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Effects of Rare Earth Oxide on Microstructure of Zinc Varistors
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作者 Zhu Jianfeng Gao Jiqiang +1 位作者 Wang Fen Luo Hongjie 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第5期542-542,共1页
The influence of Pr6O11 on the microstructure of ZnO varistors was researched. The results of experiment indicate that addition of Pr6O11 leads to the change of the formation process of the spinel phase. A lot of pyro... The influence of Pr6O11 on the microstructure of ZnO varistors was researched. The results of experiment indicate that addition of Pr6O11 leads to the change of the formation process of the spinel phase. A lot of pyrochlore phases ( Bi3Zn2Sb3O14 ) produce at about 700℃, and decompose to fine spinel phase (Zn7Sb2O12) when the temperature reaches to 900℃.This type of spinel phase makes ZnO crystal size minor. Also, the phase contained the Pr and different Pr oxides, which makes the whole material crystal size more uniform and compact. The fine structure improves the threshold voltage by about 60%, and modifies nonlinear coefficient of the ZnO material. 展开更多
关键词 ZnO varistors materials crystal grain fining rare earth oxide
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Effect of SiO_2 addition on the microstructure and electrical properties of ZnO-based varistors 被引量:20
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作者 Zhen-hong Wu Jian-hui Fang +2 位作者 Dong Xu Qin-dong Zhong Li-yi Shi 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第1期86-91,共6页
The microstructure and electrical properties of ZnO-based varistors with the SiO2 content in the range of 0-1.00mol% were prepared by a solid reaction route. The varistors were characterized by scanning electron micro... The microstructure and electrical properties of ZnO-based varistors with the SiO2 content in the range of 0-1.00mol% were prepared by a solid reaction route. The varistors were characterized by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, energy-dispersive X-ray spectrometry, inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry, and X-ray photoelectron spectroscopy. The results indicate that the average grain size of ZnO decreases with the SiO2 content increasing. A new second phase (Zn2SiO4) and a glass phase (Bi2SiO5) are found. Element Si mainly exists in the grain boundary and plays an important role in controlling the Bi2O3 vaporization. The electric measurement shows that the incorporation of SiO2 can significantly improve the nonlinear properties of ZnO-based varistors, and the nonlinear coefficients of the varistors with SiO2 are in the range of 36.8-69.5. The varistor voltage reaches the maximum value of 463 V/mm and the leakage current reaches the minimum value of 0.11 μA at the SiO2 content of 0.75mol%. 展开更多
关键词 inorganic materials varistor silicon dioxide electrical properties
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Microstructure and electrical properties of Y_2O_3-doped ZnO-based varistor ceramics prepared by high-energy ball milling 被引量:14
