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工艺参数对含钛高炉渣合成(Ca,Mg)α′-Sialon-AlN-TiN粉的影响 被引量:3
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作者 姜涛 薛向欣 +3 位作者 段培宁 刘然 董学文 茹红强 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期608-613,共6页
以含钛高炉渣、硅灰、高铝矾土熟料和炭黑为原料,采用碳热还原氮化法合成了(Ca,Mg)α′2Sialon2AlN2TiN粉。用X射线衍射法测定了产物相组成及相对含量,研究了合成温度和恒温时间对反应过程的影响,并对合成机理进行了探讨。结果表明:合... 以含钛高炉渣、硅灰、高铝矾土熟料和炭黑为原料,采用碳热还原氮化法合成了(Ca,Mg)α′2Sialon2AlN2TiN粉。用X射线衍射法测定了产物相组成及相对含量,研究了合成温度和恒温时间对反应过程的影响,并对合成机理进行了探讨。结果表明:合成温度对(Ca,Mg)α′2Sialon2AlN2TiN粉的合成过程影响显著,随着合成温度升高,产物中α′2Sialon相含量增大,1480℃时α′2Sialon含量达最大,是最佳的合成温度。恒温时间对产物相组成的影响不十分显著,但较长的恒温时间可使还原氮化反应进行得更充分,恒温8h的试样中α′2Sialon含量最高,是较理想的恒温时间。合成过程中SiO的挥发导致试样较大的质量损失,且随着合成温度升高和恒温时间延长而增大。 展开更多
关键词 含钛高炉渣 碳热还原氮化 (Ca Mg)α'-Sialon-AlN-TiN 工艺参数 合成机理
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工艺因素与配料组成对碳热还原氮化合成O′-sialon粉的影响 被引量:3
2
作者 杨建 薛向欣 +2 位作者 郝力 刘欣 王文忠 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期575-580,共6页
以纳米SiO2 ,Al(OH) 3和碳黑为原料 ,采用碳热还原氮化法合成了O′sialon粉 ,用XRD对产物进行了相分析 ,研究了合成温度、埋粉条件、N2 流量、配料组成等对合成的影响。结果表明 :合成温度对O′sialon的合成影响显著 ,随合成温度升高 ,... 以纳米SiO2 ,Al(OH) 3和碳黑为原料 ,采用碳热还原氮化法合成了O′sialon粉 ,用XRD对产物进行了相分析 ,研究了合成温度、埋粉条件、N2 流量、配料组成等对合成的影响。结果表明 :合成温度对O′sialon的合成影响显著 ,随合成温度升高 ,产物中O′sialon相含量增大 ,14 0 0℃时O′sialon含量达最大 ,是最佳的合成温度。Si3N4+SiO2 埋粉对产物物相无明显积极影响 ,并导致更大的质量损失。 2 0ml/min是比较合适的N2 流量 ,对O′sialon的合成最有利。 14 0 0℃时配料组成的变化对产物物相组成的影响比 135 0℃时显著 ,C含量的增加促进碳热还原氮化反应的进行 ,C过量将导致O′sialon转化为 β′ sialon 。 展开更多
关键词 O′-sialon 碳热还原氮化 合成 工艺因素
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采用Ti/Ag/Ti中间层连接SiC陶瓷的有限元应力分析 被引量:7
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作者 毛样武 张建军 李树杰 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期930-933,共4页
在陶瓷与金属或陶瓷与陶瓷 (采用金属中间层 )的连接过程中 ,陶瓷与金属的热膨胀系数等性质存在差异而产生的残余热应力是连接接头强度弱化的主要原因 .采用有限元方法对Ti Ag Ti作为中间层热压连接SiC陶瓷进行了应力的有限元计算分析 ... 在陶瓷与金属或陶瓷与陶瓷 (采用金属中间层 )的连接过程中 ,陶瓷与金属的热膨胀系数等性质存在差异而产生的残余热应力是连接接头强度弱化的主要原因 .采用有限元方法对Ti Ag Ti作为中间层热压连接SiC陶瓷进行了应力的有限元计算分析 ,结果表明采用Ti Ag Ti结构的金属中间层连接SiC陶瓷时 ,对接头危害较大的残余应力主要分布在连接件近缝区 .靠近试样外表面区域是接头的薄弱区 ,裂纹易在此处萌生 ,裂纹的扩展先是沿着一条向陶瓷侧凹入的弧线向陶瓷内切入 ,而后沿径向扩展 .接头实际断裂方式与有限元分析结果相符 。 展开更多
