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电可擦除存储器单元的模型被引量：2: 1; 作者洪志良韩兴成 +3 位作者李兴仁付志军黄震束克留《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期786-791,共6页; 本文采用绝大多数模拟器中已有模型的器件建立ＥＥＰＲＯＭ单元器件的等效电路的模型，利用本模型对ＥＥＰＲＯＭ单元的擦、写、读进行了任意组合的瞬态模拟。; 关键词 EEPROM单元电可擦除存储器模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

DRAM技术的发展动态: 2; 作者窦振中《电子产品世界》 1999年第9期47-48,共2页; 关键词 DRAM 动态读写存储器结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

铁电存储器和IC卡被引量：1: 3; 作者罗维根丁爱丽《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第1期22-27,共6页; 铁电薄膜与半导体集成产生了新一代非易失存储器，与传统的半导体非易失存储器比较具有突出的优点，是新一代ＩＣ卡的理想存储芯片。; 关键词铁电薄膜存储器 IC卡半导体存储器; 在线阅读下载PDF 职称材料

DRAM半导体盘的逻辑结构被引量：1: 4; 作者吴成峰《抗恶劣环境计算机》 1997年第2期57-58,共2页; 关键词半导体盘 DRAM 逻辑结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

特种DRAM评述: 5; 作者钟希武《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期34-36,共3页; 特种ＤＲＡＭ评述钟希武特种ＤＲＡＭ一律采用外部时钟同步工作方式。它们的存储单元阵列电路和标准的ＤＲＡＭ大同小异。由于它又分为ＣＡＣＨＥＤＲＡＭ（ＣＤＲＡＭ）、增强ＤＲＡＭ（ＥＤＲＡＭ）、同步ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、Ｒ... 展开更多; 关键词 DRAM 存储器结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

大容量、小体积闪存的实现: 6; 作者 Mike Elphick 京京《电子产品世界》 1998年第7期60-62,共3页; 多年以来,由于闪存(flash memory也作快擦除存储器)具有坚固、紧凑的一体化结构和高能效优点,一直被认为是实现非易失性重写存储的理想介质。并已经应用于大多数嵌入系统的编码储存系统。同时随着磁盘、光盘驱动器近几年取得的巨大进步。; 关键词快闪存储器 CMOS 快擦除存储器结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

8M单5V电源闪速存储器: 7; 《电子产品世界》 1999年第4期53-53,共1页; 关键词闪速存储器 CMOS 单5V电源; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于存储卡中的新型EEPROM单元结构: 8; 作者王凛陈亮杨莲兴《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期99-102,共4页; 通常的ＥＥＰＲＯＭ单元在应用于实际的存储卡时，因为进位而导致逻辑操作复杂。文中阐述了这种复杂性以及产生这种复杂性的原因，提出了一种新型的ＥＥＰＲＯＭ单元结构，并详细分析了这种结构对逻辑操作的改善。通过该结构与常规ＥＥ... 展开更多; 关键词 EEPROM单元存储器数字集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体存储器卡连接器的技术问题: 9; 作者陶光发《文献快报（纤维光学与电线电缆）》 1996年第4期28-32,共5页; 关键词存储器卡连接器外存元件; 在线阅读下载PDF 职称材料

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