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作者 Hongyu Liu Xueming Ma +1 位作者 Dongmei Jiang Wangzhou Shi 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2007年第3期266-270,共5页
Y2O3-doped ZnO-based varistor ceramics were prepared using high-energy ball milling (HEBM) and low-temperature sin- tering technique, with voltage-gradient of 1934-2197 V/mm, non-linear coefficients of 20.8-21.8, le... Y2O3-doped ZnO-based varistor ceramics were prepared using high-energy ball milling (HEBM) and low-temperature sin- tering technique, with voltage-gradient of 1934-2197 V/mm, non-linear coefficients of 20.8-21.8, leakage currents of 0.59-1.04 μA, and densities of 5.46-5.57 g/cm3. With increasing Y2O3 content, the voltage-gradient increases because of the decrease of ZnO grain size; the non-linear coefficient and the leakage current improve but the density decreases because of more porosity; the donor con- centration and density of interface states decrease, whereas the barrier height and width increase because of the acceptor effect of Y2O3 in varistor ceramics. 展开更多
关键词 inorganic materials electrical properties high-energy ball milling varistor MICROSTRUCTURE low-temperature sintering zinc oxide yttrium oxide
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Effects of Rare-Earth La_2O_3 Addition on Microstructures and Electrical Properties of SrTiO_3 Varistor-Capacitor Dual Functional Ceramics 被引量:6
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作者 季惠明 李翠霞 +2 位作者 孟辉 甘国友 严继康 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第1期55-58,共4页
The effects of rare-earth La_2O_3 addition on microstructures and electrical properties of SrTiO_3 ceramics were investigated. Semiconductor SrTiO_3-based voltage-sensing and dielectric dual functional ceramics was pr... The effects of rare-earth La_2O_3 addition on microstructures and electrical properties of SrTiO_3 ceramics were investigated. Semiconductor SrTiO_3-based voltage-sensing and dielectric dual functional ceramics was prepared by a single step sintering technology in this study, and the effects of the content of La_2O_3 on characteristics of the product were discussed in terms of microstructures and electrical properties of materials. The results show that SrTiO_3-based ceramics doped with La_2O_3 exhibits more homogeneous grain distribution, greater grain size, and excellent voltage sensing and dielectric characteristics than those without La_2O_3 doping. The samples doped with 1 1% La_2O_3 were sintered at 1420 ℃ in N_2+C weak reducing atmosphere. The average grain size of the samples doped with La_2O_3 is 40 μm, the breakdown voltage of 19.7 V·mm^(-1), the nonlinear exponent of 7.2, and dielectric constant of 22500. The results reveal that final products are suitable to use in low operating voltage. 展开更多
关键词 inorganic nonmetallic materials SrTiO_3 varistor La_2O_3 microstructure electrical property rare earths
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Influence of Ag doping on the microstructure and electrical properties of ZnO-Bi_2O_3-based varistor ceramics 被引量:1
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作者 Long-Biao Zhu Da-yang Chen +3 位作者 Xin-xin Wu Qing-dong Zhong Yu-fa Qi Li-yi Shi 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第5期600-605,共6页