关键词 有限元分析 应力分析 陶瓷连接
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含钛高炉渣合成(Ca,Mg)α′-Sialon-AlN-TiN粉末 被引量:3
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作者 姜涛 薛向欣 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期2009-2015,共7页
在热力学分析的基础上 ,以含钛高炉渣为主要原料 ,采用碳热还原氮化法合成了 (Ca,Mg)α′ Sialon AlN TiN粉。确定了合成过程的最佳工艺参数 :反应温度 14 80℃ ,保温 10h,配碳量为理论值的 1.5倍 ,氮气流量 4 0 0mL/min。采用X射线衍... 在热力学分析的基础上 ,以含钛高炉渣为主要原料 ,采用碳热还原氮化法合成了 (Ca,Mg)α′ Sialon AlN TiN粉。确定了合成过程的最佳工艺参数 :反应温度 14 80℃ ,保温 10h,配碳量为理论值的 1.5倍 ,氮气流量 4 0 0mL/min。采用X射线衍射仪和扫描电镜研究了合成产物的相组成和显微结构。结果表明 :产物中除有主要物相α′ Sialon、AlN和TiN外 ,还有少量 β SiC ,15R和 β CaSiO3 等杂质相。其中 ,(Ca,Mg)α′ Sialon多以片状而AlN多以球形或短柱状形式存在。EDS分析结果表明 ,Ca2 + 、Mg2 + 都进入了α′ Sialon晶格中 ,但Ca2 + 的固溶量远高于Mg2 + 。 展开更多
关键词 含钛高炉渣 碳热还原氮化 (Ca Mg)α′-Sialon-AIN-TiN
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TiO_2/O-′Sialon界面反应过程 被引量:1
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作者 刘欣 薛向欣 +1 位作者 杨建 段培宁 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1236-1242,共7页
以反应烧结的O-′Sialon和金红石型TiO2为研究对象,设计制备了TiO2/O-′Sialon扩散偶,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及电子探针微区分析(EPMA)等方法,对扩散偶的扩散界面及垂直于界面的断面进行了物相分析、形貌观察及元素面分布分... 以反应烧结的O-′Sialon和金红石型TiO2为研究对象,设计制备了TiO2/O-′Sialon扩散偶,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及电子探针微区分析(EPMA)等方法,对扩散偶的扩散界面及垂直于界面的断面进行了物相分析、形貌观察及元素面分布分析,并在此基础上探讨了TiO2/O-′Sialon界面反应过程。XRD结果表明:TiO2与O-′Sialon在界面处发生反应生成TiN和SiO2,但在1200℃时扩散反应程度微弱,界面处存在Sm2O3偏析,并且与SiO2生成Sm2Si2O7;SEM照片显示TiO2/O-′Sialon界面处存在不规则硅酸盐熔融层;EP-MA元素面分布分析表明Ti、Si等元素富集于硅酸盐熔融层内,只有微量元素扩散至基体内。综合分析结果得出,TiO2/O-′Sialon界面反应过程可分为三个阶段:物理接触阶段、熔融层形成及元素富集阶段、熔融层增长阶段。 展开更多
关键词 TiO2/O′-Sialon 扩散偶 界面反应 电子探针
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锂辉石对堇青石多孔陶瓷性能的影响 被引量:2
6
作者 罗民华 周健儿 王婷 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期54-56,共3页
通过堇青石颗粒料制得的堇青石多孔陶瓷,与加入一定比例锂辉石制得的堇青石多孔陶瓷,在不同的温度下烧成,对气孔率、抗折强度、热膨胀系数等性能进行测试对比研究,对比实验数据表明加入锂辉石对堇青石多孔陶瓷的性能起到了优化作用。结... 通过堇青石颗粒料制得的堇青石多孔陶瓷,与加入一定比例锂辉石制得的堇青石多孔陶瓷,在不同的温度下烧成,对气孔率、抗折强度、热膨胀系数等性能进行测试对比研究,对比实验数据表明加入锂辉石对堇青石多孔陶瓷的性能起到了优化作用。结果表明加入5%锂辉石烧成温度1280℃制得堇青石多孔陶瓷气孔率45.83%、抗折强度22.64MPa、热膨胀系数1.73×10-6/℃。 展开更多
