矿中，发现包括金刚石、柯石英和某些简单氧化物，诸如SiO2、MgO、Fe2O2、Cr2O2、A12O2以及（Si，Ti）02等组成的矿物群。这些矿物是非常复杂的由70~80种矿物组成的地幔矿物群的一部分。这充分证实在... 最近在西藏罗布莎蛇绿岩豆荚状铬铁矿中，发现包括金刚石、柯石英和某些简单氧化物，诸如SiO2、MgO、Fe2O2、Cr2O2、A12O2以及（Si，Ti）02等组成的矿物群。这些矿物是非常复杂的由70~80种矿物组成的地幔矿物群的一部分。这充分证实在地幔中存在简单氧化物。高压一高温相平衡实验表明，硅酸盐矿物在下地幔条件才可分解成FeO、MgO和SiO2等简单氧化物（＞670km）。因此有理由认为罗布莎简单氧化物可能来自下地幔深部。 展开更多
关键词 简单氧化物:sio2 MgO FEO A1203 Crz03 tiO2 (ti si)2 豆荚状铬铁矿 蛇绿岩 西藏
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4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备 被引量：7
10
作者 王天兴 魏红祥 +4 位作者 李飞飞 张爱国 曾中明 詹文山 韩秀峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期3895-3901,共7页
就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究 ,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论 .利用现有的光刻设备和工艺... 就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究 ,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论 .利用现有的光刻设备和工艺条件在 4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结 ,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在 10 %以内 ,隧穿磁电阻的绝对误差在 7%以内 ,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性 。 展开更多
关键词 磁性隧道结 隧穿磁电阻 电性质 硅衬底 绝对误差 磁随机存储器 均匀性 热氧化 光刻设备 微加工
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