Silver in the form of AgNO3 was added to ZnO-based varistor ceramics prepared by the solid-state reaction method.The effects of AgNO3 on both the microstructure and electrical properties of the varistors were studied ... Silver in the form of AgNO3 was added to ZnO-based varistor ceramics prepared by the solid-state reaction method.The effects of AgNO3 on both the microstructure and electrical properties of the varistors were studied in detail.The optimum addition amount of AgNO3 in ZnO-based varistors was also determined.The mechanism for grain growth inhibition by silver doping was also proposed.The results indicate that the varistor threshold voltage increases substantially along with the AgNO3 content increasing from 0 to 1.5mol%.Also,the introduction of AgNO3 can depress the mean grain size of ZnO,which is mainly responsible for the threshold voltage.Furthermore,the addition of AgNO3 results in a slight decrease of donor density and a more severe fall in the density of interface states,which cause a decline in barrier height and an increase in the depletion layer. 展开更多
关键词 ceramic materials varistors SILVER MICROSTRUCTURE electrical properties zinc oxide
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微波烧结制备锰氧化物压敏电阻材料及其防雷性能研究
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作者 朝鲁 金师 +2 位作者 阿木尔萨那 王丹萍 李轩 《中国锰业》 2025年第3期59-63,共5页
为应对电力系统对高性能防雷击设备的需求,弥补传统防雷材料在通流容量、响应稳定性及制备能耗方面的不足,提出了一种通过掺入锰金属化合物并采用微波烧结工艺优化制备氧化锰压敏电阻材料的方法。明确了材料成分配比,其中二氧化锰物质... 为应对电力系统对高性能防雷击设备的需求,弥补传统防雷材料在通流容量、响应稳定性及制备能耗方面的不足,提出了一种通过掺入锰金属化合物并采用微波烧结工艺优化制备氧化锰压敏电阻材料的方法。明确了材料成分配比,其中二氧化锰物质的量分数为93.50%~97.00%,并掺杂微量Bi_(2)O_(3)、Sb_(2)O_(3)、Co_(3)O_(4)等氧化物及稀土元素,利用微波烧结炉在800~1200℃下进行烧结。结果表明,所制备的氧化锰材料可承受流通容量达100 kA,绝缘电阻为1000 MΩ,残压水平低于100 V,电导率为0.05 S/m,其电压适用范围覆盖10~100000 V。在过电压分压比测试中,实测值稳定趋近于理论设定值0.1,泄漏电流控制在0.1 mA以下,性能均优于对比的陶瓷气体放电管、氧化锌压敏电阻等材料。 展开更多
关键词 氧化锰 压敏电阻 微波烧结 电阻材料制备 电性能
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压敏电阻陶瓷材料的研究进展 被引量:24
7
作者 邢晓东 谢道华 胡明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期21-24,共4页
详细介绍了目前国内外研究最多的低压压敏陶瓷材料(ZnO系、BaTiO3系、TiO2系、WO3系)、电容–压敏陶瓷材料(SrTiO3系、TiO2系)及高压–压敏陶瓷材料(ZnO系、SnO2系)等的基本配方、制备工艺、性能及主要应用等。还讨论了我国在压敏电阻... 详细介绍了目前国内外研究最多的低压压敏陶瓷材料(ZnO系、BaTiO3系、TiO2系、WO3系)、电容–压敏陶瓷材料(SrTiO3系、TiO2系)及高压–压敏陶瓷材料(ZnO系、SnO2系)等的基本配方、制备工艺、性能及主要应用等。还讨论了我国在压敏电阻器研究与生产方面所存在的问题及今后的研究方向。 展开更多
关键词 压敏电阻器 压敏电阻陶瓷材料 电容-压敏陶瓷 非线性系数
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Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响 被引量:7
8
作者 臧国忠 王矜奉 +4 位作者 陈洪存 苏文斌 王文新 王春明 亓鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期457-459,共3页
研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb... 研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变大是压敏电压急剧降低和介电常数增大的主要原因。对Nb掺杂量的增加引起样品阻抗减小的根源进行了解释。 展开更多
关键词 ZNO 压敏材料 势垒 晶界
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(La、Nb)共掺杂TiO_2压敏陶瓷第二相形成机理 被引量:5
9
作者 严继康 甘国友 +1 位作者 杜景红 易健宏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第5期779-783,787,共6页