关键词 堇青石多孔陶瓷 锂辉石 性能
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NZP族磷酸盐材料CaZr_4(PO_4)_6对金属离子的吸附性能 被引量:1
7
作者 黄云华 杨劲 孙彦琳 《应用化工》 CAS CSCD 2011年第7期1173-1175,1185,共4页
采用共沉淀法合成了化学组成为CaZr4(PO4)6(简称CZP)的NZP族磷酸盐结晶化合物粉体,分别用XRD和N2吸附BET法表征物相和孔结构,研究了CaZr4(PO4)6对Fe3+和Mg2+的吸附性能。吸附动力学研究表明:CZP对Fe3+的吸附平衡时间为8 h,对Mg2+则为3 h... 采用共沉淀法合成了化学组成为CaZr4(PO4)6(简称CZP)的NZP族磷酸盐结晶化合物粉体,分别用XRD和N2吸附BET法表征物相和孔结构,研究了CaZr4(PO4)6对Fe3+和Mg2+的吸附性能。吸附动力学研究表明:CZP对Fe3+的吸附平衡时间为8 h,对Mg2+则为3 h;室温下模拟原液中Fe3+含量处于10~100 mg/L时,CZP对Fe3+的平衡吸附容量为0.336~1.332 mg Fe3+/g CZP;CZP在60℃时对Fe3+的平衡吸附容量要小于20℃时的平衡吸附容量。CZP用量为5 g时,对Fe3+的吸附率为55.22%,合适的吸附剂用量为2 g。 展开更多
关键词 NZP族磷酸盐材料 金属离子 吸附性能
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活性SiO_2对Ca_(0.85)Ba_(0.15)Zr_4(PO_4)_6陶瓷热膨胀异向性的影响 被引量:1
8
作者 杨劲 祝琳华 +1 位作者 赵榆林 黄云华 《昆明理工大学学报(理工版)》 2008年第1期10-13,18,共5页
应用湿化学法和低分子有机溶剂分散合成了复合磷酸锆钙钡Ca0.85Ba0.15Zr4(PO4)6(简写CBZP)陶瓷粉体,制备了相应的陶瓷.实验研究了活性SiO2对热膨胀系数及热膨胀异向性的影响,在添加烧结助剂3%ZnO的同时添加1%活性SiO2,可有效地提高CBZP... 应用湿化学法和低分子有机溶剂分散合成了复合磷酸锆钙钡Ca0.85Ba0.15Zr4(PO4)6(简写CBZP)陶瓷粉体,制备了相应的陶瓷.实验研究了活性SiO2对热膨胀系数及热膨胀异向性的影响,在添加烧结助剂3%ZnO的同时添加1%活性SiO2,可有效地提高CBZP陶瓷的耐热冲击性,作用机理是活性SiO2能够抑制晶粒生长. 展开更多
关键词 活性SiO2 CBZP陶瓷 耐热冲击性 磷酸盐陶瓷
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Sialon陶瓷干摩擦磨损特性初探 被引量:3
9
作者 刘方兴 刘茜 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期24-30,共7页
本文研究了销-盘式sialon陶瓷摩擦副的干摩擦磨损随环境温度变化的特性。实验测定了摩擦副在空气中、室温到600℃环境温度下的摩擦系数和磨损因子。用SEM、TEM和X射线衍射技术观察和分析了磨损前后摩擦副的表面形貌、截面特征、磨屑的... 本文研究了销-盘式sialon陶瓷摩擦副的干摩擦磨损随环境温度变化的特性。实验测定了摩擦副在空气中、室温到600℃环境温度下的摩擦系数和磨损因子。用SEM、TEM和X射线衍射技术观察和分析了磨损前后摩擦副的表面形貌、截面特征、磨屑的形状和磨屑及磨痕的相组成。本文试图揭示该材料的摩擦磨损随环境温度变化的特性并初步探讨磨损机理。实验结果表明:sialon陶瓷的主要磨损机理是断裂层离。 展开更多
关键词 SIALON陶瓷 干摩擦磨损 层离
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原子吸收光谱法测定氮化硅陶瓷材料中的钙、镁和铁 被引量:1
10
作者 晋勇 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期71-75,共5页
本文研究了原子吸收光谱法测定氮化硅陶瓷材料中的微量钙、镁和铁的条件,采用空气一乙炔火焰,以氯化银为干扰释放剂,在一份样品溶液中同时测定钙、镁和铁。本法具有快速、准确、操作简单等优点,为氮化硅陶瓷材料的研制和生产提供了一个... 本文研究了原子吸收光谱法测定氮化硅陶瓷材料中的微量钙、镁和铁的条件,采用空气一乙炔火焰,以氯化银为干扰释放剂,在一份样品溶液中同时测定钙、镁和铁。本法具有快速、准确、操作简单等优点,为氮化硅陶瓷材料的研制和生产提供了一个既快又准的分析方法。 展开更多
