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题名静态存储器的常用设计技术
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作者
鄢宇鸿
吴建南
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机构
中科院西安光机所
西安交通大学
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出处
《微型机与应用》
1995年第10期13-14,共2页
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文摘
介绍了微机应用系统中存储器体系设计中的存储器共享、不同总线宽度的处理、页面映射的设计、避免竞争干扰的设计等常用技术.
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关键词
存储器
设计
静态存储器
微机
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分类号
TP333.802
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名SGRAM接口电路(STI)的VLSI设计
被引量:2
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作者
高明伦
李丽
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1999年第B11期14-15,共2页
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文摘
SGRAM是一种面向多媒体的新型内存器件,其接口电路的设计质量直接关系到器件使用的效率和可靠性。文章介绍SGRAM接口电路的总体设计构思、顶层设计方案以及地址变换器、仲裁器、时序器、数据通道等重要功能块的设计方法,并对状态机的设计做了详细论述。最后以一个底层电路的具体设计过程。文章提出的“静-动态混合仲裁算法”,使总线仲裁的“优先级”和“公平性”得以兼顾。文中的“总线-非总线”混合结构。
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关键词
SGRAM
VLSI
设计
接口电路
存储器
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分类号
TP333.802
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP334.702
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名一种高速CMOS SRAM读出灵敏放大器的设计
被引量:1
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作者
苏腾
陈旭昀
李蔚
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机构
复旦大学
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第2期88-91,共4页
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文摘
提出了一种CMOSSRAM读出灵敏放大器的新结构。该放大器同传统的PMOS电流镜放大器和PMOS交叉耦合放大器相比,具有速度快、增益大、功耗小等特点,可广泛应用于SRAM的设计中。最后,用HSPICE的仿真结果证明了该设计的正确性及其优点。
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关键词
VLSI
SRAM
IC
灵敏放大器
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Keywords
VLSI
SRAM
IC
Sense amplifier
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分类号
TP333.802
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN470.2
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名SRAM单元结构设计的新进展
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作者
黄德均
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机构
中科院微电子情报室
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出处
《广东电子》
1996年第9期46-47,共2页
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关键词
随机存储器
SRAM
单元结构
设计
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分类号
TP333.802
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名动态RAM设计指南:I. 解开动态RAM的疑难
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作者
Gumm,S
李宗杰
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出处
《微型计算机》
北大核心
1990年第2期78-85,F004,共9页
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关键词
DRAM
随机存贮器
设计
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分类号
TP333.802
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名避免快速存取RAM设计中的总线争用
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出处
《电子产品世界》
1998年第3期82-83,共2页
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文摘
当设计一个面向总线的系统时,必须考虑总线争用的可能性。当两个或更多器件在同一共同总线上试图输出相反的逻辑电平时,就会发生争用现象。本文指出在用快速静态RAM设计时总线争用的常见原因,并描述消除或减少总线争用的方法。总线争用最常见的形式发生在一个器件在...
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关键词
快速存取RAM
总线争用
随要存储器设计
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分类号
TP333.802
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名容量可变的嵌入式同步SRAM电路的设计与实现
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作者
孙燕
颜渝瑜
郑增钰
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机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期194-199,共6页
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文摘
提出了一种容量可变的嵌入式同步SRAM。通过采用存储阵列的分块、敏感放大器的分级等技术,对电路的结构进行了优化。着重讨论了存储阵列的分块原则,分析了分块的字长、字数对电路的面积、速度、功耗等因素的影响。采用0.6-μmCMOS工艺,容量为2k×16bit的SRAM可工作在100MHz的频率下,芯片面积为2.53mm×2.75mm,平均功耗为4.7mW/MHz。
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关键词
数字集成电路
静态随机存储器
分块存储阵列
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Keywords
Digital IC,SRAM,Divided memory cell array,Sense amplifier
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分类号
TN431.202
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TP333.802
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名E^2PROM存贮器失效分析及可靠性设计技术研究
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作者
于宗光
夏树荣
叶守银
黄卫
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机构
中国华晶电子集团公司中央研究所
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出处
《微电子技术》
1997年第3期39-54,共16页
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关键词
E^2PROM
存贮器
失效分析
可靠性
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分类号
TP333.802
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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