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半导体Si(111)上电沉积NiFe缓冲层薄膜 被引量：2
1
作者 姜莹 姚素薇 +1 位作者 张卫国 王宏智 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期81-84,共4页
采用电化学沉积法,在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜,并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件。由SEM形貌观测分析,当薄膜名义厚度>25nm时,可形成连续性镀层。I-t暂态曲线及STM结果表明,NiFe薄膜在低过电位下以三... 采用电化学沉积法,在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜,并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件。由SEM形貌观测分析,当薄膜名义厚度>25nm时,可形成连续性镀层。I-t暂态曲线及STM结果表明,NiFe薄膜在低过电位下以三维岛状模式生长,在高过电位下以二维层状模式生长,其RMS表面粗糙度最小值仅为0.5nm。XRD结果表明,薄膜为面心立方Ni基固溶体结构,并具有明显的(111)晶面择优取向。当薄膜组成为Ni80Fe20时,各向异性磁电阻效应(AMR)最大,AMR值为1.8%。 展开更多
关键词 电沉积 nife缓冲层 纳米晶 生长模式 AMR
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缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜静态磁性能的影响 被引量：1
2
作者 邹延珂 周俊 +2 位作者 倪径 郭韦 徐德超 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2019年第4期5-6,50,共3页
采用直流磁控溅射法沉积了Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜系列样品。通过振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等检测手段研究了Ta缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜交换偏置场、矫顽力的影响。VSM测试结果表明,交换偏置场He随Ta缓冲... 采用直流磁控溅射法沉积了Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜系列样品。通过振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等检测手段研究了Ta缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜交换偏置场、矫顽力的影响。VSM测试结果表明,交换偏置场He随Ta缓冲层厚度增加而增大,矫顽力Hc随随Ta缓冲层厚度增加有减小的趋势。通过AFM检测了不同厚度Ta缓冲层上生长的NiFe层表面均方根粗糙度,发现其随Ta缓冲层厚度的增加而减小,表明NiFe/FeMn界面变得更加均匀,这导致了较大的He和较小的Hc。另外,通过XRD分析,发现随着Ta层厚度的增加Ta由非晶态转化为结晶状态并先后显示出Ta(300)、Ta(200)取向,表明随着Ta缓冲层厚度增加,其织构转变也可能会导致静态磁性的变化。 展开更多
关键词 nife/FeMn薄膜 缓冲层 交换偏置 微结构 静态磁性能
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制备工艺对超薄NiFe薄膜AMR效应的影响 被引量：1
3
作者 胡凌桐 张万里 +1 位作者 彭斌 张文旭 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期26-29,35,共5页
NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降... NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降低的变化规律。最佳的超薄NiFe薄膜AMR效应的工艺条件为,Ta缓冲层为5nm,NiFe薄膜为11nm,退火温度为350℃,退火时间为3.5h。本文工作可以支持超薄NiFe薄膜磁阻器件的开发。 展开更多
关键词 nife薄膜 Ta缓冲层 AMR效应 真空磁场退火 磁控溅射 超薄金属薄膜
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基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化 被引量：3
4
作者 艾明哲 贾雅婷 +2 位作者 陈忠志 徐慧中 彭斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期577-580,共4页
采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在... 采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大。利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右。 展开更多
关键词 各向异性磁阻 nife薄膜 缓冲层 磁阻开关
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