关键词 光谱法 氮化硅陶瓷 原子吸收
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络合法制备钛酸铝陶瓷粉料的研究 被引量:1
11
作者 王育华 杨宏秀 《陕西科技大学学报(自然科学版)》 1992年第3期77-82,共6页
本文应用DTA-TG-DTG、XRD、TEM和BET等测试手段,研究了高熔点、低热膨胀系数钛酸铝结构陶瓷粉料的湿化制备;确定了制备粉料的最佳工艺条件,为制备低膨胀、一定强度的钛酸铝陶瓷提供非传统制备工艺技术。
关键词 钛酸铝 结构陶瓷 粉料
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低温延展性陶瓷 被引量:1
12
作者 李标荣 《材料导报》 EI CAS CSCD 1989年第2期19-20,共2页
陶瓷是一种硬而脆的无机多晶体,在室温下不具任何延展性或可塑性。其根本原因在于:(1) 陶瓷晶粒内部具有离子键或带有一定共价键型的过渡型键。和金属型键不同,在外力作用下直到破裂为止,也不会出现晶面滑移;(2) 陶瓷晶粒较粗。
关键词 陶瓷 低温延展陶瓷
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蜂窝陶瓷热辐射特性的研究 被引量:2
13
作者 唐铁驯 《东北工学院学报》 CSCD 1989年第1期98-102,共5页
把蜂窝陶瓷每一单孔看成非等温空腔,进行热辐射数值计算,结果表明,非等温空腔具有定向辐射之功能,而所需空腔的实际深度相对很小。
关键词 蜂窝陶瓷 空腔辐射 辐射
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打印头陶瓷导板制造工艺研究
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作者 杨乐民 高士彬 +4 位作者 袁峰 梁志兴 王希路 张涛 祖小东 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期51-56,共6页
本文提出打印头Al_2O_3陶瓷导板Al_2O_30.23mm 密集微孔钻削方法,利用Al_2O_3陶瓷的不同温度烧结特性,结合优化加工参数,在电脑程控精密钻床上可以加工硬脆陶瓷材料的小孔。本法对Al_2O_3陶瓷零件加工有普遍实行意义。本文对其它种类陶... 本文提出打印头Al_2O_3陶瓷导板Al_2O_30.23mm 密集微孔钻削方法,利用Al_2O_3陶瓷的不同温度烧结特性,结合优化加工参数,在电脑程控精密钻床上可以加工硬脆陶瓷材料的小孔。本法对Al_2O_3陶瓷零件加工有普遍实行意义。本文对其它种类陶瓷材料的小孔加工方法也做了论述。 展开更多
关键词 锻烧温度 陶瓷 加工 打印头 导板
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SiC/Fe/SiC连接件高温温度场分布的计算 被引量:2
15
作者 张建军 刘文安 《新技术新工艺》 2009年第6期114-115,共2页
采用有限元方法对SiC/Fe/SiC高温钎焊连接件进行了三维温度场分布的有限元计算分析,以期对该连接件热力耦合条件下的应力分析提供热分析结果,计算表明,在连接件的边界、棱角处由于其曲率半径的影响,使得该区域具有较高的自由能,温度较... 采用有限元方法对SiC/Fe/SiC高温钎焊连接件进行了三维温度场分布的有限元计算分析,以期对该连接件热力耦合条件下的应力分析提供热分析结果,计算表明,在连接件的边界、棱角处由于其曲率半径的影响,使得该区域具有较高的自由能,温度较其他区域高。 展开更多
关键词 三维温度场分布 陶瓷连接 有限元计算 SIC陶瓷
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氧化对添加Al_2O_3的Si_3N_4陶瓷材料强度的影响
16
作者 张其土 丁子上 《陕西科技大学学报(自然科学版)》 1992年第3期7-11,共5页
实验表明,Si_3N_4陶瓷在1200℃的空气中氧化后,其室温强度随着氧化时间的增加呈现出先增加后下降的趋势,其中在1200℃的空气中氧化75小时后宣温强度提高了16%。当在1300℃的空气中氧化100小时后,高温强度提高了22%。
关键词 氧化 氮化硅 强度
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Ti对SiC陶瓷GH128接头残余应力的影响