研究了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理。以锐钛矿TiO2、Nb2O5和La2O3氧化物粉体为原料,采用传统固相烧结工艺制备了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷,采用SEM、EDS、XRD、AFM和TEM检测了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷样品的显微... 研究了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理。以锐钛矿TiO2、Nb2O5和La2O3氧化物粉体为原料,采用传统固相烧结工艺制备了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷,采用SEM、EDS、XRD、AFM和TEM检测了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷样品的显微结构、化学组成、物相组成、热蚀沟和显微形貌;通过点缺陷热力学分析、晶界能和材料结构检测分析讨论了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理。研究结果表明,第二相的形成起源于掺杂La3+和Nb5+在晶界的偏析,偏析驱动力为弹性应变能。偏析离子在高能量晶粒表面或晶界面成核,并逐渐长大形成第二相。第二相主要在能量较高的晶面上生长,这有利于使整个材料体系的能量最低。 展开更多
关键词 TIO2 陶瓷材料 压敏电阻 偏析
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Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响 被引量:5
10
作者 臧国忠 王矜奉 +4 位作者 陈洪存 苏文斌 王文新 王春明 亓鹏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期17-18,21,共3页
研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响... 研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。 展开更多
关键词 氧化锌 压敏材料 钠掺杂 势垒 晶界
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微波烧结ZnO压敏电阻的可行性研究 被引量:9
11
作者 李磊 许业文 +3 位作者 林枞 徐政 孙丹峰 彭虎 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期41-43,共3页
采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,研究了其致密化过程,运用XRD、SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明:微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化,而且能够改善材料的微观结构和电... 采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,研究了其致密化过程,运用XRD、SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明:微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化,而且能够改善材料的微观结构和电性能。微波工艺的烧结周期仅是传统工艺的1/10~1/8。微波烧结样品的小电流特性有所提升;其通流量为11.6kA,比商用ZnO压敏电阻(7.75kA)高。 展开更多
关键词 无机非金属材料 ZNO压敏电阻 微波烧结 微观结构 电性能
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叠层片式ZnO压敏电阻器研究进展 被引量:3
12
作者 郭汝丽 方亮 +2 位作者 周焕福 王成 覃远东 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期64-67,共4页
叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散... 叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散问题,并提出了其解决的办法,同时指出了叠层片式ZnO压敏电阻器向低压化、小型化、集成化及低成本化方向发展的趋势。 展开更多
关键词 叠层片式 ZNO压敏电阻器 综述 低温烧结 压敏电阻材料
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(Zn,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电子特性 被引量:4
13
作者 王勇军 陈洪存 +3 位作者 王矜奉 董火民 张沛霖 钟维烈 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第4期259-261,共3页
依据缺陷势垒模型选取Zn2+和Nb5+复合掺杂的SnO2陶瓷进行研究,测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流-电压(I-V)关系曲线等电子性质。利用低电流区电流密度与电场(logJ-E)的线性关系定性地... 依据缺陷势垒模型选取Zn2+和Nb5+复合掺杂的SnO2陶瓷进行研究,测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流-电压(I-V)关系曲线等电子性质。利用低电流区电流密度与电场(logJ-E)的线性关系定性地讨论了势垒高度与非线性之间的关系。 展开更多
关键词 压敏材料 缺陷势垒模型 二氧化锡 掺杂
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TiO_2掺杂导致的SnO_2压敏陶瓷晶粒尺寸效应 被引量:3
14
作者 明保全 王矜奉 +3 位作者 陈洪存 苏文斌 臧国忠 高建鲁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期20-22,27,共4页
研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻... 研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻抗最大。随TiO2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的TiO2阻碍相邻SnO2晶粒融合。为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-TiO2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。 展开更多
关键词 压敏材料 二氧化锡 电学性能 晶粒尺寸 缺陷势垒模型 TiO2掺杂 SNO2
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TiO_2基功能复合材料的研究 被引量:8
15
作者 纪士东 郭露村 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期7-8,共2页
