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题名基于AZ4620光刻胶的垂直掩膜工艺参数优化
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作者
李啟
梁庭
雷程
贾平岗
余建刚
姚宗
李嘉龙
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机构
中北大学极限环境光电动态测试技术与仪器全国重点实验室
北方自动控制技术研究所
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出处
《半导体技术》
北大核心
2026年第2期139-143,共5页
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基金
国家重点研发计划(2023YFB3208500)
山西省科技重大专项计划“揭榜挂帅”项目(202201030201010)。
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文摘
针对光刻胶掩膜侧壁倾角不垂直导致压力传感器背腔刻蚀倾角偏差,进而影响传感器性能的问题,对光刻胶掩膜参数进行了探究,分析了匀胶转速、曝光剂量和后烘温度及时间等不同光刻参数对光刻胶掩膜侧壁倾角的影响。结果表明,采用以下光刻参数:AZ4620光刻胶,匀胶转速2500 r/min,110℃下前烘3 min,曝光剂量200 mJ/cm^(2),显影液AZ400K(AZ400K与去离子水体积比为1∶3),70℃下后烘10 min,可以得到侧壁倾角为90°的光刻胶掩膜,深刻蚀(390μm)后背腔倾角可以达到90.2°,为制备高性能压力传感器的关键刻蚀工艺提供了一种解决方案。
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关键词
光刻
AZ4620
侧壁倾角
垂直掩膜
压力传感器
背腔
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Keywords
lithography
AZ4620
sidewall tilt angle
vertical mask
pressure sensor
back cavity
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分类号
TP305.7
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名电子束光刻中的内部邻近效应校正技术研究
被引量：1
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作者
宋会英
杨瑞
于肇贤
赵真玉
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机构
中国石油大学(华东)计算机与通信工程学院
北京信息科技大学理学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第5期305-310,共6页
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基金
山东省自然科学基金资助项目(Y2007G21)
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文摘
研究了基于图形几何尺寸修正的电子束光刻的内部邻近效应校正技术,利用累积分布函数预先进行内部最大矩形和顶点矩形的快速计算,并把它们存储在矩阵中。在校正过程中,根据初始矩形的尺寸,通过访问矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换。矩阵的预先建立,最大限度地减小了校正过程中的计算强度。模拟结果表明,通过内部最大矩形和顶点矩形的替换,能够快速地实现内部邻近效应校正,校正时间与被校正图形数目成线性关系增加。在与同类软件精度相同的情况下,提高了运算速度。
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关键词
电子束光刻
邻近效应校正
内部最大矩形
顶点矩形
累积分布函数
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Keywords
electron beam lithography
proximity effect correction
inner maximal rectangles
vertex rectangles
cumulative distribution function
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分类号
TP305.7
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名微细图形光刻计算机模拟软件
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作者
范建兴
冯伯儒
张锦
陈芬
崔铮
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机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
英国卢瑟福国家实验室微结构中心
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出处
《微细加工技术》
1998年第2期61-66,共6页
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基金
国家自然科学基金
"微细加工光学技术国家重点实验室"基金
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文摘
本文介绍了新近开发成功的ＢＥＨＡＶＥ软件。该软件具有良好的交互式界面，全面高效的计算模拟功能，是研究探讨微细图形光刻中的驻波效应以及整个微细图形光刻工艺计算模拟的强有力工具。
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关键词
驻波效应
计算机模拟
光刻技术
BEHAVE软件
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Keywords
standing wave effect
computer simulation
photolithography
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分类号
TP317
[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
TP305.7
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名电子束光刻中的相互邻近效应校正技术研究
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作者
赵真玉
宋会英
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机构
中国石油大学(华东)计算机与通信工程学院
胜利油田高级人才培训中心党校
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出处
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2011年第7期118-122,共5页
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基金
山东省自然科学基金资助项目(Y2007G21)
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文摘
本文研究了基于形状修正的电子束光刻分级邻近效应校正技术,在内部邻近效应校正的基础上,在计算图形之间产生的相互邻近效应过程中,采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口机制。局部曝光窗口的区域小,对计算精度影响大,采用累积求和的方法进行精确计算;全局曝光窗口区域大,对计算精度影响小,采用大像点近似的方法进行计算,从而更快速地实现邻近效应校正。该技术的应用,满足了校正精度和运算速度两方面的要求。实验结果与模拟结果一致,表明通过采用局部曝光窗口和全局曝光窗口机制,能够快速地实现相互邻近效应校正,在校正精度相同的情况下,有效提高了运算速度。
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关键词
电子束光刻
邻近效应校正
有效曝光剂量
局部曝光窗口
全局曝光窗口
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Keywords
electron-beam lithograph
proximity effect correction
effective exposure dosage
local exposure window
global exposure window
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分类号
TP305.7
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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