17
作者 张建军 刘文安 《北京石油化工学院学报》 2010年第1期6-8,共3页
采用有限元方法对SiC/GH128和SiC/Ti/GH128高温扩散焊连接件进行了残余拉应力的有限元计算分析。结果表明:SiC/GH128不宜直接连接,在接头部位添加热膨胀系数介于SiC和GH128间的金属中间层Ti有助于显著降低SiC/GH128接头残余拉应力,促进S... 采用有限元方法对SiC/GH128和SiC/Ti/GH128高温扩散焊连接件进行了残余拉应力的有限元计算分析。结果表明:SiC/GH128不宜直接连接,在接头部位添加热膨胀系数介于SiC和GH128间的金属中间层Ti有助于显著降低SiC/GH128接头残余拉应力,促进SiC/GH128接头的形成。 展开更多
关键词 应力分析 陶瓷连接 SIC陶瓷 高温合金
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热力耦合条件下的SiC/Fe/SiC接头残余应力分析
18
作者 张建军 《新技术新工艺》 2010年第7期57-59,共3页
陶瓷和金属的连接是陶瓷获得广泛应用所需解决的问题之一,陶瓷-金属连接中残余应力计算、测量、缓解是陶瓷在应用中必须解决的关键问题。对陶瓷与金属连接的应力分析计算时,考虑连接温度对应力的影响会使计算结果更接近实际。本文采用... 陶瓷和金属的连接是陶瓷获得广泛应用所需解决的问题之一,陶瓷-金属连接中残余应力计算、测量、缓解是陶瓷在应用中必须解决的关键问题。对陶瓷与金属连接的应力分析计算时,考虑连接温度对应力的影响会使计算结果更接近实际。本文采用有限元方法对SiC/Fe/SiC高温钎焊连接件进行了三维温度场分布的有限元计算分析,并在此基础上计算了该连接件在热力耦合条件下的残余热应力分布情况。计算结果表明,在陶瓷与金属连接中连接处的外表面是应力和热量最为集中的地方,也就是连接件最易出现裂纹的地方。此外,在模型的边界、棱角处由于其曲率半径的影响,也是温度和应力集中点。平面与曲面相比,曲面的残余应力分布均匀,且数值高。 展开更多
关键词 三维温度场分布 陶瓷连接 有限元计算 热力耦合 残余应力
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MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏机理的探讨 被引量:5
19
作者 王恕 《传感器技术》 CSCD 1989年第2期11-15,51,共6页
半导瓷湿度传感器已经得到了广泛的应用,但是关于感湿机理的探讨尚未解决。本文对MgCr_2^-O_4^--TiO_2^-系湿敏陶瓷的感湿机理进行了详细的研究。根据一系列实验事实,提出了电子-离子共同导电的湿敏机理,该机理能够完善地解释湿敏特性。
关键词 MgCr2O4-TiO2 感湿机理 湿敏陶瓷
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氧化时间对增材制造碳化硅性能提升的作用机制
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作者 李伟 张舸 +5 位作者 崔聪聪 包建勋 郭聪慧 徐传享 张巍 朱万利 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第23期3449-3456,共8页
增材制造结合反应烧结技术能够制备高度轻量化的碳化硅陶瓷反射镜,针对增材制造技术制备的碳化硅陶瓷存在抗弯强度低、弹性模量低等力学性能差的问题,开展高温氧化提升材料力学性能的研究。对基于增材制造的反应烧结碳化硅陶瓷试样在85... 增材制造结合反应烧结技术能够制备高度轻量化的碳化硅陶瓷反射镜,针对增材制造技术制备的碳化硅陶瓷存在抗弯强度低、弹性模量低等力学性能差的问题,开展高温氧化提升材料力学性能的研究。对基于增材制造的反应烧结碳化硅陶瓷试样在850℃下进行高温氧化处理,研究氧化时间对材料成分及表面缺陷含量的影响,阐明氧化时间对材料性能的提升机制,揭示它对材料性能的影响规律。实验结果表明:当氧化时间为2 h时,材料表面原位生长一层致密的氧化硅膜层,该膜层能够使材料表面缺陷自愈合,有效降低陶瓷材料表面缺陷的含量,此时材料获得最佳的力学性能,抗弯强度和弹性模量分别为263.9 MPa和384.75 GPa,分别提升10.7%和14.4%。该方法具有高效率、低成本和易操作的优势,为增材制造碳化硅陶瓷的性能优化提供理论指导。 展开更多
关键词 增材制造 反应烧结碳化硅 氧化时间 性能优化
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