从材料设计的角度出发,比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同。通过Nb_2O_5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,研究了其他掺杂物如MnO_2、Bi_2O_3、Pb_3O_4、BaCO_3及烧成制度对材料性能的影响,制得了性能优... 从材料设计的角度出发,比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同。通过Nb_2O_5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,研究了其他掺杂物如MnO_2、Bi_2O_3、Pb_3O_4、BaCO_3及烧成制度对材料性能的影响,制得了性能优良的功能复合材料。 展开更多
关键词 二氧化钛 功能复合材料 压敏电阻器 电容器
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CuO掺杂对SnO_2压敏材料性能的影响 被引量:3
16
作者 明保全 王矜奉 +3 位作者 陈洪存 苏文斌 臧国忠 高建鲁 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期33-37,共5页
研究了掺杂CuO对SnO2·Ni2O3·Ta2O5压敏材料电学性能的影响。实验发现,随着CuO的掺杂量从0.50mol%增加到1.50mol%,材料的压敏电场强度从132V/mm升高到234V/mm,相对介电常数从4663减小到2701。电场强度变化的原因是CuO掺杂引起... 研究了掺杂CuO对SnO2·Ni2O3·Ta2O5压敏材料电学性能的影响。实验发现,随着CuO的掺杂量从0.50mol%增加到1.50mol%,材料的压敏电场强度从132V/mm升高到234V/mm,相对介电常数从4663减小到2701。电场强度变化的原因是CuO掺杂引起的晶粒尺寸变化,随掺杂量增加晶粒尺寸从18.8μm减小到13.3μm。未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的CuO阻碍了相邻SnO2晶粒的融合,这导致了晶粒尺寸的减小。为了解释SnO2·Ni2O3·Ta2O5·CuO电学非线性性质的起源,本研究对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。对该压敏材料进行了等效电路分析,实验测量与等效电路分析结果相符。 展开更多
关键词 压敏材料 SNO2 电学性能 晶粒尺寸 缺陷势垒模型
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氧化锌压敏电阻器的失效模式 被引量:10
17
作者 王茂华 胡克鳌 张南法 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期62-64,共3页
在生产和应用中,氧化锌压敏电阻器经常出现的几种失效模式为:与电极层相关的失效,平均功率过应力失效与受潮失效。通过对这些失效现象的进一步分析和研究,掌握了产生这些现象的机理和规律,并可以增加压敏电阻的电极层厚度,降低其电阻;对... 在生产和应用中,氧化锌压敏电阻器经常出现的几种失效模式为:与电极层相关的失效,平均功率过应力失效与受潮失效。通过对这些失效现象的进一步分析和研究,掌握了产生这些现象的机理和规律,并可以增加压敏电阻的电极层厚度,降低其电阻;对于34mm×34mm的SPD用电阻片,可用In为15kA作为标称放电电流;受潮失效后的压敏电阻,不会导致电路故障,通过侧面绝缘处理,可防止受潮失效。 展开更多
关键词 无机非金属材料 ZNO压敏电阻 失效模式 机理
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Pr_6O_(11)对ZnO压敏材料显微结构的影响 被引量:5
18
作者 朱建锋 高积强 +1 位作者 王芬 罗宏杰 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期567-570,共4页
研究了在ZnO压敏材料组分中以溶液方式加入稀土氧化物Pr6O11后其微观结构的变化。结果表明,Pr6O11的加入改变了ZnO尖晶石相的生成途径,使该材料在低于700℃时生成大量焦绿石相(Bi3Zn2Sb3O14)。当烧成温度高于900℃时,焦绿石相分解生成... 研究了在ZnO压敏材料组分中以溶液方式加入稀土氧化物Pr6O11后其微观结构的变化。结果表明,Pr6O11的加入改变了ZnO尖晶石相的生成途径,使该材料在低于700℃时生成大量焦绿石相(Bi3Zn2Sb3O14)。当烧成温度高于900℃时,焦绿石相分解生成细小的二次尖晶石相(Zn7Sb2O12)。这种二次生成的细小尖晶石使材料晶粒尺寸减小,分布均匀;此外,Pr6O11的引入能生成含Pr物相,以及Pr氧化物相也有利于材料的晶粒细化。晶粒细化结果改善了ZnO压敏材料的压敏电压和非线性特性,与掺杂前相比,压敏电压提高了约60%。 展开更多
关键词 ZnO压敏材料 晶粒细化 稀土氧化物
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梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制 被引量:2
19
作者 甘国友 王立惠 +2 位作者 孙加林 肖胜根 严继康 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第3期285-287,共3页
采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性... 采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。 展开更多
关键词 梯度功能材料 ZNO 低压 压敏电阻 陶瓷
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Pr_6O_(11)掺杂对ZnO-Bi_2O_3系压敏材料性能影响的研究 被引量:2
20
作者 朱建锋 罗宏杰 王芬 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期381-386,共6页
采用稀土氧化物Pr6O11对ZnO-Bi2Oa系压敏材料进行了改性研究,探讨了Pr6O11 对该材料主要性能及微观结构的影响.结果表明,Pr6O11掺杂量较小时,能够显著提高ZnO 压敏材料非线性系数,减小漏电流,并基本不影响压敏电压.当Pr6O11掺杂达到... 采用稀土氧化物Pr6O11对ZnO-Bi2Oa系压敏材料进行了改性研究,探讨了Pr6O11 对该材料主要性能及微观结构的影响.结果表明,Pr6O11掺杂量较小时,能够显著提高ZnO 压敏材料非线性系数,减小漏电流,并基本不影响压敏电压.当Pr6O11掺杂达到一定量时, 在保持较高非线性系数,较小漏电流的同时,压敏电压与不含Pr6O11的ZnO压敏材料相比提高约60%;XRD、SEM等分析表明Pr6O11的引入改变了原有材料的微观结构组织,使该材料微观结构中ZnO晶粒尺寸减小,分布均匀、致密. 展开更多
关键词 稀土氧化物 压敏材料 电性能 微观结构
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