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用于GaN生长的蓝宝石衬底片化学机械抛光工艺研究
被引量:
2
1
作者
赵之雯
《大众科技》
2007年第10期112-113,125,共3页
对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表...
对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。
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关键词
蓝宝石
化学机械抛光
纳米硅溶胶
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职称材料
题名
用于GaN生长的蓝宝石衬底片化学机械抛光工艺研究
被引量:
2
1
作者
赵之雯
机构
福建工程学院
出处
《大众科技》
2007年第10期112-113,125,共3页
文摘
对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。
关键词
蓝宝石
化学机械抛光
纳米硅溶胶
分类号
TP164.2 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
用于GaN生长的蓝宝石衬底片化学机械抛光工艺研究
赵之雯
《大众科技》
2007
2
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