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非易失性存储器应用的一种6H－SiC垂直集成的双极存储单元
1
作者 相元兰 《半导体情报》 1996年第3期48-50,共3页
在宽带隙半导体碳化硅（ＳｉＣ）材料上，将一个ｎｐｎ双极存取晶体管和一个ｐｎｐ存储电容器合并成垂直集成的一晶体管存储单元，大大地降低了热产生速率，通过将高温下获得的电荷恢复数据外推，表明该存储器单元的室温恢复时间可超过... 在宽带隙半导体碳化硅（ＳｉＣ）材料上，将一个ｎｐｎ双极存取晶体管和一个ｐｎｐ存储电容器合并成垂直集成的一晶体管存储单元，大大地降低了热产生速率，通过将高温下获得的电荷恢复数据外推，表明该存储器单元的室温恢复时间可超过１０６年。 展开更多
关键词 非易失性存储器 双极存储单元 碳化硅
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2000年的信息技术展望
2
作者 林绳宗 《新产品世界》 1991年第5期38-39,共2页
关键词 半导体存贮器 信息技术 存贮器
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